RU2000113594A - Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления - Google Patents

Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления

Info

Publication number
RU2000113594A
RU2000113594A RU2000113594/28A RU2000113594A RU2000113594A RU 2000113594 A RU2000113594 A RU 2000113594A RU 2000113594/28 A RU2000113594/28 A RU 2000113594/28A RU 2000113594 A RU2000113594 A RU 2000113594A RU 2000113594 A RU2000113594 A RU 2000113594A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
aluminum
substrate
circuit
alloy
pattern
Prior art date
Application number
RU2000113594/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2204182C2 (ru
Inventor
Ютака ХИРАСИМА
Еситака ТАНИГУТИ
Ясухито ХУСИИ
Есихико ТУДЗИМУРА
Кацунори ТЕРАНО
Такеси ГОТОХ
Сиодзи ТАКАКУРА
Нобуюки ЕСИНО
Исао СУГИМОТО
Акира МИЙАИ
Original Assignee
Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся filed Critical Денки Кагаку Когио Кабусики Кайся
Publication of RU2000113594A publication Critical patent/RU2000113594A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2204182C2 publication Critical patent/RU2204182C2/ru

Links

Claims (18)

1. Подложка схемы, содержащая керамическую подложку и алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы присоединен к керамической подложке посредством слоя, содержащего Аl и Сu.
2. Подложка схемы, содержащая керамическую подложку и алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы присоединен к керамической подложке с помощью связующего материала, в качестве которого используется сплав типа Аl и Сu или смесь, содержащая Аl и Сu.
3. Подложка по п. 2, отличающаяся тем, что в качестве связующего материала использована фольга из сплава типа Al-Cu.
4. Подложка по любому из п. 1, 2 или 3, отличающаяся тем, что керамическая подложка представляет собой подложку из нитрида алюминия или подложку из нитрида кремния.
5. Подложка по любому из пп. 1-4, отличающаяся тем, что керамическая подложка представляет собой подложку из нитрида алюминия, имеющую удельную теплопроводность, по меньшей мере, 130 Вт/м•К и имеющую такое отношение интенсивностей пиков дифракции рентгеновских лучей, что 2≤Y2O3•Аl2O3•100/АlN≤17 и 2Y2O3•Аl2O3•100/АlN≤2 на поверхности.
6. Подложка по любому из пп. 1-5, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, образован при использовании Аl, имеющего чистоту, по меньшей мере, 99,85 мас. %.
7. Подложка по любому из пп. 1-6, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, образован при использовании прокатанного Аl, имеющего чистоту, по меньшей мере, 99,99 мас. %.
8. Подложка по п. 1, отличающаяся тем, что пропорция Сu в слое, содержащем Аl и Сu, составляет от 1 до 6 мас. %.
9. Подложка по п. 2 или 3, отличающаяся тем, что связующий материал содержит, по меньшей мере, 86 мас. % Аl, от 1 до 6 мас. % Сu и самое большее 3 мас. % Мg (без О).
10. Подложка по любому из пп. 1-9, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, имеет толщину, по меньшей мере, 100 мкм и твердость по Виккерсу самое большее 15 кгс/мм2.
11. Подложка по любому из пп. 1-10, отличающаяся тем, что она имеет теплоотводящую пластину, выполненную из алюминия или алюминиевого сплава, образованную на керамической подложке на стороне (задней стороне), противоположной стороне, на которой образован алюминиевый рисунок схемы.
12. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что отношение объема алюминиевого рисунка схемы к объему теплоотводящей пластины составляет от 0,80 до 1,2.
13. Подложка по п. 11 или 12, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы имеет твердость по Виккерсу, по крайней мере, 16 кгс/мм2, а теплоотводящая пластина имеет твердость по Виккерсу от 19 до 30 кгс/мм2.
14. Способ изготовления подложки схемы, заключающийся в том, что располагают алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, на керамической подложке и соединяют их между собой, отличающийся тем, что между алюминиевым рисунком схемы и керамическим материалом размещают связующий материал, в качестве которого используют сплав типа Al-Cu или смесь, содержащую Аl и Сu, и нагревают получающуюся в результате сборку при температуре от 540 до 640oС при этом к ней прикладывают давление от 1 до 100 кгс/см2 в направлении, перпендикулярном к керамической подложке, для присоединения выполненных из алюминия или алюминиевого сплава пластины, рисунка или их обоих к керамической подложке.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что в качестве связующего материала используют фольгу из сплава типа Al-Cu.
16. Способ по п. 15, отличающийся тем, что в качестве связующего материала используют фольгу из сплава типа Al-Cu, имеющую толщину от 15 до 35 мкм, выполненные из алюминия или алюминиевого сплава пластину, картину или их обоих, имеющих толщину, по меньшей мере 100 мкм, располагают на той или другой стороне керамической подложки посредством указанного связующего материала, а получающуюся в результате сборку содержат под нагревом при температуре, по меньшей мере, 590oС в течение, по меньшей мере, 20 мин, прикладывая к ней давление от 8 до 50 кгс/см2 в направлении, перпендикулярном к керамической подложке.
17. Способ по п. 15 или 16, отличающийся тем, что в качестве фольги из сплава типа Al-Cu используют фольгу из сплава типа Al-Cu-Mg, содержащую, по меньшей мере 86 мас. % Аl, от 1 до 6 маc. % Сu и самое большее 3 мас. % Мg (без О).
18. Способ по любому из п. 14-17, отличающийся тем, что после присоединения выполненных из алюминия или алюминиевого сплава рисунка схемы в виде пластины, рисунка или их обоих к керамической подложке осуществляют травление.
RU2000113594/28A 1999-05-28 2000-05-26 Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления RU2204182C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14930299 1999-05-28
JP11-149302 1999-05-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2000113594A true RU2000113594A (ru) 2002-04-27
RU2204182C2 RU2204182C2 (ru) 2003-05-10

Family

ID=15472189

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2000113594/28A RU2204182C2 (ru) 1999-05-28 2000-05-26 Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6309737B1 (ru)
EP (1) EP1056321B1 (ru)
KR (1) KR100400504B1 (ru)
AT (1) ATE378800T1 (ru)
DE (1) DE60037069T2 (ru)
DK (1) DK1056321T3 (ru)
RU (1) RU2204182C2 (ru)

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4649027B2 (ja) * 1999-09-28 2011-03-09 株式会社東芝 セラミックス回路基板
WO2002013267A1 (fr) * 2000-08-09 2002-02-14 Mitsubishi Materials Corporation Module de puissance pouvant comporter un dissipateur thermique
JP2002203942A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Fuji Electric Co Ltd パワー半導体モジュール
EP1363325B1 (en) * 2001-02-22 2013-02-20 NGK Insulators, Ltd. Member for electronic circuit, method for manufacturing the member
JP4434545B2 (ja) 2001-03-01 2010-03-17 Dowaホールディングス株式会社 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール
US6727585B2 (en) * 2001-05-04 2004-04-27 Ixys Corporation Power device with a plastic molded package and direct bonded substrate
US6700794B2 (en) * 2001-07-26 2004-03-02 Harris Corporation Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit
US6987775B1 (en) * 2001-08-15 2006-01-17 Internet Machines Corp. Variable size First In First Out (FIFO) memory with head and tail caching
JP2003163315A (ja) * 2001-11-29 2003-06-06 Denki Kagaku Kogyo Kk モジュール
JP3935037B2 (ja) * 2002-09-30 2007-06-20 Dowaホールディングス株式会社 アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法
KR100705868B1 (ko) * 2003-05-06 2007-04-10 후지 덴키 디바이스 테크놀로지 가부시키가이샤 반도체 장치 및 그 제조 방법
JP4496404B2 (ja) * 2003-10-10 2010-07-07 Dowaメタルテック株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
TWI228286B (en) * 2003-11-24 2005-02-21 Ind Tech Res Inst Bonding structure with buffer layer and method of forming the same
JP4543279B2 (ja) * 2004-03-31 2010-09-15 Dowaメタルテック株式会社 アルミニウム接合部材の製造方法
US7532481B2 (en) * 2004-04-05 2009-05-12 Mitsubishi Materials Corporation Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material
JP2006100770A (ja) * 2004-09-01 2006-04-13 Toyota Industries Corp 回路基板のベース板の製造方法及び回路基板のベース板並びにベース板を用いた回路基板
KR100591461B1 (ko) * 2005-03-04 2006-06-20 (주)실리콘화일 두 반도체 기판의 알루미늄 전극 접합방법
WO2007004579A1 (ja) * 2005-07-04 2007-01-11 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha セラミックシートの製造方法、それを用いたセラミック基板及びその用途
CN101273450A (zh) * 2005-09-28 2008-09-24 日本碍子株式会社 散热模块及其制造方法
US20070231590A1 (en) * 2006-03-31 2007-10-04 Stellar Industries Corp. Method of Bonding Metals to Ceramics
KR20110033117A (ko) * 2008-06-06 2011-03-30 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 및 파워 모듈용 기판의 제조 방법
US8916961B2 (en) * 2009-07-24 2014-12-23 Kabushiki Kaisha Toshiba Insulation sheet made from silicon nitride, and semiconductor module structure using the same
US8580593B2 (en) * 2009-09-10 2013-11-12 Micron Technology, Inc. Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices
TWI490117B (zh) * 2010-11-24 2015-07-01 Nat Univ Tsing Hua 具氮化鋁薄膜之熱擴散元件及其製作方法
CN102593009B (zh) * 2011-01-11 2016-02-17 三菱综合材料株式会社 电源模块用基板的制造方法、电源模块用基板和电源模块
DE102011103746A1 (de) * 2011-05-31 2012-12-06 Ixys Semiconductor Gmbh Verfahren zum Fügen von Metall-Keramik-Substraten an Metallkörpern
RU2481754C1 (ru) * 2011-09-13 2013-05-10 Открытое акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (ОАО "ЭЛАРА") Печатная плата на металлической подложке и способ ее изготовления
KR102010909B1 (ko) 2012-08-30 2019-08-14 삼성전자주식회사 패키지 기판, 이를 구비하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조방법
JP6085968B2 (ja) * 2012-12-27 2017-03-01 三菱マテリアル株式会社 金属部材付パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール、及び金属部材付パワーモジュール用基板の製造方法
JP6307832B2 (ja) * 2013-01-22 2018-04-11 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール
US9585241B2 (en) * 2013-09-24 2017-02-28 Infineon Technologies Ag Substrate, chip arrangement, and method for manufacturing the same
WO2016121159A1 (ja) * 2015-01-26 2016-08-04 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
KR102429043B1 (ko) * 2015-10-27 2022-08-05 주식회사 아모센스 세라믹 기판 제조 방법
JP6729224B2 (ja) * 2015-11-26 2020-07-22 三菱マテリアル株式会社 セラミックス/アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ledモジュール、熱電モジュール
JP6759784B2 (ja) 2016-07-12 2020-09-23 三菱電機株式会社 半導体モジュール
US10668574B2 (en) * 2017-02-02 2020-06-02 Mhi Health Devices, Llc High temperature devices and applications employing pure aluminum braze for joining components of said devices
WO2020044594A1 (ja) * 2018-08-28 2020-03-05 三菱マテリアル株式会社 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1259633A (ru) * 1968-04-15 1972-01-05
US4659611A (en) * 1984-02-27 1987-04-21 Kabushiki Kaisha Toshiba Circuit substrate having high thermal conductivity
JPS60250893A (ja) * 1984-05-25 1985-12-11 Sumitomo Light Metal Ind Ltd アルミニウム製熱交換器用アルミニウム合金ろう
JPS61291943A (ja) * 1985-06-19 1986-12-22 Masaaki Naga メタライズ用合金
JPH01103963A (ja) * 1987-10-16 1989-04-21 Toshiba Corp セラミックスの構造体
DE68921116T2 (de) * 1988-08-16 1995-06-08 Delco Electronics Corp Verfahren zum Erreichen einer selektiven Adhäsionshemmung und -steuerung in Dickschicht-Leitern.
DE69033718T2 (de) * 1989-10-09 2001-11-15 Mitsubishi Materials Corp Keramisches Substrat angewendet zum Herstellen einer elektrischen oder elektronischen Schaltung
JP2658435B2 (ja) * 1989-10-09 1997-09-30 三菱マテリアル株式会社 半導体装置用軽量基板
JP2777707B2 (ja) * 1994-10-07 1998-07-23 日本特殊陶業株式会社 接合体
JPH09249462A (ja) * 1996-03-12 1997-09-22 Ngk Insulators Ltd 接合体、その製造方法およびセラミックス部材用ろう材
US5912066A (en) * 1996-03-27 1999-06-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit board and producing method therefor
US6033787A (en) * 1996-08-22 2000-03-07 Mitsubishi Materials Corporation Ceramic circuit board with heat sink
JPH10120474A (ja) * 1996-10-18 1998-05-12 Hitachi Ltd アルミニウムとセラミックスとの接合方法
US6107638A (en) * 1997-03-14 2000-08-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Silicon nitride circuit substrate and semiconductor device containing same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2000113594A (ru) Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления
CA2276376A1 (en) Power module board and power module using the board
EP1453089A3 (en) Semiconductor substrate of high reliability
EP1315205A4 (en) POWER MODULE AND POWER MODULE WITH COOLING BODY
EP1701381A3 (en) Ceramic circuit board
KR970018427A (ko) 고열전도성 질화규소회로기판 및 그를 이용한 반도체장치, 질화규소세라믹판과 금속회로판으로 접합하기 위한 방법
CA2232517A1 (en) Functionally gradient material and method for producing the same
EP2863425A3 (en) Heat radiator
WO1998008256A1 (en) Silicon nitride circuit board and semiconductor module
EP1345480A3 (en) Ceramic circuit board and power module
JPH1065075A (ja) ヒートシンク付セラミック回路基板
US20100089625A1 (en) Component having a ceramic base with a metalized surface
EP1237397A3 (en) Insulating substrate boards for semiconductor and power modules
KR102496716B1 (ko) 세라믹 기판 제조 방법
JP2003204020A5 (ru)
JP2000128654A5 (ru)
JP4765110B2 (ja) 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
EP0392109A3 (en) Heat-conductive composite material
JP2001144234A (ja) 半導体実装用絶縁回路基板
EP1526569A3 (en) Metal/ceramic bonding substrate and method for producing same
JPH0613726A (ja) セラミックス回路基板
WO2020138330A1 (ja) ヒータ
JP5091674B2 (ja) 段差を有するセラミックス基板の製造方法
Iwase et al. ALUMINIUM NITRIDE SUBSTRATES HAVING HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
JPH11268968A (ja) セラミックス回路基板