RU2000113594A - Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления - Google Patents
Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовленияInfo
- Publication number
- RU2000113594A RU2000113594A RU2000113594/28A RU2000113594A RU2000113594A RU 2000113594 A RU2000113594 A RU 2000113594A RU 2000113594/28 A RU2000113594/28 A RU 2000113594/28A RU 2000113594 A RU2000113594 A RU 2000113594A RU 2000113594 A RU2000113594 A RU 2000113594A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- aluminum
- substrate
- circuit
- alloy
- pattern
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 30
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 23
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 13
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 6
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 229910017818 Cu—Mg Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N Silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
Claims (18)
1. Подложка схемы, содержащая керамическую подложку и алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы присоединен к керамической подложке посредством слоя, содержащего Аl и Сu.
2. Подложка схемы, содержащая керамическую подложку и алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы присоединен к керамической подложке с помощью связующего материала, в качестве которого используется сплав типа Аl и Сu или смесь, содержащая Аl и Сu.
3. Подложка по п. 2, отличающаяся тем, что в качестве связующего материала использована фольга из сплава типа Al-Cu.
4. Подложка по любому из п. 1, 2 или 3, отличающаяся тем, что керамическая подложка представляет собой подложку из нитрида алюминия или подложку из нитрида кремния.
5. Подложка по любому из пп. 1-4, отличающаяся тем, что керамическая подложка представляет собой подложку из нитрида алюминия, имеющую удельную теплопроводность, по меньшей мере, 130 Вт/м•К и имеющую такое отношение интенсивностей пиков дифракции рентгеновских лучей, что 2≤Y2O3•Аl2O3•100/АlN≤17 и 2Y2O3•Аl2O3•100/АlN≤2 на поверхности.
6. Подложка по любому из пп. 1-5, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, образован при использовании Аl, имеющего чистоту, по меньшей мере, 99,85 мас. %.
7. Подложка по любому из пп. 1-6, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, образован при использовании прокатанного Аl, имеющего чистоту, по меньшей мере, 99,99 мас. %.
8. Подложка по п. 1, отличающаяся тем, что пропорция Сu в слое, содержащем Аl и Сu, составляет от 1 до 6 мас. %.
9. Подложка по п. 2 или 3, отличающаяся тем, что связующий материал содержит, по меньшей мере, 86 мас. % Аl, от 1 до 6 мас. % Сu и самое большее 3 мас. % Мg (без О).
10. Подложка по любому из пп. 1-9, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, имеет толщину, по меньшей мере, 100 мкм и твердость по Виккерсу самое большее 15 кгс/мм2.
11. Подложка по любому из пп. 1-10, отличающаяся тем, что она имеет теплоотводящую пластину, выполненную из алюминия или алюминиевого сплава, образованную на керамической подложке на стороне (задней стороне), противоположной стороне, на которой образован алюминиевый рисунок схемы.
12. Подложка по п. 11, отличающаяся тем, что отношение объема алюминиевого рисунка схемы к объему теплоотводящей пластины составляет от 0,80 до 1,2.
13. Подложка по п. 11 или 12, отличающаяся тем, что алюминиевый рисунок схемы имеет твердость по Виккерсу, по крайней мере, 16 кгс/мм2, а теплоотводящая пластина имеет твердость по Виккерсу от 19 до 30 кгс/мм2.
14. Способ изготовления подложки схемы, заключающийся в том, что располагают алюминиевый рисунок схемы, выполненный из алюминия или алюминиевого сплава, на керамической подложке и соединяют их между собой, отличающийся тем, что между алюминиевым рисунком схемы и керамическим материалом размещают связующий материал, в качестве которого используют сплав типа Al-Cu или смесь, содержащую Аl и Сu, и нагревают получающуюся в результате сборку при температуре от 540 до 640oС при этом к ней прикладывают давление от 1 до 100 кгс/см2 в направлении, перпендикулярном к керамической подложке, для присоединения выполненных из алюминия или алюминиевого сплава пластины, рисунка или их обоих к керамической подложке.
15. Способ по п. 14, отличающийся тем, что в качестве связующего материала используют фольгу из сплава типа Al-Cu.
16. Способ по п. 15, отличающийся тем, что в качестве связующего материала используют фольгу из сплава типа Al-Cu, имеющую толщину от 15 до 35 мкм, выполненные из алюминия или алюминиевого сплава пластину, картину или их обоих, имеющих толщину, по меньшей мере 100 мкм, располагают на той или другой стороне керамической подложки посредством указанного связующего материала, а получающуюся в результате сборку содержат под нагревом при температуре, по меньшей мере, 590oС в течение, по меньшей мере, 20 мин, прикладывая к ней давление от 8 до 50 кгс/см2 в направлении, перпендикулярном к керамической подложке.
17. Способ по п. 15 или 16, отличающийся тем, что в качестве фольги из сплава типа Al-Cu используют фольгу из сплава типа Al-Cu-Mg, содержащую, по меньшей мере 86 мас. % Аl, от 1 до 6 маc. % Сu и самое большее 3 мас. % Мg (без О).
18. Способ по любому из п. 14-17, отличающийся тем, что после присоединения выполненных из алюминия или алюминиевого сплава рисунка схемы в виде пластины, рисунка или их обоих к керамической подложке осуществляют травление.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14930299 | 1999-05-28 | ||
JP11-149302 | 1999-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2000113594A true RU2000113594A (ru) | 2002-04-27 |
RU2204182C2 RU2204182C2 (ru) | 2003-05-10 |
Family
ID=15472189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2000113594/28A RU2204182C2 (ru) | 1999-05-28 | 2000-05-26 | Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6309737B1 (ru) |
EP (1) | EP1056321B1 (ru) |
KR (1) | KR100400504B1 (ru) |
AT (1) | ATE378800T1 (ru) |
DE (1) | DE60037069T2 (ru) |
DK (1) | DK1056321T3 (ru) |
RU (1) | RU2204182C2 (ru) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4649027B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2011-03-09 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板 |
WO2002013267A1 (fr) * | 2000-08-09 | 2002-02-14 | Mitsubishi Materials Corporation | Module de puissance pouvant comporter un dissipateur thermique |
JP2002203942A (ja) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Fuji Electric Co Ltd | パワー半導体モジュール |
EP1363325B1 (en) * | 2001-02-22 | 2013-02-20 | NGK Insulators, Ltd. | Member for electronic circuit, method for manufacturing the member |
JP4434545B2 (ja) | 2001-03-01 | 2010-03-17 | Dowaホールディングス株式会社 | 半導体実装用絶縁基板及びパワーモジュール |
US6727585B2 (en) * | 2001-05-04 | 2004-04-27 | Ixys Corporation | Power device with a plastic molded package and direct bonded substrate |
US6700794B2 (en) * | 2001-07-26 | 2004-03-02 | Harris Corporation | Decoupling capacitor closely coupled with integrated circuit |
US6987775B1 (en) * | 2001-08-15 | 2006-01-17 | Internet Machines Corp. | Variable size First In First Out (FIFO) memory with head and tail caching |
JP2003163315A (ja) * | 2001-11-29 | 2003-06-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | モジュール |
JP3935037B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2007-06-20 | Dowaホールディングス株式会社 | アルミニウム−セラミックス接合基板の製造方法 |
KR100705868B1 (ko) * | 2003-05-06 | 2007-04-10 | 후지 덴키 디바이스 테크놀로지 가부시키가이샤 | 반도체 장치 및 그 제조 방법 |
JP4496404B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2010-07-07 | Dowaメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 |
TWI228286B (en) * | 2003-11-24 | 2005-02-21 | Ind Tech Res Inst | Bonding structure with buffer layer and method of forming the same |
JP4543279B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-09-15 | Dowaメタルテック株式会社 | アルミニウム接合部材の製造方法 |
US7532481B2 (en) * | 2004-04-05 | 2009-05-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Al/AlN joint material, base plate for power module, power module, and manufacturing method of Al/AlN joint material |
JP2006100770A (ja) * | 2004-09-01 | 2006-04-13 | Toyota Industries Corp | 回路基板のベース板の製造方法及び回路基板のベース板並びにベース板を用いた回路基板 |
KR100591461B1 (ko) * | 2005-03-04 | 2006-06-20 | (주)실리콘화일 | 두 반도체 기판의 알루미늄 전극 접합방법 |
WO2007004579A1 (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-11 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | セラミックシートの製造方法、それを用いたセラミック基板及びその用途 |
CN101273450A (zh) * | 2005-09-28 | 2008-09-24 | 日本碍子株式会社 | 散热模块及其制造方法 |
US20070231590A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Stellar Industries Corp. | Method of Bonding Metals to Ceramics |
KR20110033117A (ko) * | 2008-06-06 | 2011-03-30 | 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 | 파워 모듈용 기판, 파워 모듈, 및 파워 모듈용 기판의 제조 방법 |
US8916961B2 (en) * | 2009-07-24 | 2014-12-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Insulation sheet made from silicon nitride, and semiconductor module structure using the same |
US8580593B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices |
TWI490117B (zh) * | 2010-11-24 | 2015-07-01 | Nat Univ Tsing Hua | 具氮化鋁薄膜之熱擴散元件及其製作方法 |
CN102593009B (zh) * | 2011-01-11 | 2016-02-17 | 三菱综合材料株式会社 | 电源模块用基板的制造方法、电源模块用基板和电源模块 |
DE102011103746A1 (de) * | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Ixys Semiconductor Gmbh | Verfahren zum Fügen von Metall-Keramik-Substraten an Metallkörpern |
RU2481754C1 (ru) * | 2011-09-13 | 2013-05-10 | Открытое акционерное общество "Научно-производственный комплекс "ЭЛАРА" имени Г.А. Ильенко" (ОАО "ЭЛАРА") | Печатная плата на металлической подложке и способ ее изготовления |
KR102010909B1 (ko) | 2012-08-30 | 2019-08-14 | 삼성전자주식회사 | 패키지 기판, 이를 구비하는 반도체 패키지, 및 반도체 패키지의 제조방법 |
JP6085968B2 (ja) * | 2012-12-27 | 2017-03-01 | 三菱マテリアル株式会社 | 金属部材付パワーモジュール用基板、金属部材付パワーモジュール、及び金属部材付パワーモジュール用基板の製造方法 |
JP6307832B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2018-04-11 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール |
US9585241B2 (en) * | 2013-09-24 | 2017-02-28 | Infineon Technologies Ag | Substrate, chip arrangement, and method for manufacturing the same |
WO2016121159A1 (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
KR102429043B1 (ko) * | 2015-10-27 | 2022-08-05 | 주식회사 아모센스 | 세라믹 기판 제조 방법 |
JP6729224B2 (ja) * | 2015-11-26 | 2020-07-22 | 三菱マテリアル株式会社 | セラミックス/アルミニウム接合体、絶縁回路基板、パワーモジュール、ledモジュール、熱電モジュール |
JP6759784B2 (ja) | 2016-07-12 | 2020-09-23 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
US10668574B2 (en) * | 2017-02-02 | 2020-06-02 | Mhi Health Devices, Llc | High temperature devices and applications employing pure aluminum braze for joining components of said devices |
WO2020044594A1 (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅/セラミックス接合体、絶縁回路基板、及び、銅/セラミックス接合体の製造方法、及び、絶縁回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1259633A (ru) * | 1968-04-15 | 1972-01-05 | ||
US4659611A (en) * | 1984-02-27 | 1987-04-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Circuit substrate having high thermal conductivity |
JPS60250893A (ja) * | 1984-05-25 | 1985-12-11 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム製熱交換器用アルミニウム合金ろう |
JPS61291943A (ja) * | 1985-06-19 | 1986-12-22 | Masaaki Naga | メタライズ用合金 |
JPH01103963A (ja) * | 1987-10-16 | 1989-04-21 | Toshiba Corp | セラミックスの構造体 |
DE68921116T2 (de) * | 1988-08-16 | 1995-06-08 | Delco Electronics Corp | Verfahren zum Erreichen einer selektiven Adhäsionshemmung und -steuerung in Dickschicht-Leitern. |
DE69033718T2 (de) * | 1989-10-09 | 2001-11-15 | Mitsubishi Materials Corp | Keramisches Substrat angewendet zum Herstellen einer elektrischen oder elektronischen Schaltung |
JP2658435B2 (ja) * | 1989-10-09 | 1997-09-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 半導体装置用軽量基板 |
JP2777707B2 (ja) * | 1994-10-07 | 1998-07-23 | 日本特殊陶業株式会社 | 接合体 |
JPH09249462A (ja) * | 1996-03-12 | 1997-09-22 | Ngk Insulators Ltd | 接合体、その製造方法およびセラミックス部材用ろう材 |
US5912066A (en) * | 1996-03-27 | 1999-06-15 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit board and producing method therefor |
US6033787A (en) * | 1996-08-22 | 2000-03-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Ceramic circuit board with heat sink |
JPH10120474A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-12 | Hitachi Ltd | アルミニウムとセラミックスとの接合方法 |
US6107638A (en) * | 1997-03-14 | 2000-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Silicon nitride circuit substrate and semiconductor device containing same |
-
2000
- 2000-05-23 DE DE60037069T patent/DE60037069T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-23 EP EP00111125A patent/EP1056321B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-23 AT AT00111125T patent/ATE378800T1/de not_active IP Right Cessation
- 2000-05-23 DK DK00111125T patent/DK1056321T3/da active
- 2000-05-26 RU RU2000113594/28A patent/RU2204182C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2000-05-26 US US09/578,451 patent/US6309737B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-05-26 KR KR10-2000-0028547A patent/KR100400504B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-07-24 US US09/910,787 patent/US20020037435A1/en not_active Abandoned
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2000113594A (ru) | Подложка схемы (варианты) и способ ее изготовления | |
CA2276376A1 (en) | Power module board and power module using the board | |
EP1453089A3 (en) | Semiconductor substrate of high reliability | |
EP1315205A4 (en) | POWER MODULE AND POWER MODULE WITH COOLING BODY | |
EP1701381A3 (en) | Ceramic circuit board | |
KR970018427A (ko) | 고열전도성 질화규소회로기판 및 그를 이용한 반도체장치, 질화규소세라믹판과 금속회로판으로 접합하기 위한 방법 | |
CA2232517A1 (en) | Functionally gradient material and method for producing the same | |
EP2863425A3 (en) | Heat radiator | |
WO1998008256A1 (en) | Silicon nitride circuit board and semiconductor module | |
EP1345480A3 (en) | Ceramic circuit board and power module | |
JPH1065075A (ja) | ヒートシンク付セラミック回路基板 | |
US20100089625A1 (en) | Component having a ceramic base with a metalized surface | |
EP1237397A3 (en) | Insulating substrate boards for semiconductor and power modules | |
KR102496716B1 (ko) | 세라믹 기판 제조 방법 | |
JP2003204020A5 (ru) | ||
JP2000128654A5 (ru) | ||
JP4765110B2 (ja) | 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法 | |
EP0392109A3 (en) | Heat-conductive composite material | |
JP2001144234A (ja) | 半導体実装用絶縁回路基板 | |
EP1526569A3 (en) | Metal/ceramic bonding substrate and method for producing same | |
JPH0613726A (ja) | セラミックス回路基板 | |
WO2020138330A1 (ja) | ヒータ | |
JP5091674B2 (ja) | 段差を有するセラミックス基板の製造方法 | |
Iwase et al. | ALUMINIUM NITRIDE SUBSTRATES HAVING HIGH THERMAL CONDUCTIVITY | |
JPH11268968A (ja) | セラミックス回路基板 |