JPS61291943A - メタライズ用合金 - Google Patents
メタライズ用合金Info
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- JPS61291943A JPS61291943A JP13348085A JP13348085A JPS61291943A JP S61291943 A JPS61291943 A JP S61291943A JP 13348085 A JP13348085 A JP 13348085A JP 13348085 A JP13348085 A JP 13348085A JP S61291943 A JPS61291943 A JP S61291943A
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- ceramics
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（Ａ） 〔産業上の利用分野〕
本発明は、セラミックスとセラミックス、あるぃはセラ
ミックスと、ｌまたはＡｌ合金を接合できるメタライズ
用合金と、そのメタライズ接合法に係るもので、セラミ
ックスとＡｌまたはへρ合金相互間の、接合を比較的低
温で容易に、かつ高強度に接合できる、メタライズ用合
金、ならびにその接合法に関するものである。
ミックスと、ｌまたはＡｌ合金を接合できるメタライズ
用合金と、そのメタライズ接合法に係るもので、セラミ
ックスとＡｌまたはへρ合金相互間の、接合を比較的低
温で容易に、かつ高強度に接合できる、メタライズ用合
金、ならびにその接合法に関するものである。
（Ｂ） 〔従来の技術〕
セラミックスとＡｌまたはＡρ金合金接合するには、従
来、活性金属法や、高融点金属法、あるいはＭｏ−Ｍｎ
法等により、セラミックス面にメタライズした後、その
メタライズ面（ニニッケルメンキ等を施した上、ｌろう
材を使用してＡｌまたはＡｐ金合金接合す゛るという複
雑な製法がとられ、いずれも高温処理で、高温炉を必要
とし、設備費も高く、またメッキ工程を要する等、製造
過程も複雑であり、製造コストも高くなる等の不都合が
あった。
来、活性金属法や、高融点金属法、あるいはＭｏ−Ｍｎ
法等により、セラミックス面にメタライズした後、その
メタライズ面（ニニッケルメンキ等を施した上、ｌろう
材を使用してＡｌまたはＡｐ金合金接合す゛るという複
雑な製法がとられ、いずれも高温処理で、高温炉を必要
とし、設備費も高く、またメッキ工程を要する等、製造
過程も複雑であり、製造コストも高くなる等の不都合が
あった。
またセラミックスｌこＡＮｉこでメタライズをすること
もできるが、十分な接合強度を得ることは困難であった
。
もできるが、十分な接合強度を得ることは困難であった
。
その他活性金属法は、Ｔｉ、Ｚｒ等の活性金属を使用す
るためメタライズ過程において酸化しやすく、ソノ酸化
物がメタライズ層に残留してメタライズ強度を低下した
り、粉末を完全に均一に混合することは非常に困難であ
り、その為のメタライズ層の不均一性に基づく、メタラ
イズ強度の低下を招く等の不都合があった。
るためメタライズ過程において酸化しやすく、ソノ酸化
物がメタライズ層に残留してメタライズ強度を低下した
り、粉末を完全に均一に混合することは非常に困難であ
り、その為のメタライズ層の不均一性に基づく、メタラ
イズ強度の低下を招く等の不都合があった。
また、Ｍｏ−Ｍｎ法はＭｏとＭｎの微粉末を有機バイン
ダでペイント状にしたものを、セラミックスの表面に塗
布して、加湿水素または加湿７オーミングガス（Ｈ２／
Ｎ２）中において、１５７３〜１９７３にでメタライジ
ングし、そのメタライズ面にＮｉメッキを施した後、ろ
う材を使用して接合金属とろう付けする方法である為、
製造設備や製造方法が容易でなく、高温処理を伴なう為
、高温炉を必要とし、設備費が高くなり、製造コストが
高くなる。
ダでペイント状にしたものを、セラミックスの表面に塗
布して、加湿水素または加湿７オーミングガス（Ｈ２／
Ｎ２）中において、１５７３〜１９７３にでメタライジ
ングし、そのメタライズ面にＮｉメッキを施した後、ろ
う材を使用して接合金属とろう付けする方法である為、
製造設備や製造方法が容易でなく、高温処理を伴なう為
、高温炉を必要とし、設備費が高くなり、製造コストが
高くなる。
更に、これらは高温処理のため、セラミックスも高温に
良く耐えるものの使用に限定される等の制約があり、決
して使いがっての良いものではなかった。
良く耐えるものの使用に限定される等の制約があり、決
して使いがっての良いものではなかった。
また、活性金属法と同様に微粉末を混合して、使用する
が、均一な混合は困難であり、従って不均一なメタライ
ズになる心配があった。
が、均一な混合は困難であり、従って不均一なメタライ
ズになる心配があった。
（Ｃ） 〔発明が解決しようとする問題点〕本発明は、
上記したような活性金属法や高融点金属法あるいはＭｏ
−Ｍｎ法等、従来のメタライズ金属や接合法より低温の
処理が可能で、作業性に優れ、メタライズが容易で、か
つ酸化等の変質を防止し、常に均一な成分を保持し、メ
タライズも、常に均一で強固なメタライズ強度を得るこ
とのできるもので、セラミックスとセラミックス、ある
いはセラミックスとＡｌまたはＡＮ合金のメタライズ接
合に有効な、メタライズ用合金、ならびにメタライズ接
合法を提供するものである。
上記したような活性金属法や高融点金属法あるいはＭｏ
−Ｍｎ法等、従来のメタライズ金属や接合法より低温の
処理が可能で、作業性に優れ、メタライズが容易で、か
つ酸化等の変質を防止し、常に均一な成分を保持し、メ
タライズも、常に均一で強固なメタライズ強度を得るこ
とのできるもので、セラミックスとセラミックス、ある
いはセラミックスとＡｌまたはＡＮ合金のメタライズ接
合に有効な、メタライズ用合金、ならびにメタライズ接
合法を提供するものである。
（Ｄ） 〔問題点を解決するための手段〕本発明は、セ
ラミックスとセラミックス、あるいはセラミックスとＡ
ｌまたはＡｌ合金相互間を容易高強度に接合するための
メタライズ用の合金であ リ 、 重量比で、Ｃｕ ０．５〜４５％と、残部がＡｌ及び不
可避的不純物からなるセラミックスのメタライズ用合金
である。
ラミックスとセラミックス、あるいはセラミックスとＡ
ｌまたはＡｌ合金相互間を容易高強度に接合するための
メタライズ用の合金であ リ 、 重量比で、Ｃｕ ０．５〜４５％と、残部がＡｌ及び不
可避的不純物からなるセラミックスのメタライズ用合金
である。
即ち、重量比で０．５〜４５％Ｃｕと残部Ａｌを、真空
中または不活性ガス中で、合金化したもので、必要に応
じて粉末状またはシート状等として使用するものである
。 なお、微粉末の粒度は、セラミックスへの塗布方法
に応じて使用しやすい粒度とすることがでとる。このメ
タライズ用合金粉末によるメタライズ法は、メタライズ
合金粉末にバインダを加えてペースト状とし、セラミッ
クスに塗布後、真空中または不活性ガス中または還元性
雰囲気中でメタライズ用合金の融点以上に加熱してメタ
ライズするものである。
中または不活性ガス中で、合金化したもので、必要に応
じて粉末状またはシート状等として使用するものである
。 なお、微粉末の粒度は、セラミックスへの塗布方法
に応じて使用しやすい粒度とすることがでとる。このメ
タライズ用合金粉末によるメタライズ法は、メタライズ
合金粉末にバインダを加えてペースト状とし、セラミッ
クスに塗布後、真空中または不活性ガス中または還元性
雰囲気中でメタライズ用合金の融点以上に加熱してメタ
ライズするものである。
例えば、本発明の所要粒度のメタライズ用合金粉末を、
メタクリレート、ニトロセルローズあるいはテレピン油
等のいずれかの有機バインダーを加えてペースト状とし
、第１図に示すようなセラミックス１例えばＡ ！２０
、等のＡＮ２の接合個所にスクリーン印刷または刷毛
塗り等により塗布後、真空中または不活性ガスあるいは
還元性雰囲気中で、メタライズ用合金の融点（８２１Ｋ
〜９３３Ｋ）以上に加熱すれば、メタライズ用合金粉末
中のＣｕがセラミックス中に拡散して強固なメタライズ
層３が形成される。
メタクリレート、ニトロセルローズあるいはテレピン油
等のいずれかの有機バインダーを加えてペースト状とし
、第１図に示すようなセラミックス１例えばＡ ！２０
、等のＡＮ２の接合個所にスクリーン印刷または刷毛
塗り等により塗布後、真空中または不活性ガスあるいは
還元性雰囲気中で、メタライズ用合金の融点（８２１Ｋ
〜９３３Ｋ）以上に加熱すれば、メタライズ用合金粉末
中のＣｕがセラミックス中に拡散して強固なメタライズ
層３が形成される。
また本発明のメタライズ用合金のシート状のものを使用
してメタライズする場合は第１図に示すようにセラミッ
クス１のＡ′１２の接合個所に本発明のメタライズ用合
金な載置後、真空中または不活性ガスあるいは還元性雰
囲気中でメタライズ用合金の融点以上に加熱すれば、メ
タライズ用合金中のＣｕがセラミックス中に拡散して強
固なメタライズ層３が形成される。
してメタライズする場合は第１図に示すようにセラミッ
クス１のＡ′１２の接合個所に本発明のメタライズ用合
金な載置後、真空中または不活性ガスあるいは還元性雰
囲気中でメタライズ用合金の融点以上に加熱すれば、メ
タライズ用合金中のＣｕがセラミックス中に拡散して強
固なメタライズ層３が形成される。
次にメタライズ層３とＡｌ２間に、第１図に示すように
Ａｌろう４例えば４００４を挟在ぜしめた後、真空中ま
たは不活性ガス中にて加熱ろう付けすれば、Ａ［ろう４
はセラミックス１とＡ［２の間に満遍無く拡散して、強
固に接合される。
Ａｌろう４例えば４００４を挟在ぜしめた後、真空中ま
たは不活性ガス中にて加熱ろう付けすれば、Ａ［ろう４
はセラミックス１とＡ［２の間に満遍無く拡散して、強
固に接合される。
具体的には、第２図に示すように、例えばＡｌ２０．１
に、本発明のメタライズ用合金Ａρ−４Ｃｕ（Ａｌ、９
６％−Ｃｕ４％）により、真空中または不活性ガス中あ
るいは還元性雰囲気中で、１３７３Ｋ。
に、本発明のメタライズ用合金Ａρ−４Ｃｕ（Ａｌ、９
６％−Ｃｕ４％）により、真空中または不活性ガス中あ
るいは還元性雰囲気中で、１３７３Ｋ。
３．６ＫＳｅｃの条件でメタライズしたＡＮ２０，１の
メタライズ層３とＡｌ母材２との間にｌろう４例えば４
００４（９％５ｉ−１％Ｍｇ−残部Ａρ）を挟んで８８
３に、１８０Ｓｅｃで接合すれば、第２図に示すように
Ａｌろう４例えば４００４中のＡｇはＡｌ母材２中に、
Ｓｉはメタライズ層３（Ａｇ−Ｃｕ）中に拡散して、強
固に接合するものである。
メタライズ層３とＡｌ母材２との間にｌろう４例えば４
００４（９％５ｉ−１％Ｍｇ−残部Ａρ）を挟んで８８
３に、１８０Ｓｅｃで接合すれば、第２図に示すように
Ａｌろう４例えば４００４中のＡｇはＡｌ母材２中に、
Ｓｉはメタライズ層３（Ａｇ−Ｃｕ）中に拡散して、強
固に接合するものである。
（Ｅ） 〔発明の効果〕
従来の活性金属法では、活性金属のＴｉやＺｒと、低融
点合金を作るＣｕやＮｉあるいはＡｇ等の粉末混合が均
一１こなり難いためと、活性金属の酸化等による変質や
、メタライズ部に酸化物の残留等により、各部均一な接
合が困難で、接合製品にばらつきを生じたりして、均一
強固な接合が困難であった。
点合金を作るＣｕやＮｉあるいはＡｇ等の粉末混合が均
一１こなり難いためと、活性金属の酸化等による変質や
、メタライズ部に酸化物の残留等により、各部均一な接
合が困難で、接合製品にばらつきを生じたりして、均一
強固な接合が困難であった。
また、高融点金属法においても、例えばＭＯｌＭｎ等の
混合において、同様に均一な混合が困難という問題があ
る上、高温処理を必要とするため、製造が容易でなく、
製造設備曹も高く、メタライズするセラミックスも高温
によく耐えるものに限定される等の制約があり、またメ
タライズ面にメッキを施さなくてはならないといった、
煩わしさがあった。
混合において、同様に均一な混合が困難という問題があ
る上、高温処理を必要とするため、製造が容易でなく、
製造設備曹も高く、メタライズするセラミックスも高温
によく耐えるものに限定される等の制約があり、またメ
タライズ面にメッキを施さなくてはならないといった、
煩わしさがあった。
本発明のメタライズ用合金においては、０．５〜４５％
のＣｕと残部Ａｌを真空中または不活性ガス中で、合金
化して、混合の不均一性をなくし、常に均一性を保持で
きるようにした。
のＣｕと残部Ａｌを真空中または不活性ガス中で、合金
化して、混合の不均一性をなくし、常に均一性を保持で
きるようにした。
また、本発明のメタライズ用合金の組成において、Ｃｕ
を０．５〜４５％としたことによりメタライズのときの
Ｃｕのセラミックス内への拡散をよくして、メタライズ
強度をあげるとともに、濡れ性も第３図（、）に示すよ
うにＡｌ自体の接触角（活性の目安となるもので、Ａｇ
２０３（ａ）面と液体金属のなす角度）と同程度の５０
°近くであり、流動性も極めて良好で浸透しやすく、メ
タライズ温度も低い等作業性も良好である。
を０．５〜４５％としたことによりメタライズのときの
Ｃｕのセラミックス内への拡散をよくして、メタライズ
強度をあげるとともに、濡れ性も第３図（、）に示すよ
うにＡｌ自体の接触角（活性の目安となるもので、Ａｇ
２０３（ａ）面と液体金属のなす角度）と同程度の５０
°近くであり、流動性も極めて良好で浸透しやすく、メ
タライズ温度も低い等作業性も良好である。
なおこの活性は酸化物系セラミックス（、，１２０，。
Ｚｒ○２＋Ｍｇｏｔ３ Ａｌ２０）・２ ＳｉＯ２等）
ばかりでなく、非酸化物系セラミックス（Ｓ ｉ＝Ｎ
４．Ｓ ｉＣ。
ばかりでなく、非酸化物系セラミックス（Ｓ ｉ＝Ｎ
４．Ｓ ｉＣ。
ＴｉＮ等）においても良好であり、例えばＳ ｉ３Ｎ
。
。
に対する１３７３Ｋにおける本発明のｌ−１０Ｃｕの接
触角は第３図（ｂ）に示すように４４°で１、ｌの４８
°より小さい値を示している。
触角は第３図（ｂ）に示すように４４°で１、ｌの４８
°より小さい値を示している。
メタライズ温度もこの種のメタライズ材としては比較的
低温の１１７３に前後と低くして、メタライズを容易に
し、メタライズのコスト低減を可能にするものである。
低温の１１７３に前後と低くして、メタライズを容易に
し、メタライズのコスト低減を可能にするものである。
更に本発明のメタライズ合金の特徴は、前記したように
メタライズ層がセラミックスに強固かつ均一に、しかも
緻密で常に製品にばらつき無く均一に形成されることで
ある。
メタライズ層がセラミックスに強固かつ均一に、しかも
緻密で常に製品にばらつき無く均一に形成されることで
ある。
次に本発明のメタライズ用合金によるメタライズ接合の
強度は、第４図に示すように、例えばＡｇ２０．にＡ、
Ｎでメタライズしたものと、本発明の例えばＡｌ
４Ｃｕ（９６％ＡＮ−４％Ｓｉ）によりメタライズした
ものに、それぞれそのメタライズ面にＡｌろう４００４
を用いて、接合条件８８３ Ｋ、１８０Ｓｅｃ（０棒グ
ラフ）および９００Ｓｅｃ（斜線棒グラフ）で、Ａｆｆ
ｉを接合した接合体の、破壊剪断応力を比較すると、Ａ
ｇ２０３にＡｅでメタライズした場合（１：Ａ［）の破
壊剪断応力が約５５乃至４５ＭＰａ前後であるのに対し
、本発明のＡｇ−４Ｃｕでメタライズした場合（ＩＩ
：Ａ １− Ｃｕ）の破壊剪断応力は約８０乃至６０Ｍ
Ｐａで、１．４倍前後の接合強度を示している。
強度は、第４図に示すように、例えばＡｇ２０．にＡ、
Ｎでメタライズしたものと、本発明の例えばＡｌ
４Ｃｕ（９６％ＡＮ−４％Ｓｉ）によりメタライズした
ものに、それぞれそのメタライズ面にＡｌろう４００４
を用いて、接合条件８８３ Ｋ、１８０Ｓｅｃ（０棒グ
ラフ）および９００Ｓｅｃ（斜線棒グラフ）で、Ａｆｆ
ｉを接合した接合体の、破壊剪断応力を比較すると、Ａ
ｇ２０３にＡｅでメタライズした場合（１：Ａ［）の破
壊剪断応力が約５５乃至４５ＭＰａ前後であるのに対し
、本発明のＡｇ−４Ｃｕでメタライズした場合（ＩＩ
：Ａ １− Ｃｕ）の破壊剪断応力は約８０乃至６０Ｍ
Ｐａで、１．４倍前後の接合強度を示している。
次ぎに第５図はセラミックスとセラミックスをＡｌと本
発明のＡｇ−４Ｃｕにより、接合条件１３７３ Ｋ、１
．８ ＫＳｅｃで、それぞれ接合した場合の破壊剪断応
力の比較で、ＡｇによりメタライズしたＡ Ｎ２０ 、
／ Ａｌ／Ａρ２０３接合体と本発明のメタライズ法に
よるＡ ＬＯ３／ Ａ ｉ！−４Ｃｕ／ Ａ ＬＯｘ接
合体の、破壊剪断応力に対するｉｉｔ験温度の影響は第
５図に示すように、室温において、Ａ／！によりメタラ
イズしたもの（○印）が７８ＭＰａに対し、本発明のＡ
ｇ−４％Ｃｕによりメタライズしたもの（目印）が１５
８ＭＰａと、約２倍の高い接合強度を示し、以後８００
に近くまでＡｌによるメタライズよりも優れた接合強度
を示した。
発明のＡｇ−４Ｃｕにより、接合条件１３７３ Ｋ、１
．８ ＫＳｅｃで、それぞれ接合した場合の破壊剪断応
力の比較で、ＡｇによりメタライズしたＡ Ｎ２０ 、
／ Ａｌ／Ａρ２０３接合体と本発明のメタライズ法に
よるＡ ＬＯ３／ Ａ ｉ！−４Ｃｕ／ Ａ ＬＯｘ接
合体の、破壊剪断応力に対するｉｉｔ験温度の影響は第
５図に示すように、室温において、Ａ／！によりメタラ
イズしたもの（○印）が７８ＭＰａに対し、本発明のＡ
ｇ−４％Ｃｕによりメタライズしたもの（目印）が１５
８ＭＰａと、約２倍の高い接合強度を示し、以後８００
に近くまでＡｌによるメタライズよりも優れた接合強度
を示した。
次ぎに本発明のメタライズ用合金のＡｌへのＣｕ含有の
接合強度効果は第６図に示す通りで、１３７３ Ｋ、１
．８ ＫＳｅｃのメタライズ条件で接合したＡ ｘ２ｏ
３／ Ａ Ｉ ’Ｃｕ／ Ａ １２０２接合体のＣ
ｕ量を変化せしめた場合の破壊剪断応力は第６図に示す
ように、４５％Ｃｕまでは約１３０ＭＰａ以上で、Ａｌ
のみで接合した場合の７８ＭＰａの１．７倍以上あり、
待にＣｕ４％前後では、１６０ＭＰａという高い破壊剪
断応力値をしめした。
接合強度効果は第６図に示す通りで、１３７３ Ｋ、１
．８ ＫＳｅｃのメタライズ条件で接合したＡ ｘ２ｏ
３／ Ａ Ｉ ’Ｃｕ／ Ａ １２０２接合体のＣ
ｕ量を変化せしめた場合の破壊剪断応力は第６図に示す
ように、４５％Ｃｕまでは約１３０ＭＰａ以上で、Ａｌ
のみで接合した場合の７８ＭＰａの１．７倍以上あり、
待にＣｕ４％前後では、１６０ＭＰａという高い破壊剪
断応力値をしめした。
更にＺｒＯ２同志を接合条件１３７３Ｋ、１．８Ｋ Ｓ
ｅｃにて接合した場合の破壊剪断応力は、Ａｌろうに
よる接合の場合が室温で２９．４ＭＰａであるのに対し
、本発明のＡｌ−４Ｃｕによる接合では３９．２ＭＰａ
で、１．３倍の強い接合強度を示し、また同一接合条件
でＳ ｉ３Ｎ 、同志を接合した場合においては、室温
でＡ［ろう接合の場合が５５．９ＭＰａに対し、本発明
のＡｌ−４Ｃｕ接合では７８゜３ Ｍ Ｐ ａで、約１
．４倍の強い強度を示した。
ｅｃにて接合した場合の破壊剪断応力は、Ａｌろうに
よる接合の場合が室温で２９．４ＭＰａであるのに対し
、本発明のＡｌ−４Ｃｕによる接合では３９．２ＭＰａ
で、１．３倍の強い接合強度を示し、また同一接合条件
でＳ ｉ３Ｎ 、同志を接合した場合においては、室温
でＡ［ろう接合の場合が５５．９ＭＰａに対し、本発明
のＡｌ−４Ｃｕ接合では７８゜３ Ｍ Ｐ ａで、約１
．４倍の強い強度を示した。
次ぎにメタライズの接合強度の目安となる付着仕事にお
いては、第７図（、）に示すように、１３７３Ｋにおけ
る溶融Ａｌ！−Ｃｕ合金のＡｌ２０．に対する付着仕事
はＣｕ４５％までは１．３〜１．５Ｊ／ ｍ ２近くの
値を示し、Ａｍの１．２５Ｊ／ｍ２よりも優れた付着仕
事値を示している。
いては、第７図（、）に示すように、１３７３Ｋにおけ
る溶融Ａｌ！−Ｃｕ合金のＡｌ２０．に対する付着仕事
はＣｕ４５％までは１．３〜１．５Ｊ／ ｍ ２近くの
値を示し、Ａｍの１．２５Ｊ／ｍ２よりも優れた付着仕
事値を示している。
同様に１３７３Ｋにおける、溶融Ａ Ｉ−Ｃｕ合金のＳ
ｉ３Ｎ 、に対する付着仕事も、Ｃｕ６０％までは１
．４〜１．５Ｊ／ｍ２と優れた付着仕事値を示している
。
ｉ３Ｎ 、に対する付着仕事も、Ｃｕ６０％までは１
．４〜１．５Ｊ／ｍ２と優れた付着仕事値を示している
。
以上のように本発明のメタライズ用合金、並びに接合法
は、化学的に安定で、メタライズ温度も比較的に低温で
、メタライズ作業も容易であり、メタライズ層ら強固で
、緻密かつ均一である。
は、化学的に安定で、メタライズ温度も比較的に低温で
、メタライズ作業も容易であり、メタライズ層ら強固で
、緻密かつ均一である。
そしてセラミックスとセラミックス、あるいはセラミッ
クスとＡｌまたはその合金相互間の接合において優れた
接合機能を発揮することを特徴とするメタライズ用合金
並びに接合法である。
クスとＡｌまたはその合金相互間の接合において優れた
接合機能を発揮することを特徴とするメタライズ用合金
並びに接合法である。
第１図は本発明の説明用断面図、
第２図は本発明のメタライズ接合法の説明図並びに接合
構造図、 第３図は１３７３ＫにおれるＡｌ中に含有されるＣｕ量
の変化によるＡ １２０ ｚ（ａ）並びにＳ ｉ３Ｎ
、（ｂ）に対する温性への影響説明図、 第４図はＡｌ２０．をＡｌまたはＡｌ！−４Ｃｕでメタ
ライズ後、Ａｌろう４００４を用いて、８８３Ｋ。 １８０Ｓｅｃおよび９００Ｓｅｃのろう付条件でｉとろ
う付接合したＡ［２０３／Ａｌ！接合体の破壊剪断応力
比較図、 第５図は１３７３ Ｋ、１．８ ＫＳｅｃのろう付条件
におけるＡｌ２０．／、ｌ／、ｎ２０．接合体と、Ａｌ
２Ｏ３／Ａｌ−４Ｃｕ／Ａｌ２０３接合体の破壊剪断応
力に対する試験温度の影響比較図。 第６図は１３７３ Ｋ、１．８ ＫＳｅｃのろう付条件
における、Ａ ｎ２０−／ Ａ １ＩＣｕ／ Ａ （１
２０−接合体の破壊剪断応力のＣｕ量の効果図。 第７図は１３７３Ｋにおける、溶融Ａｌ−Ｃｕ合金のＡ
ｌ２０＝（ａ）並びにＳ ｉ、Ｎ 、（ｂ）に対する付
着仕事のＣｕ量の効果図。 １はセラミックス、２は
Ａｌ．３はメタライズ層、４はＡｌろう。 第３図（ａ） （ｂ） 乙 （ｗｕ％）
Ｌい Ｌ ｗ ｔ＋μノ第４図 第７図（ｂ） Ｃ，＝（ｗ七χ）
構造図、 第３図は１３７３ＫにおれるＡｌ中に含有されるＣｕ量
の変化によるＡ １２０ ｚ（ａ）並びにＳ ｉ３Ｎ
、（ｂ）に対する温性への影響説明図、 第４図はＡｌ２０．をＡｌまたはＡｌ！−４Ｃｕでメタ
ライズ後、Ａｌろう４００４を用いて、８８３Ｋ。 １８０Ｓｅｃおよび９００Ｓｅｃのろう付条件でｉとろ
う付接合したＡ［２０３／Ａｌ！接合体の破壊剪断応力
比較図、 第５図は１３７３ Ｋ、１．８ ＫＳｅｃのろう付条件
におけるＡｌ２０．／、ｌ／、ｎ２０．接合体と、Ａｌ
２Ｏ３／Ａｌ−４Ｃｕ／Ａｌ２０３接合体の破壊剪断応
力に対する試験温度の影響比較図。 第６図は１３７３ Ｋ、１．８ ＫＳｅｃのろう付条件
における、Ａ ｎ２０−／ Ａ １ＩＣｕ／ Ａ （１
２０−接合体の破壊剪断応力のＣｕ量の効果図。 第７図は１３７３Ｋにおける、溶融Ａｌ−Ｃｕ合金のＡ
ｌ２０＝（ａ）並びにＳ ｉ、Ｎ 、（ｂ）に対する付
着仕事のＣｕ量の効果図。 １はセラミックス、２は
Ａｌ．３はメタライズ層、４はＡｌろう。 第３図（ａ） （ｂ） 乙 （ｗｕ％）
Ｌい Ｌ ｗ ｔ＋μノ第４図 第７図（ｂ） Ｃ，＝（ｗ七χ）
Claims (2)
- （１）、重量比でＣｕ０．５〜４５％を含有し、残部が
Ａｌ及び不可避的不純物からなるセラミックスのメタラ
イズ用合金。 - （２）、セラミックスの接合面上に、重量比でＣｕ０．
５〜４５％を含有し、残部がＡｌ及び不可避的不純物か
らなるセラミックスのメタライズ用合金を、粉末塗布、
または板状載置して、真空中、不活性ガス中、または還
元性雰囲気中で、メタライズ用合金の融点以上に加熱メ
タライズ後、そのメタライズ面間、またはそのメタライ
ズ面とＡｌまたはＡｌ合金母材間に、Ａｌろうを挟在せ
しめて、真空中または不活性ガス中で、加熱接合するこ
とを特徴とする、セラミックスのメタライズ接合法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13348085A JPS61291943A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | メタライズ用合金 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13348085A JPS61291943A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | メタライズ用合金 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61291943A true JPS61291943A (ja) | 1986-12-22 |
| JPS6310226B2 JPS6310226B2 (ja) | 1988-03-04 |
Family
ID=15105756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13348085A Granted JPS61291943A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | メタライズ用合金 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61291943A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247236A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Sky Alum Co Ltd | セラミックス接合用アルミニウム合金 |
| EP1056321A2 (en) * | 1999-05-28 | 2000-11-29 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Circuit substrate |
| JPWO2005032225A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2006-12-07 | 株式会社東芝 | セラミック回路基板、その製造方法およびパワーモジュール |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP13348085A patent/JPS61291943A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0247236A (ja) * | 1988-08-08 | 1990-02-16 | Sky Alum Co Ltd | セラミックス接合用アルミニウム合金 |
| EP1056321A2 (en) * | 1999-05-28 | 2000-11-29 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Circuit substrate |
| EP1056321A3 (en) * | 1999-05-28 | 2003-03-19 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Circuit substrate |
| JPWO2005032225A1 (ja) * | 2003-09-25 | 2006-12-07 | 株式会社東芝 | セラミック回路基板、その製造方法およびパワーモジュール |
| JP4664816B2 (ja) * | 2003-09-25 | 2011-04-06 | 株式会社東芝 | セラミック回路基板、その製造方法およびパワーモジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6310226B2 (ja) | 1988-03-04 |
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