RU199130U1 - Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе - Google Patents
Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе Download PDFInfo
- Publication number
- RU199130U1 RU199130U1 RU2020110986U RU2020110986U RU199130U1 RU 199130 U1 RU199130 U1 RU 199130U1 RU 2020110986 U RU2020110986 U RU 2020110986U RU 2020110986 U RU2020110986 U RU 2020110986U RU 199130 U1 RU199130 U1 RU 199130U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mask
- microcircuits
- acid
- semiconductor devices
- opening
- Prior art date
Links
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 11
- 239000004033 plastic Substances 0.000 abstract description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно - к устройству для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем.Техническим результатом данной полезной модели является вскрытие пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем без повреждения полупроводникового кристалла и гибких выводов.Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известной маски, для декорпусирования изделий микроэлектроники в полимерном корпусе, состоящем из пластины кислотостойкой резины с отверстием под область вскрытия изделий микроэлектроники, в предлагаемом устройстве для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, маска имеет дополнительную пластину из кислотостойкой резины без отверстия, закрывающую обратную и боковые стороны полупроводниковых приборов и микросхем.
Description
Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно - к устройству для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем.
Известны устройства для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, состоящие из лазера, устройства совмещения и сканирования лазерного луча по месту расположения полупроводникового кристалла, датчика окончания процесса вскрытия (см. патент K11 № 169247 класс Н01Ь 21/00, патент США №6335208 В1, класс Н01Ь 21/00).
Вскрытие происходит за счет термического испарения полимерного материала под воздействием лазерного луча, при этом устройство совмещения и сканирования позволяет производить вскрытие корпуса непосредственно над поверхностью полупроводникового кристалла, что уменьшает температурный нагрев исследуемого полупроводникового прибора и сокращает время исследования.
Основными недостатками указанных устройств является то, что происходит разрушение полупроводникового кристалла в виде трещин и сколов, а также разрушение гибких выводов и металлизации полупроводниковых приборов или микросхем в виде обугливания при воздействии лазерного луча.
Также широко применяется метод химического декорпусирования. Перечисленные недостатки лазерного декорпусирования частично устранены в наиболее близком к предлагаемому устройству - маске, для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе, состоящей из пластины кислотостойкой резины с отверстием под область вскрытия устройств микроэлектроники. Маска закрывает устройство микроэлектроники с той стороны, где необходимо иметь доступ к кристаллу изделий микроэлектроники, (см. патент 1Ш №2572290 класс Н01Ь21/66).
Химическое декорпусирование ведут серной, азотной кислотами, либо их смесью и температуре 50-220°С.
Однако недостатком известной маски является то, что при удалении пластикового материала корпуса обратная сторона изделий микроэлектроники не защищена и в процессе декорпусирования разрушается (подтравливается). В результате чего, внутренние проводники и внешние вывода изделий микроэлектроники разрушаются и на декорпусированном приборе очень сложно проводить электрические измерения, например при воздействии светового луча на кристалл для определения дефектной области прибора.
Техническим результатом данной полезной модели является вскрытие пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем без повреждения полупроводникового кристалла и гибких выводов.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известной маски, для декорпусирования изделий микроэлектроники в полимерном корпусе, состоящем из пластины кислотостойкой резины с отверстием под область вскрытия изделий микроэлектроники, в предлагаемом устройстве для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, маска имеет дополнительную пластину из кислотостойкой резины без отверстия, закрывающую обратную и боковые стороны полупроводниковых приборов и микросхем.
Применение в качестве маски дополнительной пластины из кислотостойкой резины без отверстия препятствует разрушению обратной стороны ИЭТ, позволяет проводить декорпусирование без нарушения электрических цепей и с охранением их работоспособности.
Сущность предлагаемой полезной модели поясняется фигурами.
На фиг. 1 приведены вид сверху и разрезы пластин из кислотостойкой резины.
На фиг. 2 приведены вид сверху и разрезы жестких пластин.
На фиг. 3 приведен разрез маски при ее использовании
Позициями на фиг. 1, 2, 3 обозначены:
1 - жесткая пластина без окна;
2 - пластину из кислотостойкой резины без окна;
3 - пластину из кислотостойкой резины с окном;
4 - жесткая пластина с окном;
5 - болты с гайками;
6 - пластиковый корпус полупроводникового прибора, например ТО-220.
Маски изготовлены из мягкой кислотостойкой резины марки ИРП1225, толщиной 5 мм в виде пластин (см. фиг. 1). Маска с окном закрывает изделия микроэлектроники с той стороны, где необходимо провести удаление пластика. Маска без окна закрывает изделия микроэлектроники снизу и с боковых сторон.
Жесткие пластины изготовлены из нержавеющей стали марки 12Х18Н10Т, толщиной 2 мм (см. фиг. 2).
Для декапсуляции изделия микроэлектроники помещают между пластинами маски из мягкой кислотостойкой резины 2, 3, маски покрывают сверху жесткими пластинами 1, 4. Жесткая пластина с окном 4 помещается на пластину маски с отверстием 3, затем с помощью болтов и гаек 5 сжимает полученный «пирог» (см. фиг. 3) таким образом, чтобы по периферии «пирога» резиновые маски сомкнулись и обеспечили изоляцию рабочей, обратной и боковых сторон от попадания кислоты.
Далее запускается процесс химического травления. «Пирог» пинцетом (см. фиг. 3) погружается в травитель. После появления кристалла изделий микроэлектроники, вынимается, промывается деионизованной водой 2-3 минуты, затем изопропиловым спиртом, далее снова водой и проводят сушку сжатым азотом.
В качестве травителя используются серная кислота (Н2804 - по ГОСТ 2184) или азотная кислота (НЖ)з - по ГОСТ 701). Подходящая температура декорпусирования определяется составом травителя и должна находиться в следующих диапазонах: для азотной кислоты №403 - от плюс 50°С до 90°С; для серной кислоты Н2804 - до плюс 220°С. Максимальная температура травителя определяется точкой его кипения. Время травления 1-3 мин.
Затем «пирог» маски демонтируется и изделие микроэлектроники передается на обследование параметров кристалла. Так как сам корпус, внешние и внутренние вывода сохраняются после воздействия травителя, то во время обследования кристалла изделий микроэлектроники есть возможность подавать напряжение и токи на сам кристалл через вывода.
Claims (1)
- Маска для декорпусирования изделий микроэлектроники в полимерном корпусе, состоящая из пластины кислотостойкой резины с отверстием под область вскрытия изделий микроэлектроники, отличающаяся тем, что маска имеет дополнительную пластину из кислотостойкой резины без отверстия, закрывающую обратную и боковые стороны полупроводниковых приборов и микросхем.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020110986U RU199130U1 (ru) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2020110986U RU199130U1 (ru) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU199130U1 true RU199130U1 (ru) | 2020-08-17 |
Family
ID=72086536
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2020110986U RU199130U1 (ru) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU199130U1 (ru) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182230A (en) * | 1988-07-25 | 1993-01-26 | International Business Machines Corporation | Laser methods for circuit repair on integrated circuits and substrates |
| US5424254A (en) * | 1994-02-22 | 1995-06-13 | International Business Machines Corporation | Process for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules by thermal shock |
| US6335208B1 (en) * | 1999-05-10 | 2002-01-01 | Intersil Americas Inc. | Laser decapsulation method |
| RU2572290C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Объединенная ракетно-космическая корпорация" (ОАО "ОРКК") | Способ декорпусирования интегральных микросхем |
| RU169247U1 (ru) * | 2016-08-23 | 2017-03-13 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером |
-
2020
- 2020-03-16 RU RU2020110986U patent/RU199130U1/ru active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5182230A (en) * | 1988-07-25 | 1993-01-26 | International Business Machines Corporation | Laser methods for circuit repair on integrated circuits and substrates |
| US5424254A (en) * | 1994-02-22 | 1995-06-13 | International Business Machines Corporation | Process for recovering bare semiconductor chips from plastic packaged modules by thermal shock |
| US6335208B1 (en) * | 1999-05-10 | 2002-01-01 | Intersil Americas Inc. | Laser decapsulation method |
| RU2572290C1 (ru) * | 2014-12-01 | 2016-01-10 | Открытое акционерное общество "Объединенная ракетно-космическая корпорация" (ОАО "ОРКК") | Способ декорпусирования интегральных микросхем |
| RU169247U1 (ru) * | 2016-08-23 | 2017-03-13 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0301756A2 (en) | Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process | |
| US5533635A (en) | Method of wafer cleaning after metal etch | |
| RU199130U1 (ru) | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе | |
| US4980019A (en) | Etch-back process for failure analysis of integrated circuits | |
| US4192729A (en) | Apparatus for forming an aluminum interconnect structure on an integrated circuit chip | |
| KR970071092A (ko) | 액정표시장치의 제조방법 및 액정표시장치의 구조 | |
| JP4657882B2 (ja) | 表示デバイスの素子構造 | |
| KR102414295B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 | |
| GB969969A (en) | Improvements in and relating to the manufacture of semiconductor devices | |
| RU169247U1 (ru) | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером | |
| GB988023A (en) | Method of providing protection for a pn junction formed in a silicon body | |
| KR20110120421A (ko) | 구리와 티타늄을 포함하는 금속막용 식각액 조성물 | |
| CN112289676B (zh) | 一种去除半导体器件制造中的多晶硅残留的方法 | |
| KR20100062538A (ko) | 포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 | |
| JPS584930A (ja) | ホトレジスト剥離方法 | |
| CN118486658A (zh) | 一种碳化硅芯片高可靠性钝化层结构及制备方法 | |
| SU525918A1 (ru) | Способ фотолитографии | |
| KR970053379A (ko) | 소자 격리영역의 형성방법 | |
| JPS5474677A (en) | Surface stabilizing method of semiconcuctor element using polyimide silicone | |
| KR100848107B1 (ko) | 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 | |
| CN113903829A (zh) | 一种能高温下运行的太阳能电池及其加工方法 | |
| KR0143343B1 (ko) | 반도체소자의 콘택 제조방법 | |
| JPS57170573A (en) | Semiconductor device | |
| JPS54102980A (en) | Mos-type semiconductor device and its manufacture | |
| KR910002137B1 (ko) | 반도체칩의 테이퍼진 금속배선구조와 이의 제조방법 |