RU169247U1 - Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером - Google Patents
Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером Download PDFInfo
- Publication number
- RU169247U1 RU169247U1 RU2016134513U RU2016134513U RU169247U1 RU 169247 U1 RU169247 U1 RU 169247U1 RU 2016134513 U RU2016134513 U RU 2016134513U RU 2016134513 U RU2016134513 U RU 2016134513U RU 169247 U1 RU169247 U1 RU 169247U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor
- opening
- semiconductor devices
- microcircuits
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
Использование: для создания устройств вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем. Сущность полезной модели заключается в том, что устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем состоит из лазера, устройства совмещения и сканирования лазерного луча по месту расположения полупроводникового кристалла, датчика окончания процесса вскрытия, при этом датчиком окончания вскрытия является р-n переход вскрываемого полупроводникового прибора или микросхемы. Технический результат: обеспечение возможности вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем с использованием лазера без повреждения полупроводникового кристалла и гибких выводов. 3 ил.
Description
Предлагаемая полезная модель относится к области производства изделий микроэлектроники, а именно к конструкциям устройств вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем с помощью лазера, применяемого с целью обеспечения доступа к элементам полупроводникового прибора или микросхемы для исследования состояния и анализа дефектов.
Известны устройства для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, состоящие из лазера, устройств совмещения и сканирования лазерного луча по месту расположения полупроводникового кристалла (см. статью A project report submitted in partial fulfillment of the requirement for the Degree of Master of Electrical Engineering, Faculty of Electrical and Electronics Engineering Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, July 2015; см. Failure analysis of intergrated circuits, 63).
Вскрытие происходит за счет термического испарения полимерного материала под воздействием лазерного луча, при этом устройство совмещения и сканирования позволяет производить вскрытие корпуса непосредственно над поверхностью полупроводникового кристалла, что уменьшает температурный нагрев исследуемого полупроводникового прибора и сокращает время исследования.
Основными недостатками указанных устройств является то, что происходит разрушение полупроводникового кристалла в виде трещин и сколов, а также разрушение гибких выводов и металлизации полупроводниковых приборов или микросхем в виде обугливания при воздействии лазерного луча.
Перечисленные недостатки частично устранены в наиболее близком к предлагаемому устройстве для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, состоящем из лазера, устройства совмещения и сканирования лазерного луча по месту расположения полупроводникового кристалла, датчика окончания процесса вскрытия по изменению характера отражения лазерного луча (см. патент США №6335208 В1, класс H01L 21/00, Jan. 1, 2002).
Датчиком окончания процесса вскрытия является приемник отраженного от вскрываемой поверхности лазерного луча. Коэффициент отражения лазерного луча изменяется при достижении поверхности полупроводникового кристалла из-за того, что все полупроводниковые материалы и материалы, используемые в качестве металлизации полупроводниковых приборов, имеют более высокий коэффициент отражения, чем материал пластикового корпуса.
Однако при удалении пластикового материала корпуса металлизация полупроводникового кристалла и гибких выводов разрушается до изменения коэффициента отражения из-за температурного воздействия на поверхность кристалла через слой пластикового материала.
Таким образом, остается нерешенной проблема разрушения гибких выводов полупроводниковых приборов и микросхем, а также металлизации полупроводникового кристалла.
Техническим результатом данной полезной модели является вскрытие пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем с использованием лазера без повреждения полупроводникового кристалла и гибких выводов.
Указанный технический результат достигается тем, что в отличие от известных устройств для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, состоящих из лазера, устройства совмещения и сканирования лазерного луча по месту расположения полупроводникового кристалла, датчика окончания процесса вскрытия, в предлагаемом устройстве для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем в качестве датчика окончания вскрытия используют p-n переходы вскрываемого полупроводникового прибора или микросхемы.
Применение в качестве датчика окончания вскрытия p-n перехода вскрываемого полупроводникового прибора или микросхемы позволяет контролировать истинную температуру полупроводникового прибора или микросхемы в момент воздействия лазерного луча, и при достижении предельно допустимой температуры для данного типа полупроводниковых приборов или микросхем воздействие лазерного луча прекращают.
Сущность предлагаемой полезной модели поясняется фигурами. На фиг. 1 приведен разрез устройства для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов или микросхем лазером, на фиг. 2 приведена эквивалентная схема контроля температуры кристалла, на фиг. 3 - градуировочная зависимость прямого напряжения на p-n переходе на основе карбида кремния от температуры.
Позициями на фигурах 1, 2, 3 обозначены:
1 - вскрываемый полупроводниковый прибор или микросхема в пластиковом корпусе;
2 - полость, выжженная лазером в пластиковом корпусе;
3 - полупроводниковый кристалл;
4 - лазер с устройством сканирования и совмещения лазерного луча с кристаллом;
5 - микроскоп;
6 - устройство контроля температуры кристалла, подключаемое к рабочему р-n переходу;
7 - генератор тока;
8 - вольтметр;
9 - столик;
10 - лазерный луч;
11 - наблюдатель;
12 - p-n переход полупроводникового прибора или микросхемы, являющийся датчиком температуры.
На фиг. 1 изображен разрез устройства для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов или микросхем лазером, который состоит из столика 9, на котором располагают полупроводниковый прибор или микросхему в пластиковом корпусе 1, лазера с устройством сканирования и совмещения лазерного луча с кристаллом 4, микроскопа 5 для контроля процесса наблюдателем 11, устройства контроля температуры кристалла 6, состоящего из генератора тока 7 и вольтметра 8, которое подключено к одному из р-n переходов полупроводникового прибора или микросхемы 12.
Работает устройство следующим образом: перед вскрытием пластикового корпуса на исследуемой микросхеме с помощью характериографа находят рабочий р-n переход. К рабочему р-n переходу подключают устройство контроля температуры кристалла 6 (фиг. 2). Далее снимают градуировочную зависимость прямого напряжения на р-n переходе 12 от температуры. На фиг. 3 представлена градуировочная зависимость прямого напряжения на р-n переходе 12 на основе карбида кремния от температуры. Важным моментом при снятии градуировочной зависимости прямого напряжения на р-n переходе 12 от температуры является правильный выбор величины рабочего тока генератора тока 7.
Рабочий ток генератора тока 7 не должен быть большим, чтобы не повредить элементы полупроводникового прибора или микросхемы. Кроме того, величину рабочего тока выбирают таким образом, чтобы зависимость прямого напряжения на р-n переходе 12 от температуры была достаточно сильной, например, для pn-перехода на карбиде кремния плотность рабочего тока должна быть меньше 0,05 А/мм2 площади перехода; для кремния плотность рабочего тока можно увеличить до 0,5 А/мм2 площади перехода, чтобы рабочая точка диода не попадала в точку нулевого температурного коэффициента прямого падения напряжения.
Далее вскрываемый полупроводниковый прибор или микросхема в пластиковом корпусе 1 с подключенным устройством контроля температуры кристалла 6 помещают на столик 9 и проводят лазерную обработку. При воздействии лазерного луча 10 пластик корпуса полупроводникового прибора или микросхемы 1 начинает выгорать и испаряться. Для карбид кремниевого полупроводникового прибора или микросхемы максимальная температура нагрева кристалла составляет до 300°С, для кремниевого - до 175°С. При превышении температуры на р-n переходе 12 лазер с устройством сканирования и совмещения лазерного луча с кристаллом 4 отключают и в дальнейшем полость 2, выжженная лазером с устройством сканирования и совмещения лазерного луча с кристаллом 4 в пластиковом корпусе обрабатывают растворителями для удаления оставшегося тонкого слоя пластика.
Claims (1)
- Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем, состоящее из лазера, устройства совмещения и сканирования лазерного луча по месту расположения полупроводникового кристалла, датчика окончания процесса вскрытия, отличающееся тем, что в качестве датчика окончания вскрытия используют р-n переходы вскрываемого полупроводникового прибора или микросхемы.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016134513U RU169247U1 (ru) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2016134513U RU169247U1 (ru) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU169247U1 true RU169247U1 (ru) | 2017-03-13 |
Family
ID=58449450
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2016134513U RU169247U1 (ru) | 2016-08-23 | 2016-08-23 | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU169247U1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU199130U1 (ru) * | 2020-03-16 | 2020-08-17 | Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182230A (en) * | 1988-07-25 | 1993-01-26 | International Business Machines Corporation | Laser methods for circuit repair on integrated circuits and substrates |
US6335208B1 (en) * | 1999-05-10 | 2002-01-01 | Intersil Americas Inc. | Laser decapsulation method |
US20030010761A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-16 | Hong Ming Hui | Method and apparatus for decapping integrated circuit packages |
WO2007005636A2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Controlled Semiconductor, Inc. | Semiconductor failure analysis tool |
KR20080070180A (ko) * | 2007-01-25 | 2008-07-30 | 주식회사 엘에스텍 | 레이저 디캡슐레이션 장비 및 방법 |
-
2016
- 2016-08-23 RU RU2016134513U patent/RU169247U1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5182230A (en) * | 1988-07-25 | 1993-01-26 | International Business Machines Corporation | Laser methods for circuit repair on integrated circuits and substrates |
US6335208B1 (en) * | 1999-05-10 | 2002-01-01 | Intersil Americas Inc. | Laser decapsulation method |
US20030010761A1 (en) * | 2001-07-11 | 2003-01-16 | Hong Ming Hui | Method and apparatus for decapping integrated circuit packages |
WO2007005636A2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Controlled Semiconductor, Inc. | Semiconductor failure analysis tool |
KR20080070180A (ko) * | 2007-01-25 | 2008-07-30 | 주식회사 엘에스텍 | 레이저 디캡슐레이션 장비 및 방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU199130U1 (ru) * | 2020-03-16 | 2020-08-17 | Акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1568429A (zh) | 使用上部层图形提供对晶片承载的半导体器件的电流控制 | |
RU169247U1 (ru) | Устройство для вскрытия пластиковых корпусов полупроводниковых приборов и микросхем лазером | |
MY194179A (en) | Semiconductor substrate processing method | |
Lachab et al. | Enhancement of light extraction efficiency in sub-300 nm nitride thin-film flip-chip light-emitting diodes | |
Siegal | Solar Photovoltaic Cell thermal measurement issues | |
Moser et al. | Laser processing of gallium nitride–based light-emitting diodes with ultraviolet picosecond laser pulses | |
JP2007123916A5 (ru) | ||
CN105819395A (zh) | 半导体器件制造方法 | |
Yamaguchi et al. | Laser cutting of aluminium stripes for debugging integrated circuits | |
Geisler et al. | Passivation-induced cavity defects in laser-doped selective emitter Si solar cells—formation model and recombination analysis | |
Moser et al. | Laser processing of GaN-based LEDs with ultraviolet picosecond laser pulses | |
Furbock et al. | Backside laserprober characterization of thermal effects during high current stress in smart power ESD protection devices | |
Prabket et al. | An improvement of electrical characteristics of PN diode by X-ray irradiation method | |
Krieg et al. | Wafer identification using laser marked data matrix codes | |
Reklaitis et al. | A new geometrical approach for rapid LED processing by using femtosecond laser | |
JP7368041B1 (ja) | 欠陥検査方法、欠陥検査装置、及び炭化珪素チップの製造方法 | |
RU199130U1 (ru) | Маска для декорпусирования устройств микроэлектроники в полимерном корпусе | |
TWI277198B (en) | Imager | |
KR102217981B1 (ko) | AlN의 선택적 습식 식각 방법 | |
US8388782B2 (en) | Handler attachment for integrated circuit fabrication | |
Smirnov et al. | Investigation of the temperature effect on the dynamic parameters of ultrafast silicon carbide current switches | |
Compagnin et al. | Thermal and electrical characterization of catastrophic degradation of silicon solar cells submitted to reverse current stress | |
Lee et al. | Investigation of thermal transport across solid interfaces with randomly distributed nanostructures | |
Chen et al. | Degradation behavior of high power light emitting diode under high frequency switching | |
Chekalin et al. | Investigation of solar cell overheating under radiation of ultrahigh intensity |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200824 |