RU1547556C - Фотошаблон дл контактной фотолитографии - Google Patents

Abstract

Изобретение относитс  к микроэлектронике . Цель изобретени  - повышение разрешающей способности фотошаблона. Фотошаблон содержит рельефную подложку , прозрачную дл  актиничного излучени . На выступах рельефа расположен маскирующий слой. Во впадинах рельефа, основани  которых выполнены вогнутыми, размещен прозрачный материал с коэффициентом преломлени  большим, чем коэффициент преломлени  подложки. Благодар  этому прозрачные области фотошаблона выполн ют функцию собирающих линз, что позвол ет получать элементы с минимальными размерами до 0,25 мкм при экспонировании излучением с длиной волны Я 0,4 мкм.

Description

Изобретение относитс  к микроэлектронике и может быть использовано на операци х фотолитографии при получении элементов микронных и субмикронных размеров полупроводниковых приборов и интегральных микросхем.

Целью изобретени   вл етс  повышение разрешающей способности фотошаблона .

При заполнении впадин рельефа, основани  которых выполнены вогнутыми, прозрачным материалом с коэффициентом преломлени  выше коэффициента преломлени  подложки прозрачные участки фотошаблона начинают работать как собирающие оптические линзы, что позвол ет при использовании стандартных источников ультрафиолетового излучени  (,4 мкм) получать элементы с размерами до 0,25 мкм.

Дл  получени  минимального размера методом контактной фотолитографии необходимо , чтобы фокальна  плоскость собирающих оптических линз в процессе экспонировани  находилась в слое фоторезиста . В современной технологии фотолитографии , как правилб, используютс  фоторезистивные пленки толщиной 0,4-1,0 мкм. Таким образом, дл  достижени  минимального размера необходимо, чтобы фокальные плоскости собирающих оптических линз лежали на рассто нии, не превышающем 0,4 мкм от рабочей поверхности фотошаблона .

Фотошаблон согласно изобретению состоит из рельефной стекл нной подложки с расположенным на выступах маскирующим слоем. Впадины рельефа выполнены в соответствии с элементами топологии с вогнутыми основани ми. Эти элементы топологии представл ют собой области в стекл нной

подложке с показателем преломлени  большим , чем показатель преломлени  стекла. Полученные таким образом оптические линзы имеют фокальную плоскость, лежащую на рассто нии 0,3 мкм от рабочей поверхности фотошаблона.

Фотошаблон изготавливают следующим образом.

Сначала формируют рисунок в слое ре- зиста на стекл нной подложке, покрытой слоем светопоглощающего материала (например , хрома). Размеры линий 1 мкм. После травлени  маскирующего сло  методом ионно-химического травлени  под защитой резистивной маски и удалени  резиста провод т изотропное химические травление стекла, например, в растворе плавиковой кислоты на глубину 0,5 мкм.

Далее провод т нанесение центрифугированием полимерного покрыти  с показа0

5

0

телем преломлени  большим, чем показатель преломлени  стекл нной пластины (использован оптический клей ОП-81-3), В заключение осуществл ют травление кле  в кислородной СВЧ-плазме дл  подстройки фокуса.

Claims (1)

1. Формула изобретени  Фотошаблон дл  контактной фотолитографии , содержащий рельефную подложку, прозрачную дл  актиничного излучени , с расположенным на выступах рельефа маскирующим слоем, отличающийс  тем, что, с целью повышени  разрешающей способности фотошаблона, впадины рельефа заполнены слоем прозрачного материала с коэффициентом преломлени  выше, чем коэффициент преломлени  подложки, причем основани  впадин рельефа выполнены вогнутыми .