RU1476980C - Способ травления кристаллов кварца - Google Patents

Способ травления кристаллов кварца Download PDF

Info

Publication number
RU1476980C
RU1476980C SU4136663A RU1476980C RU 1476980 C RU1476980 C RU 1476980C SU 4136663 A SU4136663 A SU 4136663A RU 1476980 C RU1476980 C RU 1476980C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
etching
crystals
temperature
crystal
quartz crystals
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.И. Захаров
Л.А. Мананникова
Г.Н. Черпухина
Original Assignee
Научно-исследовательский институт "Фонон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт "Фонон" filed Critical Научно-исследовательский институт "Фонон"
Priority to SU4136663 priority Critical patent/RU1476980C/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU1476980C publication Critical patent/RU1476980C/ru

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца. Может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов и позволяет уменьшить степень шероховатости поверхности. Кристалл кварца после механической полировки обрабатывают в одном нетравящем компоненте травителя или их смеси при температуре, равной или на 20 С меньшей температуры последующего травления. Обработанный кристалл подвергают травлению при нагреве в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты. Получают кристаллы со степенью шероховатости до 0,05 мкм.

Description

Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца, и может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов.
Целью изобретения является уменьшение степени шероховатости поверхности.
П р и м е р 1. Кристаллы кварца подвергают механической шлифовке до степени шероховатости поверхностей (Rz ) 0,1 мкм, затем их отмывают и обрабатывают при 90оС в диметилформамиде, а затем при 110оС в травителе, содержащем, об:
Фтористоводородная кислота
ОСЧ 27-5 5
Диметилформамид 3
Бензиловый спирт 4
После обработки получают кристаллы со степенью шероховатости поверхности (R z) 0,05 мкм.
П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но после механической шлифовки кристаллы обрабатывают при 100оС в смеси диметилформамида и бензилового спирта при объемном соотношении 1: 1. Получены кристаллы со степенью шероховатости поверхностей (R z) 0,07 мкм.
П р и м е р 3. Процесс проводят как в примере 1, но после механической шлифовки сразу проводят обработку в травителе. Получены кристаллы со степенью шероховатости (R z) 0,20 мкм.
Из примеров видно, что степень шероховатости у кристаллов, прошедших перед травлением обработку в нетравящих компонентах травителя, уменьшается. (56) Хейман Р. В. Растворение кристаллов: Л. Недра, 1979, с. 196-201.
Авторское свидетельство СССР N 1321048, кл. C 09 K 13/08, 1986.

Claims (1)

  1. СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах ± 20oC от температуры травления.
SU4136663 1986-10-16 1986-10-16 Способ травления кристаллов кварца RU1476980C (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4136663 RU1476980C (ru) 1986-10-16 1986-10-16 Способ травления кристаллов кварца

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU4136663 RU1476980C (ru) 1986-10-16 1986-10-16 Способ травления кристаллов кварца

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1476980C true RU1476980C (ru) 1994-05-15

Family

ID=30440539

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU4136663 RU1476980C (ru) 1986-10-16 1986-10-16 Способ травления кристаллов кварца

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1476980C (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2650743A1 (de) Herstellung von schadensfreien oberflaechen von alpha-aluminiumoxid
US4412886A (en) Method for the preparation of a ferroelectric substrate plate
RU1476980C (ru) Способ травления кристаллов кварца
US3864111A (en) Reducing Stress Birefringence in Fused Silica Optical Elements
JPS62252140A (ja) InPウエ−ハの洗浄方法
US3860467A (en) Method of etching a surface of a substrate comprising LITAO{HD 3 {B and chemically similar materials
JP3262674B2 (ja) 石英ガラス表面処理液およびその使用方法
Davisson Surface finishing of alkali halides
CA1245956A (en) Method of chemically polishing quartz crystal blanks
KR100413345B1 (ko) 란가사이트 단결정 기판의 제조방법, 란가사이트 단결정기판 및 압전 장치
US3954940A (en) Process for surface work strain relief of electrooptic crystals
USRE29336E (en) Method of etching a surface of a substrate comprising LiTaO3 and chemically similar materials
RU2072585C1 (ru) Способ подготовки полупроводниковых подложек
JP4348539B2 (ja) 非磁性ガーネット基板の製造方法とその非磁性ガーネット基板およびこの基板を用いて得られるビスマス置換型磁性ガーネット膜
SU1560497A1 (ru) Полировальный раствор дл обработки стеклоизделий в ультразвуковом поле
USH532H (en) Method of chemically polishing fused quartz
RU1321048C (ru) Травильный раствор
SU914656A1 (ru) Способ химической полировки кристаллов корундаi
US4154025A (en) Method for preparing oxide piezoelectric material wafers
US4713145A (en) Method of etching etch-resistant materials
SU816331A1 (ru) Полирующий травитель дл иодида ртути
JPS632322A (ja) シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法
CN1023654C (zh) 铌酸锂晶体(ln)室温腐蚀剂及其用途
RU2084088C1 (ru) Способ реставрации забракованных пластин
JP3260039B2 (ja) 強誘電体ウエーハの製造方法