RU1476980C - Способ травления кристаллов кварца - Google Patents
Способ травления кристаллов кварца Download PDFInfo
- Publication number
- RU1476980C RU1476980C SU4136663A RU1476980C RU 1476980 C RU1476980 C RU 1476980C SU 4136663 A SU4136663 A SU 4136663A RU 1476980 C RU1476980 C RU 1476980C
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- etching
- crystals
- temperature
- crystal
- quartz crystals
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца. Может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов и позволяет уменьшить степень шероховатости поверхности. Кристалл кварца после механической полировки обрабатывают в одном нетравящем компоненте травителя или их смеси при температуре, равной или на 20 С меньшей температуры последующего травления. Обработанный кристалл подвергают травлению при нагреве в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты. Получают кристаллы со степенью шероховатости до 0,05 мкм.
Description
Изобретение относится к обработке кристаллов, а именно к технологии травления кристаллов кварца, и может быть использовано при изготовлении пьезоэлектрических резонаторов.
Целью изобретения является уменьшение степени шероховатости поверхности.
П р и м е р 1. Кристаллы кварца подвергают механической шлифовке до степени шероховатости поверхностей (Rz ) 0,1 мкм, затем их отмывают и обрабатывают при 90оС в диметилформамиде, а затем при 110оС в травителе, содержащем, об:
Фтористоводородная кислота
ОСЧ 27-5 5
Диметилформамид 3
Бензиловый спирт 4
После обработки получают кристаллы со степенью шероховатости поверхности (R z) 0,05 мкм.
Фтористоводородная кислота
ОСЧ 27-5 5
Диметилформамид 3
Бензиловый спирт 4
После обработки получают кристаллы со степенью шероховатости поверхности (R z) 0,05 мкм.
П р и м е р 2. Процесс проводят как в примере 1, но после механической шлифовки кристаллы обрабатывают при 100оС в смеси диметилформамида и бензилового спирта при объемном соотношении 1: 1. Получены кристаллы со степенью шероховатости поверхностей (R z) 0,07 мкм.
П р и м е р 3. Процесс проводят как в примере 1, но после механической шлифовки сразу проводят обработку в травителе. Получены кристаллы со степенью шероховатости (R z) 0,20 мкм.
Из примеров видно, что степень шероховатости у кристаллов, прошедших перед травлением обработку в нетравящих компонентах травителя, уменьшается. (56) Хейман Р. В. Растворение кристаллов: Л. Недра, 1979, с. 196-201.
Авторское свидетельство СССР N 1321048, кл. C 09 K 13/08, 1986.
Claims (1)
- СПОСОБ ТРАВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ КВАРЦА, включающий травление в растворе, содержащем неорганическую кислоту и нетравящие компоненты при нагреве, отличающийся тем, что, с целью уменьшения степени шероховатости поверхности, перед травлением кристалл обрабатывают в одном нетравящем компоненте или их смеси при нагреве до температуры в пределах ± 20oC от температуры травления.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4136663 RU1476980C (ru) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | Способ травления кристаллов кварца |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4136663 RU1476980C (ru) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | Способ травления кристаллов кварца |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU1476980C true RU1476980C (ru) | 1994-05-15 |
Family
ID=30440539
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4136663 RU1476980C (ru) | 1986-10-16 | 1986-10-16 | Способ травления кристаллов кварца |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU1476980C (ru) |
-
1986
- 1986-10-16 RU SU4136663 patent/RU1476980C/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2650743A1 (de) | Herstellung von schadensfreien oberflaechen von alpha-aluminiumoxid | |
US4412886A (en) | Method for the preparation of a ferroelectric substrate plate | |
RU1476980C (ru) | Способ травления кристаллов кварца | |
US3864111A (en) | Reducing Stress Birefringence in Fused Silica Optical Elements | |
JPS62252140A (ja) | InPウエ−ハの洗浄方法 | |
US3860467A (en) | Method of etching a surface of a substrate comprising LITAO{HD 3 {B and chemically similar materials | |
JP3262674B2 (ja) | 石英ガラス表面処理液およびその使用方法 | |
Davisson | Surface finishing of alkali halides | |
CA1245956A (en) | Method of chemically polishing quartz crystal blanks | |
KR100413345B1 (ko) | 란가사이트 단결정 기판의 제조방법, 란가사이트 단결정기판 및 압전 장치 | |
US3954940A (en) | Process for surface work strain relief of electrooptic crystals | |
USRE29336E (en) | Method of etching a surface of a substrate comprising LiTaO3 and chemically similar materials | |
RU2072585C1 (ru) | Способ подготовки полупроводниковых подложек | |
JP4348539B2 (ja) | 非磁性ガーネット基板の製造方法とその非磁性ガーネット基板およびこの基板を用いて得られるビスマス置換型磁性ガーネット膜 | |
SU1560497A1 (ru) | Полировальный раствор дл обработки стеклоизделий в ультразвуковом поле | |
USH532H (en) | Method of chemically polishing fused quartz | |
RU1321048C (ru) | Травильный раствор | |
SU914656A1 (ru) | Способ химической полировки кристаллов корундаi | |
US4154025A (en) | Method for preparing oxide piezoelectric material wafers | |
US4713145A (en) | Method of etching etch-resistant materials | |
SU816331A1 (ru) | Полирующий травитель дл иодида ртути | |
JPS632322A (ja) | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 | |
CN1023654C (zh) | 铌酸锂晶体(ln)室温腐蚀剂及其用途 | |
RU2084088C1 (ru) | Способ реставрации забракованных пластин | |
JP3260039B2 (ja) | 強誘電体ウエーハの製造方法 |