JPS632322A - シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 - Google Patents
シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法Info
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- JPS632322A JPS632322A JP14499586A JP14499586A JPS632322A JP S632322 A JPS632322 A JP S632322A JP 14499586 A JP14499586 A JP 14499586A JP 14499586 A JP14499586 A JP 14499586A JP S632322 A JPS632322 A JP S632322A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明はシリコン半導体（：おける異方性エツチング面
の突起物除去方法に関するものである。
の突起物除去方法に関するものである。
（従来技術とその問題点）
シリコン（Ｓｉ）（−よる半導体装置の製造ｔ：当って
次の手段がとられることは周知である。即ち第１図（ａ
）に示すよう（二８１ウェハ（１）の結晶面（１００）
上に成長させた５１０２ｖ（２）（二、写真工程により
所要のエツチングパターンを形成して、酸およびアルカ
リ液を用いる洗浄法例えばＲＣＡ洗争法によりウェット
洗浄を行う。次１：洗浄されたものを希弗酸（ＨＰ ）
溶液中に短時間浸漬して、エツチングされるべきＳｉ表
面の自然酸化膜を除去して乾燥したのち、異方性エツチ
ング液例えば加熱したエチレンジアミン−ピロカテコー
ル−水溶液所謂ＥＰＷ溶液によ１）、第１図（ｂ）のよ
うにＳｉエツチングする手段がとられるが、この場合次
のような欠点を生ずることが知られている。
次の手段がとられることは周知である。即ち第１図（ａ
）に示すよう（二８１ウェハ（１）の結晶面（１００）
上に成長させた５１０２ｖ（２）（二、写真工程により
所要のエツチングパターンを形成して、酸およびアルカ
リ液を用いる洗浄法例えばＲＣＡ洗争法によりウェット
洗浄を行う。次１：洗浄されたものを希弗酸（ＨＰ ）
溶液中に短時間浸漬して、エツチングされるべきＳｉ表
面の自然酸化膜を除去して乾燥したのち、異方性エツチ
ング液例えば加熱したエチレンジアミン−ピロカテコー
ル−水溶液所謂ＥＰＷ溶液によ１）、第１図（ｂ）のよ
うにＳｉエツチングする手段がとられるが、この場合次
のような欠点を生ずることが知られている。
即ち第１図（ｂ）（Ｃ） （Ｃ図は顕微鏡写真のトレー
ス図）中（−示すように、エツチングされた面（３）上
に、付着有機物や微粒金属などを核として所謂マイクロ
ピラミッドと称される突起物（４）が発生し、しかもこ
れは第１図中に示すように（１１１）面によ＋１囲まれ
た四角錐体構造をなすため、エツチングによっても消滅
することなく最後まで残る。このため例えば誘電体分離
ＩＣの分離耐圧の歩留りを低下させたり、ダイヤフラム
型圧力センサにおけるシリコンの加工歩留りの低下を生
じさせたりする欠点を招く。そこでその阻止のための研
究が従来から行われているが、現状では有機溶剤例えば
イソプロピルアルコールをエツチング溶液中（：混入す
る方法がとられている（−過ぎず、これ（′−よっては
マイクロピラミッドを完全になくすことはできない。
ス図）中（−示すように、エツチングされた面（３）上
に、付着有機物や微粒金属などを核として所謂マイクロ
ピラミッドと称される突起物（４）が発生し、しかもこ
れは第１図中に示すように（１１１）面によ＋１囲まれ
た四角錐体構造をなすため、エツチングによっても消滅
することなく最後まで残る。このため例えば誘電体分離
ＩＣの分離耐圧の歩留りを低下させたり、ダイヤフラム
型圧力センサにおけるシリコンの加工歩留りの低下を生
じさせたりする欠点を招く。そこでその阻止のための研
究が従来から行われているが、現状では有機溶剤例えば
イソプロピルアルコールをエツチング溶液中（：混入す
る方法がとられている（−過ぎず、これ（′−よっては
マイクロピラミッドを完全になくすことはできない。
（発明の目的）
本発明は上記の如きマイクロピラミッドのない平滑なエ
ツチング面の実現を目的としてなされたもので、次に図
面を用いてその詳細を説明する。
ツチング面の実現を目的としてなされたもので、次に図
面を用いてその詳細を説明する。
（問題点を解決するための手段と作用）本発明は前記の
ようにマイクロピラミッドを生じた異方性エツチング後
の半導体クエへを、酸およびアルカリ液により洗浄して
乾燥したのち、再度異方性エツチング液中に浸漬して２
回目のエツチング処理を行うと同時（二、その浸漬時間
を選定すること（二よりマイクロピラミッドを消滅させ
うることを明らかにした実験的事実にもとづくものであ
って、マイクロピラミッドの消滅は次の理由によるもの
と考えられる。
ようにマイクロピラミッドを生じた異方性エツチング後
の半導体クエへを、酸およびアルカリ液により洗浄して
乾燥したのち、再度異方性エツチング液中に浸漬して２
回目のエツチング処理を行うと同時（二、その浸漬時間
を選定すること（二よりマイクロピラミッドを消滅させ
うることを明らかにした実験的事実にもとづくものであ
って、マイクロピラミッドの消滅は次の理由によるもの
と考えられる。
即ちマイクロピラミッドは前記したよう（二、（１１１
）面に囲まれた四角錐形である。従ってこのま＼ではい
くら異方性エツチングを行っても消滅させることはでき
ない。しかし上記のよう（二異方性エツチングを行った
のち、洗浄などの前処理後頁に２回目の異方性エツチン
グを行えば、洗浄（−よるマイクロピラミッドの清浄化
作用によ番）、。
）面に囲まれた四角錐形である。従ってこのま＼ではい
くら異方性エツチングを行っても消滅させることはでき
ない。しかし上記のよう（二異方性エツチングを行った
のち、洗浄などの前処理後頁に２回目の異方性エツチン
グを行えば、洗浄（−よるマイクロピラミッドの清浄化
作用によ番）、。
第１図（Ｃ）に示すピラミッド（４）の頂点（ａ）と（
１１１）面の各交線部（ｂ）などに、（１１１）面以外
のＳｉ面が露呈した状態で再び異方性エツチングが行わ
れる。従って頂点（ａ）と交線部（ｂ）とからエツチン
グが急速（−行われてマイクロピラミッド（４）の消去
作用が行われる。なおこの場合、２回目のエツチング時
間が長過ぎるとピラミッド（４）の消滅後、再びその形
成が行われる。従って時間の適切な選定が必要であり、
その時間は実験（＝よれば１０分以下である。次（二本
発明の効果を具体例によって説明する。
１１１）面の各交線部（ｂ）などに、（１１１）面以外
のＳｉ面が露呈した状態で再び異方性エツチングが行わ
れる。従って頂点（ａ）と交線部（ｂ）とからエツチン
グが急速（−行われてマイクロピラミッド（４）の消去
作用が行われる。なおこの場合、２回目のエツチング時
間が長過ぎるとピラミッド（４）の消滅後、再びその形
成が行われる。従って時間の適切な選定が必要であり、
その時間は実験（＝よれば１０分以下である。次（二本
発明の効果を具体例によって説明する。
（発明の効果）
第２図の■のようＣ（１００）の結晶面を有する３〜５
Ωａｐ型のＳｉウェハ（１）をＲＣＡ洗浄法により洗浄
したのち、ＨＦの１０％水溶液中に浸漬して自然酸化膜
を除去する。次（二■■のようにこれを酸化してＳｉＯ
２膜（２）を成長させたのち、パターンの形成を行う。
Ωａｐ型のＳｉウェハ（１）をＲＣＡ洗浄法により洗浄
したのち、ＨＦの１０％水溶液中に浸漬して自然酸化膜
を除去する。次（二■■のようにこれを酸化してＳｉＯ
２膜（２）を成長させたのち、パターンの形成を行う。
次に１回目の異方性エツチングのため■■■のようにＲ
ＣＡ洗浄法によるウェット洗浄を行ったのち、ＨＦの１
０％水溶液の中（二２０秒間浸漬して、エツチングされ
るべきＳｉ表面の自然酸化膜を除去して乾燥する。しか
るのち■のようにＥＰＷ溶液（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａ
ｍｉｎ −Ｐｙｒｏｃａｔｉｃｔｅｃｈｏｌ −Ｗａｔ
ｅｒ ）の加熱環流により１回目の異方性エツチングを
必要時間（エツチング深さによって変わる）行ったもの
に、本発明の特徴である２回目のエツチング処理を行っ
た。
ＣＡ洗浄法によるウェット洗浄を行ったのち、ＨＦの１
０％水溶液の中（二２０秒間浸漬して、エツチングされ
るべきＳｉ表面の自然酸化膜を除去して乾燥する。しか
るのち■のようにＥＰＷ溶液（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａ
ｍｉｎ −Ｐｙｒｏｃａｔｉｃｔｅｃｈｏｌ −Ｗａｔ
ｅｒ ）の加熱環流により１回目の異方性エツチングを
必要時間（エツチング深さによって変わる）行ったもの
に、本発明の特徴である２回目のエツチング処理を行っ
た。
即ち第２図の■■［相］のように第１回目のエツチング
処理におけると同様の手法（二よ１］、洗浄と自然酸化
膜の除去および乾燥を行ったのち、上記のＥＰＷ溶液に
より５分間のエツチングを行った。
処理におけると同様の手法（二よ１］、洗浄と自然酸化
膜の除去および乾燥を行ったのち、上記のＥＰＷ溶液に
より５分間のエツチングを行った。
第３図（ａ）（ｂ）は上記のように２回の異方性エツチ
ングを行った本発明と、１回の異方性エツチングのみの
従来方法によるエツチング面を撮影した写真をトレース
したものの対比図であって、１回目のエツチングにより
生じたマイクロピラミッド（４）が、洗浄や自然酸化膜
の除去などの前処理を含む本発明の２回目のエツチング
処理によ１）消滅することが明らかに示されている。
ングを行った本発明と、１回の異方性エツチングのみの
従来方法によるエツチング面を撮影した写真をトレース
したものの対比図であって、１回目のエツチングにより
生じたマイクロピラミッド（４）が、洗浄や自然酸化膜
の除去などの前処理を含む本発明の２回目のエツチング
処理によ１）消滅することが明らかに示されている。
従って本発明によれば、簡単にマイクロピラミッドを消
滅させて平滑なシリコン面を実現できるので、誘電体分
離ＩＣの歩留りの向上、シリコンダイヤフラム型圧力セ
ンサや、ＩＳ ＦＥＴ等のシリコンセンナの加工を精
度よく、しかも高歩留りを実現できる大きな効果が得ら
れる。
滅させて平滑なシリコン面を実現できるので、誘電体分
離ＩＣの歩留りの向上、シリコンダイヤフラム型圧力セ
ンサや、ＩＳ ＦＥＴ等のシリコンセンナの加工を精
度よく、しかも高歩留りを実現できる大きな効果が得ら
れる。
第１図はシリコンウェハにおける従来の異方性エツチン
グ法の説明図、第２図は本発明の説明図、第３図は本発
明によるマイクロピラミッドの消滅実態の説明図である
。 （１）・・・・Ｓ、ウェハ、 （２）・・・・ＳｉＯ２
膜、（３）・・・・エツチング面、 （４）・・・・突起物（マイクロピラミッド）。 特許出願人 新電元工業株式会社 第１図 （Ｇ） 図 （ｂ）
グ法の説明図、第２図は本発明の説明図、第３図は本発
明によるマイクロピラミッドの消滅実態の説明図である
。 （１）・・・・Ｓ、ウェハ、 （２）・・・・ＳｉＯ２
膜、（３）・・・・エツチング面、 （４）・・・・突起物（マイクロピラミッド）。 特許出願人 新電元工業株式会社 第１図 （Ｇ） 図 （ｂ）
Claims (1)
- 異方性エッチングにより、エッチング面に突起物が生成
されたシリコン半導体を、洗浄および自然酸化膜の除去
などの前処理後、突起物の非再生成時間だけ再び異方性
エッチングを行うことを特徴とするシリコン半導体にお
ける異方性エッチング面の突起物除去方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14499586A JPS632322A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14499586A JPS632322A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS632322A true JPS632322A (ja) | 1988-01-07 |
| JPH0480533B2 JPH0480533B2 (ja) | 1992-12-18 |
Family
ID=15375021
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14499586A Granted JPS632322A (ja) | 1986-06-23 | 1986-06-23 | シリコン半導体における異方性エツチング面の突起物除去方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS632322A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999065069A1 (fr) * | 1998-06-08 | 1999-12-16 | Applied Materials Inc. | Procede d'implantation d'ions |
| JP2003501834A (ja) * | 1999-06-09 | 2003-01-14 | インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション | 異方性ウェットエッチングによってトレンチを拡張する方法 |
-
1986
- 1986-06-23 JP JP14499586A patent/JPS632322A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999065069A1 (fr) * | 1998-06-08 | 1999-12-16 | Applied Materials Inc. | Procede d'implantation d'ions |
| US6583018B1 (en) | 1998-06-08 | 2003-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method of ion implantation |
| JP2003501834A (ja) * | 1999-06-09 | 2003-01-14 | インフィニオン テクノロジーズ ノース アメリカ コーポレイション | 異方性ウェットエッチングによってトレンチを拡張する方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0480533B2 (ja) | 1992-12-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |