RO91139B1 - Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu - Google Patents

Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu

Info

Publication number
RO91139B1
RO91139B1 RO118156A RO11815685A RO91139B1 RO 91139 B1 RO91139 B1 RO 91139B1 RO 118156 A RO118156 A RO 118156A RO 11815685 A RO11815685 A RO 11815685A RO 91139 B1 RO91139 B1 RO 91139B1
Authority
RO
Romania
Prior art keywords
local source
silic
paints
boring
procedure
Prior art date
Application number
RO118156A
Other languages
English (en)
Other versions
RO91139A2 (ro
Inventor
Ion Burlacel
Constantin Postolache
Bernard Andrei Alamariu
Victor Paun
Original Assignee
Centrul De Cercetare Stiintifica Si Inginerie Tehnologica Pentru Semiconductoare
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Centrul De Cercetare Stiintifica Si Inginerie Tehnologica Pentru Semiconductoare filed Critical Centrul De Cercetare Stiintifica Si Inginerie Tehnologica Pentru Semiconductoare
Priority to RO118156A priority Critical patent/RO91139B1/ro
Publication of RO91139A2 publication Critical patent/RO91139A2/ro
Publication of RO91139B1 publication Critical patent/RO91139B1/ro

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Inventia se refera la un procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu, utilizat pentru realizarea jonctiunilor semiconductoare. Procedeul, conform inventiei, consta în utilizarea drept tinta plasata la catodul instalatiei, consta în utilizarea drept tinta plasata la catodul instalatiei a unei plachete ceramice de înalta puritate de nitrura de bor cu continut de bor mai mare de 41% penttru uz electronic, gazul de descarcare fiind argonul, pentru plachetele fiind supuse unui tratament termic la o temperatura cuprinsa între 1175-1250 K, iar în final îndepartarea chimica a stratului superficial depus.
RO118156A 1985-03-28 1985-03-28 Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu RO91139B1 (ro)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RO118156A RO91139B1 (ro) 1985-03-28 1985-03-28 Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RO118156A RO91139B1 (ro) 1985-03-28 1985-03-28 Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RO91139A2 RO91139A2 (ro) 1987-02-27
RO91139B1 true RO91139B1 (ro) 1987-03-01

Family

ID=20116854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RO118156A RO91139B1 (ro) 1985-03-28 1985-03-28 Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu bor a plachetelor de siliciu

Country Status (1)

Country Link
RO (1) RO91139B1 (ro)

Also Published As

Publication number Publication date
RO91139A2 (ro) 1987-02-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
FR2571543B1 (fr) Suscepteur a utiliser pour le depot d'une couche sur une plaquette de silicium par un procede de depot en phase vapeur
KR900013588A (ko) 막 형성 방법
EP0177894A3 (en) Method of producing metallic silicon particularly for use in the photovoltaic industry
JPS54157779A (en) Production of silicon single crystal
EP0193298A3 (en) Method for the formation of epitaxial layers for integrated circuits
NO953464L (no) Fremgangsmåte for fremstilling av et substramateriale for solceller
JPS53126866A (en) Production of semiconductor wafers
JPS6477120A (en) Formation of wiring of semiconductor device
ES2008897A6 (es) Un metodo para formar peliculas y recubrimientos que contienen silicio polimerico amorfo sobre un sustrato.
JPS57159017A (en) Manufacture of semiconductor single crystal film
CN212451222U (zh) 一种氮化硅陶瓷上金属围坝的共晶焊接结构
JPS56162841A (en) Forming method for insulating film of compound semiconductor
RO91160B1 (ro) Procedeu de depunere a sursei locale pentru doparea cu zinc a plachetelor semiconductoare
EP0137914A3 (en) Silicon wafers for integrated circuit chip fabrication
JPS572876A (en) Formation of copper film on inorganic oxide substrate
Sirtl addition, contribute to the complexity in quality assess
SU1297523A1 (ru) Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x
Kuroda et al. SYNTHESES OF NITRIDE AND CARBIDE CERAMICS FROM INTERCALATION COMPOUNDS BY CARBOTHERMAL REDUCTION.
RO97880B1 (ro) Procedeu de obtinere a tranzistoarelor cu inductie statica cu jonctiune poarta retrasa
JPS57173934A (en) Manufacture of indium-antimony system compound crystal semiconductor
JPS53108373A (en) Manufacture for semiconductor device
JPS6464317A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS5527669A (en) Method of forming ohmic electrode to p-type 3-5 group compound semiconductor
JPS5328374A (en) Wafer production
RO83229B1 (ro) Procedeu de pasivare a jonctiunilor semiconductoare mesa