Дагестанский Государственный Университет Им.В.И.Ленина
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дагестанский Государственный Университет Им.В.И.ЛенинаfiledCriticalДагестанский Государственный Университет Им.В.И.Ленина
Priority to SU3845275/26ApriorityCriticalpatent/SU1297523A1/ru
Application grantedgrantedCritical
Publication of SU1297523A1publicationCriticalpatent/SU1297523A1/ru
Изобретение относится к способу получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (SiC)(AlN)методом сублимации, который обеспечивает получение совершенных слоев заданного состава в интервале х=0,35-0,9 и удешевление процесса. Изобретение заключается в том, что сублимацию ведут из источника, в качестве которого используют поликристаллические спеки SiC+AlN, при следующем соотношении компонентов, мас.%: SiC - 20-80, AlN - остальное.
SU3845275/26A1985-01-171985-01-17Способ получения эпитаксиальных слоев твердых растворов (sic)*001*00-*00x(aln)*00x
SU1297523A1
(ru)