PL97927B2 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL97927B2
PL97927B2 PL188920A PL18892076A PL97927B2 PL 97927 B2 PL97927 B2 PL 97927B2 PL 188920 A PL188920 A PL 188920A PL 18892076 A PL18892076 A PL 18892076A PL 97927 B2 PL97927 B2 PL 97927B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
thick
resonance
spectrometer
side walls
covered
Prior art date
Application number
PL188920A
Other languages
English (en)
Other versions
PL97927B1 (pl
Inventor
Froncisz Wojciech
Original Assignee
Uniwersytet Jagiellonski
Filing date
Publication date
Application filed by Uniwersytet Jagiellonski filed Critical Uniwersytet Jagiellonski
Priority to PL18892076A priority Critical patent/PL97927B1/pl
Priority claimed from PL18892076A external-priority patent/PL97927B1/pl
Publication of PL97927B1 publication Critical patent/PL97927B1/pl
Publication of PL97927B2 publication Critical patent/PL97927B2/pl

Links

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania scianek bocznych mikrofalowej wneki rezonansowej typu TEi on w spektrometrze elektronowego rezonansu paramagnetycznego.Wysokie wymagania techniczne jakie stawia sie wnekom rezonansowym, a mianowicie: duza dobroc, mozliwosc wprowadzenia do jej wnetrza stalego pola magnetycznego zmodulowanego z czestotliwoscia do 100 kHz, minimalne efekty „mikrofonowania", minimalna wlasna rezonansowa absorpcja mikrofal, powoduje ze scianki boczne wnek rezonansowych w homodynowym spektrometrze posiadaja specjalna budowe.W znanych i stosowanych wnekach rezonansowych boczne scianki zbudowane sa badz z ceramicznych plytek powlekanych jednostronnie warstwa srebra, badz posrebrzanej niemagnetycznej folii stalowej.Zasadnicza wada ceramicznych scianek jest to, ze ulegaja pekaniu na skutek naprezen powstalych w wyniku skrecania wneki, poza tym ich mala elastycznosc nie zapewnia dobrego kontaktu elektrycznego miedzy scianka wneki, a korpusem.W przypadku scianek wykonanych ze stalowej folii trudno jest pozbyc sie efektu „mikrofonowanla , a dodatkowo dyfuzja paramagnetycznych jonów (zelaza, miedzi) z folii do zewnetrznej warstwy srebra powodu- je, ze w miare starzenia sie wneki, wzrost jej wlasnej absorpcji rezonansowej zmniejszajac w efekcie czulosc spektrometru. . . , , , .- Scianki boczne wneki wykonane sposobem wedlug wynalazku eliminuja powyzsze wady i niedogodnosci przy jednoczesnym zachowaniu wysokich wymagan technicznych im stawianym. . ,, ,~ Istota wynalazku polega na tym, ze laminat szklano-epoksydowy najkorzystniej o grubosci 1,2 mm pokrywa sie warstwa srebra spektralnie czystego, najkorzystniej o grubosci 5 /nn.Zaleta techniczna tak wykonanych scianek bocznych wneki rezonansowej jest mozliwosc ciaglej eksploa- tacii spektrometru elektronowego rezonansu paramagnetycznego z zachowaniem jego maksymalnej czulosci.P r z y k l a d. Na plytke z laminatu szklano-epoksydowego o grubosci 1,2 mm nanosi sie znana metoda chemiczna warstwe srebra spektralnie czystego o grubosci okolo 1 /im, a nastepnie znana metoda elektroche¬ miczna pogrubia sie do 5 jum.2 97 927 PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wykonania scianek bocznych mikrofalowej wneki rezonansowej w spektrometrze elektronowego rezonansu paramagnetycznego, znamienny tym, ze laminat szklano-epoksydowy, najkorzystniej o grubos¬ ci 1,2 mm, pokrywa sie warstwa srebra spektralnie czystego, najkorzystniej o grubosci 5 /zm. Prac. Poligraf. UP PRL naklad 120 + 18 Cena 45 zl PL
PL18892076A 1976-04-20 1976-04-20 Sposob wykonania scianek bocznych mikrofalowej wneki rezonansowej w spektrometrze elektronowego rezonansu paramagnetycznego PL97927B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18892076A PL97927B1 (pl) 1976-04-20 1976-04-20 Sposob wykonania scianek bocznych mikrofalowej wneki rezonansowej w spektrometrze elektronowego rezonansu paramagnetycznego

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL18892076A PL97927B1 (pl) 1976-04-20 1976-04-20 Sposob wykonania scianek bocznych mikrofalowej wneki rezonansowej w spektrometrze elektronowego rezonansu paramagnetycznego

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL97927B1 PL97927B1 (pl) 1978-03-30
PL97927B2 true PL97927B2 (pl) 1978-03-31

Family

ID=19976505

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL18892076A PL97927B1 (pl) 1976-04-20 1976-04-20 Sposob wykonania scianek bocznych mikrofalowej wneki rezonansowej w spektrometrze elektronowego rezonansu paramagnetycznego

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL97927B1 (pl)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL97927B2 (pl)
JPS6490516A (en) Semiconductor porcelain material
Petersson et al. Thin lead dioxide electrodes for high current density applications in semi-bipolar batteries
Thorp RF conductivity in copper at 8 mm wavelengths
JPS5586204A (en) Microstrip coaxial converter
ATE179796T1 (de) Referenzelektroden
Yarnell et al. The Oxidation of Tetrabasic Lead Sulfate to Lead Dioxide in the Positive Plate of the Lead‐Acid Battery
US3445296A (en) Method of making silver chloride electrode having a metallic silver coating on at least part of each particle
JPS5687386A (en) Josephson junction element and manufacture therefor
Medvedev et al. Kinetics of Copper Electrodeposition on Hard Copper Electrodes. I. Mechanically Renewable Polycrystalline Electrode in Chloride Ion Free Sulphate Solutions
JPS642393A (en) Manufacture of conductive circuit substrate
Delph et al. Analysis of Waveguiding Structures Employing Surface Magnetoplasmons by the Finite-Element Method(Short Paper)
JPS569973A (en) Method for measuring capacity left in alkaline electrolyte cell
JPS6428994A (en) Manufacture of printed wiring board
Das et al. Anomalous Capacity--Current Behaviour of Lead Electrodes in Sulphuric Acid at Very Low Rates of Discharge
JPS56158424A (en) Electrolytic copper plating for compound semiconductor
Glarum et al. THE ANODIC DISSOLUTION OF COPPER INTO PHOSPHORIC ACID, II, IMPEDANCE BEHAVIOUR
JPS6415686A (en) Radiation detecting element
JPS5589742A (en) Oxygen concentration cell of solid electrolyte
JPS6460969A (en) Lead storage battery
JPS6433950A (en) Structure for mounting semiconductor element
JPS5621048A (en) Humidity sensor
JPS5466888A (en) Production of electrode for oxygen sensor
KAUTZ et al. Electrical screening procedure for solid ionic conductors(Electrical screening procedure for solid ionic conductors)
FR2390833A2 (fr) Pile electrique de debit eleve et son procede de fabrication