PL96897B1 - Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelacznikow analogowych i modulatorow - Google Patents
Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelacznikow analogowych i modulatorow Download PDFInfo
- Publication number
- PL96897B1 PL96897B1 PL18735876A PL18735876A PL96897B1 PL 96897 B1 PL96897 B1 PL 96897B1 PL 18735876 A PL18735876 A PL 18735876A PL 18735876 A PL18735876 A PL 18735876A PL 96897 B1 PL96897 B1 PL 96897B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- modulators
- analog switches
- substrate
- field transistor
- drain
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelaczników analogowych i modulatorów znajdujacy zastosowanie w technice analogowo-cyfrowej i telekomunikacji.Znane uklady polaryzacji tranzystora polowego, przedstawione w ksiazce „1974 RCA Solid State DATABOOK: Linear Integrated Circuits and MOS Devices" podzielic mozna na kilka grup. Jedna grupe stanowia uklady, w których podloze tranzystora polowego polaczone jest bezposrednio z drenem lub ze zródlem.Dzialaja one poprawnie tylko dla napiec wejsciowych o jednej biegunowosci. W drugiej grupie sa uktady, w których podloze polaczone jest do stalego napiecia dodatniego lub ujemnego, zaleznie od typu tranzystora.Moga one przelaczac napiecia bipolarne, lecz odbywa sie to kosztem wzrostu opornosci kanalu tranzystora wstanie zalaczenia. Inna grupe stanowia uklady z podlozem niepodlaczonym. Posiadaja one niekorzystne wlasnosci wstanie wylaczenia, wywolane niepelnym rozwarciem dla duzych napiec o niekorzystnej polaryzacji.Wszystkie te uklady albo nie maja dobrego stanu wylaczenia, albo dobre wlasnosci wstanie wylaczenia uzyskano kosztem pogorszenia wlasnosci w stanie zalaczenia poprzez zwiekszenie opornosci w stanie zalaczenia i wieksze prawdopodobienstwo przebicia miedzyelektrodowego przy duzych sygnalach wejsciowych. Ukladów tych nie mozna stosowac w ukladach próbkujaco-pamietajacych, które wymagaja dobrych wlasnosci zarówno w stanie wylaczenia jak i zalaczenia.Uklad polaryzacji tranzystora polowego wedlug wynalazku polega na tym, ze pomiedzy drenem a podlozem tranzystora polowego wlaczona jest dioda. Dzieki temu dla napiec wejsciowych o takiej biegunowosci, ze dioda spolaryzowana jest zaporowo, uklad ma wlasnosci takie jak uklad z podlozem niepodlaczonym przy korzystnej biegunowosci napiecia wejsciowego, to znaczy posiada mala wartosc rezystancji wstanie zalaczania i duza w stanie wylaczenia. Dla napiec wejsciowych o biegunosci przeciwnej,gdy wystepuje pogorszenie wlasnosci ukladu z podlozem niepodlaczonym, dioda spolaryzowana jest w kierunku przewodzenia, wtedy uklad zachowuje sie podobnie jak uklad z podlozem zwartym z drenem, dzieki czemu . równiez wtedy ma dobre wlasnosci w stanie zalaczania oraz wylaczania.2 96 897 Zaleta ukladu wedlug wynalazku jest to, ze umozliwia on prace dla napiec bipolarnych bez pogorszenia wlasnosci wstanie zalaczania i wylaczania, ponadto nie wystepuje koniecznosc dysponowania dodatkowym napieciem stalym do polaryzacji podloza i nie plynie stale prad uplywu diody podlozowej.Wynalazek w przykladzie wykonania uwidoczniono na rysunku, który przedstawia schemat ideowy ukladu.Uklad, w którym spolaryzowano tranzystor polowy MOSFET sklada sie z tranzystora polowego MOSFET 1 o kanale typu n, normalnie zalaczonego, diody 2 oraz bloku sterujacego 3. Katoda diody 2 polaczona jest z drenem 4, natomiast anoda diody 2 polaczona jest z podlozem 5 tranzystora polowego 1, a wyjscie bloku sterujacego 3 polaczone jest z bramka 6. Wejsciem ukladu jest dren 4, natomiast wyjsciem zródlo 7 tranzystora polowego MOSFET 1. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe .. Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelaczników analogowych i modulatorów, którego wejscie stanowi dren tranzystora polowego, a jego wyjscie — zródlo tranzystora polowego, natomiast bramka tego tranzystora polaczona jest z blokiem sterujacym, znamienny tym, ze pomiedzy podlozem (5) a drenem (4) tranzystora polowego MOSFET (1) wlaczona jest w kierunku przewodzenia dioda (2). 5 i 7 G 5 Prac.Poligraf. UP PRL naklad 120+18 Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18735876A PL96897B1 (pl) | 1976-02-19 | 1976-02-19 | Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelacznikow analogowych i modulatorow |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL18735876A PL96897B1 (pl) | 1976-02-19 | 1976-02-19 | Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelacznikow analogowych i modulatorow |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL96897B1 true PL96897B1 (pl) | 1978-01-31 |
Family
ID=19975686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL18735876A PL96897B1 (pl) | 1976-02-19 | 1976-02-19 | Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelacznikow analogowych i modulatorow |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL96897B1 (pl) |
-
1976
- 1976-02-19 PL PL18735876A patent/PL96897B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2733796B2 (ja) | スイッチ回路 | |
| US4477742A (en) | Three terminal bidirectional drain to drain FET circuit | |
| US4492883A (en) | Unpowered fast gate turn-off FET | |
| US4654568A (en) | MOSFET "H" switch with current sensing | |
| ATE40620T1 (de) | Elektronischer schalter. | |
| KR930007794B1 (ko) | 소오스에 부하가 연결되어 있는 mosfet를 구동시키기 위한 회로배열 | |
| KR910010723A (ko) | 소메모리셀 면적에서 고안정성을 갖는 반도체기억장치 | |
| KR960032836A (ko) | 역 배터리 보호회로 | |
| KR970056052A (ko) | 반도체 스위치 | |
| JPS5915216B2 (ja) | 電圧レベルシフタ | |
| KR970072610A (ko) | 양방향 전압 변환기 | |
| KR870006721A (ko) | 반도체 전자회로 | |
| KR930703726A (ko) | 과전류 보호장치 | |
| KR870009549A (ko) | 도전율 변조형 전계효과 트랜지스터의 고속 스위치-오프 회로 | |
| KR960027302A (ko) | 파워 모스페트(mosfet)의 부하전류 조정회로 | |
| JPS5443551A (en) | Monolithic semiconductor integrated circuit | |
| US6633470B2 (en) | Overvoltage protection circuit for bidirectional transmission gate | |
| US4256978A (en) | Alternating polarity power supply control apparatus | |
| JP4398983B2 (ja) | Ｍｏｓトランジスタのボディ効果の制御 | |
| JP2000341848A (ja) | 逆極性入力保護装置 | |
| PL96897B1 (pl) | Uklad polaryzacji tranzystora polowego zwlaszcza do przelacznikow analogowych i modulatorow | |
| US5148165A (en) | CMOS digital to analog signal converter circuit | |
| JPS61285820A (ja) | 電子スイツチ | |
| KR910001775A (ko) | 반도체 기억장치 | |
| CN112383296B (zh) | 双向组合开关 |