PL96126B1 - Sposob usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej z wytrawionych azurow - Google Patents
Sposob usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej z wytrawionych azurow Download PDFInfo
- Publication number
- PL96126B1 PL96126B1 PL17960975A PL17960975A PL96126B1 PL 96126 B1 PL96126 B1 PL 96126B1 PL 17960975 A PL17960975 A PL 17960975A PL 17960975 A PL17960975 A PL 17960975A PL 96126 B1 PL96126 B1 PL 96126B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- emulsion
- parts
- weight
- etched
- illuminated
- Prior art date
Links
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 title claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 206010015037 epilepsy Diseases 0.000 title 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 claims description 5
- XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N Trichloroethylene Chemical group ClC=C(Cl)Cl XSTXAVWGXDQKEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000344 soap Substances 0.000 claims description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonium chloride Substances [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aliphatic halogen Chemical class 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- BOSAWIQFTJIYIS-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2,2,2-trifluoroethane Chemical compound FC(F)(F)C(Cl)(Cl)Cl BOSAWIQFTJIYIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000003287 bathing Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 231100000614 poison Toxicity 0.000 description 1
- 230000007096 poisonous effect Effects 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej na bazie zy¬ wic izoprenowych, na przyklad KTFR (Kodak Thin Film Resist) z wytrawionych azurów.W znanym sposobie wytwarzania azurów, pole¬ gajacym na naswietlaniu (przez maske) warstwy emulsji fotolitograficznej na podlozu metalowym, rozpuszczeniu naswietlonych czesci emulsji i wy¬ trawieniu w tych miejscach podloza metalowego, bardzo wazna sprawa jest mozliwosc szybkiego usu¬ wania naswietlonej warstwy emulsji z gotowego azuru. Proces ten jest o tyle trudny, ze mamy tu do czynienia ze spolimeryzowanymi zywicami, nieroz¬ puszczalnymi w rozpuszczalnikach organicznych.Ponadto azury sa zwykle bardzo delikatne i latwe do uszkodzenia, totez wymaga sie, aby emulsja pod wplywem kapieli dobrze odchodzila od pod¬ loza metalowego. Istotne jest równiez, aby czas zdejmowania emulsji nie byl dluzszy, niz kilka mi¬ nut, ze wzgledu na wydajnosc procesu. Do usuwa¬ nia naswietlonej warstwy emulsji stosuje sie trój¬ chloroetylen, pod dzialaniem którego emulsja pecz¬ nieje. Nastepnie emulsje usuwa sie za pomoca szczotki. Podczas tej operacji wystepowalo nieraz uszkodzenie azuru. Znane jest usuwanie emulsji za pomoca trójchlorotrójfluoroetanu i chlorku me¬ tylenu oraz alkoholu, patrz opis patentowy RFN nr 2 215 731. Mieszanina ta nadaje sie jedynie do . usuwania emulsji na bazie metakrylanów, nie na¬ daje sie natomiast do usuwania emulsji na bazie zywic izoprenowych, na przyklad emulsji fotolito¬ graficznej firmy Kodak do struktur pólprzewodni¬ kowych.Znana jest równiez do usuwania emulsji miesza¬ nina na alifatycznych chlorowcopochodnych, alko¬ holi i ketonów, patrz amerykanski opis patentowy nr 3 625 763. Czas zdejmowania emulsji na bazie zywic izoprenowych w tej mieszaninie jest bardzo dlugi. Do usuwania emulsji stosowana jest równiez mieszanina chlorku metylenu, fenolu, alkilosulfo- nianu sodowego i wody, patrz francuski opis pa¬ tentowy nr 2 109 127. Sposób ten wymaga wprowa¬ dzenia do produkcji silnie trujacego fenolu oraz bardzo lotnego chlorku metylenu. Znane jest rów¬ niez usuwanie naswietlonej emulsji w autoklawie w temperaturze 150—250°C przy cisnieniu 20 kG/cm2 w czasie 15 minut do 3 godzin w mieszaninie ksy¬ lenu i chlorku metylenu, patrz opis patentowy St. Zjedn. Am. nr 3 592 691.Wymienione wyzej wady i niedogodnosci nie wystepuja w sposobie wedlug wynalazku. Sposób ten polega na umieszczeniu wytrawionych azurów, najpierw w kapieli zmiekczajacej, w sklad której wchodzi 120 —180 czesci wagowych trójchloroety¬ lenu, 30 — 40 czesci wagowych chloroformu, 3 — 4 czesci wagowych alkoholu etylowego, 1 — 2 czesci wagowych 25% roztworu amoniaku oraz 0,5 — 2 czesci wagowych szarego mydla. W czasie 1 — 5 minut naswietlona emulsja splywa z azuru. Nas¬ tepnie azur umieszcza sie w kapieli utwardzajacej 96 12696126 i kurczacej, bedacej alkoholem izopropylowym. W czasie okolo 1 minuty resztki emulsji twardnieja i kurcza sie, odchodzac latwo od zmywanej plyty azurowej.Sposób usuwania emulsji fotolitograficznej wed¬ lug wynalazku jest prosty i bardzo skuteczny. Czas trwania calej operacji trwa jedynie kilka minut i nie zachodzi niebezpieczenstwo uszkodzenia azuru.Dodatkowa zaleta sposobu wedlug wynalazku jest mozliwosc stosowania do kapieli skladników odpa¬ dowych z przemyslu pólprzewodnikowego.Przyklad. Wytrawiony azur umieszcza sie w kapieli zmiekczajacej na okres okolo 4 minut. Ka¬ piel te przygotowuje sie rozpuszczajac 100 g sza¬ rego mydla w 400 g alkoholu etylowego, po czym dodaje sie kolejno 3 kg chloroformu, 100 g 25% roz¬ tworu amoniaku i 12 kg trójchloroetylenu, a nas¬ tepnie calosc dokladnie miesza. Po wyjeciu z tej kapieli azur umieszcza sie w kapieli utwardzaja¬ cej bedacej alkoholem izopropylowym. W okresie okolo 1 minuty resztki emulsji twardnieja, kurcza sie, latwo odchodzac ze zmywanej plyty. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób usuwania naswietlonej emulsji fotolito¬ graficznej z wytrawionych azurów, znamienny tym, ze azury te dla zmiekczenia emulsji umieszcza sie najpierw w kapieli zawierajacej 120 —180 czesci wagowych trójchloroetylenu, 30 — 40 czesci wago¬ wych chloroformu, 3 — 4 czesci wagowych alkoho¬ lu etylowego, 1 — 2 czesci wagowych 25% roztworu amoniaku, oraz 0,5 do 2 czesci wagowych szarego mydla, a nastepnie w alkoholu izopropylowym sta¬ nowiacym kapiel utwardzajaca i kurczaca dla resz¬ tek pozostalej emulsji. OZGraf. Zam. 104 (125+17 egz.) Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17960975A PL96126B1 (pl) | 1975-04-14 | 1975-04-14 | Sposob usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej z wytrawionych azurow |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL17960975A PL96126B1 (pl) | 1975-04-14 | 1975-04-14 | Sposob usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej z wytrawionych azurow |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL96126B1 true PL96126B1 (pl) | 1977-12-31 |
Family
ID=19971693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL17960975A PL96126B1 (pl) | 1975-04-14 | 1975-04-14 | Sposob usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej z wytrawionych azurow |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL96126B1 (pl) |
-
1975
- 1975-04-14 PL PL17960975A patent/PL96126B1/pl unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5091103A (en) | Photoresist stripper | |
| US6475292B1 (en) | Photoresist stripping method | |
| CA1194765A (en) | Stripping compositions and methods of stripping resists | |
| KR880002247B1 (ko) | 제막(際膜)조성물 및 내식막(耐蝕膜) 제거방법 | |
| JPS61169847A (ja) | 半導体基板からホトレジストおよび剥離剤残留物を除去するための後洗浄剤および方法 | |
| US3871929A (en) | Polymeric etch resist strippers and method of using same | |
| KR970016836A (ko) | 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 | |
| JPH01502059A (ja) | フォトレジストストリッパー組成物 | |
| JP2631849B2 (ja) | 剥離剤組成物 | |
| DE10049831A1 (de) | Photoresist-Strippermittel und Verfahren zum Strippen von Photoresistaufträgen unter Verwendung des Mittels | |
| JP7160238B2 (ja) | ドライフィルムレジスト除去用剥離組成物及びこれを用いたドライフィルムレジストの剥離方法 | |
| JPH07146563A (ja) | ホトレジスト剥離方法 | |
| DE2336511A1 (de) | Verfahren zum selektiven entfernen eines anteils eines polyimidsubstrats | |
| US4971715A (en) | Phenolic-free stripping composition and use thereof | |
| JPH0661615A (ja) | 電子デバイスの製造方法 | |
| CN111512239A (zh) | 光致抗蚀剂去除剂组合物 | |
| JPS6250832A (ja) | 光硬化性フオトレジスト層のストリツピング法 | |
| WO1997039092A1 (en) | Photoresist stripping compositions | |
| PL96126B1 (pl) | Sposob usuwania naswietlonej emulsji fotolitograficznej z wytrawionych azurow | |
| CA1074219A (en) | Phenol-free photoresist stripper | |
| JP2591644B2 (ja) | ホトレジストの剥離液 | |
| KR102414295B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 박리액 조성물 | |
| JP2613755B2 (ja) | 基板の処理方法 | |
| KR20010040496A (ko) | 감광성 내식막 박리액 및 박리방법 | |
| EP0111799A1 (de) | Verfahren zur Entwicklung von Reliefstrukturen auf der Basis von strahlungsvernetzten Polymervorstufen hochwärmebeständiger Polymere |