PL88640B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL88640B1 PL88640B1 PL1974168895A PL16889574A PL88640B1 PL 88640 B1 PL88640 B1 PL 88640B1 PL 1974168895 A PL1974168895 A PL 1974168895A PL 16889574 A PL16889574 A PL 16889574A PL 88640 B1 PL88640 B1 PL 88640B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- melting
- sealing compound
- current
- pipe
- zone
- Prior art date
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 6
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 5
- 239000004945 silicone rubber Substances 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 7
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L Oxine-copper Chemical compound [Cu+2].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 YXLXNENXOJSQEI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B17/00—Insulators or insulating bodies characterised by their form
- H01B17/26—Lead-in insulators; Lead-through insulators
- H01B17/30—Sealing
- H01B17/303—Sealing of leads to lead-through insulators
- H01B17/305—Sealing of leads to lead-through insulators by embedding in glass or ceramic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T117/00—Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
- Y10T117/10—Apparatus
- Y10T117/1024—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
- Y10T117/1076—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
- Y10T117/1088—Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- General Induction Heating (AREA)
- Resistance Heating (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania doprowadzen pradowych typu wspólosiowego, zwla¬ szcza takich, które znajduja zastosowanie w in¬ dukcyjnych cewkach grzejnych do wytwarzania strefy topnienia w krystalicznych pretach pólprze¬ wodnikowych, przy beztyglowym topieniu strefo¬ wym.Przy beztyglowym topieniu strefowym, krysta¬ liczny pret pólprzewodnikowy umocowuje sie obu koncami pionowo w uchwytach i topi sie za po¬ moca cewki indukcyjnej pradem wielkiej czesto¬ tliwosci w recypiencie. Poniewaz cewka w stosun¬ ku do dlugosci preta ma niewielkie wydluzenie osiowe, topi sie zawsze tylko ta czesc preta pól¬ przewodnikowego, która znajduje sie w cewce.Podczas beztyglowego topienia, cewka grzejna porusza sie powoli wzdluz preta. To przechodzenie odbywa sie w prózni lub w gazowej atmosferze ochronnej.Skierowanie pradu grzejnego do cewki grzejnej nastepuje przez scianke recypienta za pomoca do¬ prowadzenia pradowego. Na to doprowadzenie pra¬ dowe skladaja sie wedlug np. niemieckiego opisu patentowego nr 1.076.623 przewody rurowe o róz¬ nych srednicach, które podtrzymuja indukcyjna cewke grzejna, a z powodu niskiej indukcyjnosci ulozone sa wspólosiowo jeden w drugim. Przy tym przewód rurowy o najwiekszej srednicy przepro-. wadzony jest przez plaszcz recypienta za pomoca gazoszczelnego przepustu w taki sposób, aby byl przesuwny wzdluz. Pusta przestrzen wewnetrznego przewodu rurowego i przestrzen miedzy zewnetrz¬ nym, a srodkowym przewodem rurowym sluza do doprowadzania i odprowadzania srodka chlodzace¬ go, przy czym cewka grzejna jest wlaczona do obiegu tego srodka.Do doprowadzen pradowych do cewek grzejnych w urzadzeniach do ciagnienia strefowego uzywa sie celem uszczelnienia i izolowania, symetrycznych ksztaltek z czterofluoroetylenu, które to ksztal¬ tki dociskane sa do powierzchni uszczelnianych na¬ ciskiem srub. Przy wiekszym naprezeniu, na przy¬ klad przy wytwarzaniu monokrysztalów o wiek¬ szych srednicach preta, sruby dociskowe musza byc ciagle dociagane, co jest mozliwe jednak tylko w ograniczonym czasie, tak dlugo mianowicie, az ksztaltka czterofluoroetylenowa ulegnie deformacji.Zastapienie takiej ksztaltki inna z kauczku siliko¬ nowego, który odlewany jest na odcinku izoluja¬ cym i uszczelniajacym i tam utwardzany, nie daje takze pelnego sukcesu gdyz dlugosc, która nalezy wylac, jest za mala i przy tym nie osiaga sie sta¬ bilnosci mechanicznej. Oprócz tego kauczuk siliko¬ nowy sluzacy jako masa zalewowa jest bardzo miekki i szybko doznaje pekniec przy trwalym mechanicznym naprezaniu.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu roz¬ wiazania tych problemów.Cel ten osiagnieto przez opracowanie sposobu wykonania konstrukcji, w której dielektryk znaj- Co 640s dujacy sie miedzy przewodami rurowymi umiesz¬ czonymi wspólosiowo jeden w drugim jest wyko¬ nywany z mocnego materialu elektroizolacyjnego uksztaltowanego tez w formie rury, oraz polacze¬ nie z metalowymi czesciami doprowadzenia pradu jest wytworzone przez mase zalewowa.W dalszym rozwinieciu wynalazku przewiduje sie zastosowanie rury ze szkla kwarcowego, cera¬ miki lub z tworzywa sztucznego, na przyklad czterofluoroetylenu.W ramach wynalazku miesci sie tez uzywanie masy zalewowej wytwarzanej na bazie kauczku silikonowego.Jesli glówny dielektryk doprowadzenia pradu stanowi rura wykonana z mocnego stalego mate¬ rialu izolacyjnego, a szczeliny przy czesciach me¬ talowych, które musza byc male (1—2 mm) wylane sa kauczukiem silikonowym, mozna osiagnac zna¬ cznie lepsza stabilnosc mecheniczna i lepsze wlas¬ ciwosci elektryczne. Tak na przyklad przy uzyciu rury ze szkla kwarcowego jako glównego korpusu izolacyjnego odpowiednie wielkosci wynosza: tg fi = io—*, a stala dielektryczna e = 3,7. Dla porów¬ nania: dla kauczuku silikonowego jako masy zale¬ wowej wartosci te wynosza tylko okolo: tg 8 = 10—* i e = 3,1. Przy uzyciu tej majacej cechy wynalazku izolacji osiaga sie znacznie mniejsze straty w do¬ starczaniu energii. Nie wystepuja tez zadne istot¬ ne znieksztalcenia pola, poniewaz stale dielektry¬ czne uzywanych materialów sa prawie jednakowo wysokie. Dzieki temu male jest niebezpieczenstwo przebic elektrycznych w okolicy przepustu.Wynalazek blizej objasniono w przykladzie wy¬ konania pokazanym na rysunku przedstawiajacym schematycznie przekrój cewki grzejnej, wykonanej sposobem wedlug wynalazku.Jak pokazano na rysunku doprowadzenie prado¬ we 1 do grzejnej cewki nie uwidocznionej tutaj, które sklada sie z systemu wspólosiowego i prowa¬ dzi przez scianke recypienta 2 na zewnatrz i do generatora wielkich czestotliwosci (na rysunku nie pokazany). Doprowadzenie pradowe 1 sklada sie z zewnetrznej rury miedzianej 3, która zaopatrzo¬ na jest w kolnierz okragly 4, który z kolei przy¬ mocowany jest za pomoca polaczen srubowych 6 640 4 i 7 do scianki recypienta 2. Dalej doprowadzenie pradowe sklada sie z wewnetrznej rury miedzia¬ nej 8, która oddzielona jest od zewnetrznej rury miedzianej 3 izolacja skladajaca sie glównie z rury kwarcowej 9. Szczeliny do czesci metalowych 3 i 8 sa waskie. Sa one wylewane kauczukiem silikono¬ wym 10. Przewodnikiem zewnetrznym jest prze¬ prowadzona przez kolnierz 4 zewnetrznej rury mie¬ dzianej 3 kolejna rura miedziana 11, która pola- czona jest z rura miedziana 3 przez lutowanie. We¬ wnatrz sluzacej jako przewodnik zewnetrzny rury miedzianej 11 i wewnatrz rury wewnetrznej mie¬ dzianej 8 znajduje sie obieg srodków chlodzacych, którego kierunek oznaczono strzalkami 12 i 13. Do tego obiegu wlaczona jest takze nie pokazana na rysunku cewka grzejna. Unika sie przez to zbyt silnego rozgrzania cewki topiacej przez przeplyw pradu i ogrzewanie przez promieniowanie strefy topienia. Urzadzenie wyposazone jest w pierscien uszczelniajacy 14. PL
Claims (5)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wykonania doprowadzen pradowych 25 typu wspólosiowego, zwlaszcza takich, które znaj¬ duja zastosowanie w indukcyjnych cewkach grzej¬ nych do wytwarzania strefy topienia w krystali¬ cznych pretach pólprzewodnikowych przez bezty- glowym topieniu strefowym, znamienny tym, ze 30 znajdujacy sie miedzy ulozonymi wspólosiowo je¬ den w drugim przewodnikami rurowymi dielektryk wykonuje sie z rury (9) ze stalego trwalego ma¬ terialu elektroizolacyjnego i laczy sie z czesciami metalowymi doprowadzenia pradowego za pomoca 35 masy zalewowej.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie rurke (9) ze szkla kwarcowego.
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie rure z ceramiki. 4. *°
- 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie rure z tworzywa sztucznego, korzystnie z czterofluoroetylenu.
- 5. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 2 albo 3 albo 4, znamienny tym, ze stosuje sie mase zalewowa (10) 45 wykonana na bazie kauczuku silikonowego.88 640 PL
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE2308136A DE2308136C3 (de) | 1973-02-19 | 1973-02-19 | Gasdichte Stromzuführung |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL88640B1 true PL88640B1 (pl) | 1976-09-30 |
Family
ID=5872406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL1974168895A PL88640B1 (pl) | 1973-02-19 | 1974-02-18 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3916088A (pl) |
| BE (1) | BE805413A (pl) |
| DE (1) | DE2308136C3 (pl) |
| DK (1) | DK145818C (pl) |
| FR (1) | FR2218627B1 (pl) |
| GB (1) | GB1424487A (pl) |
| IT (1) | IT1006337B (pl) |
| PL (1) | PL88640B1 (pl) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2823611C2 (de) * | 1978-05-30 | 1986-09-11 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Stromzuführung für eine Induktionsheizspule |
| DE2919988A1 (de) * | 1979-05-17 | 1980-11-27 | Siemens Ag | Stromzufuehrung in koaxialbauweise |
| JP3925257B2 (ja) * | 2002-03-15 | 2007-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 |
| US11670448B2 (en) * | 2018-05-07 | 2023-06-06 | Astronics Advanced Electronic Systems Corp. | System of termination of high power transformers for reduced AC termination loss at high frequency |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2278974A (en) * | 1940-05-02 | 1942-04-07 | Gen Electric | Bushing for encased electrical apparatus |
| US2617002A (en) * | 1951-11-27 | 1952-11-04 | Wiegand Co Edwin L | Electric heater |
| US2675414A (en) * | 1951-12-20 | 1954-04-13 | Emil R Capita | Induction furnace |
| US2803689A (en) * | 1956-04-02 | 1957-08-20 | Nat Res Corp | Electric induction furnace |
| DE1076623B (de) * | 1957-11-15 | 1960-03-03 | Siemens Ag | Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial |
| US3497444A (en) * | 1967-04-14 | 1970-02-24 | Sinclair Research Inc | Anode structure |
| US3539430A (en) * | 1968-01-24 | 1970-11-10 | Us Army | Method of constructing a radio-frequency feed-through assembly |
| DE1916318C3 (de) * | 1969-03-29 | 1975-07-24 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Stromdurchführung für eine Vorrichtung zum Zonenschmelzen |
-
1973
- 1973-02-19 DE DE2308136A patent/DE2308136C3/de not_active Expired
- 1973-09-27 BE BE136129A patent/BE805413A/xx unknown
-
1974
- 1974-01-14 GB GB176474A patent/GB1424487A/en not_active Expired
- 1974-02-11 IT IT20398/74A patent/IT1006337B/it active
- 1974-02-15 FR FR7405170A patent/FR2218627B1/fr not_active Expired
- 1974-02-18 PL PL1974168895A patent/PL88640B1/pl unknown
- 1974-02-18 DK DK86474A patent/DK145818C/da not_active IP Right Cessation
- 1974-02-19 US US443716A patent/US3916088A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2308136C3 (de) | 1982-03-25 |
| US3916088A (en) | 1975-10-28 |
| BE805413A (fr) | 1974-01-16 |
| DE2308136A1 (de) | 1974-08-22 |
| DK145818C (da) | 1983-08-29 |
| DE2308136B2 (de) | 1981-06-25 |
| FR2218627B1 (pl) | 1981-02-13 |
| GB1424487A (en) | 1976-02-11 |
| DK145818B (da) | 1983-03-14 |
| FR2218627A1 (pl) | 1974-09-13 |
| IT1006337B (it) | 1976-09-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104470017B (zh) | 一种感应加热线圈装置 | |
| JP2007509026A (ja) | 結晶成長装置 | |
| CN111403128B (zh) | 一种用于直流输电的支柱绝缘子及直流输电设备 | |
| PL88640B1 (pl) | ||
| US2664496A (en) | Apparatus for the magnetic levitation and heating of conductive materials | |
| US2904663A (en) | Apparatus for zone melting of semiconductor material | |
| US3985947A (en) | Device and method for crucible-free zone melting of crystallizable rods in particular semiconductor rods | |
| JPS5921596A (ja) | 無るつぼ帯域溶融用の偏平誘導コイル | |
| US2908739A (en) | Water cooled crucible for high frequency heating | |
| US3666869A (en) | Method and apparatus for setting up a temperature gradient | |
| JPH04229545A (ja) | 片側ソケット受口式電気ランプ | |
| US3688006A (en) | Device for crucible-free, floating-zonemelting a crystalline member | |
| US3892827A (en) | Method for precipitating a layer of semiconductor material from a gaseous compound of said semiconductor material | |
| JPS5882491A (ja) | るつぼ無し帯域溶融用の平形誘導コイル | |
| US5668827A (en) | Crucible for induction melting | |
| KR20060082437A (ko) | 낮은 인덕턴스를 가진 코일 형상의 소형 초전도 전류 제한부품 | |
| CN102570094A (zh) | 一种超高真空装置用高压引线组件及制造方法 | |
| US20130233369A1 (en) | Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion apparatus | |
| CN213602150U (zh) | 用于交联聚乙烯电缆进行对接的处理装置 | |
| CA1041177A (en) | Cooled capacitor container for semiconductor melting device | |
| US3671703A (en) | Device for crucible-free, floating zone melting a crystalline | |
| US3303268A (en) | Sealed coaxial connector | |
| US1394145A (en) | Thermionic discharge apparatus | |
| RU174736U1 (ru) | Герметичный составной биметаллический токоведущий вывод | |
| US2789153A (en) | Furnace for producing single crystals for transistors |