PL88640B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL88640B1
PL88640B1 PL1974168895A PL16889574A PL88640B1 PL 88640 B1 PL88640 B1 PL 88640B1 PL 1974168895 A PL1974168895 A PL 1974168895A PL 16889574 A PL16889574 A PL 16889574A PL 88640 B1 PL88640 B1 PL 88640B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
melting
sealing compound
current
pipe
zone
Prior art date
Application number
PL1974168895A
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of PL88640B1 publication Critical patent/PL88640B1/pl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B17/00Insulators or insulating bodies characterised by their form
    • H01B17/26Lead-in insulators; Lead-through insulators
    • H01B17/30Sealing
    • H01B17/303Sealing of leads to lead-through insulators
    • H01B17/305Sealing of leads to lead-through insulators by embedding in glass or ceramic material
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T117/00Single-crystal, oriented-crystal, and epitaxy growth processes; non-coating apparatus therefor
    • Y10T117/10Apparatus
    • Y10T117/1024Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state
    • Y10T117/1076Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone
    • Y10T117/1088Apparatus for crystallization from liquid or supercritical state having means for producing a moving solid-liquid-solid zone including heating or cooling details

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • General Induction Heating (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Crucibles And Fluidized-Bed Furnaces (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wykonania doprowadzen pradowych typu wspólosiowego, zwla¬ szcza takich, które znajduja zastosowanie w in¬ dukcyjnych cewkach grzejnych do wytwarzania strefy topnienia w krystalicznych pretach pólprze¬ wodnikowych, przy beztyglowym topieniu strefo¬ wym.Przy beztyglowym topieniu strefowym, krysta¬ liczny pret pólprzewodnikowy umocowuje sie obu koncami pionowo w uchwytach i topi sie za po¬ moca cewki indukcyjnej pradem wielkiej czesto¬ tliwosci w recypiencie. Poniewaz cewka w stosun¬ ku do dlugosci preta ma niewielkie wydluzenie osiowe, topi sie zawsze tylko ta czesc preta pól¬ przewodnikowego, która znajduje sie w cewce.Podczas beztyglowego topienia, cewka grzejna porusza sie powoli wzdluz preta. To przechodzenie odbywa sie w prózni lub w gazowej atmosferze ochronnej.Skierowanie pradu grzejnego do cewki grzejnej nastepuje przez scianke recypienta za pomoca do¬ prowadzenia pradowego. Na to doprowadzenie pra¬ dowe skladaja sie wedlug np. niemieckiego opisu patentowego nr 1.076.623 przewody rurowe o róz¬ nych srednicach, które podtrzymuja indukcyjna cewke grzejna, a z powodu niskiej indukcyjnosci ulozone sa wspólosiowo jeden w drugim. Przy tym przewód rurowy o najwiekszej srednicy przepro-. wadzony jest przez plaszcz recypienta za pomoca gazoszczelnego przepustu w taki sposób, aby byl przesuwny wzdluz. Pusta przestrzen wewnetrznego przewodu rurowego i przestrzen miedzy zewnetrz¬ nym, a srodkowym przewodem rurowym sluza do doprowadzania i odprowadzania srodka chlodzace¬ go, przy czym cewka grzejna jest wlaczona do obiegu tego srodka.Do doprowadzen pradowych do cewek grzejnych w urzadzeniach do ciagnienia strefowego uzywa sie celem uszczelnienia i izolowania, symetrycznych ksztaltek z czterofluoroetylenu, które to ksztal¬ tki dociskane sa do powierzchni uszczelnianych na¬ ciskiem srub. Przy wiekszym naprezeniu, na przy¬ klad przy wytwarzaniu monokrysztalów o wiek¬ szych srednicach preta, sruby dociskowe musza byc ciagle dociagane, co jest mozliwe jednak tylko w ograniczonym czasie, tak dlugo mianowicie, az ksztaltka czterofluoroetylenowa ulegnie deformacji.Zastapienie takiej ksztaltki inna z kauczku siliko¬ nowego, który odlewany jest na odcinku izoluja¬ cym i uszczelniajacym i tam utwardzany, nie daje takze pelnego sukcesu gdyz dlugosc, która nalezy wylac, jest za mala i przy tym nie osiaga sie sta¬ bilnosci mechanicznej. Oprócz tego kauczuk siliko¬ nowy sluzacy jako masa zalewowa jest bardzo miekki i szybko doznaje pekniec przy trwalym mechanicznym naprezaniu.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu roz¬ wiazania tych problemów.Cel ten osiagnieto przez opracowanie sposobu wykonania konstrukcji, w której dielektryk znaj- Co 640s dujacy sie miedzy przewodami rurowymi umiesz¬ czonymi wspólosiowo jeden w drugim jest wyko¬ nywany z mocnego materialu elektroizolacyjnego uksztaltowanego tez w formie rury, oraz polacze¬ nie z metalowymi czesciami doprowadzenia pradu jest wytworzone przez mase zalewowa.W dalszym rozwinieciu wynalazku przewiduje sie zastosowanie rury ze szkla kwarcowego, cera¬ miki lub z tworzywa sztucznego, na przyklad czterofluoroetylenu.W ramach wynalazku miesci sie tez uzywanie masy zalewowej wytwarzanej na bazie kauczku silikonowego.Jesli glówny dielektryk doprowadzenia pradu stanowi rura wykonana z mocnego stalego mate¬ rialu izolacyjnego, a szczeliny przy czesciach me¬ talowych, które musza byc male (1—2 mm) wylane sa kauczukiem silikonowym, mozna osiagnac zna¬ cznie lepsza stabilnosc mecheniczna i lepsze wlas¬ ciwosci elektryczne. Tak na przyklad przy uzyciu rury ze szkla kwarcowego jako glównego korpusu izolacyjnego odpowiednie wielkosci wynosza: tg fi = io—*, a stala dielektryczna e = 3,7. Dla porów¬ nania: dla kauczuku silikonowego jako masy zale¬ wowej wartosci te wynosza tylko okolo: tg 8 = 10—* i e = 3,1. Przy uzyciu tej majacej cechy wynalazku izolacji osiaga sie znacznie mniejsze straty w do¬ starczaniu energii. Nie wystepuja tez zadne istot¬ ne znieksztalcenia pola, poniewaz stale dielektry¬ czne uzywanych materialów sa prawie jednakowo wysokie. Dzieki temu male jest niebezpieczenstwo przebic elektrycznych w okolicy przepustu.Wynalazek blizej objasniono w przykladzie wy¬ konania pokazanym na rysunku przedstawiajacym schematycznie przekrój cewki grzejnej, wykonanej sposobem wedlug wynalazku.Jak pokazano na rysunku doprowadzenie prado¬ we 1 do grzejnej cewki nie uwidocznionej tutaj, które sklada sie z systemu wspólosiowego i prowa¬ dzi przez scianke recypienta 2 na zewnatrz i do generatora wielkich czestotliwosci (na rysunku nie pokazany). Doprowadzenie pradowe 1 sklada sie z zewnetrznej rury miedzianej 3, która zaopatrzo¬ na jest w kolnierz okragly 4, który z kolei przy¬ mocowany jest za pomoca polaczen srubowych 6 640 4 i 7 do scianki recypienta 2. Dalej doprowadzenie pradowe sklada sie z wewnetrznej rury miedzia¬ nej 8, która oddzielona jest od zewnetrznej rury miedzianej 3 izolacja skladajaca sie glównie z rury kwarcowej 9. Szczeliny do czesci metalowych 3 i 8 sa waskie. Sa one wylewane kauczukiem silikono¬ wym 10. Przewodnikiem zewnetrznym jest prze¬ prowadzona przez kolnierz 4 zewnetrznej rury mie¬ dzianej 3 kolejna rura miedziana 11, która pola- czona jest z rura miedziana 3 przez lutowanie. We¬ wnatrz sluzacej jako przewodnik zewnetrzny rury miedzianej 11 i wewnatrz rury wewnetrznej mie¬ dzianej 8 znajduje sie obieg srodków chlodzacych, którego kierunek oznaczono strzalkami 12 i 13. Do tego obiegu wlaczona jest takze nie pokazana na rysunku cewka grzejna. Unika sie przez to zbyt silnego rozgrzania cewki topiacej przez przeplyw pradu i ogrzewanie przez promieniowanie strefy topienia. Urzadzenie wyposazone jest w pierscien uszczelniajacy 14. PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wykonania doprowadzen pradowych 25 typu wspólosiowego, zwlaszcza takich, które znaj¬ duja zastosowanie w indukcyjnych cewkach grzej¬ nych do wytwarzania strefy topienia w krystali¬ cznych pretach pólprzewodnikowych przez bezty- glowym topieniu strefowym, znamienny tym, ze 30 znajdujacy sie miedzy ulozonymi wspólosiowo je¬ den w drugim przewodnikami rurowymi dielektryk wykonuje sie z rury (9) ze stalego trwalego ma¬ terialu elektroizolacyjnego i laczy sie z czesciami metalowymi doprowadzenia pradowego za pomoca 35 masy zalewowej.
  2. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie rurke (9) ze szkla kwarcowego.
  3. 3. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie rure z ceramiki. 4. *°
  4. 4. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stosuje sie rure z tworzywa sztucznego, korzystnie z czterofluoroetylenu.
  5. 5. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 2 albo 3 albo 4, znamienny tym, ze stosuje sie mase zalewowa (10) 45 wykonana na bazie kauczuku silikonowego.88 640 PL
PL1974168895A 1973-02-19 1974-02-18 PL88640B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2308136A DE2308136C3 (de) 1973-02-19 1973-02-19 Gasdichte Stromzuführung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL88640B1 true PL88640B1 (pl) 1976-09-30

Family

ID=5872406

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1974168895A PL88640B1 (pl) 1973-02-19 1974-02-18

Country Status (8)

Country Link
US (1) US3916088A (pl)
BE (1) BE805413A (pl)
DE (1) DE2308136C3 (pl)
DK (1) DK145818C (pl)
FR (1) FR2218627B1 (pl)
GB (1) GB1424487A (pl)
IT (1) IT1006337B (pl)
PL (1) PL88640B1 (pl)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2823611C2 (de) * 1978-05-30 1986-09-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Stromzuführung für eine Induktionsheizspule
DE2919988A1 (de) * 1979-05-17 1980-11-27 Siemens Ag Stromzufuehrung in koaxialbauweise
JP3925257B2 (ja) * 2002-03-15 2007-06-06 セイコーエプソン株式会社 気密チャンバにおける接続ラインの貫通構造およびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法
US11670448B2 (en) * 2018-05-07 2023-06-06 Astronics Advanced Electronic Systems Corp. System of termination of high power transformers for reduced AC termination loss at high frequency

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2278974A (en) * 1940-05-02 1942-04-07 Gen Electric Bushing for encased electrical apparatus
US2617002A (en) * 1951-11-27 1952-11-04 Wiegand Co Edwin L Electric heater
US2675414A (en) * 1951-12-20 1954-04-13 Emil R Capita Induction furnace
US2803689A (en) * 1956-04-02 1957-08-20 Nat Res Corp Electric induction furnace
DE1076623B (de) * 1957-11-15 1960-03-03 Siemens Ag Vorrichtung zum tiegelfreien Zonenziehen von stabfoermigem Halbleitermaterial
US3497444A (en) * 1967-04-14 1970-02-24 Sinclair Research Inc Anode structure
US3539430A (en) * 1968-01-24 1970-11-10 Us Army Method of constructing a radio-frequency feed-through assembly
DE1916318C3 (de) * 1969-03-29 1975-07-24 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Stromdurchführung für eine Vorrichtung zum Zonenschmelzen

Also Published As

Publication number Publication date
DE2308136C3 (de) 1982-03-25
US3916088A (en) 1975-10-28
BE805413A (fr) 1974-01-16
DE2308136A1 (de) 1974-08-22
DK145818C (da) 1983-08-29
DE2308136B2 (de) 1981-06-25
FR2218627B1 (pl) 1981-02-13
GB1424487A (en) 1976-02-11
DK145818B (da) 1983-03-14
FR2218627A1 (pl) 1974-09-13
IT1006337B (it) 1976-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104470017B (zh) 一种感应加热线圈装置
JP2007509026A (ja) 結晶成長装置
CN111403128B (zh) 一种用于直流输电的支柱绝缘子及直流输电设备
PL88640B1 (pl)
US2664496A (en) Apparatus for the magnetic levitation and heating of conductive materials
US2904663A (en) Apparatus for zone melting of semiconductor material
US3985947A (en) Device and method for crucible-free zone melting of crystallizable rods in particular semiconductor rods
JPS5921596A (ja) 無るつぼ帯域溶融用の偏平誘導コイル
US2908739A (en) Water cooled crucible for high frequency heating
US3666869A (en) Method and apparatus for setting up a temperature gradient
JPH04229545A (ja) 片側ソケット受口式電気ランプ
US3688006A (en) Device for crucible-free, floating-zonemelting a crystalline member
US3892827A (en) Method for precipitating a layer of semiconductor material from a gaseous compound of said semiconductor material
JPS5882491A (ja) るつぼ無し帯域溶融用の平形誘導コイル
US5668827A (en) Crucible for induction melting
KR20060082437A (ko) 낮은 인덕턴스를 가진 코일 형상의 소형 초전도 전류 제한부품
CN102570094A (zh) 一种超高真空装置用高压引线组件及制造方法
US20130233369A1 (en) Thermoelectric conversion module and thermoelectric conversion apparatus
CN213602150U (zh) 用于交联聚乙烯电缆进行对接的处理装置
CA1041177A (en) Cooled capacitor container for semiconductor melting device
US3671703A (en) Device for crucible-free, floating zone melting a crystalline
US3303268A (en) Sealed coaxial connector
US1394145A (en) Thermionic discharge apparatus
RU174736U1 (ru) Герметичный составной биметаллический токоведущий вывод
US2789153A (en) Furnace for producing single crystals for transistors