Uprawniony z patentu: Xerox Corporation, Rochester (Stany Zjednoczone Ameryki) Sposób wytwarzania bezspoinowej tasmy kserograficznej Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania bezspoinowej tasmy kserograficznej.Wytwarzanie cienkich bezspoinowych tasm niklowych, przez ksztaltowanie galwaniczne jest oczywiscie znane. Przykladowo opis patentowy Stanów Zjednoczonych nr 2569367 opisuje technike tworzenia cienkiej tasmy niklowej przez ksztaltowanie galwaniczne a opis patentowy nr 2287122 Stanów Zjednoczonych Ameryki Pólnocnej podaje technike ksztaltowania galwanicznego bezspoinowej tasmy bez konca z niklu, która jest jednak perforowana.Elastyczna tasme bez konca wytwarza sie zwykle przez zlaczenie, na przyklad przez spawanie, konców cienkiej powloki mosieznej.Stwierdzono, ze spoina wytworzona w miejscu polaczenia obu konców tasmy jest niepozadana, poniewaz zmniejsza wytrzymalosc i zywotnosc tasmy bez konca i stwarza koniecznosc synchronizowania cyklu kopio¬ wania ukladu, w którym zastosowana jest taka tasma kserograficzna, tak, by utajony obraz elektrostatyczny nie byl tworzony na tasmie kserograficznej w miejscu usytuowania spoiny.Wedlug opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki 2569367 bezspoinowa tasme kserograficzna otrzymuje sie w nastepujacy sposób. Najpierw wytwarza sie metalowa tasme, korzystnie niklowa, przez galwa¬ niczne nakladanie niklu na cylindryczna katode obracajaca sie w kapieli galwanicznej i nastepnie przez zdejmo* wanie z katody galwanicznie osadzonej tasmy metalowej. Tak otrzymana tasme metalowa okrawa sie wyrów¬ nujac jej brzegi, styka sie koncami ze soba, zamocowuje sie czasowo w tym polozeniu i lutuje sie metoda galwaniczna a nadmiar lutowia zeszlifowuje sie z obu stron spoiny.Wedlug opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 2287122 bezspoinowa tasme kserograficz¬ na wytwarza sie nastepujaco. Na metalowej cylindrycznej wydrazonej matrycy, która na czesci obwodu jest lekko wklesla i która na calej swej powierzchni posiada perforacje, naklada sie galwanicznie powloke metalowa.Nastepnie powloke podwaza sie, przykladowo nozem, przy brzegach i rozluznia sie na calym obwodzie matry¬ cy umozliwiajac tym samym zdjecie powloki galwanicznej. Zdejmowanie powloki jest uciazliwe, niedogodne i czesto powoduje uszkodzenia powloki.Wedlug wynalazku powloke metalowa naklada sie na krzywoliniowej powierzchni cylindrycznej matrycy,2 81712 wykonanej z biernego przewodzacego materialu, obracajacej sie pionowo w kapieli amidosutfonianu niklu, na¬ stepnie zdejmuje sie powloke z matrycy i pokrywa sie ja warstwa fotoprzewodzacego materialu izolacyjnego.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony na podstawie rysunku, na którym fig. 1 przedstawia tasme kserograficzna otrzymana sposobem wedlug wynalazku w widoku perspektywicznym, fig. 2 — urzadzenie do galwanicznego ksztaltowania bezspoinowej, elastycznej, niklowej tasmy bez konca, pokazane schematycznie, fig. 3 — inny przyklad wykonania urzadzenia do wytwarzania bezspoinowej tasmy, fig. 4 — sposób zdejmowania bezspoinowej tasmy niklowej, wykonanej w urzadzeniu z fig. 3, z matrycy, w której zostala wytworzona.Na fig. 1 przedstawiona jest kserograficzna tasma 11 wykonana wedlug wynalazku. Tasma 11 zawiera bezspoinowa, elastyczna powloke 12 bez konca, wykonana z niklu, której grubosc jest jednakowa na calej jej powierzchni i wynosi w przyblizeniu od 0,08 mm do 0,25 mm. Na powierzchni powloki 12 utworzona jest warstwa 13 fotoprzewodzacego materialu izolacyjnego. Warstwa ta jest utworzona na przyklad z selenu lub ze stopu selenu z niewielkimi ilosciami arsenu albo telluru lub tez drobnych ziaren tlenku cynku rozproszonych w spoiwie tworzacym warstwe izolacyjna. Warstwa 13 jest utworzona na powloce 12 dowolnym znanym sposo- : bem. Powloka 12 jest wytworzona przez ksztaltowanie galwaniczne. Srednica i szerokosc tasmy 11 zaleza od konkretnej kopiarki kserograficznej, w której tasma 11 ma byc zastosowana. Srednica i szerokosc tasmy wynosza przykladowo 254 mm lub wiecej. Oprócz tego, ze tasma 11 ma jednakowa na calym obszarze grubosc, jest ona pozbawiona jakichkolwiek nieciaglosci i ma znikome naprezenia wewnetrzne.Na fig. 2 przedstawiony jest przyklad urzadzenia do galwanicznego ksztaltowania niklowe} powloki 12.W urzadzeniu tym cylindryczna matryca 21 jest zawieszona pionowo w wannie elektrolitycznej 22. Matryca 21 jest wykonana z materialu, który jest bierny, przewodzacy, chemicznie zgodnv z roztworem elektrolitycznym niklu i ma wspólczynnik rozszerzalnosci cieplnej wiekszy niz nikiel. Przykladowo matryca 21 jest wykonana z chromu pokrytego aluminium. Powierzchnia wewnetrzna oraz krawedz górna i dolna wydrazonej matrycy 21 sa osloniete odpowiednim materialem nieprzewodzacym, na przyklad woskiem.Matryca 21 ma kolowy przekrój poprzeczny. Wanna elektrolityczna jest napelniona elektrolitycznym roztworem 23 amidosulfonianu niklu. Temperatura roztworu elektrolitycznego wynosi w przyblizeniu 38°C—65°C, korzystnie 57°C—62°C. W wannie elektrolitycznej 22 umieszczony jest pierscieniowy koszyk ano¬ dowy 24, otaczajacy matryce 21, który jest napelniony wiórami niklowymi 25. Koszyk anodowy jest usytuo¬ wany wspólosiowo z matryca 21.Roztwór elektrolityczny zawiera nastepujace skladniki w nastepujacych ilosciach: okolo 300 g/l amidosul¬ fonianu niklu, 0 do 17 g/l chlorku niklu, od 40 g/l do 44 g/l kwasu borowego, okolo 1,2 g/l srodka zwilzajacego na przyklad siarczanu laurylo-sodowego, 73 g/l do 88 g/l metalicznego niklu oraz 0 do 3,6 g/l srodka zmniejszaja¬ cego naprezenia, takiego jak na przyklad sól sodowa kwasu cukrowego. Ilosc niklowych wiórów 25 jest wystar¬ czajaca do uzupelnienia niklu pobieranego z roztworu podczas ksztaltowania galwanicznego. Matryca 21 jest polaczona z walem napedzajacym 27, który równiez wykonany jest z materialu przewodzacego, za pomoca wrzeciona 26 wykonanego z materialu przewodzacego.Wal 27 jest podparty w lozysku 28 zamocowanym w ramie 29. Lozysko 28 jest wykonane z materialu izolacyjnego lub jest odizolowane od ramy 29, która jest przesuwna w poziomie i w pionie, przez co umozliwione jest wprowadzanie i wyprowadzanie matrycy 21 z wanny elektrolitycznej 22. Wal 27 jest polaczony z silnikiem 31, który jest równiez zamontowany na ramie 29.Wal napedzajacy 27 jest odizolowany elektrycznie od silnika 31 za pomoca nie przedstawionego, izoluja¬ cego sprzegla. Prad elektrolizy jest dostarczany do wanny elektrolitycznej 22 ze zródla 32 pradu stalego.Gestosc pradu dostarczanego przez to zródlo wynosi w przyblizeniu 0,02 A/cm2 do 0,3 A/cm2, korzystnie 0,15 A/cm2. Biegun dodatni zródla 32 jest przylaczony do koszyka anodowego 24. Biegun ujemny zródla 32 jest dolaczony do ukladu szczotki 33 i pierscienia slizgowego 34 na wale napedzajacym27. ___ Prad elektrolizy plynie od zródla do koszyka anodowego 24, do roztworu 23, do matrycy 21, która jest katoda, do metalowego wrzeciona 26, do walu napedzajacego 27, do ukladu szczotki 33 i pierscienia slizgowego 34 i z powrotem do zródla 32. W czasie pracy urzadzenia matryca 21 jest opuszczona w wanne elektrolityczna 22 i w sposób ciagly obraca sie wokól pionowej osi, a na jej zewnetrznej powierzchni osadzona jest warstwa 35 niklu, która ma równomierna grubosc?gdyz odleglosc pomiedzy matryca 21 i koszykiem anodowym jest jedna¬ kowa w kazdymczasie. _ _. __, Gdy warstwa 35 osadzonego niklu osiagnie juz zadana grubosc, matryce 21 wyjmuje sie z wanny elektro¬ litycznej 22 i zanurza" sie do zimnej wody o temperaturze okolo 4°C. Gdy matryca 21 zostanie zanurzona w zimnej wodzie kurczy sie szybciej niz osadzona warstwa 35 niklu ze wzgledu na wiekszy wspólczynnik rozszerzalnosci cieplnej*. Warstwa 35 niklu nie przywiera do matrycy 21 poniewaz jest ona wykonana z materialu biernego. Na skutek tego, w wyniku wystapienia kurczenia sie matrycy 21, warstwa 35, która ma postac bez¬ spoinowej, elastycznej i ciaglej powloki, zsuwa sie z matrycy 21. Matryca nadaje sie do ponownego uzycia przy wytwarzaniu nastepnej powloki niklowej.81712 3 Matryca 21, koszyk anodowy 24 i wrzeciono 26 moga zostac zastapione przez matryce 21' koszyk anodo- v wy 24' i wrzeciono 26' jak przedstawiono na fig. 3. Matryca 21' jest wydrazonym cylindrem z przewodzacego, biernego materialu, na przyklad ze stali nierdzewnej lub z chromu pokrytego aluminium. Powierzchnia zewnetrz¬ na oraz krawedzie dolna i górna matrycy 21' sa osloniete odpowiednim materialem nieprzewodzacym.Wrzeciono 26' jest wykonane z przewodzacego materialu i jest dolaczone do powierzchni zewnetrznej matrycy 21'. Koszyk anodowy 24' ma ksztalt rury i jest usytuowany w wannie elektrolitycznej 22 tak by znajdowal sie wewnatrz matrycy 21' wspólosiowo z nia usytuowany. Warstwa 35' niklu osadzona jest na we¬ wnetrznej powierzchni matrycy 21' (a nie na powierzchni zewnetrznej jak na fig. 2) podczas gdy matryca 21' obraca sie wokól koszyka anodowego 24'.Warstwa 35' osadzonego niklu oddzielana jest od matrycy 21' jak.pokazano na fig. 4, przez wlozenie pomiedzy warstwe 35' niklu a matryce 21' klinowo uksztaltowanego oddzielacza 36, wykonanego na przyklad z teflonu i nastepnie wypchniecie warstwy 35' z zewnatrz matrycy 21'.Nalezy zwrócic uwage na to, ze tasma kserograficzna otrzymana sposobem wedlug wynalazku nadaje sie równiez do zastosowania jako tuleja nalozona na beben kserograficzny. PL PL PL PL