PL80288B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL80288B1
PL80288B1 PL1969135909A PL13590969A PL80288B1 PL 80288 B1 PL80288 B1 PL 80288B1 PL 1969135909 A PL1969135909 A PL 1969135909A PL 13590969 A PL13590969 A PL 13590969A PL 80288 B1 PL80288 B1 PL 80288B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
layer
light
photoconductive
photoconductive layer
image
Prior art date
Application number
PL1969135909A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Fuji Photo Film Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Photo Film Co Ltd filed Critical Fuji Photo Film Co Ltd
Publication of PL80288B1 publication Critical patent/PL80288B1/pl

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G13/00Electrographic processes using a charge pattern
    • G03G13/04Exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G21/00Arrangements not provided for by groups G03G13/00 - G03G19/00, e.g. cleaning, elimination of residual charge
    • G03G21/06Eliminating residual charges from a reusable imaging member
    • G03G21/08Eliminating residual charges from a reusable imaging member using optical radiation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0433Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure all layers being inorganic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03GELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/02Charge-receiving layers
    • G03G5/04Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
    • G03G5/043Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
    • G03G5/0436Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure combining organic and inorganic layers
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/001Electric or magnetic imagery, e.g., xerography, electrography, magnetography, etc. Process, composition, or product
    • Y10S430/102Electrically charging radiation-conductive surface

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
  • Electrophotography Using Other Than Carlson'S Method (AREA)

Description

Uprawniony z patentu: Rank Xerox Limited, Londyn (Wielka Brytania) .Sposób kserograficznego odtwarzania obrazów oraz element swiatloczuly stosowany w tym sposobie Przedmiotem wynalazku jest sposób kserogra¬ ficznego odtwarzania obrazów oraz element swia¬ tloczuly stosowany w tym sposobie.W znanym sposobie kserografii, w którym sto¬ suje sie element swiatloczuly, skladajacy sie z fo¬ toprzewodzacej warstwy nalozonej na elektrycznie przewodzace podloze, doprowadza sie do powierzch¬ ni elementu swiatloczulego równomiernie ladunki elektrostatycznie, na przyklad za pomoca urzadze¬ nia do wyladowan koronowych. Nastepnie w celu utworzenia utajonego obrazu elektrostatycznego stosuje isie naswietlenie wedlug obrazu dla rozla¬ dowania ladunków powierzchniowych odpowiednio do intensywnosci swiatla. Uzyskany w ten sposób utajony obraz elektrostatyczny wywoluje sie w lzinany sposób lub tez przenosi na inny arkusz jako obraz utajony. W zwiazku z tym element swiatlo¬ czuly, podczas tego zabiegu powinien utrzymac w ¦ciemnosci na swej powierzchni ladunki elektrosta¬ tyczne przynajmniej przez okres czasu, który uply¬ nie miedzy naladowaniem tego elementu za pomoca wyladowan koronowych w ciemnosci a wywola¬ niem lub przeniesieniem utajonego obrazu, w tym celu warstwa fotoprzewodzaca elementu swiatlo¬ czulego powinna wykazywac w ciemnosci dosta¬ teczne wlasnosci izolacyjne.Dla uzyskania duzej swiatloczulosci, naswietlo¬ nego elementu swiatloczulego, warstwa fotoprze¬ wodzaca winna wykazywac, z drugiej strony dobra przewodnosc elektryczna. Wymaga sie wiec w tym 10 15 20 sposobie, aby ta sama warstwa fotoprzewodzaca posiadala dwie nie dajace sie pogodzic wlasnosci, mianowicie aby byla dobrym przewodnikiem elek¬ trycznym w swietle i dobrym izolatorem elektrycz¬ nym w ciemnosci.W dalszych badaniach warstwy swiatloczulej, sto¬ sowanej w sposobie przeprowadzenia wymienione¬ go iprocesu, daje sie pierwszenstwo zwiekszeniu swiatloczulosci, poswiecajac w granicach praktycz¬ nie dopuszczalnych wlasnosci izolacyjne w ciem¬ nosci. Swiatloczulosc moze na przyklad zostac zwiekszona przez rozszerzanie czulosci widmowej panohromatycznie, lecz jest to polaczone ze zwiek- sieniem przewodnosci w ciemnosci, albowiem liczba nosników swobodnych ladunków pobudzonych cieplnie, wzrasta w miare zmniejszania sie energii aktywacji. Swiatloezulosc mozna ponadto zwiek¬ szyc przez zwiekszenie sredniego czasu zycia i/lub ruchliwosci przenikania swobodnych nosników la¬ dunków, które zostaly wzbudzone przy pomocy swiatla, lecz wywoluje to równiez zwiekszenie sredniego czasu zycia i/lub ruchliwosci przenikania swobodnych nosników, wytworzonych pod wply¬ wem ciepla, a to powoduje pogorszenie wlasnosci izolacyjnych. Zwiekszenie swiatloczulosci warstwy foitoprzewodzaoej stosowanej w tym sposobie, po¬ woduje jak wyzej podano, zmniejszenie opornosci w ciemnosci, to znaczy oslabia zdolnosc utrzymy¬ wania w ciemnosci ladunku elektrostatycznego.Istnieje wiele znanych materialów, które posia- 8028880288 3 4 daja duza swiatloozulosc i wykazuja mala opor¬ nosc izolacyjna w ciemnosci, a które nie moga byc uzyte iprzy stosowaniu wyzej podanego sposobu.Gdyby istniala mozliwosc zastosowania tych mate¬ rialów, mozna by spodziewac sie, ze w kserografii wystapi nadzwyczajny wzrost swiatloczulosci.Celem niniejszego wynalazku jest wyeliminowa¬ nie tych niedogodnosci, umozliwienie efektywnego wykorzystania elementu swiatloczulego, w sklad którego wchodzi material fotoprzewodzacy o du¬ zej czulosci, który z uwagi na brak zdolnosci za¬ trzymywania ladunku elektrostatycznego, nie na¬ daje sie do uzycia przy zwyklym sposobie prowa¬ dzenia procesu kserograficznego.Jeszcze dalszym celem, jest stworzenie wyjatko¬ wo skutecznego sposobu usuwania zuzytego utajo¬ nego obrazu elektrostatycznego, stworzenie sposobu tworzenia utajonego obrazu elektrostatycznego, któ¬ ry bylby trwaly przez dluzszy okres czasu, sposo¬ bu, który umozliwia wielokrotne uzywanie elemen¬ tu swiatloczulego przy duzej szybkosci roboczej.Sposób wedlug wynalazku polega na tym, ze sto¬ suje sie element swiatloczuly skladajacy sie z co najmniej dwóch warstw fotoprizewodzacych (A i B), które róznia sie od siebie przynajmniej w jednej czesci zakresu czulosci widmowej, przy czym spo¬ sób ten obejmuje zabiegi doprowadzania ladunków o jednej biegunowosci do powierzchni warstwy swiatloczulej (na przyklad do warstwy A) oraz za¬ biegi doprowadzania ladunków o przeciwnej bie¬ gunowosci do powierzchni granicznej miedzy foto¬ przewodzaca warstwa A i fotoprzewodzaca war¬ stwa B i/lub do miejsc polozonych w sasiedztwie tej powierzchni. Dalszy zabieg obejmuje doprowa¬ dzenie ruchomych jonów do powierzchni fotoprze- wodzacej warstwy A i równoczesnie naswietlenie wedlug konfiguracji obrazu elementu swiatloczu¬ lego, przy czym swiatlo to prawie nie zwieksza foitoprzewodzenia w fotoprzewodzacej warstwie A lecz powoduje wzrost fotoprzewodzenia w fotoprze- wcidzacej warstwie B.Dalszym 'zabiegiem jest ladowanie lub rozladowa¬ nie ladunków elektrostatyczinych *na powierzchni fotoprzewodzacej warstwy A oraz na powierzchni granicznej i/lub w jej sasiedztwie, poprzez war¬ stwe fotoprzewodzaca B i poprzez chmure jonowa doprowadzona do powierzchni fotoprizewodzacej warstwy A zgodnie z fotoprzewodzeniem fotoprze¬ wodzacej ' warstwy B, dla utworzenia utajonego obrazu elektrostatycznego. Nastepnie po przerwa¬ niu naswietlania w konfiguracji obrazu i dopro¬ wadzania chmury jonowej, stosuje sie, w razie po¬ trzeby, zabieg równomiernego naswietlania ele¬ mentu swiatloczulego, przy czym swiatlo nie jest na tyle aktywne, aby spowodowac wzrost foto- przewodizenia w warstwie fotoprzewodzacej A, lecz jest dostatecznie aktywne, aby wywolac wzrost fo¬ toprzewodzenia w warstwie fotoprzewodzacej B.Dalszy zabieg wedlug' sposobu dbejmuje stabili¬ zowanie utajonego obrazu elektrostatycznego, przy wykorzystaniu w okreslony sposób, utajonego obra¬ zu elektrostatycznego, na przyklad przez wywoly¬ wanie 'za pomoca barwionych czastek proszku zy¬ wicowego'i przeniesienie obrazu s prosizku na inny arkusz, lub przeniesienie utajonego obrazu bez wy¬ wolywania na inny arkusz, a nastepnie naswietle¬ nie swiatloczulego elementu swiatlem, które jest dostatecznie aktywne, aby wywolac wzrost prze¬ wodzenia przynajmniej w fotoprzewodzacej war- 5 stwie A w celu usuniecia utajonego obrazu elek¬ trostatycznego.Ponadto zgodnie z niniejszym wynalazkiem ele¬ ment swiatloczuly sklada sie z co najmniej dwóch warstw swiatloczulych i z powierzchni granicznej lub warstwy przekladkowej miedzy warstwami swiatloczulymi. Jedna z tych warstw swiatloczu¬ lych, na przyklad warstwa A jest elektrycznie izo¬ lujacym fotoprzewodnikiem i sluzy do zatrzymy¬ wania w ciemnosci ladunków elektrostatycznych, a druga warstwa swiatloczula, na przyklad war¬ stwa B posiada mniejsza opornosc izolacyjna w ciemnosci, niz fotoprzewodzaca warstwa A. War¬ stwa graniczna lub warstwa przekladkowa miedzy warstwami fotoprzewodzacymi A i B, posiada wla¬ sciwosc skutecznego powstrzymywania wprowadza¬ nia swobodnych nosników ladunków do fotoprze¬ wodzacej warstwy A z fotoprzewodzacej warstwy B, oraz powstrzymywania wyciagania nosników la¬ dunków z fotoprzewodzacej warstwy A i ich prze- chodizenia do fotoprzewodzacej warstwy B.Przedmiot wynalazku jest przedstawiony w przy¬ kladzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia swiatloczuly element kserograficzny w przekroju, fig. 2 wykres czulosci widmowej szklistej warstwy trójselenku arsenu — krzywa 1, oraz szklistej warstwy selenu — (krzywa 2, fig. 2b przedstawila wylkres rozkladu energii swiatla — lampy jodowej o. temperaturze barwowej wyino- sizacej Okolo 3200° K — krzywa 1, — lampy flu¬ orescencyjnej wysylajacej swiatlo niebieskie — krzywa 2 i — lampy fluorescencyjnej wysylajacej swiaitlo biale — 'krzywa 3, fig. 3a przedstawia wy¬ kres czulosci widmowej warstwy a — krzywa 1 i warstwy b — krzywa 2, a fig. 3b wykres rozkla¬ du energii swiatla — lampy fluorescencyjnej wy¬ sylajacej swiatllo zielone — krzywa ,1 ii — lampy cyrkonowej o temperaturze barwowej 3200° K prapusziczcnego przez filtr nieprzezroczysty dla swiatla o dlugosci fali ponizej 620 mu.Swiatloczuly element 1 obejmuje w zasadzie pod¬ loze 2, umieszczona na nim fotoprzewodzaca war¬ stwe 4 oraz umieszczona nad nia fotoprzewodza¬ ca warstwe 6. Miedzy podlozem 2 i fotoprzewo¬ dzaca warstwa 4 znajduje sie warstwa lub po¬ wierzchnia graniczna 3, a miedzy fotoprzewodzaca warstwa 4 i fotoprzewodzaca warstwa 6 znajduje sie warstwa lub powierzchnia graniczna 5, a na powierzchni warstwy fotoprzewodzacej 6 umiesz¬ czona jest warstwa powierzchniowa 7.Dla ulatwienia izaklada sie, ze wywolanie uta¬ jonego obraizu elektrostatycznego odbywa sie od strony warstwy powierzchniowej 7. Wobec tego mozna, po drugiej stronie elementu swiatloczulego, w celu zapewnienia mechanicznej wytrzymalosci elementu swiatloczulego zastosowac podloze 2. Ist¬ nienie podloza nie ma istotnego znaczenia. Podloze wykonuje' sie najkorzystniej jako przewodzace elektrycznosc. Biorac pod uwage sprawnosc wy¬ wolywania, jest rzecza korzystniejsza tworzyc obraz elektrostatyczny w poprzek fotoprzewodzacej war- 20 25 30 35 40 45 50 55 605 sbwy 6 niz tworzyc go w poprzek fotoprzewodza- oej warstwy 4. Dlatego tez, itam gdzie wystepuje promieniowanie dzialajace na warstwe fotoprze¬ wodzaca 6 winna oma zatrzymywac ladunki ele¬ ktrostatyczne' przynajmniej w ciemnosci, a wiec byc elektrycznie izolujaca. Z drugiej strony ko¬ nieczne jest, aby warstwa ta byla w swietle fo- toprizewodzaca, mianowicie w miejscach, gdzie na warstwe te dziala promieniowanie., Z drugiej stro¬ ny warstwa fotoprzewodzaca 4 nie zawsze musi byc izolujaca w ciemnosci, albowiem warstwa ta nie musi zatrzymywac ladunków elektrostatycznych lecz.wymaga sie, aby przy fotoprzewodzeniu prze¬ kazywala ona dostatecznie wysoka czulosc, ponadto winny istniec nastepujace zaleznosci imiedzy fo- toprzewodzacymi warstwami 4 i 6. Na przyklad, w wypadku gdy naswietlanie odbywa od strony wol¬ nej powierzchni 7, warstwa fotoprzewodzaca 6 winna posiadac efektywna przezroczystosc przynaj¬ mniej w tych czesciach obszaru widma, które od¬ powiadaja swiatlu dzialajacemu fotochemicznie na warstwa fotoprzewodzaca 4. W wypadku gdy na¬ swietlanie odbywa siie od strony podloza 2 winna warstwa fotoprzewodzaca 4 wykazywac efektywna przezroczystosc przynajmniej w tej czesci obszaru widmowego, która odpowiada swiatlu dzialajacemu fotochemicznie na warstwe fotoprzewDdzaca 6.W takim wypadku równiez podloze winno przepu¬ szczac swiatlo. Poza tym widmowe zakresy foto- przewadzemia tych warstw fotoprzewodzacych po¬ winny róznic sie od siebie, przynajmniej w jednej czesci ich widmowego zakresu fotoprzewodzenia.Powierzchnia graniczna 3 nie zawsze posiada isto¬ tne znaczenie, lecz dziala ona skutecznie, regulujac wprowadzanie swobodnych nosników ladunków z podloza 2 do warstwy fotoprzewodzacej 4 i/lub z warstwy fotoprzewodzacej 4 ido podloza 2.Powierzchnia graniczna 3 wplywa skutecznie na poprawe przyczepnosci pomiedzy fotoprzewodzaca warstwa 4* i podlozem 2. Powierzchnia graniczna 5 wplywa równiez skutecznie na regulowanie prze¬ plywu swobodnych nosników ladunków miedzy fo- toprzewodzacymi warstwami 4 i 6, oraz oddzialuje statecznie na przyczepnosc miedzy tymi warstwa¬ mi. Powierzchnia graniczna 5 winna w szczegól¬ nosc umozliwiac (zapobieganie wprowadzaniu swo¬ bodnych nosników ladunków co najmniej z foto¬ przewodzacej warstwy 4 do fotoprzewodzacej war- . stwy 6. Warstwa powierzchniowa wplywa skutecz¬ nie na regulowanie przeplywu swobodnych nosni¬ ków ladunków, z powierzchni do warstwy fotoprze¬ wodzacej 6 oraz dziala skutecznie na ochrone ele¬ mentu swiatloczulego, lecz nie zawsze posiada ona istotne znaczenie.; Ponadto wymaga sie, aby war¬ stwa powierzchniowa 7 byla mozliwie najciensza i byla elektrycznie izolujaca.Podane wyzej warstwy posrednie w powierz¬ chniach granicznych 3 i 5 oraz warstwa powierz¬ chniowa 7 winny w takim stopniu przepuszczac uzywane swiatlo, aby to nie hamowalo funkcjono¬ wania elementu wedlug wynalazku.W sposobie wedlug wynalazku, podczas zabiegu pierwszego laduje sie powierzchnie elementu swia¬ tloczulego, w ciemnosci lub w swietle, na przyklad za pomoca wyladowan koronowych az do uzy- 6 skania na niej równomiernego ladunku o ujem¬ nej biegunowosci. W tym samym czasie zostaja w 'podlozu 2 wzbudzone ladunki dodatnie. Wzbu¬ dzone w ten sposób ladunki dodatnie wedruja w 5 kierunku powierzchni granicznej 5 ipoprzez war^ stwe fotoprzewodzaca 4 w ciagu krótkiego okresu czasu, to znaczy przed zabiegiem drugim. W wy¬ niku tego ladunki ujemne znajdujace sie na po¬ wierzchni wzbudzaja ladunki dodatnie w poblizu 10 warstwy granicznej 5 lub w samej warstwie. Je¬ zeli opór fotoprzewodzacej warstwy 4 jest dosta¬ tecznie niski, nie wystepuja zadne problemy, gdyz wzbudzenie ladunków dodatnich w warstwie gra¬ nicznej 5 lub w poblizu tej warstwy zostaje w 15 krótkim czasie zakonczone. Jezeli jednak opór war¬ stwy 4 nie jest dositatecznie maly, wówczas^ czas potrzeby dla wzbudzenia dodatnich ladunków, w poblizu lub na powierzchni .granicznej 5, staje sie dluzszy, co wywoluje przeszkody w funkcjonowa- 20 niu urzadzenia. Dla przezwyciezenia tych zjawisk stwarza sie wlasnosci prostownicze w warstwie gra¬ nicznej 3, dzieki 'Czemu tylko ladunki dodatnie zo¬ staja latwo wprowadzane do warstwy fotoprze¬ wodzacej 4 z podloza 2, lub tez podaje sie swia- 25 itloczuly element intensywnemu naswietleniu, w ce lu zmniejszenia oporu warstwy fotoprzewodzacej 4, w czasie i/lub po zabiegu ladowania. W razie zastosowarna intensywnego naswietlenia, swiatlo winno przenikac przez warstwe fotoprzewodzaca 6 30 . i nie powinno wplywac na fotoprzewodzenie w warstwie fotoprzewodzacej 6. W ten sposób oby¬ dwie powierzchnie fotoprzewodzacej warstwy 6 otrzymuja ujemne i dodatnie' ladunki i pole elek¬ trostatyczne wywolane tymi ladunkami utrzymuje 35 sie w poprzek fotoprzewodzacej warstwy 6.Nastepnie, podczas zabiegu drugiego doprowadza sie do swiatloczulego czlonu naladowanego w po¬ dany sposób w czasie zabiegu pierwszego, ladun¬ ki lub chmure jonowa oraz naswietla sie go w 40 konfiguracji obrazu. Ladunki lub chmure jonowa wytwarza sie za pomoca na przyklad wyladowan koronowych. Swiatlo uzyte do naswietlenia w kon¬ figuracji obrazu nie wytwarza fotoprzewodizenia w warstwie fotoprzewodzacej 6 i przenika przez te 45 warstwie dochodzac do fotoprzewodzacej warstwy 4 dla wytworzenia w 'niej fotoprzewodzenia. Wsku¬ tek tego ladunki istniejace na obydwóch powierz¬ chniach fotoprzewodzacej warstwy 6 zostaja wy¬ ladowane lub naladowane do przeciwnej bieguno- 50 wosci, przez fotoprzewodzaca warstwe 4, odpowie¬ dnio do fotoprzewodnictwa warstwy 4 lub inten¬ sywnosci naswietlenia wedlug obrazu. Nastepuje to wówczas, gdy zostanie zamkniety obwód elektrycz¬ ny imiedzy ladunkami istniejacymi na powierzchni 55 czlonu swiatloczulego i podlozem, poprzez ladunek lub chmure jonowa oraz obwód zewnetrzny.Dodatnie ladunki znajdujace sie w poblizu war¬ stwy granicznej 5 lub na tej warstwie przesuwaja sie bowiem by zneutralizowac ladunki ujemne, totó- 60 re znajduja sie na wolnej powierzchni czlonu swiatloczulego, przechodzac kolejno przez warstwe fotoprzewodzaca 4, podloze 2, obwód zewnetrzny oraz chmure jonowa. Ladunki podatnie przesuwaja sie na warstwie granicznej 5, lecz zamiast la- 65 dunków dodatnich moga przemieszczac sie inne80288 * ladunki. Ruch ladunków dodatnich przyjeto tutaj jako przyklad dla ulatwienia zrozumienia zjawi- sika. W Obszarach ciemnych wystepuja slabsze wy¬ ladowania, niz na obszarach jasnych, z uwagi na wicjksza rezystancje w ciemnosci fotopirzewcdzacej warstwy 4. Warstwa fotofrzewodzaca 4 nie posia¬ da na ogól zbyt dobrych wlasnosci izolacyjnych.Nastepnie wymaga sie aby zabieg drugi zostal zakonczony w 'krótkim okresie czasu. Aby uniknac niepozadanego wyladowania lub neutralizacji la¬ dunków poprzez fotoprzewodzaca warstwe 4, na¬ lezy szybko usuwac ladunek lub chmure jonowa, która zostala doprowadzona do wolnej powierzch¬ ni czlonu swiatloczulego, lub tez nalezy szybko roz¬ laczyc obwód zewnetrzny. Przy doprowadzeniu la¬ dunku lub chmury jonowej do powierzchni swia¬ tloczulego czlonu, mozna zastosowac napiecie wstep¬ ne miedzy chmura jonowa a podlozem przewodza¬ cym 2. W ten sposób powstaje utajony cbraz elek¬ trostatyczny na i/lub w poprzek fotioiprzewodzacych warstw 4 i 6 odpowiednio do intensywnosci na¬ swietlenia wedlug obrazu.Utajony obraz elektrostatyczny -utworzony' pod¬ czas zabiegu drugiego mozna wywolac przy uzy¬ ciu konwencjonalnych metod stosowanych w kse¬ rografii. Utajony obraz elektrostatyczny utworzo¬ ny w podany sposób podczas zabiegu drugiego, jest niestaly. Wykazuje on tendencje do osiagnie¬ cia stanu stalego odpowiednio do rezystancji jaka w ciemnosci posiada fotoprzewodzaca warstwa 4, lub odpowiednio do trwalej fotoprzewcdnosci war¬ stwy 4, która powstaje po jej naswietleniu. Powo- dsim niestabilnosci utajonego obrazu, wystepujacej po za'biegu drugim jest nadmiar ladunków, ktcce zostaly doprowadzone do wolnej powierzchni czlo¬ nu swiatloczulego w czasie drugiego zabiegu, wsku¬ tek czego nastepuje wzbudzenie ladunków o prze¬ ciwnej biegunowosci w podlozu 2. W czasie zabie¬ gu drugiego powstaje to samo zjawisko, które wy¬ stepowalo w czasie zabiegu pierwszego: utajony cibraz jest w obszarze ciemnym bardziej niestaly, niz obraz w obszarze jasnym, albowiem rezystan¬ cja fotoprzewodzaoej warstwy 4 jest. w obszarach jasnych dostatecznie niska, co pozwala osiagnac stabilna konfiguracje ladunków.Jezeli rezystancja fotoprzewodzacej warstwy 4 jest tak duza, ze utajony obraz, utworzony w cza¬ sie drugiego zabiegu utrzymuje sie w ciemnosci, stosuje sie jeszcze jedno intensywne naswietlenie, w celu szybkiego przeksztalcenia tego obrazu w czasie zabiegu trzeciego w stabilny obraz utajony.Ten trzeci zabieg nie zawsze odgrywa istotna role i mozna go pominac, jezeli rezystancja warstwy 4 jest dostatecznie mala. Intensywne swiatlo zasto¬ sowane w czasie trzeciego zabiegu powinno prze¬ niknac warstwe fotoprzewodzaca 6. Nie wytwarza ono znaczniejszego fotoprzewodizenia w warstwie fotoprzewodzacej 6, podobnie jak to mialo miejsce w zabiegu pierwszym.Uzyskany w ten sposób utajony obraz elektro¬ statyczny jest tak dlugo' stabilny, dopóki nie wy¬ stepuje swiatlo dzialajace fotochemicznie, pnzy czym obraz ten zostaje uzyty w rózny sposób. Mozna na przyklad obraz utajony przeksztalcic przez wy¬ wolanie na obraz widoczny, stosujac uzywane w kserografii sposoby konwencjonalne. Mozna tez wywolac obraz za pomoca naladowanych drobnych barwionych czastek stosujac dzialanie sil elektro¬ statycznych. Uzyskany w ten sposób zabarwiony 5 obraz z drobnego proszku mozna przeniesc na inny arkusz i tam go utrwalic. Po przeniesieniu obrazu -•z proszku czlon swiatloczuly oczyszcza sie do dal¬ szego uzycia przez usuniecie resztek obrazu z prosz¬ ku. Jezeli przy nastepnym uzyciu ma byc oditwo- 10 rzony inny obraz, potrzebny jest dalszy zabieg dla usuniecia poprzedniego obrazu. Usuniecie poprzed¬ niego obrazu odbywa sie w czasie czwartego za¬ biegu przez intensywne naswietlenie swiatloczulego czlonu, przy czym zastosowane swiatlo winno 15 dzialac fotochemicznie na swiatloczula warstwe 6 w celu wytworzenia w niej fotoprzewodzenia, co powoduje rozladowanie ladunków w warstwie 6, które tworza w poprzek tej warstwy poprzedni obraz utajony. 20 W ten spcsób mozna latwo przeprowadzic proces kasacji obrazu. Bardziej szczególowe wyjasnienia zostana podane w odniesieniu do czlonu swiatlo¬ czulego, zastosowanego w sposobie wedlug wyna¬ lazku. 25 Podloze spelnia role elektrody, mozna je jednak pominac, jezeli wytrzymalosc mechaniczna czlonu swiatloczulego jest dostateczna." W tym jednak wy¬ padku, w czasie przeprowadzania procesu, czlon swiatloczuly styka sie z inna elektroda lub z la- 30 dunkiem lub chmura jonowa, która dziala jako elektroda. W praktyce stosuje sie podloza z arku¬ szy metali takich jak aluminium, mosiadz i nikiel, ackusze plastiku powleczone cienkimi, osadzanymi w prózni blonami metalowymi. Jezeli nie stosuje 35 sie podloza mozna swiatloczula warstwe 4 powlec od streny podloza cienka blona metalowa. Nie jest konisczne, aby warstwa swiatloczula 4 posiadala w ciemnosci wlasnosci elektrycznie izolujace, po¬ niewaz nie jest konieczne, aby zatrzymywala ona 40 w ciemnosci ladunki elektrostatyczne, lecz jest ko¬ rzystne, aby warstwa 4 posiadala" znacznie wiek¬ sza swiatloczulosc. Jednakze rezystywnosc war¬ stwy 4 w ciemmosei powinna byc w uprzywilejo¬ wanych rozwiazaniach mozliwie duza. Przy zalo- 45 zeniu przebiegu zjawiska wedlug prostego modelu, okresla sie predkosc lub stala czasowa ladowania lub rozladowywania ladunków elektrostatycznych po obydwóch stronach warstwy fotoprzewodzacej 6, w czasie zabiegu drugiego za pomoca wzoru so RdC, gcYJie Rd jest oporem wlasciwym w ciemno¬ sci, w kierunku wzdluznym, na jednostke po¬ wierzchni warstwy fotoprzewodzacej 4, a C jest pojemnoscia elektryczna na jednostke powierzchni fotoprzewodzacej warstwy 6. Wartosc RdC powinna 53 byc wieksza niz czas trwania zabiegu drugiego, w ciagu którego ladunki lub chmura jonowa sty¬ kaja sie z zewnetrzna powierzchnia czlonu swia¬ tloczulego a zewnetrzny obwód elektryczny jest zamkniety. Na przyklad, w wypadku, gdy okres 60 czasu zuzytego na drugi zabieg wynosi 0,01 sekun¬ dy, jest RdC równe lub korzystniej wieksze niz 0,01 sekundy. Wartosc Rd i C zaleza od grubosci rozpatrywanych warstw fotoprzewodzacych, lecz w praktyce moga one róznic sie o wielkosc miesz- 65 czaca sie w zakresie tylko jednego miejsca dzie-9 80283 10 sietnego, Wartosc Rd zalezna jest poza tym w znacznym stopniu, od zastosowanego materialu foto- przewodzacego. Mozna stosowac warstwy fotoprze- wódzace, które posiadaja ogólny opór wlasciwy w ciemnosci d wiekszy niz 10^ cm om.Z drugiej strony wymaga slie, aby w obszarze swiatla, wartosc RXC byla mniejsza niz okres cza- su potrzebny na przeprowadzenie drugiego zabie¬ gu, gdzie Ri jest oporem wlasciwym w kierunku wzdluznym na jednostke powierzchni poddanej na¬ swietleniu fotoprzewodzacej warstwy 4* Na przy¬ klad, w wypadku gdy okres czasu na przeprowa¬ dzenie ¦drugiego zabiegu wynosi 0,01 sekundy, wów¬ czas R^C musi byc mniejsze niz 0,01 sekundy. Je¬ zeli zalozy sie, ze okres czasu na przeprowadzenie drugiego zabiegu wynosi 0,01 sekundy, wówczas dolna granica oporu wlasciwego d wynosi 105 cm cm.Dla okresów czasu potrzebnych do przeprowadze¬ nia drugiego zabiegu, które wynosza li,0 sekundy, stosowiane sa w sposób uprzywilejowany, fotoprze¬ wodniki posiadajace Opornosc wlasciwa "w ciem¬ nosci wynoszaca 107 cm cm lub wiecej i opornosc wlasciwa w swietle wynoszaca imniiej niz i O7 cm cim. Dane te sa jedynie przykladem.Wymagana jest swiatloczulosc przy fotoprzewo¬ dzeniu, okreslona jako £d/@l do wartosci 10 lub wiecej. Wieksza wartosc stosunku gd/gl uwaza sie. za korzystniejsza, natomiast mniejsza wartosc pi moze spowodowac skrócenie okresu czasu potrzeb¬ nego na przeprowadzenie drugiego zabiegu. Okres czasu potrzebny na przeprowadzenie drugiego za¬ biegu, który wskazuje szybkosc przebiegania pro¬ cesu, ograniczony jest przez wartosc gl. Z drugiej strony okres czasu potrzebny ma przeprowadzenie drugiego zabiegu jest równiez ograniczony wiel¬ koscia @d to znaczy, ze gd ogranicza górna grani¬ ce okresu czasu. Totez drugi zabieg musi zostac przeprowadzony w granicach okresu czasu wyzna¬ czonych przez wartosc. £l i gd. Zgodnie iz tym fo- toprzewodzaca warstwa 4 winna wykazywac moz¬ liwie duza wartosc stosunku ^d/^1 oraz takie wiel¬ kosci ^d lub q\, które dostosowane sa ido szybkosci przebiegu procesu. Wiekszy stosunek £d/pl umozli¬ wia uzyskanie szerszego zakresu okresów czasu dlla wykonania drugiego zabiegu, których granice wyznaczaja wielkosc gd i gl.Dla szybko przebiegajacych procesów stosuje sie fotoprzewodzacy material, posiadajacy mniejszy opór wlasciwy w ciemnosci pd na przyklad 105 cm cm, przy czym okres czasu potrzebny na wykona¬ nie zabiegu -drugiego wynosilby 0*01 sekundy, co stwarza mozliwosc uzycia materialów fiotoprzewo- dzacych, które nie moga byc uznane za nadajace sie do zastosowania w konwencjonalnej kserogra¬ fii. Na przyklad, heksagonalny siarczek kadmu, któ¬ ry jest materialem fotoprzewodzacym, a który zna¬ ny jest jako material o duzej swiatloezulosci, na¬ daje sie równiez do tego celu. Jezeli ponadto moz¬ na skrócic okres czasu potrzebny do przeprowa¬ dzenia drugiego zabiegu, wówczas nadaje sie rów¬ niez do uzycia material fotoprzewodzacy, który po¬ siada opór wlasciwy w cieimnosci mniejszy niz 105 om cm.Jako materialy fotoprrzewodzace, które spelniaja powyzsze warunki, moga byc stosowane takie pier- - wJastki jak krzem, german, cyna, fosfor, arsen, antymo:.i, siarka, selen i tellur oraz tlenki, zwfaz- k)i tlenoweowe nie wykazuj r/ce wlasnosci meLalieo 5 nych, zwiazki chlorowcowe, lub miedz, srebro, stront, tar, cynk, german, kadm:, krzem, rtec, alu¬ minium, ind, gal, tal, cyna mangan, ze!a.-o, mklel, olów, tytan, a.rsen, antymon i bizmut, oraz ponadto takie zwiazki, które zawieraja kilka metali wybra¬ lo nych z pofanej wyzej grupy i kilka skTadr.Ljiów kationowych, takich jak Od^ Zn ^S, CoS x -e , * Cdx • Zn^ * Sy Ser_yl tafcie zwiazki miedzymetalicz¬ ne jak Cu A1S2, AglnS* ZnSi As2, ZnGeP2, Cd GeP2, InSbl, i dalej roztwory cial stalych zawie- !5 rajace skladniki krystaliczne i niekrystalicizine wy¬ brane z #rupy, w sklad której wchodza arsen, an¬ tymon, olów, siarka, selen, tellur, tal, brom i jod ii poza tym rózne fotoprzewcdniki organiczne. Mate¬ rialy te stosowane sa w postaci warstwy fotoprze- 20 wTcdzacej, która sklada sie tylko z tych materia¬ lów lub z ich mieszanin, lub jako warstwa foto- przewodzaca zawierajaca te 'materialy w postaci rozproszonej w materiale wiazacym, który tworzy blone. Jako tego rodzaju materialy wiazace mozna 25 stosowac polimery organiczne lub polimery nieor¬ ganiczne, takie jak szklo. Szczególnie korzystne jest stosowanie materialów wiazacych, które tworza' blone i wykazuja fotoprzewodnosc.Szklisty material fotoprzewodzacy, który przy- 30 . kladowo . zawiera arsen-antymon-selen, zostaje dla utworzenia warstwy fotoprzewodzacej o wymaga¬ nej grubosci, nalozony na arkusz metalu przez wy¬ tracanie w prózni lub powlekanie w stanie stop¬ niowym, bez uzycia jakiegokolwiek materialu wia- 35 zacego. Dla utworzenia na arkuszu metalowym spiekanej warstwy fotoprzewodzacej zostaje wypa¬ lony drobny proszek heksagonalny siarczku kad¬ mu, który posiada duza swiatloczulosc razem z ta¬ kim topnikiem jak chlorek kadmu. Jako inny 40 przyklad mozna podac rozproszenia, uczulonego na barwe drobnego proszku chlorku kadmu o duzej swiatloezulosci, w syntetycznym polimerowym ma- tciriaile wiazacym i pózniejsze powleczenie takim materialem odpowiedniego podloza dla utworze- 45 nia warstwy fotoprzewodzacej, przy czym zastoso¬ wany syntetyczny polimer organiczny lub nieor¬ ganiczny moze byc fotoprzewodzacy.Czulosc widmowa fotoprzewodzacej warstwy 4 dobiera sie tak, aby warstwa ta spelniala przewi- 50 dziane zadania, lecz na ogól daje sie pierwszen¬ stwo czulosci panchromatyeznej. Swliatlocizulosc wi¬ dmowa przedstawionego materialu fotoprzewodza¬ cego', stosowanego w warstwie fotoprzewodzacej, izostaje w tym celu rozszerzona przy pomocy nie- 55 wielkiej ilosci pewnych domieszek lub przez uczu¬ lenie na barwe. Fotoprzewodzaca warstwa 4 po- wfinna wykazywac czulosc przynajmniej w czesci zakresu widma swiatla, które przenika pniez foto¬ przewodzaca warstwe 6 i dociera do warstwy 4. 60 Warstwa fo'toprzewodzaea 6: powinna byc w ciem¬ nosci elektrycznie izolujaca, aby mogla zatrzymac na obydwóch powierzchniach ladunki elektrosta¬ tyczne, które wytwarzaja pole elektrostatyczne, dzialajace w poprzek warstwy fotoprzewodzacej 6. 65 Fotoprizewodzaca warstwa 6 powinna byc poza tym80288 11 fotoprzewodzaca w swietle, w stopniu dostatecz¬ nym 'dla skutecznego usuwania, w ozasie czwarte¬ go zabiegu, utajonego obrazu elektrostatycznego.Dlatego tez mozna stosowac fotoprzewodzace ma¬ terialy izolacyjne, uzywane w konwencjonalnej kse¬ rografii, takie jak warstwy fotoprzewodzace zawie¬ rajace proszek chlorku kadmu o duzym oporze wlasciwym, lub proszek tlenku cynku rozproszony w materiale wiazacym, lub tez silnie izolujacy fo- toprzewodnik organiczny. Nie wymaga sie, aby fo¬ toprzewodzaca warstwa 6 posiadala wysoka swia- tloczulosc, która wymagana jest w odniesieniu do warstw fotoprzewodzacych uzywanych w kserogra¬ fia konwencjonalnej, albowiem usuwanie utajonego obrazu elektrostatycznego zostaje przeprowadzone za pomoca intensywnego swiatla, którego intensyw¬ nosc moze byc latwo zwiekszona, a poza tym czas naswietlania intensywnym swiatlem nie jest tak ograniczony, jak to ma miejsce w ozasie zabiegu drugiego. Ponadto wymaga sie, aby warstwa ta przepuszczala swiatlo, które zostaje pochloniete w fotoprzewodzacej warstwie 4 dla wytworzenia fo- toprzewodzenia. Zakres dlugosci fal tego swiatla zalezy od czulosci widmowej oraz od sposobu uzy¬ wania elementu swiatloczulego. Jezeli na przyklad dla zarejestrowania obrazu swietlnego, stosuje sie swiatlo widzialne, warstwa fotoprzewodzaca 6, po¬ winna przepuszczac swiatlo widzialne w sposób uprzywilejowany. Jezeli wymaga sie aby element swiatloczuly, posiadal panchromatyczna czulosc wlidtmowa, wówczas widmowa czulosc fotoprzewo- dzenia warstwy fotoprzewodzacej 4 musi byc rów¬ niez panchromatyczna, a równoczesnie fotoprze- wodzaca warstwa 6 musi byc efektywnie bezbarw¬ na i przezroczysta.Jako przyklad fotoprzewodzacej warstwy 6 moz¬ na podac organiczna warstwe fotopnzewodzaca. Przy uzyciu takiej warstwy utajone obrazy usuwa sie przez naswietlenie promieniami ultrafioletowymi.W aparatach do odtwarzania obrazów z imilkro- filmów lub z róznych dokumentów, stosuje sie jako zródlo swiatla na ogól zarówki takie jak zarówki wolframowe, jodowe, cyrkonowe, lub ksenonowe.W tych wypadkach korzystniejsze staje sie uzy¬ wanie fotoprzewodzacych warstw 4, które posia¬ daja swiatlocizulosc widmowa w zakresie dlugosci fal widma od 550 mtu do 1,5 ^, gdyz mikrofilmy sa ^bezbarwne, a zródla swiatla dostarczaja znacz¬ nie wiecej swiatla o wiekszej dlugosci fal. W tym wypadlku warstwa fotoprzewodzaca 6 pochlania swiatlo niebieskie.Do sporzadzania warstwy 6 uzywa sie tez mate¬ rialy fotoprzewodzace czule na barwe niebieska.Jako przyklad mozna podac warstwe sporzadzona przez rozproszenie w zywicowymi materiale wiaza¬ cym, 'drobnego prosizku tlenku cynku, który przy pomocy fluorescencji, zostal uczulony na barwe, o zakresie widmowym obejmujacym fale o dlugo¬ sci 450 mp do 500 m,^. Czulosc widmowa fotoprze- wodzenia warstwy moze czesciowo pokrywac sie z czuloscia warstwy 6.Funkcja warstwy 3 polega na regulowaniu prze¬ plywu ladunków elektrycznych z warstwy 4 do podloza 2 lub na odwrót, lecz nie zawsze powinna ona stanowic przeszkode dla tego przeplywu. Je- 12 zeli na przyklad powierzchnia elementu swiatlo¬ czulego uzyska biegunowosc ujemna, wówozas war¬ stwa przekladkowa umozliwia przeplyw ladunków dodatnich z podloza 2 do warstwy fotoprzewodza- 5 cej 4. Jest ponadto bardziej pozadane, aby w cza¬ sie zabiegu drugiego, w czasie którego tworzy sie utajony obraz elektrostatyczny, warstwa fotoprze¬ wodzaca 4 wykazywala tak duzy opór elektryczny, lub aby byla jak najsilniej izolujaca w ciemnosci, 10 co pozwoliloby uniknac przeplywu ladunków ujem¬ nych z podloza 2 do fotoprzewodzacej warstwy 4.Jezeli, swobodne nosniki ladunków, które w war¬ stwie fotoprzewodzacej 4 znajduja sie w stanie równowagi cieplnej, sa bardzo nieliczne i gdy elek- 15 tryczna rezystywnosc tej warstwy jest bardzo du¬ za, i jest regulowana przez wprowadzanie swobod¬ nych nosników ladunków iz zewnatrz, korzystniej jiest, aby graniczna warstwa 3 posiadala wlasnosci prostownicze. Rodzaj materialu stosowanego na 20 warstwe graniczna 3 zalezy od materialu uzytego na fotoprzewodzaca warstwe 4. Graniczna warstwa 3 moze byc niezalezna warstwa lub tylko sama powierzchnia graniczna miedzy podlozem i foto¬ przewodzaca warstwa 4. 25 Powierzchnia graniczna lub warstwa przekladko¬ wa 5 poprawia przyczepnosc miedzy fotoprzewo- dzacymi warstwami 4 i 6 i z uwagi na przyplyw7 swobodnych nosników ladunków, oddziela elek¬ trycznie fotoprzewodzaca warstwe 4 od fotoprzewo- 30 dzacej warstwy 6. Przy stosowaniu sposobu, który odpowiada niniejszemu wynalazkowi warstwa fo¬ toprzewodzaca 6 wykazuje, wylaczajac zabieg czwarty, wlasnosci elektrycznie izolujace, podczas gdy w warstwie fotoprzewodzacej 4, na skutek 35 pochlaniania swiatla, wytwarza sie swobodne no¬ sniki ladunków. Te swobodne nosniki ladunków przeplywaja do fotoprzewodzacej warstwy 6, wy¬ wolujac zmniejszenie jej rezystywnosci elektrycz¬ nej. Wystepuje to wyraznie, gdy na sporzadzenie 40 ^ warstwy 6 uzyty zostaje podobny material jak na warstwe fotoprzewodzaca 4.W celu zapobiezenia zmniejszaniu sie elektrycz¬ nej rezystywnosci warstwy fotoprzewodzacej 6 przy naswietlaniu warstwy 4 nie nalezy dopuscic 45 do przeplywu ladunków elektrycznych z warstwy 4 do warstwy 6. Jezeli ponadto w warstwie 4 sto¬ suje sie slabo izolujacy material fotoprzewodzacy w wyniku czego termiczne, swobodne nosniki la¬ dunków, wytworzone pod wplywem ciepla, moga 50 plynac do warstwy 6, nalezy wprowadzanie tych termicznych swobodnych nosników ladunków rów¬ niez zatrzymac. Powierzehinia graniczna lub war¬ stwa przekladkowa 5 spelnia taka role, jak wyzej opisano. 55 w czasie zabiegu czwartego wytwarza sie w fo¬ toprzewodzacej warstwie 6 swobodne nosniki la¬ dunków, które moga przeplywac do warstwy 4.To wprowadzanie ladunków z warstwy 6 do war¬ stwy 4, podczas zabiegu czwartego, nie przesizka- 60 dza i zatrzymuje swobodny przeplyw ladunków z warstwy 4 do warstwy 6.Powierzchnia graniczna lub przekladka miedzy- warstwowa 5 jest jedyna powierzchnia graniczna miedzy warstwami 4'i 6, jezeli spelnia opisane wy- 65 zej wymagania. Jezeli nie, wówczas nalezy umie-80288 13 14 scic miedzy warstwami 4 16 warstwe przekladko¬ wa z innego materialu. Grubosc warstwy przeklad¬ kowej powinna byc w uprzywilejowanych rozwia¬ zaniach, jak najciensza. Grubosc mniejsza, niz l mi¬ kron jest na ogól korzystna. Przekladke miedzy- warstwowa sporzadza sie jako cienka warstwe elektrycznie izolujacego materialu. Moze ja two¬ rzyc wytracana w prózni cienka warstwa materia¬ lu nieorganicznego, takiego jak tlenek krzemu, dwutlenek krzemu, siarczek cynku, fluorek ma¬ gnezu, lub cienka warstwa nieorganicznego mate¬ rialu zywicowego, takiego jak nitroceluloza, octan celulozy, kopolimer octanu celulozy i chlorku wi¬ nylu, zywica uretanowa, zywica akrylowa, zywica ¦mocznikowa, zywica silikonowa i zywica epoksy¬ dowa. Powierzchnia graniczna lub przekladka mie¬ dzywarstwowa moze byc warstwa, w której istnie¬ je znaczne zageszczenie osrodków, powodujacych estynkcje wprowadzanych do niej swobodnych no- . sników ladunków.Warstwa powierzchniowa 7 ochrania powierzch¬ nie elementu swiatloczulego i zatrzymuje wpro¬ wadzanie swobodnych nosników ladunków z po¬ wierzchni do warstwy fotoprzewodzacej 6. Grubosc warstwy 7 powinna w najkorzystniejszych rozwia¬ zaniach wynosic mniej niz 2 mikrony. Warstwe te mozna równiez pominac. Materialy sluzace do spo¬ rzadzania tej warstwy imozna dobierac sposród opisanych wyzej w odniesieniu do warstwy 5.W czasie zabiegu pierwszego do powierzchni ele¬ mentu swiatloczulego doprowadza sie ladunki elek¬ tryczne. Biegunowosc uzywanych ladunków moze zostac ustalona, w oparciu o wlasnosci warstw 4 i 6, jiako dodatnia lub ujemna. Jezeli warstwa fo- toprzewodzaca 4 wykazuje wartosc /*xt, gdzie n jest szybkoscia przemieszczania sie swobodnego no¬ snika ar jest srednim czasem zycia swobodnego nosnika, wieksza dla swobodnego elektronu niz dla swobodnej dziury, korzystniej jest nadawac po¬ wierzchni elementu swiatloczulego ladunek dodat¬ ni, a jezeli wypadek ten nie zachodzi, to pozada¬ ny jest ladunek przeciwny. W odniesieniu do fo-. toprzewodzacej warstwy 6 nalezy równiez przepro¬ wadzic te same rozwazania, to znaczy jezeli war¬ tosc [Lixt dla swobodnego elektronu jest wiejksza niz dla swobodnej dodatniej dziury w fotoprzewo¬ dzacej warstwie 6, wówczas korzystniej jest na¬ dawac elementowi swiatloczulemu ladunek ujem¬ ny, a jezeli wypadek taki nie wystepuje, wów¬ czas pozadany jest ladunek przeciwny.Uprzywilejowana biegunowosc ladunku nadane- ¦ go fotoprzewodzacej warstwie 4 jest niekiedy od¬ wrotna niz biegunowosc ladunku nadanego war¬ stwie fotoprzewodzacej 6. W takim wypadku na¬ lezy nadawana biegunowosc rozpatrywac w opar¬ ciu o wszechstronne dzialanie elementu swiatlo- czulegOi Wybór biegunowosci naladowania nie jest jednak istotny. Znane sa elementy swiatloczule, które moga byc uzyte z dobrym wynikiem zarów¬ no przy jednej jiak i drugiej biegunowosci.Naladowanie elektryczne swiatloczulego elemen¬ tu, w czasie zabiegu pierwszego, wykonuje sie przy uzyciu konwencjonalnych sposobów uzywanych w kserografii. Na ogól stosuje sie równomierne na¬ ladowanie, lecz ma zyczenie mozna je przeprowa¬ dzic wedlug specjalnego wzoru. W tym celu moz- . na równiez stosowac konwencjonalne sposoby lado¬ wania. Przykladem moze byc wypadek, gdy ele¬ ment swiatloczuly zostanie najpierw naladowany 5 ladunkiem równomiernym, a nastepnie element ten naswietlony zostanie wedlug wzoru swiatlem, któ¬ re dziala fotochemicznie na warstwe fotoprzewo- dzaca 6, w celu rozmieszczenia ladunków elektro¬ statycznych wedlug wzoru, który odpowiada wzo- 10 rowi swietlnemu.Zabieg drugi zostaje wykonany przez dzialanie sfluidyzowana chmura ladunków na powierzchnie elementu swiatloczulego i równoczesne naswietle¬ nie tego elementu w ukladzie obrazu. Zarówno . 15 dzialanie sfluidyzowana chmura ladunków elek¬ trycznych jak i naswietlanie w ukladzie obrazu moze odbywac sie wczesniej. Poza tym mozna jed¬ no z tych dzialan kontynuowac po zakonczeniu drugiego. Dzialanie sfluidyzowana chmura ladun- 20 ków elektrycznych na naswietlony czlon swiatlo¬ czuly powoduje powstanie zewnetrznego obwodu elektrycznego miedzy powierzchnia czlonu swiatlo¬ czulego i jego elektrycznie przewodzacym podlo¬ zem. Zamkniecie obwodu zewnetrznego miedzy ty- 25 mi powierzchniami nastepuje od strony zewnetrz¬ nej a nie poprzez wnetrze czlonu swiatloczulego.Zabieg drugi mozna wykonac zamykajac obwód zewnetrzny i doprowadzajac sfluidyzowana chmu¬ re ladunków elektrycznych. Przykladami sfluidy- 30 zowanej chmury ladunków elektrycznych sa wiaz¬ ka elektronów, chmura lub wiazka jonów gazo¬ wych, takich jak wytwarzane sa na przyklad przy wyladowaniach koronowych pradu zmiennego' lub pradu stalego. Naswietlenie w ukladzie obrazu 35 mozna wykonac od strony powierzchni czlonu swiatloczulego lub od strony przeciwnej. Przykla¬ dem naswietlenia w ukladzie obrazu jest skiero¬ wanie swiatla obrazowego na podloze przewodzace czlonu swiatloczulego w postaci plaskiej wiazki 40 promieni, podczas gdy jony z wyladowan uloto- wych zostaja doprowadzone do powierzchni czlo¬ nu swiatloczulego, a czlon swiatloczuly przesuwa sie przy tym prostopadle do szczeliny, przez któ¬ ra odbywa sie naswietlanie. 45 Zabieg trzeci zostaje wykonany zgodinie z po¬ przednim opisem.Zabieg czwarty zostaje wykonany przez" naswie¬ tlenie warstwy fotoprzewodzacej 6 swiatlem dzia¬ lajacym fotochemicznie, ipo wykorzystaniu utajo- 50 nego obrazu elektrostatycznego. Po wywolaniu o- brazu utajonego w postaci obrazu widzialnego, nie ma na ogól w praktyce klopotów, nawet w wy- paidku zniszczenia obrazu utajonego. Totez mozna, w czasie zabiegu czwartego, po wywolaniu lecz 55 jeszcze przed przeniesieniem obrazu, zastosowac na¬ swietlenie swiatlem intensywnym. Intensywne na¬ swietlenie mozna tez zastosowac w zabiegu czwar¬ tym po przeniesieniu obrazu przed oczyszczeniem resztek wywolanego obrazu. Neutralizacja ladun- 60 ków na powierzchni czlonu swiatloczulego lub na wywolanych obrazach czy tez na pozostalych obra¬ zach, jest znacznie skuteczniejsza, jezeli zostaje wykonana po przeniesieniu obrazu przez doprowa¬ dzenie jonów z wyladowan ulotowych, w czasie 65 naswietlenia wzglednie przed lub po naswietleniu15 80288 16 fotoprzewodzacej warstwy 6 lub fotoprzewodiza- cych warstw 6 i 4 swiatlem wywolujacym dziala¬ nie fotochemiczne.Utajomy obraiz elektrostatyczny utworzony pod¬ czas zabiegu trzeciego lub zabiegu drugiego uzy¬ wa sie do wykonania wielu odbitek, przez powta¬ rzanie wywolywania i przenoszenia obrazów z jed¬ nego obrazu utajonego.Szczególowsze wyjasnienia zostana przedstawio¬ ne w podanych nizej przykladach.Przyklad I. Na oczyszczony arkusz alumi¬ nium napyla sie w prózni szklista warstwe trój¬ selenku arsenu o grubosci 70 [i. Warstwa ta od- powiada warstwie fotoprzewodzacej 4 na fig. 1.Nastepnie na warstwie selenku osadza sie w próz¬ ni warstwe fluorku magnezu o grubosci 500 m^, w celu utworzenia przekladki miedzywarstwowej 5 wedlug fig. 1. Na warstwach tych osadza sie w prózni szklista warstwe selenu o grubosci 10 ^ w celu utworzenia warstwy fotopr zewodzacej 6 we¬ dlug fig. 1. Przekladke miedzywarstwowa 5 spo¬ rzadzona z fluorku magnezu stosuje sie w celu zapobiezenia wprowadzaniu swobodnych nosników ladunków, które zostaly wytworzone w fotoprze¬ wodzacej warstwie 4 trójselenku arsenu, 'do foto¬ przewodzacej warstwy 6 utworzonej z.selenu. Czu¬ losc widmowa utworzonej w ten sposób szklistej warstwy trójselenku arsenu iprzedstawioina na fig. za za pomoca krzywej (1). Na wykresie tym na _osi odcietych naniesiono dlugosci fal w ma, a na osi rzednych naniesiono w jednostkach wzgle¬ dnych odwrotnosc ilosci energii wymaganej dla Okreslonej reakcji w jednostkach umownych. Jest ona korzystnie panchromatyczna. Za pomoca krzy¬ wej (2) w fig. 2a przedstawiono równiez czulosc widmowa warstwy szklistego selenu, która wyka¬ zuje czulosc widmowa tylko w zakresie fal o dlugosciach ponizej 550 m//.Szklista warstwa trójselenku arsenu posiada ma¬ la zdolnosc zatrzymywania ladunków elektrosta¬ tycznych, znaczy to, ze w ciagu dwóch sekund na¬ stepuje, na powierzchni warstwy zanikanie do 10 procent poczatkowego ladunku elektrostatycznego.Dlatego tez bardzo trudno stosowac te warstwe ja¬ ko konwencjonalna, kserograficzna warstwe foto- przewodzaca. W odróznieniu od tego warstwa szklistego selenu zatrzymuje na swej powierzchni ladunki elektrostatyczne przez czas dluzszy niz 3000 sekund. Podloze aluminiowe utworzonego w ten sposób, czlonu swiatloczulego zostalo uziemio¬ ne, a powierzchnia tego czlonu zostala -naladowa¬ na ujemnymi jonami, przez doprowadzenie ujem¬ nych jonów mlotowych wytworzonych za pomoca przewodu do wyladowan koronowych, który byl przylaczony do przewodu pradu o wysokim napie¬ ciu, przy czym jedna koncówka doprowadzenia pra¬ du o wysokim napieciu byla uziemiona. W czasie tego zabiegu, w poblizu przekladki miedzywar¬ stwowej, poprzez szklista warstwe trójselenku arse¬ nu, wzbudza sie ladunki dodatnie. Okres czasu po¬ trzebny do wzbudzenia ladunków dodatnich wy¬ nosil okolo dwie sekundy. Wynikalo to z faktu, ze potencjal powierzchni w stosunku ido potencjalu ziemi wynosil, bezposrednio po naladowaniu* czlonu swiatloczulego jonami ujemnymi, okolo 1800 wolt, lecz dwie sekundy pózniej potencjal ten obnizyl sie do okolo 300 wolt, co stanowi wielkosc bliska nasycenia. Przy innym zabiegu podczas którego stosowano równoczesne naswietlanie czlonu swia- 5 tloczulego swiatlem, które cechowal rozklad ener^ gii widmowej przedstawiony na fig. 2b przez krzy¬ wa (1), oraz stosowano doprowadzenie ujemnych jonów ulotowych* w takich samych warunkach jak podano 'wyzej, potencjal na powierzchni czlonu wy¬ nosil bezposrednio po naladowaniu okolo 350 wolt i wielkosc ta pózniej juz sie nie zmieniala. Uwaza sie, ze zostalo to spowodowane matychimaistowym wzbudzeniem ladunków dodatnich w poblizu prze¬ kladki miedzywarstwowej.Na fig. 2b naniesiono na osi odcietych dlugosc fal w im^, a wzgledna energie widmowa naniesio¬ no wzdluz osi rzednych. Po naswietleniu, tak przy¬ gotowanego i naladowanego w czasie zabiegu pier¬ wszego, czlonu swiatloczulego swiatlem niebieskim, które 'przedstawiono przez krzywa (2) na fig. 2b potencjal powierzchni zmniejszyl sie gwaltownie prawie do zera. UWaza sie, ze nastapilo to wsku¬ tek wyladowania ladunków poprzez warstwe szkli¬ stego selenu. Sporzadzony w ten sposób czlon swiatloczuly, który naladowano w .rzasip zaiaiegu pierwszego., poddano wyladowaniom koronowym pradu zmiennego oraz naswietlono w ukladzie ob¬ razu. Podloze aluminiowe zostalo przy tym uzie¬ mione, a powierzchnie czlonu swiatloczulego pod¬ dano dzialaniu dodatniej i ujemnej Pilotowej chmu¬ ry jonowej, wytworzonej za pomoca przewodu elektrody do wyladowaj koronowych, który byl przylaczony do doprowadzenia pradu zmiennego o wysokim malpieciu. Równoczesnie nastepowala pro¬ jekcja swiatla obrazowego, w postaci -plaskiej wiaz¬ ki promieni, na powierzchnie czlonu swiatloczu¬ lego, z miejsca polozonego za przewodem ido wy¬ ladowan koronowych.Zabieg ten wykonywano przesuwajac czlon swia¬ tloczuly ¦"pod nieruchomym urzadzeniem projekcyj¬ nym swiatla obrazowego oraz urzadzenieim dla wy¬ ladowan koronowych. Rozklad energii widmowej pochodzacej z zastosowanego zródla swiatla odpo¬ wiadal krzywej (1) w fig. 2b. Swiatloczula war¬ stwa 6 szklistego selenu nie byla na to swiatlo wrazliwa, to znaczy warstwa ta .ntie wykazywala zadnego fotoprzewodzenia. Natomiast fotoprzewo- dzaca warstwa 4 szklistego trójselenu arsenu wy¬ kazywala fotoprzewodzenie, tak iz w obszarze na¬ swietlonym nastepowalo wyladowanie i neutrali¬ zacja ladunków poprzez fotoprzewodzaca warstwe 4 szklistego trójselenu arsenu, przez 'obwód zewnetrz¬ ny ii koronowa chmure jonowa pradu zmiennego.W poblizu przekladki miedzywarstwowej 5 ladun¬ ki elektrostatyczne w obszarze ciemnym pozostaly nie zmienione. Jednak ladunki powienzchiniowe zo¬ staly w obszarze ciemnym w pewnym stopniu zneutralizowane przez jony ulotowe pradu zmien¬ nego, a rozmieszczenie ladunków na i w czlonie swiatloczulym stalo sie niestabilne. Pomiar poten¬ cjalu powierzchniowego bezposrednio po zabiegu drugim wykazal w obszarze naswietlonym- wiel¬ kosc 20 wolt, a w obszarze -ciemnym wiellkosc +1100 wolt. Ciagly pomiar potencjalu powierzch¬ niowego wykazal nastepnie zmiane potencjalu w 15 20 25 30 35 40 45 50 55 6017 obszarze ciemnym w ciagu dwóch lub trzech se¬ kund do 250 wolt, podczas gdy w obszarze na¬ swietlonym nie wystapila zmiana potencjalu. W wy¬ padku gdy czlon swiatloczuly zostal, bezposrednio po zabiegu drugim, naswietlony równomiernie swiatlem, o rozkladzie energii widmowej, odpowia¬ dajacym krzywej (1) na fig. 2b, nie wystapila ,w czasie zabiegu drugiego, zmiana 'potencjalu na ob¬ szarze naswietlonym, natomiast potencjal w ob¬ szarze, który w czasie zabiegu drugiego pozostal nie naswietlony, zmienil sie nagle, do wielkosci nasycenia wynoszacej 250 wolt.W ten sposób uzyskano utajony obraz elektro¬ statyczny, który wykazywal bezposrednio po za¬ biegu drugim kontrast elektrostatyczny +1i20 wolt, oraz drugi utajony obraz elektrostatyczny, który w kilka sekund po zabiegu drugim lub po zabie¬ gu trzecim posiadal kontrast elektrostatyczny, wy¬ noszacy okolo 230 wolt. Wymienione obrazy uta¬ jone zostaly wywolane za pomoca drobnego nala¬ dowanego, barwionego proszku. Wywolane w ten sposób zabarwiane obrazy z proszku zostaly prze¬ niesione elektrostatycznie ma zwykle biale arkusze .¦papieru i zostaly na nich utrwalone przez ogrze¬ wanie. Resztki obrazu z proszku pozostale na czlo¬ nie swiatloczulym zostaly oczyszczone za pomoca szczotki z wlókna syntetycznego po równomiernym naswietleniu czlonu swiatloczulego swiatlem, o roz¬ kladzie energii widmowej jaki przedstawia krzy¬ wa (2) na fig. 2b, i po równoczesnym doprowa¬ dzeniu do powierzchni czlonu swiatloczulego jonów koronowych pradu zmiennego. Czlon swiatloczuly' zostal nastepnie naswietlony swiatlem, które od¬ powiada krzywej (2) na fig. 2b w celu calkowitego usuniecia utajonego obrazu. Przy tym zabiegu za¬ stosowano, zamiast wyzej wymienionego swiatla, swiatlo z innego zródla, o rozkladzie energii wid¬ mowej wedlug krzywej (3) na fig. 2b, przy czym uzyskano w przyblizeniu taki sam efekt jak po¬ przednio.Swiatla zastosowane w przykladzie uzyskano w Sposób nastepujacy. Swiatlo odpowiadajace krzy¬ wej (1) na fig. 2b pochodzace z lampy jodowej o temperaturze barwowej wynoszacej okolo 3200°K przepuszczono przez filtr szklany, który elimino¬ wal .-swiatlo o dlugosci fali mniejszej niz 580 m^.Zródlem swiatla okreslonego krzywa (2) na fig. 2b byla lampa fluorescencyjna wysylajaca swiatlo nie¬ bieskie, a swiatla oznaczonego przez krzywa (3) w fig. 2b byla lampa fluorescencyjna, dajaca zim¬ ne swiatlo biale.Przyklad II. Szklista warstwa trójselenku arsenu zostala osadzona w prózni na oczyszczonym arkuszu aluminiowym. Grubosc warstwy wynosila okolo 70 /li. Nastepnie na warstwie tej utworzono cienka warstwe chlorku i octanu winylu o grubo¬ sci okolo 0,5 do 1,0 \jl, jako przekladke miedzywar- stwowa, a nastepnie powleczono te warstwe prze¬ kladkowa warstwa polikarbazolu winylu o grubo¬ sci okolo 20 u. Sporzadzony w ten sposób czlon swiatloczuly umozliwial uzyskanie dobrych wyni¬ ków, gdy w czasie zabiegu pierwszego naladowano jego powierzchnie jonami ujemnymi. Swiatloczula warstwa polikarbazolu winylu przepuszczala, w tym wypadku, swiatlo widzialne i byla wrazliwa 18 tylko na promienie zblizone do ultrafioletowych, wobec czego mozna bylo wykorzystac caly zakres widma swiatla widzialnego, na które wrazliwa by¬ la fotoprzewodzaca warstwa trójselenku arsenu, 5 dzieki czemu uzyskiwano wieksza czulosc niz osia¬ gano w przykladzie I. Czynnosc,usuwania utajone¬ go obrazu w czasie zabiegu czwartego wykonywa¬ no przy pomocy fluorescencyjnej lampy chemicznej.Przyklad III. Na oczyszczonej powierzchni 10 rury aluminiowej utworzono, przy pomocy napy¬ lania w ryrózni, szklista wiarstwe ze stopu sklada¬ jacego sie z 85 procent wagowych selenu i 15 pro¬ cent wagowych telluru, której grubosc wynosila okolo 80 u, a na nia nalozono cienka warstwe po- 15 liweglanu o grubosci okolo 0,8 /u. Na warstwie tej osadzono nastepnie, przez napylanie w prózni szkli¬ sta warstwe selenu o grubosci 10 ji, a nastepnie utworzono znowu jako warstwe powierzchniowa, cienka warstwe poliweglanów o grubosci 0,8 \jl. 20 Fotoprzewodzaca szklista warstwa stopu selenowo- -tellluroweigo nie byla w stanie zatrzymac ladun¬ ków elektrostatycznych tak dlugo, jak to jest wy¬ magane w konwencjonalnych procesach kserogra¬ ficznych, lecz jej reakcja widmowa rozciagala sie, 25 az do icbszaru fal dluzszych, które maja dlugosc okolo 120 mu, to znaczy, ze warstwa ta wykazy¬ wala czulosc panchromatyczna. Przy uzyciu tego elementu swiatloczulego i zastosowaniu tych sa- imych zródel swiatla jakie byly uzywane w przy- 30 kladzie I dla poszczególnych zabiegów, zostal wy¬ tworzony obraz utajony, który pozwolil uzyskac dobre wyniki. Jakkolwiek, z uwagi na stabilnosc charakterystyki, korzystniejsze bylo uzywanie czlo¬ nu swiatloczulego przygotowanego w tym przy- 35 kladzie, gdy jego powierzchni nadano w czasie za¬ biegu pierwszego ladunek ujemny, to jednak do¬ datnie naladowanie powierzchni w czasie zabiegu pierwszego dawalo wyniki porównywalne z wyni¬ kami pirzy naladowaniu ujemnym. 40 Przyklad IV. Na oczyszczonym arkuszu mo¬ sieznym utworzono, przez "napylanie w prózni, szklista warstwe stopu skladajacego sie z 25 czesci wagowych arsenu, 10 czesci wagowych antymonu i 49 czesci wagowych selenu. Warstwa imiala gru- 45 bósc okolo 15 ja. Warstwe te powleczono fotoprze- wocizaca warstwa o grubosci okolo 15 mikronów która skladala sie z 45 czesci wagowych antracenu i 55 czesci wagowych zywicy silikonowej. Otrzy¬ many w ten sposób element swiatloczuly, zostal*w 50 czasie zabiegu pierwszego naladowany jonami ujemnymi i naswietlony wedlug obrazu swiatlem pochodzacym z lampy cyrkonowej, równoczesnie z doprowadzeniem podczas zabiegu drugiego jonów ulotowych pradu zmiennego. Utworzony w ten spo- 55 sób obraz utajony zostal nastepnie wywolany przy uzyciu konwencjonalnego kaskadowego wywolywa¬ cza kserograficznego, w którym zastosowano do¬ datnio naladowane barwione drobne czastki prosz¬ ku, uzyskujac w wyniku obraz pozytywowy. Obraz 60 utworzony z proszku, wywolany w podany sposób, zostal nastepnie przeniesiony na inny arkusz pa¬ pieru, po czym czlon swiatloczuly zostal naswie¬ tlony równomiernie swiatlem fluorescencyjnym lampy chemicznej, w celu oczyszczeniia pozostalego 65 obrazu z proszku i usuniecia obrazu utajonego.19 80288 20 Przyklad V. SzMista fotoprzewodzaca war¬ stwa ze stopu skladajacego sie z 15,5 czesci wago¬ wych arsenu, 25,3 czesci wagowych antymonu, liOyO czesci wagowych siarki, 24,6 czesci wagowych selenu, która utworzono przez napylanie w prózni, zastala zastosowania jako fotoprzewodzaca warstwa o duzej swiaitloczulosci, odpowiadajaca przyklado¬ wi IV, warstwa polikarbazollu winylu zostala uzy¬ ta jako warstwa o malej swiatloczulosci wedlug przykladu IV. Po zastosowaniu, podczas zabiegu drugiego, jako zródla swiatla lampy cyrkonowej uzyskano swiatloczulosc odpowiadajaca okolo 25 wedlug ASA.Przyklad VI. Przygotowano fotoprzewodzaca warstwe o duzej czulosci przez rozproszenie prosz¬ ku siarczku kadmu, który otrzymano przez pod¬ grzewanie czystego proszku siarczku kadmu z bar¬ dzo mala iloscia chlorku miedzi jako aktywatora i z okolo 10 procentami wagowymi chlorku kadmu jako topnika, w temperaturze od 550 do 600°C w ciagu okolo 15 (minut. Obrobiony cieplnie proszek zostal nastepnie zmielony z termoutwardzalnym la¬ kierem z zywicy akrylowej, po czym proszkiem tym powleczono arkusz aluminium. Na warstwie tej utworzono nastepnie cienka warstwe polikarbazolu winyflu jako fotoprzewodzaca warstwe o imalej czu¬ losci. Czlon fotdprzewodzaey uzyskany w ten spo¬ sób, zostal zbadany w takich samych warunkach jak podano w przykladzie IV, przy czym uzyskano dobre wyniki, powierzchnie swiatloczulego czlonu ladowano jednak ladunkami dodatnimi.Przyklad VII. Przygotowano fotoprzewodza- ce czastki proszku okreslone jako „A" wprowa¬ dzajac jodek kadmu w ilosci 18 procent wagowych, do czastek proszku, odnosnie których uwazano, ze skladaja sie z CdS. 1,5 Cd/C03, w którym rdzenie wegilaou kadmu sa powleczone siarczkiem kadmu, oraz ogrzewajac podane czastki do temperatury 200 do 250°C. Nastepnie przygotowano fotoprzewo- dzace czastki proszku okreslone jako „B" przez dodanie uczulajacej substancji barwnikowej, ziele¬ ni malachitowej w ilosci 0,1 procent wagowych do fotoprzewodzacych czastek proszku okreslonych ja¬ ko „A". Najpierw utworzono na arkuszu aluminium fotoprzewodzaca warstwe przez powleczenie tego • arkusza substancja powstala przez rozproszenie za pomoca 'mieszaniny rozpuszczalników organicznych, 100 czesci wagowych proszku „B" w 50 czesciach wagowych termoutwardzalnego 'lakieru z zywicy akrylowej, po czym warstwa ta zostala wysuszona i powleczona nastepnie cienka warstwa zawieraja¬ ca tylko lakier z zywicy akrylowej. Na tych war¬ stwach utworzono nastepnie jeszcze jedna warstwe fotoprzewodzaca przez powleczenie substancja, po¬ wstala przez rozproszenie 100 czesci wagowych proszku „A" w 50 czesciach wagowych opisanego wyzej termoutwardzalnego lakieru z zywicy akry¬ lowej, po czym warstwa ta zostala wysuszona.Utworzony w ten sposób element swiatloczuly, skladajacy sie z trzech warstw na arkuszu alumi¬ nium, zostal poddany w ciagu okolo 30 minut ob¬ róbce cieplnej w temperaturze 150°C i w wyniku otrzymano ostateczny czlon swiatloczuly.Warstwa fotoprzewodzaca zawierajaca* proszek „B" która, nastepnie nazwano warstwa „b" posia¬ dala grubosc okolo GO p, warstwa przekladkowa skladajaca sie tylko z substancji zywicowej posia¬ dala grubosc 0,8 /u, a fotoprzewodzaca warstwa za¬ wierajaca proszek „A", która nazwano warstwa 5 „a" miala grubosc okolo 20 /j. Czulosci widmowe warstw ,^a" i „b" przebiegaly jak podawano na fig. 3a, w której dlugosci fal zostaly naniesione w milimiikronach wzdluz osi odcietych, a logarytm odwrotnosci ilosci energii, potrzebnej dla uzyska- 10 nia okreslonej reakcji na dzialanie swiatla, pocho¬ dzacego ze zródla o temperaturze barwy 3200CK, zostal naniesiony wzdluz osi rzednych. Czulosc wi¬ dmowa warstwy „a" byla ograniczona, jak to przedstawiono na krzywej (1) na fig. 3a, do za- 15 kresu obejmujacego fale o dlugosci mniejszej niz 61i0 m^, podczas gdy warstwa „b" wykazywala czu¬ losc widmowa w zakresie wykraczajacym poza za¬ kres swiatla widzialnego jak to przedstawiono na krzywej (2) na fig. 3a. Obydwie wymienione war- 20 stwy posiadaly takie wlasnosci izolacyjne w ciem¬ nosci ze mogly one, przez dlugi okres czasu, za¬ trzymywac na swych powierzchniach ladunki elek¬ trostatyczne. Te dwie warstwy moga byc uzyte sa¬ me jako konwencjonalny swiatloczuly czlon ksero- 25 graficzny.Czlon swiatloczuly otrzymany w sposób wyzej podany, który wykazywal podane wlasnosci zostal naladowany ma powierzchni dodatnimi jonami i naswietlony równomiernie swiatlem o rozkladzie 30 energii widmowej podanym na krzywej (2) na fig. 3b, w celu nagromadzenia ladunków elektro¬ statycznych na powierzchni warstwy „a" i w po¬ blizu przekladki miedzywarstwowej. Jako inny wa¬ riant przeprowadzono podane wyzej doprowadze- 35 nie dodatnich jonów oraz równoczesne równomier¬ ne naswietlenie, podczas zabiegu pierwszego, uzy¬ skujac takie same wyniki jak wyzej opisane. Na¬ stepnie czlon swiatloczuly zostal naswietlony we¬ dlug -obrazu, który mial byc odtworzony, przy czym 40 uzyto zródla swiatla o rozkladzie energii widmo¬ wej przedstawione na krzywej (2) na fig. 3b, a równoczesnie zosta* on, w celu utworzenia utajo¬ nego obrazu elektrostatycznego, poddany dzialaniu chmury jonowej wytworzonej przez wyladowania 45 koronowe pradu przemiennego. Potencjal powierzch¬ niowy czlonu swiatloczulego wynosil po zabiegu pierwszym okolo +600 wolt, a po zabiegu drugim okolo +;i'0 wolt, w obszarze naswietlenia, i oko¬ lo —350 wolt w obszarze ciemnym, stwarzajac 50 elektrostatyczny kontrast potencjalów, wynoszacy okolo —360 wolt. Wobec tego, ze warstwa „b" po¬ siadala w ciemnosci wlasnosci izolacyjne, utrzymy¬ wal sie wymieniony elektrostatyczny kontrast po¬ tencjalów przez okres czasu dostatecznie dlugi dla 55 przeprowadzenia wywolania.W czasie zabiegu trzeciego czlon swiatloczuly zo¬ stal naswietlony równomiernie swiatlem, które za¬ stosowano w zabiegu pierwszym. Jakkolwiek po¬ tencjal powierzchniowy, w obszarze naswietlonym 60 w czasie zabiegu drugiego, nie ulegl zmianie, to w wyniku uzyskano, w czasie zabiegu idrugiego, w obszarze ciemnym potencjal powierzchniowy wy¬ noszacy okolo +350 wolt. Spowodowalo to po¬ wstanie elektrostaycznego kontrastu potencjalu wy- 65 noszacego okolo +340 wolt, który utrzymywal sie21 80288 22 przez 'dlugi okres czasu dla przeprowadzenia wy- wplania, albowiem utajony obraz elektrostatyczny zcetai utworzony w poprzek warstwy „a". Po wy¬ wolaniu tego utajonego dbrazu za pomoca drobne¬ go, naladowanego barwionego proszku, wywolany obraz z proszku zostal przeniesiony na inny ar¬ kusz, a czlon swiatloczuly zostal oczyszczony iz po¬ wstalego na nim obrazu z proszku i poddany na¬ swietleniu intensywnym swiatlem o rozkladzie energii widmowej przedstawionym na krzywej (1) na fig. 31, co Umozliwilo usuniecie utajonego ob¬ razu elektrostatycznego. W tym stanie czlon byl przygotowany do powtórnego uzycia.Na fig. 3b naniesiono wzdluz osi odcietych dlu¬ gosci fal swiatla w" milimikronach, a energie wid¬ mowa podano wzdluz osi rzednych w jednostkach wzglednych. Zródlem swatla, okreslonym przez krzywa (1), byla lampa fluorescencyjna dajaca swiatlo zielone, a zródlem swiatla przedstawione¬ go na krzywej (2) byla lampa cyrkonowa o tem¬ peraturze barwowej 3200°K oraz filtr szklany, któ¬ ry eliminowal swiatlo w zakresie fal o dlugosci mniejszej niz 620 mu.Czlon swiatloczuly przygotowany wedlug tego przykladu zostal naladowany na powierzchni w czasie zabiegu pierwszego, ujemnymi jonami ulo- towymi i zostal poddany takiej samej obróbce, jaka wyzej opisano. Uzyskano prawie ten sam wy¬ nik jak przy stosowaniu w zabiegu pierwszym la¬ dunku dodatniego. Czlon swiatloczuly, przygotowa¬ ny jak podano w tym przykladzie, zostal nalado¬ wany na powierzchni dodatnimi jonami ulotowy- mi równoczesnie z równomiernym naswietleniem go swiatlem, o rozkladzie energii widmowej przed¬ stawionym na krzywej (2) na fig. 3b. Uzyskano potencjal powierzchniowy wynoszacy +600 wolt.Nastepnie utworzono utajony obraz elektrostatycz¬ ny przez naswietlenie wedlug obrazu, swiatlem po¬ chodzacym ze zródla o -rozkladzie energii widmo¬ wej przedstawionym na krzywej (1) na fig. 3b, lecz nie wprowadzono jonów ulotowyoh. W wyni¬ ku uzyskano potencjal powierzchniowy, w obszarze ciemnym, wynoszacy okolo + 595 wolt oraz okolo + 20 wolt w Obszarze naswietlonym, co dalo elek¬ trostatyczny kontrast potencjalu wynoszacy okolo + 575 wolt.W czasie zabiegu pierwszego naladowano czlon swiatloczuly, przygotowany wedlug tego przykladu, do potencjalu powierzchniowego wynoszacego oko¬ lo + 600 wolt. Nastepnie w czasie zabiegu drugie¬ go poddano czlon swiatloczuly dzialaniu ujemnych jonów ulotowych oraz równoczesnie naswietlono wedlug obrazu swiatlem o rozkladzie energii wid¬ mowej okreslonym pnzez krzywa (2), na fig. 3b.Wynikly przy tym potencjal powierzchniowy w obszarze ciemnym wynosil okolo — 1030 wolt, a potencjal w obszarze naswietlonym wynosil okolo —'250 wolt, uzyskany elektrostatyczny kontrast po¬ tencjalu wyniósl okolo —780 wolt. Nastepnie na¬ swietlono czlon swiatloczuly równomiernie swia¬ tlem, które stosowano w czasie zabiegu pierwszego w cedu nadania potencjalów powierzchniowych wy¬ noszacych okolo +180 wolt w obszarze ciemnym i okolo —250 wolt w obszarze naswietlonym, przy czym elektrostatyczny kontrast potencjalu wynosil okolo +430 wolt. Te utajone obrazy elektrosta¬ tyczne zostaly wywolane za pomoca drobnego, bar¬ wionego naladowanego proszku. Dla umozliwienia ponownego uzycia czlonu swiatloczulego przenie¬ siono wywolany obraz z proszku na inny arkusz, a pozostale resztki obrazu usunieto przez oczysz¬ czenie. W tym wypadku poddano czlon swiatloczu¬ ly, przed oczyszczeniem i po oczyszczeniu z pozo¬ stalego obrazu z proszku, naswietleniu intensyw¬ nym swiatlem, przy uzyciu zródla swiatla o roz¬ kladzie energii widmowej podanym ma krzywej (1) na fig. 3b. PL PL PL PL PL PL

Claims (3)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób kserograficznego odtwarzania obrazów, znamienny tym, ze stosuje sie w nim element swia- 20 tloczuly, skladajacy sie co najmniej z dwóch warstw fotoprzewodzacyeh, zewnetrznej i wewnetrz¬ nej, które róznia sie miedzy soba przynajmniej w jednej czesci zakresu czulosci widmowej, do któ¬ rego zewnetrznej powierzchni warstwy fotoprze- 25 wodzacej doprowadza sie wedlug jakiegos wzoru ladunki o jednej biegunowosci, a do powierzchni granicznej miedzy podanymi dwiema warstwami fotoprzewodzacymi i/lub do miejsc sasiadujacych z powierzchnia graniczna ladunki o przeciwnej bie- 30 gunowosci, a takze doprowadza sie ruchome jony do zewnetrznej powierzchni warstwy fotoprzewo- dzacej, przy czym równoczesnie naswietla sie we¬ dlug obrazu element swiatloczuly zwiekszajac fo- toprzewodzenie tylko w wewnetrznej warstwie fo- 35 toprzewodzacej, jak równiez doprowadza sie ladun¬ ki elektrostatyczne do powierzchnii ;zewnetrznej warstwy fotoprzewodzacej lub rozladowuje je na 'tej powierzchni oraz na powierzchni granicznej i/lub w jej sasiedztwie poprzez wewnetrzna war- 40 stwe fotoprzewoidzaca oraz poprzez chmure jono¬ wa doprowadzona do powierzchni odpowiednio do fotoprzewódzenia w wewnetrznej warstwie foto¬ przewodzacej w celu utworzenia utajonego obrazu elektrostatycznego a nastepnie, po uzyciu utajo- 45 nego obrazu elektrostatycznego naswietla sie ele¬ ment swiatloczuly za pomoca swiatla, które wplywa na zwiekszenie fotoprzewódzenia przynajmniej w zewnetrznej warstwie fotoprzewodzacej, w celu usuniecia utajonego obrazu elektrostatycznego. 50
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po utworzeniu pierwszego, utajonego obrazu elek¬ trostatycznego naswietla sie równomiernie element swiatloczuly swiatlem powodujacym zwiekszenie fotoprzewódzenia tylko w wewnetrznej warstwie 55 fotoprzewodzacej, w celu utworzenia drugiego, uta¬ jonego obrazu elektrostatycznego.
3. Element swiatloczuly stosowany w sposobie wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze sklada sie przynajmniej z dwóch warstw fotoprzewodzacych 60 oraz z warstwy granicznej lub warstwy przekladko¬ wej miedzy wymienionymi dwiema warstwami, przy czym jedna z dwóch fotoprzewodzacych warstw oporzadzona jest z elektrycznie izolujacego fotoprzewodmika dla zatrzymania w ciemnosci la- P5 dumków elektrostatycznych, druga warstwa foto- 10 15 20 25 30 35 40 45 -50 55 6023 80288 24 przewodzaca jest sporzadzona z fotoprzewodnika o slabszych wlasnosciach izolacyjnych w ciemno¬ sci niz poprzedni, a powierzchnia graniczna lub warstwa przekladkowa ima korzystnie wlasnosc skutecznego zatrzymywania swobodnego wprowa¬ dzania nosników ladunków do silnie izolujacej war¬ stwy iotoprzewodzacej ze slabo izolujacej warstwy fotoprzewodzacej. FIG.2a. FIGI I S, A V» ^ f 7,/. / ^^zj_4^i^^z= sWmmmm PL PL PL PL PL PL
PL1969135909A 1968-09-21 1969-09-20 PL80288B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP43068510A JPS4925218B1 (pl) 1968-09-21 1968-09-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL80288B1 true PL80288B1 (pl) 1975-08-30

Family

ID=13375765

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL1969135909A PL80288B1 (pl) 1968-09-21 1969-09-20

Country Status (9)

Country Link
US (1) US3704121A (pl)
JP (1) JPS4925218B1 (pl)
BE (1) BE739153A (pl)
CH (1) CH519188A (pl)
ES (1) ES371685A1 (pl)
FR (1) FR2018602B1 (pl)
GB (1) GB1272131A (pl)
NL (1) NL6914365A (pl)
PL (1) PL80288B1 (pl)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3200961C2 (de) * 1981-01-14 1985-11-21 Ricoh Co., Ltd., Tokio/Tokyo Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial und dessen Verwendung
US3879200A (en) * 1970-12-01 1975-04-22 Xerox Corp Novel xerographic plate containing photoinjecting bis-benzimidazole pigments
US3877935A (en) * 1970-12-01 1975-04-15 Xerox Corp Novel xerographic plate containing photoinjecting polynuclear quinone pigments
US3879199A (en) * 1971-12-03 1975-04-22 Xerox Corp Surface treatment of arsenic-selenium photoconductors
US3860422A (en) * 1972-02-28 1975-01-14 Canon Kk Photoconductive element with unsaponified alkyl vinyl ether-maleic anhydride copolymer interlayer
JPS5135147B2 (pl) * 1972-11-06 1976-09-30
JPS4991646A (pl) * 1972-12-30 1974-09-02
US3953206A (en) * 1974-04-30 1976-04-27 Xerox Corporation Induction imaging method utilizing an imaging member with an insulating layer over a photoconductive layer
US3964904A (en) * 1974-08-22 1976-06-22 Xerox Corporation Manifold imaging member and process employing a dark charge injecting layer
JPS5160529A (en) * 1974-11-22 1976-05-26 Konishiroku Photo Ind Denshishashinkankozairyo
DE2730051C2 (de) * 1977-07-02 1986-01-02 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Elektrophotographisches Verfahren
JPS5466411U (pl) * 1977-10-19 1979-05-11
DE2954552C2 (pl) * 1978-03-03 1989-02-09 Canon K.K., Tokio/Tokyo, Jp
US4286033A (en) * 1980-03-05 1981-08-25 Xerox Corporation Trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device
US4330609A (en) * 1980-03-05 1982-05-18 Xerox Corporation Method of imaging a trapping layer overcoated inorganic photoresponsive device
US4889782A (en) * 1980-06-25 1989-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrostatic photocopying machine
JPS5711351A (en) * 1980-06-25 1982-01-21 Shunpei Yamazaki Electrostatic copying machine
US5545503A (en) * 1980-06-25 1996-08-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of making printing member for electrostatic photocopying
US5143808A (en) * 1980-06-25 1992-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing member for electrostatic photocopying
US5008171A (en) * 1980-06-25 1991-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing member for electrostatic photocopying
US5144367A (en) * 1980-06-25 1992-09-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing member for electrostatic photocopying
US4971872A (en) * 1980-06-25 1990-11-20 Shunpei Yamazaki Electrostatic photocopying machine
US4889783A (en) * 1980-06-25 1989-12-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Printing member for electrostatic photocopying
JPS57128344A (en) 1981-02-03 1982-08-09 Fuji Xerox Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5738436A (en) * 1980-08-21 1982-03-03 Fuji Xerox Co Ltd Electrophotographic receptor
JPS5782850A (en) * 1980-11-12 1982-05-24 Olympus Optical Co Ltd Electrophotographic method
JPS5782849A (en) * 1980-11-12 1982-05-24 Olympus Optical Co Ltd Electrophotographing method
JPS58162961A (ja) * 1982-03-24 1983-09-27 Fuji Photo Film Co Ltd 平板印刷板の製造方法
JPS60120361A (ja) * 1983-12-05 1985-06-27 Canon Inc 感光体
US5552253A (en) * 1995-03-31 1996-09-03 Xerox Corporation Multiple layer photoreceptor for color xerography
US6162570A (en) * 1996-03-29 2000-12-19 Oce Printing Systems Gmbh Electrophotographic printing process for printing a carrier
US7896950B2 (en) * 2006-02-21 2011-03-01 Yashen Xia Plasma-aided method and apparatus for hydrogen storage and adsorption of gases into porous powder
US9002237B2 (en) * 2011-07-13 2015-04-07 Xerox Corporation Electrostatic imaging member and methods for using the same

Also Published As

Publication number Publication date
JPS4925218B1 (pl) 1974-06-28
NL6914365A (pl) 1970-03-24
CH519188A (de) 1972-02-15
FR2018602B1 (pl) 1973-08-10
BE739153A (pl) 1970-03-19
DE1947905A1 (de) 1970-04-09
FR2018602A1 (pl) 1970-05-29
US3704121A (en) 1972-11-28
ES371685A1 (es) 1972-03-16
GB1272131A (en) 1972-04-26
DE1947905B2 (de) 1977-03-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL80288B1 (pl)
US3038799A (en) Method of reversing the image in xerography
DE2552115C2 (de) Verfahren zum bildmäßigen Aufladen eines Aufzeichnungsmaterials und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US3679405A (en) Electrophotographic element having a series of alternate photoconductive and insulating layers
US4170475A (en) High speed electrophotographic method
US3481669A (en) Photo-charging of xerographic plates
US3976484A (en) Screen electrophotographic process
DE1522567A1 (de) Verfahren zum Erzeugen elektrostatischer Bilder sowie hierfuer zu verwendende elektrofotografische Platten
CA1110482A (en) Imaging system with fluorescent and phosphorescent toner
US3942980A (en) Ion modulator device and method of using in positive and negative modes
US3455683A (en) Method of making reticle using a three-layer photoelectric element
US3615383A (en) Chargeless electrophotographic printing process
US4010031A (en) Electrophotographic system
US3898082A (en) Method of making a transparency of a colored image in a magneto-electric printing system
JPS5919335B2 (ja) 電子写真法
US3986872A (en) Method of increasing the image exposure and developing sensitivity of magneto-electric printing system
US3781108A (en) Method and apparatus for forming latent electrostatic images
US4022528A (en) Ion modulator having independently controllable bias electrode
US3697172A (en) Electrostatic photography
US3880513A (en) Electrophotography with a photoconductor coated fine mesh
US3853553A (en) Method for image transfer using persistent internal polarization
US4022527A (en) Ion modulator having independently controllable bias electrode
JPS61184584A (ja) 複写方法
US3649261A (en) Method for increasing the contrast of electrophotographic prints
US4086088A (en) Imaging methods for use with charged particle modulator device