PL67557B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL67557B1 PL67557B1 PL138496A PL13849670A PL67557B1 PL 67557 B1 PL67557 B1 PL 67557B1 PL 138496 A PL138496 A PL 138496A PL 13849670 A PL13849670 A PL 13849670A PL 67557 B1 PL67557 B1 PL 67557B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- arsenic
- selenide
- solution
- arsenic selenide
- hours
- Prior art date
Links
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 25
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 17
- -1 arsenic selenide Chemical class 0.000 claims description 16
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 claims description 6
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 claims description 6
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 claims description 5
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 claims description 3
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 claims description 3
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000011707 mineral Substances 0.000 claims description 2
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 2
- WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N arsenic triselenide Chemical compound [Se]=[As][Se][As]=[Se] WBFMCDAQUDITAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N diarsenic trioxide Chemical compound O1[As](O2)O[As]3O[As]1O[As]2O3 KTTMEOWBIWLMSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229910021653 sulphate ion Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000372 mercury(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Description
Zanie¬ czyszczenia takie, nieszkodliwe w wielu przypad¬ kach, wplywaja jednak ujemnie na wlasciwosci substancji swiatloczulych, gdzie wymagana jest szczególnie duza czystosc.Celem wynalazku jest opracowanie sposobu wy¬ twarzania metoda chemiczna swiatloczulego selen¬ ku arsenu o uziarnieniu i czystosci odpowiednich do sporzadzania swiatloczulych warstw elektrofo¬ tograficznych.W sposobie wedlug wynalazku, selenek arsenu o skladzie As2Se3, lub zblizonym, rozpuszcza sie w roztworze silnej zasady, np. w roztworze wodoro¬ tlenku sodowego stosujac 220g NaOH na 100 g se¬ lenku arsenu, a z otrzymanego alkalicznego roz¬ tworu zwiazków arsenu i selenu straca sie w tem¬ peraturze pokojowej swiatloczuly, drobnoziarnisty selenek arsenu przez dodanie silnego kwasu mine¬ ralnego, np. roztworu kwasu siarkowego stosujac 67 55767 557 280'g'HgSO4 na 100 g selenku arsenu. Stracanie se¬ lenku arsenu z alkalicznego roztworu zwiazków ar¬ senu i selenu mozna równiez prowadzic w tempe¬ raturze podwyzszonej, np. 75 — 85°C. Selenek ar¬ senu z alkalicznego roztworu zwiazków arsenu i se¬ lenu straca sie przez stopniowe dodawanie kwa¬ su w ciagu 1 — 100 godzin, korzystnie w ciagu 10 godzin.Otrzymany sposobem wedlug wynalazku selenek arsenu jest wysoko swiatloczuly i wykazuje uziar- nienie ponizej l^m. Warstwy swiatloczule wytwa¬ rzane z selenku arsenu otrzymanego tym sposo¬ bem odznaczaja sie równiez duza swiatloczulos- cia oraz korzystnym rozkladem widmowym swia- tloczulosci. Spelniaja one dobrze wszystkie wyma¬ gania stawiane warstwom swiatloczulym, stosowa¬ nym w technice elektrofotograficznej.Szczególy sposobu wytwarzania drobnoziarniste¬ go, swiatloczulego selenku arsenu sposobem wedlug wynalazku, wyjasniaja nastepujace przyklady.Przyklad I. Czysty selen i czysty arsen mie¬ sza sie w stosunku 3 mole selenu na 2 mole arsenu i zatapia w rurze kwarcowej opróznionej z powie¬ trza. Mieszanine stapia sie przez powolne nagrze¬ wanie i utrzymuje sie ja w stanie stopionym w cia¬ gu 6 godzin, mieszajac ja co 1/2 godziny. Rure otwiera sie po ochlodzeniu jej do temperatury oto¬ czenia. 100 g otrzymanego w ten sposób trójselenku ar¬ senu rozpuszcza sie w temperaturze pokojowej w 2 1 roztworu zawierajacego 220 g NaOH. Roztwór przesacza sie i dodaje sie do niego 4 1 wody.Do roztworu umieszczonego w kolbie z mieszad¬ lem mechanicznym wkrapla sie w ciagu 10 godzin podczas energicznego mieszania, 1 1 roztworu za¬ wierajacego 280 g H3SO4. Stracony selenek arsenu odsacza sie i przemywa kilkakrotnie woda, az* do usuniecia jonów siarczanowych w przesaczu. Pro¬ dukt suszy sie w temperaturze 105°C. Wydajnosc procesu okolo 95°/o w stosunku do wyjsciowych substratów, selenu i arsenu. Otrzymany produkt jest wysoko swiatloczuly i wykazuje uziarnienie poni¬ zej 1 /im.Przyklad II. 100 g czystego trójselenku arse¬ nu, otrzymanego w dowolny sposób, rozpuszcza sie 15 20 25 30 35 w 6 1 roztworu wodnego, zawierajacego 220 g NaOH.Roztwór przesacza sie. Roztwór podgrzewa sie do temperatury 75 — 85°C i w tej temperaturze do¬ daje sie do niego stopniowo, w ciagu 10 godzin 1 1 roztworu zawierajacego 280 g H2S04. Stracony se¬ lenek arsenu odsacza sie, przemywa i suszy, jak w przykladzie I. Wydajnosc procesu okolo 98°/o w stosunku do wyjsciowego trójselenku arsenu. Otrzy¬ many produkt jest wysokoswiatloczuly i wykazuje uziarnienie ponizej 1 wm.Przyklad III. 100 g czystego trójselenku ar¬ senu, otrzymanego w dowolny sposób, rozpuszcza sie w roztworze NaOH, jak w przykladzie II. Do roztworu dodaje sie 600 ml 20% roztworu H^O^ Roztwór z osadem rozgrzewa sie do 80°C i utrzymu¬ je sie w tej temperaturze w ciagu 4 godzin. Po ochlodzeniu do roztworu dodaje sie 800 ml 20% roz¬ tworu H2S04. Stracony selenek arsenu odsacza sie przemywa do zaniku siarczanów w przesaczu i su¬ szy, jak w przykladzie I. Wydajnosc jak w przykla¬ dzie II. Otrzymany produkt jest wysoko swiatloczu¬ ly i wykazuje uziarnienie ponizej 1 /«n. PL PL
Claims (3)
1. Zastrzezenia patentowe 1. Sposób wytwarzania drobnoziarnistego, swia¬ tloczulego selenku arsenu metoda mokra znamien¬ ny tym, ze selenek arsenu o skladzie As^Sej lub zblizonym rozpuszcza sie w roztworze silnej zasa¬ dy, takiej jak wodorotlenek sodowy, stosujac 220 g NaOH na 100 g selenku arsenu, a z otrzymanego alkalicznego roztworu zwiazków arsenu i selenu straca sie w temperaturze pokojowej albo podwyz¬ szonej swiatloczuly, drobnoziarnisty selenek arsenu przez dodanie silnego kwasu mineralnego, takiego jak kwas siarkowy, stosujac 280 g H2SO4 na 100 g selenku arsenu.
2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze stracanie selenku arsenu z alkalicznego roztworu zwiazków arsenu i selenu prowadzi sie w tempera¬ turze podwyzszonej 75—85qC.
3. Sposób wedlug zastrz. 1 i 2 znamienny tym, ze stracanie selenku arsenu z alkalicznego roztworu zwiazków arsenu i selenu prowadzi sie przez stop¬ niowe dodawanie kwasu siarkowego w ciagu 1 — 100 godzin, korzystnie w ciagu 10 godzin. RSW PWP W-wa, zam. 1240-73, nakl. 100 + 20 egz. Cena zl 10,— PL PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL67557B1 true PL67557B1 (pl) | 1972-10-31 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3201223A (en) | Method of preparation of silver powder having a protective gum coating | |
| PL67557B1 (pl) | ||
| US3810973A (en) | Method of preparing ferrites | |
| JPH04357114A (ja) | 超微粒子酸化亜鉛粉末の製造方法 | |
| JPH0457613B2 (pl) | ||
| CN101475149B (zh) | 一种硒化铋纳米颗粒的制备方法 | |
| FI93660C (fi) | Tapa liuottaa sinkkioksidia ja -silikaattia sisältävää materiaalia | |
| IL31921A (en) | Production of copper compounds and copper powder | |
| KR102112572B1 (ko) | 마그네사이트 광석으로부터 수산화마그네슘 분말의 제조 방법 및 수득된 수산화마그네슘 분말 | |
| JPH05319825A (ja) | 酸化第二銅の製造方法 | |
| JPH0513089B2 (pl) | ||
| JP2827616B2 (ja) | 封止材用錫酸亜鉛粉末およびその製造方法と用途 | |
| JPH06329411A (ja) | 薄片状遷移アルミナの製造方法 | |
| KR100368273B1 (ko) | 폐액과산화철을활용한니켈-동-아연페라이트원료의제조방법 | |
| Belcher et al. | Trifluoromethyl-substituted benziminazoles | |
| JPH032302A (ja) | 高純度微細銅粉の製造方法 | |
| JPS57155302A (en) | Preparation of copper powder | |
| JPH0526725B2 (pl) | ||
| RU2781920C1 (ru) | Способ переработки металлического висмута с получением висмута оксалата основного | |
| PL107946B1 (pl) | Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide | |
| KR19990050166A (ko) | 폐자원을 활용한 니켈-동-아연 페라이트 원료의 제조방법 | |
| JPS6051522B2 (ja) | 銀微粉末の製造方法 | |
| Ashfaq Nabi et al. | A comparative study on the synthesis and ion-exchange behaviour of tin (IV) salts of different heteropolyanions. Separations of metal ions on tin (IV) boratomolybdate columns. | |
| SU129655A1 (ru) | Способ удалени ртути из растворов антрахинон-1-сульфокислоты | |
| JPS62191428A (ja) | 塩化第１鉄水溶液中のニツケルの除去方法 |