PL107946B1 - Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide - Google Patents

Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide Download PDF

Info

Publication number
PL107946B1
PL107946B1 PL19847577A PL19847577A PL107946B1 PL 107946 B1 PL107946 B1 PL 107946B1 PL 19847577 A PL19847577 A PL 19847577A PL 19847577 A PL19847577 A PL 19847577A PL 107946 B1 PL107946 B1 PL 107946B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
grained
fine
arsenic
selenku
selenide
Prior art date
Application number
PL19847577A
Other languages
English (en)
Other versions
PL198475A1 (pl
Inventor
Krzysztof Schmidtszalowski
Jozef Moczulo
Wieslawa Lukaszek
Bogna Klarner
Original Assignee
Politechnika Warszawska
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Politechnika Warszawska filed Critical Politechnika Warszawska
Priority to PL19847577A priority Critical patent/PL107946B1/pl
Publication of PL198475A1 publication Critical patent/PL198475A1/pl
Publication of PL107946B1 publication Critical patent/PL107946B1/pl

Links

Landscapes

  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Description

Opis patentowy opublikowano: 15.11.1980 107946 Int. Cl.2 C01B 1»/M C(ttB29/0t GW3G5/04 Tweiey wynalazku: Krzysztof Schmidt-Szalowski, Józef Moczulo, Wie¬ slawa Lukaszek, Bogna Klamer Uprawniony z patentu: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania swiattoczulejo, diwfcmziamfeteg* selenku arsenu Przedmiotem* wynalazku jest sposób wytwarzania swiatlo¬ czulego, drobnoziarnistego selenku arsenu o skladzie zbfi- zonym do As^Sea.Drobnoziarnisty selenek arsenu o skladzie zblizonym do AsjSe^ jest znany jako fbtopraewodnik o duzej swiatló- czaiosct. Moze on byc stosowany do wytwarzania elemen¬ tów swiatloczulych kopiarek elektrofotograficznych.Wedlug polskiego opisu patentowego nr 66 466, w celu otrzymania elementu swiatloczulego, drobnoziarnisty se¬ lenek assesB miesza sit ze spoiwem lakierniczym o odpo- wiednisl* wiatnosciacii elektrycznych r x miciaaamy tej wytwarza sie warstwe: na odpowiednim podlozu: metalowym.Podloze to moze miec ksztalt plyty, bebna lub tasmy o wy- nrórack dostosowanych do rodzaju kopiarki, w której element: swiatloczuly ma byc zainstalowany.Wfasaoso fotoelektryczne tak otrzymanych elementów swiatloczulych zaleza miedzy innymi od postaci r waelkotci ziarna uzytego selenku arsenu. Wedlug polskich opisów patentowych nr 66 466 i nr 67 557 elementy swiatloczule o szczególnie korzystnych wlasnosciach uzyskuje sie z drob¬ noziarnistego selenku arsenu o srednicy ziarna nie wiekszej niz 1 /im.Znany sposób wytwarzania drobnoziarnistego selenku arsenu o srednicy ziarna ponizej 1 //m wedlug polskich opisów patentowych nr 67 557, 99 469 polega na rozpusz¬ czeniu litego selenku arsenu o skladzie zblizonym do As2Se3 w roztworze silnej zasady, na przyklad NaOH, a nastepnie zobojetnieniu zasady kwasem, przez co z roz¬ tworu straca sie drobnoziarnisty selenek arsenu. Lity se- lenek arsenu, który w tym procesie jest substratem, uzyskuje nr 15 20 25 sie zwykle przez stapianie selenu z arsenem w temperaturze 790—9QQ°Ck Proces syntezy sefenktr arsenu przez stapianie pierwiast¬ ków jest znany i opisany w literaturze. Selen i arsen, które w podwyzsaonej temperaturze sa lotne f latwo reaguja ztitnem powietrza, stapi* s*e zwykle w zatopionych szczek¬ nie pod próznia ampulkach kwaicow^h-.Taki sposób wytwarzania litego selenku arsenu bywa stosowany tylko w niewielkiej skali laboratoryjnej1, nato¬ miast nie jest on odpowiedni do wytwarzania tego pw- ddfcto w skali technicznej. Stapianie selenu z arsenem w ampulkaefc kwarcowych jest operacja klopotliwa, kosz¬ towna i wymaga bardzo starannej kontroli warunków procesu. V toku operacji wystepuje zagrozenie bez¬ pieczenstwa obslugi wynikajace z moznwoscr pekniecia ampulki w czasie fef ogrzewania4, przy czym do otoczenia moga przedostac mf silnie toksyczne zwiazki selenu i ar- serra. Nie znana jest dotychczas zadna mna metoda otrzy¬ mywania litego selenku arsenu na skale wieksza niz labo¬ ratoryjna.Celem wynalazku jest unikniecie niedogodnosci zwiaza¬ nych z operacja stapiania selenu z arsenem przez opraco¬ wanie sposobu wytwarzania drobnoziarnistego, swiatlo¬ czulego selenku arsenu o skladzie zblizonym do As^Se,* z selenu i arsenu w roztworze.Istota wynalazku polega na roztworzeniu mieszaniny selenu i arsenu w stosunku 1—2 mole Se na 1 mol As, korzystnie 1,5 mola Se na 1 mol As w mocnej zasadzie, korzystnie wodorotlenku sodowym lub potasowym i za¬ kwaszeniu otrzymanego alkalicznego roztworu zwiazków 107 946107 946 selenu i arsenu roztworem takim jak roztwór kwasu nie¬ organicznego lub organicznego lub nasyceniu gazowym dwutlenkiem wegla, do wytracenia drobnoziarnistego selenku arsenu.Wydajnosc procesu, zaleznie od doboru warunków, wy¬ nosi 75 do 95% w stosunku do masy substratów selenu i arsenu. Sposób wytwarzania swiatloczulego, drobnoziar¬ nistego selenku arsenu wedlug wynalazku moze byc sto¬ sowany zarówno w skali laboratoryjnej, jak i w skali te¬ chnicznej.W wyniku przeprowadzonych badan, stwierdzono ze do roztwarzania selenu i arsenu moga byc stosowane mocne zasady, przy czym korzystne jest stosowanie wodorotlenku sodowego lub potasowego. Podwyzszenie temperatury oraz mieszanie przyspiesza proces tworzenia sie rozpuszczalnych w srodowisku alkalicznym zwiazków selenu i arsenu, takich jak selenki, selenity, arseniny, seleno-arseniny i inne.W celu stracenia selenku arsenu z alkalicznego roztworu zwiazków selenu i arsenu mozna stosowac kwasy nieorga¬ niczne i organiczne, a takze gazowy dwutlenek wegla.Stosowanie kwasów organicznych ulatwia otrzymanie produktu o wysokiej czystosci. Selenek arsenu jest trwaly w srodowisku kwasnym i nie rozklada sie nawet pod wply¬ wem stezonych mocnych kwasów. Nalezy jednak unikac obecnosci w srodowisku reakcji substancji utleniajacych, np. kwasu azotowego o duzych stezeniach.Przeprowadzono badania, które wykazaly, ze otrzymany w ten sposób drobnoziarnisty selenek arsenu jest foto- przewodnikiem o duzej swiatloczulosci. Uzyto go do spo¬ rzadzania elementów swiatloczulych kopiarek elektrofoto¬ graficznych. W tym celu drobnoziarnisty selenek arsenu otrzymany sposobem wedlug wynalazku zmieszano ze spoi¬ wem lakierniczym i z mieszaniny tej sporzadzono warstwy swiatloczule na odpowiednich podlozach metalicznych o ksztalcie plyty lub bebna.Próby zastosowania tak wykonanych elementów swiatlo¬ czulych w kopiarkach elektrofotograficznych róznych typów wykazaly, ze jakosc uzyskiwanych na nich kopii jest lepsza, niz przy zastosowaniu elementów swiatloczulych zawierajacych selenek arsenu otrzymany wedlug dotych¬ czas stosowanego sposobu, przedstawionego w opisie pa¬ tentowym nr 67 557. Stwierdzono ponadto, ze elementy swiatloczule z drobnoziarnistego selenku arsenu otrzy¬ manego sposobem wedlug wynalazku moga byc z korzyscia stosowane w wysokosprawnych kopiarkach rotacyjnych.Nastepujace przyklady wyjasniaja szczególy procesu wytwarzania swiatloczulego, drobnoziarnistego selenku arsenu sposobem wedlug wynalazku.Przykladl. 1 kg czystego selenu i 0,63 kg czystego arsenu (czyli 1,5 mola Se na 1 mol As) rozpuszczono w roztworze 3 kg wodorotlenku sodowego w 2 1 wody de¬ stylowanej utrzymujac temperature roztworu 100 do 110°C.Alkaliczny roztwór zwiazków selenu i arsenu po chlodzeniu 10 15 20 25 30 35 40 45 50 przesaczono i rozcienczono przez dodanie kwasu siarkowe¬ go uzytego w nadmiarze w stosunku do uzytego wodoro¬ tlenku sodowego: 4 kg H2S04 w 12 1 wody destylowanej.Z roztworu stracil sie drobnoziarnisty selenek arsenu, który odsaczono na filtrze prózniowym i przemyto 5-krot- nie woda destylowana w celu usuniecia jonów sodowych i siarczanowych. Wydajnosc procesu wynosila 92% w sto¬ sunku do masy substratów: selenu i arsenu. Uzyskany produkt wykazywal wysoka swiatloczulosc.PrzykladH. Drobnoziarnisty selenek arsenu o szcze¬ gólnie wysokiej swiatloczulosci otrzymano przez rozpusz¬ czenie 1 kg selenu i 0,57 kg arsenu w roztworze zawierajacym 4,5 kg wodorotlenku potasowego rozpuszczonego wól wody destylowanej. W czasie rozpuszczania roztwór utrzy¬ mywano w stanie wrzenia pod chlodnica zwrotna. Otrzy¬ many roztwór przesaczono i rozcienczono jak w przykladzie I. Nastepnie alkaliczny roztwór zwiazków selenu i arsenu wprowadzono powoli, w ciagu 2 godzin do roztworu kwasu octowego zawierajacego 2,5 kg CH3COOH w 10 1 wody destylowanej. Przez caly czas roztwór mieszano energicz¬ nie za pomoca mieszadla mechanicznego utrzymujac go w stanie ruchu burzliwego. Stracony drobnoziarnisty selenek arsenu odsaczono na filtrze prózniowym i przemyto 3-krotnie woda destylowana. Uzyskano w tym procesie wydajnosc 88%.Przyklad III. Rozpuszczono 1 kg selenu i 0,7 kg arsenu w roztworze 6 kg wodorotlenku sodowego w 3 1 wody destylowanej. Roztwór przesaczono i rozcienczono jak .w przykladzie I. Nastepnie roztwór ten zakwaszono przez dodanie 6 kg kwasu mrówkowego rozpuszczonego w 12 1 wody destylowanej. Stracony drobnoziarnisty sele¬ nek arsenu odsaczono na filtrze prózniowym i przemyto 2-krotnie woda i 2-krotnie etanolem. Wydajnosc procesu wyniosla 89%.Przyklad IV. Alkaliczny roztwór zwiazków selenu i arsenu otrzymano i rozcienczono jak w przykladzie I.Roztwór ten nasycono dwutlenkiem wegla, który wprowa¬ dzono przez belkotke w ciagu 6 godzin. Z roztworu stracil sie drobnoziarnisty selenek arsenu, który odsaczono i prze¬ myto, jak w przykladzie I. Uzyskano wydajnosc 84%. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania swiatloczulego, drobnoziarnistego selenku arsenu o skladzie zblizonym do As2Se3, znamienny tym, ze mieszanine selenu i arsenu w stosunku 1—2 mole Se na 1 mol As, korzystnie 1,5 mola Se na 1 mol As, roz¬ twarza sie w mocnej zasadzie, korzystnie w wodorotlenku sodowym lub potasowym, a otrzymany alkaliczny roztwór selenu i arsenu zakwasza sie roztworem takim jak roztwór kwasu nieorganicznego lub organicznego lub nasyca dwu¬ tlenkiem wegla do wytracenia drobnoziarnistego selenku arsenu. LZG Z-d 3, te. 6fl2/lrt*/BO, liaiki. 100+20 egz. Cena 45 zl PL
PL19847577A 1977-05-28 1977-05-28 Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide PL107946B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19847577A PL107946B1 (pl) 1977-05-28 1977-05-28 Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19847577A PL107946B1 (pl) 1977-05-28 1977-05-28 Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL198475A1 PL198475A1 (pl) 1978-12-04
PL107946B1 true PL107946B1 (pl) 1980-03-31

Family

ID=19982769

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL19847577A PL107946B1 (pl) 1977-05-28 1977-05-28 Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL107946B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL198475A1 (pl) 1978-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Mi et al. Ag+ insertion into 3D hierarchical rose-like Cu 1.8 Se nanocrystals with tunable band gap and morphology genetic
US4484945A (en) Process for preparation of chalcogenide alloys by solution coreduction of a mixture of oxides
PL107946B1 (pl) Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide
JPH0422846B2 (pl)
US3014779A (en) Selenides and methods of making same
Ilavenil et al. K, Oxidation kinetics of Phenol, its derivatives and some para-substituted phenol by Pyrazinium chlorochromate in acidic medium: A Non-Linear Hammett Plots
Grozdanov et al. Fabrication of amorphous Sb2S3 films by chemical deposition
Sharma et al. Excellent flexible tin oxide-metal sulfide nanocomposites grown by spin coating chemical route
EP0101238B1 (en) Process for preparation of chalcogenide alloys by coreduction of esters
US2921834A (en) Process for preparing metal selenides
Toma et al. Effect of the Annealing Temperature on CdS Nanoparticles Synthesized by Chemical Precipitation Technique and also Characterized for its Potential Technological Applications. Nano Trends: A Journal of Nanotechnology and Its Applications. 2021; 23 (3): 20–28p
US4432841A (en) Preparation of chalcogenide alloys by electrochemical coreduction of esters
Salavati‐Niasari et al. Synthesis of bismuth sulfide nanostructures by using bismuth (III) monosalicylate precursor and fabrication of bismuth sulfide based p–n junction solar cells
US20100324155A1 (en) Preparation of inorganic foam
US4863508A (en) Process for the preparation of chalcogenide alloys by the solution oxidation of alkaline selenium and alkaline tellurium compounds
EP0160493A2 (en) Process for the preparation of chacogens and chalcogenide alloys of controlled average crystallite size
KR102040269B1 (ko) 히드록시 화합물의 제조 및 정제 방법
Blinn et al. Structure Proof of 2, 2-Bis-(4-fluorophenyl)-1, 1-dichloroethane1
KR100901879B1 (ko) 전하발생물질 및 전하발생물질의 제조방법
JPH0335064A (ja) 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法
Birnbaum et al. X-Ray Diffraction Studies of the System: Zn2TiO4-NiTiO3
Kokorina et al. One-Step Synthesis and Electrical Conductivity of CdSe-Based Nanocomposites
PL67557B1 (pl)
JPH03220193A (ja) 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法
Desai et al. Solution growth of As2S3 thin films from a thioacetamide bath