PL107946B1 - Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide - Google Patents
Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide Download PDFInfo
- Publication number
- PL107946B1 PL107946B1 PL19847577A PL19847577A PL107946B1 PL 107946 B1 PL107946 B1 PL 107946B1 PL 19847577 A PL19847577 A PL 19847577A PL 19847577 A PL19847577 A PL 19847577A PL 107946 B1 PL107946 B1 PL 107946B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- grained
- fine
- arsenic
- selenku
- selenide
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 21
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 5
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 title description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 claims description 40
- -1 arsenic selenide Chemical class 0.000 claims description 27
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 23
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M sodium hydroxide Inorganic materials [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 18
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 claims description 4
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910017000 As2Se3 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N [As].[Se] Chemical compound [As].[Se] QLNFINLXAKOTJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 5
- 229940065287 selenium compound Drugs 0.000 description 5
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 150000001495 arsenic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229940093920 gynecological arsenic compound Drugs 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000405965 Scomberomorus brasiliensis Species 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N a1010_sial Chemical compound O=[As]O[As]=O IKWTVSLWAPBBKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 229910000413 arsenic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002594 arsenic trioxide Drugs 0.000 description 1
- GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N arsenous acid Chemical class O[As](O)O GCPXMJHSNVMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000029087 digestion Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000020477 pH reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 210000002374 sebum Anatomy 0.000 description 1
- 150000003343 selenium compounds Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 231100000167 toxic agent Toxicity 0.000 description 1
- 239000002966 varnish Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
Opis patentowy opublikowano: 15.11.1980 107946 Int. Cl.2 C01B 1»/M C(ttB29/0t GW3G5/04 Tweiey wynalazku: Krzysztof Schmidt-Szalowski, Józef Moczulo, Wie¬ slawa Lukaszek, Bogna Klamer Uprawniony z patentu: Politechnika Warszawska, Warszawa (Polska) Sposób wytwarzania swiattoczulejo, diwfcmziamfeteg* selenku arsenu Przedmiotem* wynalazku jest sposób wytwarzania swiatlo¬ czulego, drobnoziarnistego selenku arsenu o skladzie zbfi- zonym do As^Sea.Drobnoziarnisty selenek arsenu o skladzie zblizonym do AsjSe^ jest znany jako fbtopraewodnik o duzej swiatló- czaiosct. Moze on byc stosowany do wytwarzania elemen¬ tów swiatloczulych kopiarek elektrofotograficznych.Wedlug polskiego opisu patentowego nr 66 466, w celu otrzymania elementu swiatloczulego, drobnoziarnisty se¬ lenek assesB miesza sit ze spoiwem lakierniczym o odpo- wiednisl* wiatnosciacii elektrycznych r x miciaaamy tej wytwarza sie warstwe: na odpowiednim podlozu: metalowym.Podloze to moze miec ksztalt plyty, bebna lub tasmy o wy- nrórack dostosowanych do rodzaju kopiarki, w której element: swiatloczuly ma byc zainstalowany.Wfasaoso fotoelektryczne tak otrzymanych elementów swiatloczulych zaleza miedzy innymi od postaci r waelkotci ziarna uzytego selenku arsenu. Wedlug polskich opisów patentowych nr 66 466 i nr 67 557 elementy swiatloczule o szczególnie korzystnych wlasnosciach uzyskuje sie z drob¬ noziarnistego selenku arsenu o srednicy ziarna nie wiekszej niz 1 /im.Znany sposób wytwarzania drobnoziarnistego selenku arsenu o srednicy ziarna ponizej 1 //m wedlug polskich opisów patentowych nr 67 557, 99 469 polega na rozpusz¬ czeniu litego selenku arsenu o skladzie zblizonym do As2Se3 w roztworze silnej zasady, na przyklad NaOH, a nastepnie zobojetnieniu zasady kwasem, przez co z roz¬ tworu straca sie drobnoziarnisty selenek arsenu. Lity se- lenek arsenu, który w tym procesie jest substratem, uzyskuje nr 15 20 25 sie zwykle przez stapianie selenu z arsenem w temperaturze 790—9QQ°Ck Proces syntezy sefenktr arsenu przez stapianie pierwiast¬ ków jest znany i opisany w literaturze. Selen i arsen, które w podwyzsaonej temperaturze sa lotne f latwo reaguja ztitnem powietrza, stapi* s*e zwykle w zatopionych szczek¬ nie pod próznia ampulkach kwaicow^h-.Taki sposób wytwarzania litego selenku arsenu bywa stosowany tylko w niewielkiej skali laboratoryjnej1, nato¬ miast nie jest on odpowiedni do wytwarzania tego pw- ddfcto w skali technicznej. Stapianie selenu z arsenem w ampulkaefc kwarcowych jest operacja klopotliwa, kosz¬ towna i wymaga bardzo starannej kontroli warunków procesu. V toku operacji wystepuje zagrozenie bez¬ pieczenstwa obslugi wynikajace z moznwoscr pekniecia ampulki w czasie fef ogrzewania4, przy czym do otoczenia moga przedostac mf silnie toksyczne zwiazki selenu i ar- serra. Nie znana jest dotychczas zadna mna metoda otrzy¬ mywania litego selenku arsenu na skale wieksza niz labo¬ ratoryjna.Celem wynalazku jest unikniecie niedogodnosci zwiaza¬ nych z operacja stapiania selenu z arsenem przez opraco¬ wanie sposobu wytwarzania drobnoziarnistego, swiatlo¬ czulego selenku arsenu o skladzie zblizonym do As^Se,* z selenu i arsenu w roztworze.Istota wynalazku polega na roztworzeniu mieszaniny selenu i arsenu w stosunku 1—2 mole Se na 1 mol As, korzystnie 1,5 mola Se na 1 mol As w mocnej zasadzie, korzystnie wodorotlenku sodowym lub potasowym i za¬ kwaszeniu otrzymanego alkalicznego roztworu zwiazków 107 946107 946 selenu i arsenu roztworem takim jak roztwór kwasu nie¬ organicznego lub organicznego lub nasyceniu gazowym dwutlenkiem wegla, do wytracenia drobnoziarnistego selenku arsenu.Wydajnosc procesu, zaleznie od doboru warunków, wy¬ nosi 75 do 95% w stosunku do masy substratów selenu i arsenu. Sposób wytwarzania swiatloczulego, drobnoziar¬ nistego selenku arsenu wedlug wynalazku moze byc sto¬ sowany zarówno w skali laboratoryjnej, jak i w skali te¬ chnicznej.W wyniku przeprowadzonych badan, stwierdzono ze do roztwarzania selenu i arsenu moga byc stosowane mocne zasady, przy czym korzystne jest stosowanie wodorotlenku sodowego lub potasowego. Podwyzszenie temperatury oraz mieszanie przyspiesza proces tworzenia sie rozpuszczalnych w srodowisku alkalicznym zwiazków selenu i arsenu, takich jak selenki, selenity, arseniny, seleno-arseniny i inne.W celu stracenia selenku arsenu z alkalicznego roztworu zwiazków selenu i arsenu mozna stosowac kwasy nieorga¬ niczne i organiczne, a takze gazowy dwutlenek wegla.Stosowanie kwasów organicznych ulatwia otrzymanie produktu o wysokiej czystosci. Selenek arsenu jest trwaly w srodowisku kwasnym i nie rozklada sie nawet pod wply¬ wem stezonych mocnych kwasów. Nalezy jednak unikac obecnosci w srodowisku reakcji substancji utleniajacych, np. kwasu azotowego o duzych stezeniach.Przeprowadzono badania, które wykazaly, ze otrzymany w ten sposób drobnoziarnisty selenek arsenu jest foto- przewodnikiem o duzej swiatloczulosci. Uzyto go do spo¬ rzadzania elementów swiatloczulych kopiarek elektrofoto¬ graficznych. W tym celu drobnoziarnisty selenek arsenu otrzymany sposobem wedlug wynalazku zmieszano ze spoi¬ wem lakierniczym i z mieszaniny tej sporzadzono warstwy swiatloczule na odpowiednich podlozach metalicznych o ksztalcie plyty lub bebna.Próby zastosowania tak wykonanych elementów swiatlo¬ czulych w kopiarkach elektrofotograficznych róznych typów wykazaly, ze jakosc uzyskiwanych na nich kopii jest lepsza, niz przy zastosowaniu elementów swiatloczulych zawierajacych selenek arsenu otrzymany wedlug dotych¬ czas stosowanego sposobu, przedstawionego w opisie pa¬ tentowym nr 67 557. Stwierdzono ponadto, ze elementy swiatloczule z drobnoziarnistego selenku arsenu otrzy¬ manego sposobem wedlug wynalazku moga byc z korzyscia stosowane w wysokosprawnych kopiarkach rotacyjnych.Nastepujace przyklady wyjasniaja szczególy procesu wytwarzania swiatloczulego, drobnoziarnistego selenku arsenu sposobem wedlug wynalazku.Przykladl. 1 kg czystego selenu i 0,63 kg czystego arsenu (czyli 1,5 mola Se na 1 mol As) rozpuszczono w roztworze 3 kg wodorotlenku sodowego w 2 1 wody de¬ stylowanej utrzymujac temperature roztworu 100 do 110°C.Alkaliczny roztwór zwiazków selenu i arsenu po chlodzeniu 10 15 20 25 30 35 40 45 50 przesaczono i rozcienczono przez dodanie kwasu siarkowe¬ go uzytego w nadmiarze w stosunku do uzytego wodoro¬ tlenku sodowego: 4 kg H2S04 w 12 1 wody destylowanej.Z roztworu stracil sie drobnoziarnisty selenek arsenu, który odsaczono na filtrze prózniowym i przemyto 5-krot- nie woda destylowana w celu usuniecia jonów sodowych i siarczanowych. Wydajnosc procesu wynosila 92% w sto¬ sunku do masy substratów: selenu i arsenu. Uzyskany produkt wykazywal wysoka swiatloczulosc.PrzykladH. Drobnoziarnisty selenek arsenu o szcze¬ gólnie wysokiej swiatloczulosci otrzymano przez rozpusz¬ czenie 1 kg selenu i 0,57 kg arsenu w roztworze zawierajacym 4,5 kg wodorotlenku potasowego rozpuszczonego wól wody destylowanej. W czasie rozpuszczania roztwór utrzy¬ mywano w stanie wrzenia pod chlodnica zwrotna. Otrzy¬ many roztwór przesaczono i rozcienczono jak w przykladzie I. Nastepnie alkaliczny roztwór zwiazków selenu i arsenu wprowadzono powoli, w ciagu 2 godzin do roztworu kwasu octowego zawierajacego 2,5 kg CH3COOH w 10 1 wody destylowanej. Przez caly czas roztwór mieszano energicz¬ nie za pomoca mieszadla mechanicznego utrzymujac go w stanie ruchu burzliwego. Stracony drobnoziarnisty selenek arsenu odsaczono na filtrze prózniowym i przemyto 3-krotnie woda destylowana. Uzyskano w tym procesie wydajnosc 88%.Przyklad III. Rozpuszczono 1 kg selenu i 0,7 kg arsenu w roztworze 6 kg wodorotlenku sodowego w 3 1 wody destylowanej. Roztwór przesaczono i rozcienczono jak .w przykladzie I. Nastepnie roztwór ten zakwaszono przez dodanie 6 kg kwasu mrówkowego rozpuszczonego w 12 1 wody destylowanej. Stracony drobnoziarnisty sele¬ nek arsenu odsaczono na filtrze prózniowym i przemyto 2-krotnie woda i 2-krotnie etanolem. Wydajnosc procesu wyniosla 89%.Przyklad IV. Alkaliczny roztwór zwiazków selenu i arsenu otrzymano i rozcienczono jak w przykladzie I.Roztwór ten nasycono dwutlenkiem wegla, który wprowa¬ dzono przez belkotke w ciagu 6 godzin. Z roztworu stracil sie drobnoziarnisty selenek arsenu, który odsaczono i prze¬ myto, jak w przykladzie I. Uzyskano wydajnosc 84%. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania swiatloczulego, drobnoziarnistego selenku arsenu o skladzie zblizonym do As2Se3, znamienny tym, ze mieszanine selenu i arsenu w stosunku 1—2 mole Se na 1 mol As, korzystnie 1,5 mola Se na 1 mol As, roz¬ twarza sie w mocnej zasadzie, korzystnie w wodorotlenku sodowym lub potasowym, a otrzymany alkaliczny roztwór selenu i arsenu zakwasza sie roztworem takim jak roztwór kwasu nieorganicznego lub organicznego lub nasyca dwu¬ tlenkiem wegla do wytracenia drobnoziarnistego selenku arsenu. LZG Z-d 3, te. 6fl2/lrt*/BO, liaiki. 100+20 egz. Cena 45 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL19847577A PL107946B1 (pl) | 1977-05-28 | 1977-05-28 | Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL19847577A PL107946B1 (pl) | 1977-05-28 | 1977-05-28 | Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL198475A1 PL198475A1 (pl) | 1978-12-04 |
| PL107946B1 true PL107946B1 (pl) | 1980-03-31 |
Family
ID=19982769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL19847577A PL107946B1 (pl) | 1977-05-28 | 1977-05-28 | Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL107946B1 (pl) |
-
1977
- 1977-05-28 PL PL19847577A patent/PL107946B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL198475A1 (pl) | 1978-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Mi et al. | Ag+ insertion into 3D hierarchical rose-like Cu 1.8 Se nanocrystals with tunable band gap and morphology genetic | |
| US4484945A (en) | Process for preparation of chalcogenide alloys by solution coreduction of a mixture of oxides | |
| PL107946B1 (pl) | Method of producing light-sensitive,fine-grained asposob wytwarzania swiatloczulego,drobnoziarnistego selenku arsenu rsenic selenide | |
| JPH0422846B2 (pl) | ||
| US3014779A (en) | Selenides and methods of making same | |
| Ilavenil et al. | K, Oxidation kinetics of Phenol, its derivatives and some para-substituted phenol by Pyrazinium chlorochromate in acidic medium: A Non-Linear Hammett Plots | |
| Grozdanov et al. | Fabrication of amorphous Sb2S3 films by chemical deposition | |
| Sharma et al. | Excellent flexible tin oxide-metal sulfide nanocomposites grown by spin coating chemical route | |
| EP0101238B1 (en) | Process for preparation of chalcogenide alloys by coreduction of esters | |
| US2921834A (en) | Process for preparing metal selenides | |
| Toma et al. | Effect of the Annealing Temperature on CdS Nanoparticles Synthesized by Chemical Precipitation Technique and also Characterized for its Potential Technological Applications. Nano Trends: A Journal of Nanotechnology and Its Applications. 2021; 23 (3): 20–28p | |
| US4432841A (en) | Preparation of chalcogenide alloys by electrochemical coreduction of esters | |
| Salavati‐Niasari et al. | Synthesis of bismuth sulfide nanostructures by using bismuth (III) monosalicylate precursor and fabrication of bismuth sulfide based p–n junction solar cells | |
| US20100324155A1 (en) | Preparation of inorganic foam | |
| US4863508A (en) | Process for the preparation of chalcogenide alloys by the solution oxidation of alkaline selenium and alkaline tellurium compounds | |
| EP0160493A2 (en) | Process for the preparation of chacogens and chalcogenide alloys of controlled average crystallite size | |
| KR102040269B1 (ko) | 히드록시 화합물의 제조 및 정제 방법 | |
| Blinn et al. | Structure Proof of 2, 2-Bis-(4-fluorophenyl)-1, 1-dichloroethane1 | |
| KR100901879B1 (ko) | 전하발생물질 및 전하발생물질의 제조방법 | |
| JPH0335064A (ja) | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 | |
| Birnbaum et al. | X-Ray Diffraction Studies of the System: Zn2TiO4-NiTiO3 | |
| Kokorina et al. | One-Step Synthesis and Electrical Conductivity of CdSe-Based Nanocomposites | |
| PL67557B1 (pl) | ||
| JPH03220193A (ja) | 結晶変換によるチタニルフタロシアニンの製造方法 | |
| Desai et al. | Solution growth of As2S3 thin films from a thioacetamide bath |