PL64800B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 30.111.1972 64800 KI. 21 c, 54/05 MKP H 01 c, 7/00 CZYTELN UKDi Wspóltwórcy wynalazku: Danuta Lusniak-Wójcicka, . Olgierda Sztaba, Edward Kaczmarczyk, Stanislaw Nowak, Bar¬ bara Konderak, Leszek Stanislawski Wlasciciel patentu: Zaklady Wytwórcze Podzespolów Telekomunikacyj¬ nych Przedsiebiorstwo Panstwowe Wyodrebnione, Kraków (Polska) \ Sposób wytwarzania grubowarstwowych rezystorów nieliniowych Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia grubowarstwowych rezystorów nieliniowych spelniajacych zaleznosc U=C.lP ° male3 staleJ c i malym wspólczynniku nieliniowosci ($.Dotychczas znane sposoby wytwarzania tego typu rezystorów wedlug patentów polskich Nr 48819 i Nr 50406 polegaly na wytworzeniu masy skla¬ dajacej sie z karborundu, glinki plastycznej, slu¬ zacej jako lepiszcze oraz weglika czteroboru B4C, z której prasuje sie ksztaltki, suszy w tempera¬ turze otoczenia i nastepnie wypala w temperatu¬ rze 1100 do 1400°C.Na ksztaltkach rezystywnych uzyskanych ta me¬ toda zamocowywane byly nastepnie koncówki wy¬ prowadzeniowe z drutu miedziowego, pocynowa- nego, sluzace do podlaczenia rezystora do obwo¬ du elektrycznego.Wada tej metody jest niemozliwosc wytwarzania rezystorów nieliniowych przy zachowaniu para¬ metrów elektrycznych, w gabarytach wymaganych w nowoczesnej technice grubowarstwowej mikro¬ ukladów.Wad tych nie posiada rozwiazanie wedlug wyna¬ lazku. Sposób wykonania rezystorów nieliniowych wedlug wynalazku polega na wytworzeniu pasty o skladzie: 70 do 94,9% karborundu, 5—29,9 PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe

1. Sposób wytwarzania grubowarstwowych rezy¬ storów nieliniowych o malej stalej C i równo¬ czesnym malym wspólczynniku nieliniowosci P okreslonych wzorem U=C. I[3, znamienny tym, ze na podloze ceramiczne z naniesiona uprzednio warstwa metaliczna stanowiaca schemat polaczen elektrycznych nanosi sie paste rezystywna o skla¬ dzie: 70 do 94,9 PL