PL49004B1 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
PL49004B1
PL49004B1 PL101725A PL10172563A PL49004B1 PL 49004 B1 PL49004 B1 PL 49004B1 PL 101725 A PL101725 A PL 101725A PL 10172563 A PL10172563 A PL 10172563A PL 49004 B1 PL49004 B1 PL 49004B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
elements
ceramic
thin
foil
microns
Prior art date
Application number
PL101725A
Other languages
English (en)
Inventor
inz. Jan Bekisz mgr
Original Assignee
Polska Akademia Nauk
Filing date
Publication date
Application filed by Polska Akademia Nauk filed Critical Polska Akademia Nauk
Publication of PL49004B1 publication Critical patent/PL49004B1/pl

Links

Description

Opublikowano: 25.1.1965 49004 KI. 21 g, 10/02 MKP IW / We Mo UKD ( pluLiOfEKA Twórca wynalazku: mgr inz. Jan Bekisz Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) j Urzedu Patentowego Sposób wytwarzania bardzo cienkich elementów ceramicznych grubosci ponizej 100 mikronów Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia bardzo cienkich elementów ceramicznych gru¬ bosci ponizej 100 mikronów.Do tworzyw ceramicznych zalicza sie tworzywa, które odznaczaja sie wysoka twardoscia, wysoka temperatura topnienia, kruchoscia, zdolnoscia spie¬ kania sie, otrzymywane np. z tlenków, weglików, siarczków, borków na drodze odpowiednich reakcji w fazie stalej lub w stanie stopionym.Znany sposób otrzymywania cienkich elementów ceramicznych polega na przygotowaniu cienkich warstw ceramicznych z wodnej zawiesiny odpo¬ wiednich surowców ceramicznych z dodatkiem po¬ limerów organicznych. Cienkie warstwy ceramicz* ne otrzymuje sie wylewajac odpowiednio przygoto¬ wana zawiesine ceramiczna na plyty pokryte folia organiczna. Po wysuszeniu naniesionej warstwy ceramicznej oddziela sie ja od folii organicznej.Z otrzymanej cienkiej warstwy ceramicznej w sta¬ nie surowym wycina sie zadanej wielkosci elemen¬ ty i poddaje odpowiedniej obróbce termicznej. Spo¬ sób ten nie pozwala otrzymywac folii ceramicznej grubosci ponizej 100 mikronów, ze wzgledu na duze trudnosci jakie nastrecza oddzielenie cienkiej war¬ stwy ceramicznej od podloza, którym jest folia or¬ ganiczna.Sposób wedlug wynalazku usuwa te trudnosci i pozwala na otrzymanie bardzo cienkich warstw ceramicznych grubosci ponizej 100 mikronów. 10 15 20 25 30 Odpowiednie materialy lut) surowce ceramiczne rozdrabnia sie w mlynku koloidalnym do uziarnie- nia ponizej 0,5 mikrona, a nastepnie przygotowuje sie zawiesine rozdrobnionego materialu w wodnym roztworze alkoholu poliwinylowego, z której przy¬ gotowuje sie cienkie warstwy metoda malowania lub natryskiwania na cienkiej elastycznej folii z tworzywa organicznego o gladkiej powierzchni, ni¬ skiej temperaturze topnienia i odpowiednio malej zawartosci popiolu np. na folii polietylenowej z polietylenu wysokocisnieniowego. Naniesiona war¬ stwe materialu ceramicznego na powierzchnie folii, z tworzywa organicznego suszy sie, a nastepnie nie oddzielajac warstwy ceramicznej od folii organicz¬ nej tnie na zadanej wielkosci elementy. Wyciete elementy umieszcza sie miedzy dwiema porowaty¬ mi plytami ceramicznymi i poddaje odpowiedniej obróbce termicznej wlasciwej dla danego materialu ceramicznego. Otrzymane w ten sposób bardzo cienkie elementy ceramiczne moga miec zastoso¬ wanie jako bardzo cienkie elementy dielektryczne, ferromagnetyczne lub pólprzewodnikowe.Sposób wytwarzania bardzo cienkich elementów ceramicznych grubosci ponizej 100 mikronów bli¬ zej jest opisany na przykladzie otrzymywania bar¬ dzo cienkich pólprzewodnikowych elementów opo¬ rowych z tlenków manganu i kobaltu.Przy wytwarzaniu pólprzewodnikowych elemen¬ tów oporowych moga miec zastosowanie rózne ma¬ terialy oporowe posiadajace duzy ujemny wspól- 49004 .49004 3 czynnik temperaturowy opornosci np. tlenki man¬ ganu, niklu, kobaltu, miedzi i zelaza. Zwykle sto¬ suje sie mieszaniny dwóch lub trzech tlenków, mie¬ dzy innymi mieszanine tlenków manganu i kobaltu.Tlenki manganu i kobaltu zmieszane w odpo- 5 wiednim stosunku rozdrabnia sie w mlynku koloi¬ dalnym do uziarnienia ponizej 0,5 mikrona, a na¬ stepnie przygotowuje sie zawiesine tlenków w 5% roztworze alkoholu poliwinylowego w wodzie, przy czym najkorzystniejszy stosunek wagowy 10 tlenków do 5% wodnego roztworu alkoholu poli¬ winylowego w zawiesinie wynosi 1 :2. Na folie po¬ lietylenowa z polietylenu wysokocisnieniowego grubosci 10—20 mikronów o odtluszczonej powierz¬ chni naklejona na plytke szklana, naklada sie me- 15 toda malowania lub natryskiwania warstwe z wy¬ mienionej zawiesiny tlenków zadanej grubosci. Po wysuszeniu naniesionej warstwy tlenków w tem¬ peraturze do 50°C, folie polietylenowa wraz z na¬ niesiona warstwa tlenków zdejmuje sie z plytki 20 szklanej i nie oddzielajac warstwy tlenków od folii polietylenowej tnie na odpowiedniej wielkosci ele¬ menty, które poddaje sie wlasciwej obróbce ter¬ micznej.Istota wynalazku jest opisany sposób ulozenia 25 elementów podczas obróbki termicznej przedsta¬ wiony na rysunku. Na srodkowej czesci powierz¬ chni plyty 4 z ceramiki wysokoglinowej o duzej porowatosci i odpowiednio plaskiej powierzchni uklada sie wyciete elementy 2 stanowiace warstwe tlenków wraz z podlozem w postaci folii polietyle¬ nowej. Na brzegach plyty ceramicznej 4 uklada sie podkladki ceramiczne 3 grubsze od wypalonych elementów o kilka do kilkunastu mikronów. Na¬ stepnie naklada sie górna plyte 1 z ceramiki wy¬ sokoglinowej o duzej porowatosci i dostatecznie plaskiej powierzchni, która spoczywa na podklad¬ kach 3 i nie naciska na elementy 2, po czym ulo¬ zone elementy poddaje sie obróbce termicznej.W pierwszym okresie ogrzewania folia polietyleno- 40 wa ulega stopieniu, a nastepnie czesciowemu roz¬ kladowi i wsiaka w porowata plyte z ceramiki wy¬ sokoglinowej. W miare dalszego ogrzewania do temperatury okolo 600°C produkty rozkladu folii polietylenowej ulegaja zwegleniu i spaleniu w.po- 45 rach plyty z ceramiki wysokoglinowej nie niszczac cienkiej warstwy tlenków. W tym samym czasie ulega rozkladowi, zwegleniu i spaleniu alkohol po¬ liwinylowy wprowadzony jako skladnik zawiesiny 30 35 tlenków. W drugim okresie obróbki termicznej istotnej dla danego pólprzewodnikowego materia¬ lu oporowego nastepuje synteza odpowiednich zwiazków typu spinel. Koncowa temperatura spie¬ kania mieszaniny tlenków manganu i kobaltu wy¬ nosi od 1150 do 1250°C.Opisany sposób ulozenia elementów miedzy dwiema plytami z ceramiki wysokoglinowej za¬ pewnia spiekanym elementom swobodne spiekanie i dostatecznie plaska powierzchnie po obróbce ter¬ micznej.Wykonane w powyzszy sposób pólprzewodniko¬ we elementy oporowe grubosci 10 do 20 mikronów wykazuja duza jednorodnosc budowy i bardzo ko¬ rzystne parametry elektryczne np.: opór powierz¬ chni elementu IX1 mm Przy grubosci 15 mikro- kronów jest równy w 25°C 1 Mom, wspólczynnik temperaturowy opornosci w 25°C — 4,6%/°C, ge¬ stosc mocy szumów nie wieksza od 2 • 10—20 W/Hz przy czestotliwosci 800 Hz. Wykonany z tych ele¬ mentów termistorowy detektor podczerwieni moze wykryc w ukladzie mostka Wheatstone'a z galwa- nometrem 1,1 X 10_9 A/dz moce rzedu 7 • 10—8 W.W zakresie fal 1,3 do 24 mikronów nie wykazuje orr selektywnosci. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania bardzo cienkich elementów ceramicznych grubosci ponizej 100 mikronów, po¬ legajacy na nakladaniu bardzo cienkiej warstwy z materialu ceramicznego na elastyczna folie orga¬ niczna, cieciu folii organicznej z naniesiona war¬ stwa ceramiczna na odpowiedniej wielkosci ele¬ menty, wypalaniu wycietych elementów miedzy porowatymi plytami ceramicznymi, znamienny tym, ze wyciete elementy (2) stanowiace warstwe cera¬ miczna wraz z podlozem w postaci folii organicz¬ nej np. folii polietylenowej, umieszcza sie na poro¬ watej plycie ceramicznej (4), gdzie dodatkowo ukla¬ da sie podkladki (3) o wiekszej grubosci od spieka¬ nych elementów (2), a nastepnie naklada sie górna porowata plyte ceramiczna (1), która spoczywa na podkladkach (3) i nie naciska na spiekane elemen¬ ty (2), po czym ulozone elementy poddaje sie ob¬ róbce termicznej, podczas której podloze z folii or¬ ganicznej topi sie, wsiaka w porowata plyte cera¬ miczna, gdzie spala sie nie niszczac spiekanej cien¬ kiej warstwy ceramicznej. ZG „Ruch" \V-vva, zam. 1773-64 r.&kiad 4C0 egz. PL
PL101725A 1963-05-28 PL49004B1 (pl)

Publications (1)

Publication Number Publication Date
PL49004B1 true PL49004B1 (pl) 1964-12-15

Family

ID=

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014228239A (ja) 熱処理容器
US2414793A (en) Method of making resistors
US2736080A (en) walker etal
JPH04229592A (ja) マイクロ波吸収発熱体及びその製造方法
US1081573A (en) Porous article.
PL49004B1 (pl)
US2021520A (en) Method of making bodies consisting of metallic oxides
US1756457A (en) Manufacture of objects consisting of refractory, insulating, abrasive, or like substances
JP4029170B2 (ja) 負特性サーミスタの製造方法
Fernandez et al. Processing and microstructure of porous and dense PZT thick films on Al2O3
Hase et al. Microstructure Development of Undoped Compact of Beta-SiC During Heating
JPH04247603A (ja) Ntcサーミスタ素子の製造方法
JP4433813B2 (ja) セラミックス及びその製造方法
JPH06207785A (ja) 加熱成型加工用セッターおよびその製法
JP4783489B2 (ja) 銀焼結体の製造方法及び簡易炉
JPH06267785A (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
US3249662A (en) Method of manufacturing ceramic articles by sintering preformed bodies and ceramic articles thus manufactured
JPH03238788A (ja) マイクロ波吸収発熱セラミック焼結体及びその使用方法
DE645870C (de) Widerstandsmaterial fuer UEberspannungsableiter
JPS61158875A (ja) 板状ニユ−セラミツクス複合材料並にその製造方法
KR0149200B1 (ko) 가스센서용 산화주석계 반도성 후막의 제조방법
JP2011088772A (ja) 磁器及びその製造方法
JPH02145301A (ja) 切欠き部を有するセラミックスシートの製造方法
JP4148149B2 (ja) ディーゼルパティキュレートフィルタ及びその製造方法
JPH04282879A (ja) 圧電アクチュエータおよびその製造方法