PL48976B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48976B1 PL48976B1 PL103974A PL10397464A PL48976B1 PL 48976 B1 PL48976 B1 PL 48976B1 PL 103974 A PL103974 A PL 103974A PL 10397464 A PL10397464 A PL 10397464A PL 48976 B1 PL48976 B1 PL 48976B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- region
- diffusion length
- minority carriers
- base
- minority
- Prior art date
Links
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 11.1.1965 KI 21g, 11/02 MKP H 01 1 iiiiliotekaI UKl Twórca wynalazku: mgr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Germanowa dioda warstwowa o logarytmicznej charakterystyce w kierunku przewodzenia W dotychczas wytwarzanych diodach germano¬ wych zakres liniowego przebiegu logarytmu pradu przewodzenia w funkcji napiecia przewodzenia jest bardzo waski i zazwyczaj obejmuje nie wiecej niz dwie dekady pradowe.Zgodnie z wynalazkiem germanowa dioda warst¬ wowa, której zakres liniowej zaleznosci logarytmu pradu przewodzenia w funkcji napiecia przewodze¬ nia obejmuje co najmniej cztery dekady prado¬ we, zbudowana jest zgodnie ze schematem przed¬ stawionym na zalaczonym rysunku, a konstrukcja jej musi spelniac nastepujace warunki: grubosc obszaru bazy diody W musi byc mniejsza niz Vio czesc dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszoscio¬ wych w jej obszarze, a kontakt bazy musi byc wykonany w postaci zlacza 1—h, przy czym obszar h, znajdujacy sie pomiedzy zlaczem 1—h a kon- 10 15 taktem omowym odprowadzenia elektrody bazy musi byc grubszy od odpowiadajacej mu dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Germanowa dioda warstwowa o logarytmicznej charakterystyce w kierunku przewodzenia, znamien¬ na tym, ze ma dwa zlacza p—n i 1—H o zblizonych wymiarach, przy czym odleglosc miedzy nimi jest mniejsza niz Vio czesc dlugosci dyfuzyjnej nosni¬ ków mniejszosciowych w obszarze bazy, natomiast obszar h posiada grubosc wieksza od dlugosci dy¬ fuzyjnej nosników mniejszosciowych w tym obsza¬ rze i zaopatrzony jest w niskoomowe odprowadze¬ nie o duzej predkosci rekombinacji nosników mniejszosciowych. 4897648976 zlocie p-n zlocze i-h PZG w Fab. 1093-64 400 egz. f. A-4 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48976B1 true PL48976B1 (pl) | 1964-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2983854A (en) | Semiconductive device | |
| US3495141A (en) | Controllable schottky diode | |
| ES364658A1 (es) | Un dispositivo semiconductor. | |
| US3693054A (en) | Semiconductor having a transistor, a thyristor and a diode in one body | |
| PL48976B1 (pl) | ||
| GB849477A (en) | Improvements in or relating to semiconductor control devices | |
| GB742238A (en) | Improvements in barrier layer cells | |
| JPS561579A (en) | Semiconductor device | |
| JPH11214743A (ja) | 側方に電流を伝搬する半導体層装置及びこのような半導体層装置を有する発光半導体ダイオード | |
| Byer | Electroluminescence in Amphoteric Silicon‐Doped GaAs Diodes. I. Steady‐State Response | |
| US3163562A (en) | Semiconductor device including differing energy band gap materials | |
| GB1268102A (en) | A semiconductor diode | |
| JPS561578A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| Buchanan et al. | On the dark currents in germanium Schottky-barrier photodetectors | |
| GB1222527A (en) | Improvements in or relating to semi-conductor devices | |
| SU119271A1 (ru) | Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой | |
| GB1252565A (pl) | ||
| SU339246A1 (ru) | Полупроводниковый многослойный перключающий прибор | |
| GB1351867A (en) | Semiconductor device and process for its manufacture | |
| PL48234B1 (pl) | ||
| PL55908B1 (pl) | ||
| GB925398A (en) | Improvements in or relating to semi-conductor switching devices | |
| GB1168255A (en) | Semiconductor Device | |
| GB973219A (en) | Semiconductive negative resistance circuit elements and devices | |
| EA037133B1 (ru) | Термоэлектрический генератор |