PL48976B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48976B1 PL48976B1 PL103974A PL10397464A PL48976B1 PL 48976 B1 PL48976 B1 PL 48976B1 PL 103974 A PL103974 A PL 103974A PL 10397464 A PL10397464 A PL 10397464A PL 48976 B1 PL48976 B1 PL 48976B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- region
- diffusion length
- minority carriers
- base
- minority
- Prior art date
Links
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 11.1.1965 KI 21g, 11/02 MKP H 01 1 iiiiliotekaI UKl Twórca wynalazku: mgr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Germanowa dioda warstwowa o logarytmicznej charakterystyce w kierunku przewodzenia W dotychczas wytwarzanych diodach germano¬ wych zakres liniowego przebiegu logarytmu pradu przewodzenia w funkcji napiecia przewodzenia jest bardzo waski i zazwyczaj obejmuje nie wiecej niz dwie dekady pradowe.Zgodnie z wynalazkiem germanowa dioda warst¬ wowa, której zakres liniowej zaleznosci logarytmu pradu przewodzenia w funkcji napiecia przewodze¬ nia obejmuje co najmniej cztery dekady prado¬ we, zbudowana jest zgodnie ze schematem przed¬ stawionym na zalaczonym rysunku, a konstrukcja jej musi spelniac nastepujace warunki: grubosc obszaru bazy diody W musi byc mniejsza niz Vio czesc dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszoscio¬ wych w jej obszarze, a kontakt bazy musi byc wykonany w postaci zlacza 1—h, przy czym obszar h, znajdujacy sie pomiedzy zlaczem 1—h a kon- 10 15 taktem omowym odprowadzenia elektrody bazy musi byc grubszy od odpowiadajacej mu dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Germanowa dioda warstwowa o logarytmicznej charakterystyce w kierunku przewodzenia, znamien¬ na tym, ze ma dwa zlacza p—n i 1—H o zblizonych wymiarach, przy czym odleglosc miedzy nimi jest mniejsza niz Vio czesc dlugosci dyfuzyjnej nosni¬ ków mniejszosciowych w obszarze bazy, natomiast obszar h posiada grubosc wieksza od dlugosci dy¬ fuzyjnej nosników mniejszosciowych w tym obsza¬ rze i zaopatrzony jest w niskoomowe odprowadze¬ nie o duzej predkosci rekombinacji nosników mniejszosciowych. 4897648976 zlocie p-n zlocze i-h PZG w Fab. 1093-64 400 egz. f. A-4 PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48976B1 true PL48976B1 (pl) | 1964-12-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2983854A (en) | Semiconductive device | |
| US3693054A (en) | Semiconductor having a transistor, a thyristor and a diode in one body | |
| US2793332A (en) | Semiconductor rectifying connections and methods | |
| PL48976B1 (pl) | ||
| GB849477A (en) | Improvements in or relating to semiconductor control devices | |
| Barnett et al. | OBSERVATION OF CURRENT FILAMENTS IN SEMI‐INSULATING GaAs | |
| GB742238A (en) | Improvements in barrier layer cells | |
| Byer | Electroluminescence in Amphoteric Silicon‐Doped GaAs Diodes. I. Steady‐State Response | |
| SE1751140A1 (en) | Feeder design with high current capability | |
| GB1268102A (en) | A semiconductor diode | |
| JPS561578A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| GB1045478A (en) | Apparatus exhibiting stimulated emission of radiation b | |
| Buchanan et al. | On the dark currents in germanium Schottky-barrier photodetectors | |
| US2953438A (en) | Heat treatment of silicon | |
| SU119271A1 (ru) | Плоскостной полупроводниковый диод с тонкой базой | |
| SU339246A1 (ru) | Полупроводниковый многослойный перключающий прибор | |
| GB1351867A (en) | Semiconductor device and process for its manufacture | |
| PL48234B1 (pl) | ||
| PL55908B1 (pl) | ||
| GB1168255A (en) | Semiconductor Device | |
| GB973219A (en) | Semiconductive negative resistance circuit elements and devices | |
| SWIT | Measurement of diffusion length of minority carriers in the region of a semi-conductor wherein the carriers are generated(Measurement of diffusion length of excess minority carriers in semiconductors in region where carriers are generated) | |
| GRINBLIUM | Theory of double injection in semiconductor p-i-n structures with nonideal contacts(Current-voltage characteristics for double injection processes in nonideal contact p-i-n semiconductors operating in ohmic relaxation mode) | |
| FR2266308A1 (en) | Semiconductor diode with improved forward characteristics - has diffusion produced pn-junction with one side impurities connection | |
| GB1243053A (en) | Semiconductor devices |