PL48234B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL48234B1 PL48234B1 PL101833A PL10183363A PL48234B1 PL 48234 B1 PL48234 B1 PL 48234B1 PL 101833 A PL101833 A PL 101833A PL 10183363 A PL10183363 A PL 10183363A PL 48234 B1 PL48234 B1 PL 48234B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- area
- minority carriers
- base
- diffusion length
- diode
- Prior art date
Links
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- 230000006798 recombination Effects 0.000 claims description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Description
Opublikowano: 5.YI.1964 48234 K, 21 g 11/02 MKP H 01 1 sin UKD aLIOTEKA Twórca wynalazku: mgr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Podstawowych Problemów Techniki), Warszawa (Polska) Pólprzewodnikowa dioda umozliwiajaca uzyskanie duzych gestosci pradu przewodzenia W dotychczas produkowanych pólprzewodniko¬ wych diodach typu p-n odprowadzenie bazy jest wykonane w postaci niskoomowego kontaktu od¬ znaczajacego sie duza predkoscia rekombinacji nosników mniejszosciowych. Cecha charakterysty¬ czna takiej diody jest wzrost gestosci pradu nasy¬ cenia ze zmniejszaniem grubosci obszaru bazy po¬ nizej grubosci odpowiadajacej dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych w tym obszarze.Wedlug wynalazku kontakt bazy wykonany jest w postaci dodatkowego zlacza l-h okreslonego jako skokowe przejscie pomiedzy obszarami pólprze¬ wodnika o tym samym typie przewodnictwa lecz o róznej koncentracji domieszek po obu stronach.Obszar 1 zlacza l-h o mniejszej koncentracji do¬ mieszek odpowiada obszarowi bazy diody, zas ob¬ szar h o wiekszej koncentracji domieszek odpowia¬ da obszarowi do którego wykonane jest niskoomo- we odprowadzenie bazy. Zlacze l-h usytuowane jest w stosunku do zlacza p-n w odleglosci mniej¬ szej niz dlugosc dyfuzyjna nosników mniejszoscio¬ wych w obszarze bazy diody. Grubosc obszaru h 2 jest wieksza od dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych w tym obszarze. Zlacza p-n i l-h diody posiadaja zblizone wymiary.Dioda o tej konstrukcji pozwala na uzyskanie znacznie wiekszej gestosci pradu przewodzenia niz zwykla dioda p-n z niskoomowym kontaktem bazy o duzej predkosci rekombinacji nosników mniej¬ szosciowych. PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Pólprzewodnikowa dioda umozliwiajaca uzyska¬ nie duzych gestosci pradu przewodzenia znamien¬ na tym, ze ma dwa zlacza (p-n) i (l-h) o zblizonych wymiarach, przy czym odleglosc miedzy nimi jest mniejsza od dlugosci dyfuzyjnej nosników mniej¬ szosciowych w obszarze bazy, natomiast obszar (h) posiada grubosc wieksza od dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych w tym obszarze i za¬ opatrzony jest w niskoomowe odprowadzenie o du¬ zej predkosci rekombinacji nosników mniejszo¬ sciowych.48234 zlacie p-n zlacie l-h ZG „Ruch" W^vra, jam. 423-64 naklad 408 egi. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL48234B1 true PL48234B1 (pl) | 1964-04-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Drummond et al. | Modulation-doped gaas/(al, ga) as heterojunction field-effect transistors: Modfets | |
| Wolley | Gate turn-off in pnpn devices | |
| CN105679814B (zh) | 功率用半导体装置 | |
| CN109891595A (zh) | 半导体装置 | |
| US4156246A (en) | Combined ohmic and Schottky output transistors for logic circuit | |
| KR910010735A (ko) | 반도체 장치 | |
| CN100521207C (zh) | 具有igbt和二极管的半导体器件 | |
| GB906036A (en) | Improvements in or relating to semi-conductor devices | |
| US3176147A (en) | Parallel connected two-terminal semiconductor devices of different negative resistance characteristics | |
| CN109216444A (zh) | 半导体装置 | |
| US3078196A (en) | Semiconductive switch | |
| PL48234B1 (pl) | ||
| GB849477A (en) | Improvements in or relating to semiconductor control devices | |
| US2915647A (en) | Semiconductive switch and negative resistance | |
| Hewlett | Schottky I/sup 2/L | |
| CN110943120B (zh) | 功率半导体晶体管 | |
| CN102290433B (zh) | 具有两级掺杂曲线的功率半导体器件 | |
| GB1232643A (pl) | ||
| JPS58192383A (ja) | 半導体装置 | |
| US3085310A (en) | Semiconductor device | |
| RU91651U1 (ru) | Полупроводниковое силовое устройство | |
| CA1083232A (en) | Logic circuit comprising two complementary transistors, exhibiting a high speed and a low power consumption | |
| JPS56150862A (en) | Semiconductor device | |
| JPS58162081A (ja) | 光スイツチング用の半導体発光デバイス | |
| US3369133A (en) | Fast responding semiconductor device using light as the transporting medium |