SU339246A1 - Полупроводниковый многослойный перключающий прибор - Google Patents
Полупроводниковый многослойный перключающий приборInfo
- Publication number
- SU339246A1 SU339246A1 SU7001488265A SU1488265A SU339246A1 SU 339246 A1 SU339246 A1 SU 339246A1 SU 7001488265 A SU7001488265 A SU 7001488265A SU 1488265 A SU1488265 A SU 1488265A SU 339246 A1 SU339246 A1 SU 339246A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- region
- control
- anode
- diffusion
- dielectric
- Prior art date
Links
Landscapes
- Thyristors (AREA)
Description
Изобретение относитс к полупроводниковым переключаюцдам устройствам.
Известны полупроводниковые многослойные переключающие устройства с горизонтальной структурой, например тиристоры. Эти устройства в интегральных монолитных схемах изолируютс от других элементов схемы диэлектриком, рашоло женным под анодной и управл ющей област ми.
Подобные полупроводниковые устройств малочувствительны к управл ющему сигналу.
В предложенном приборе повышена чувствительность к управл ющему; сигналу за счет расположени диэлектрика на рассто нии, меньше 2 L от анодной и управл ющей областей, где L - диффузионна длина неосновных носителей в области базы.
Область диэлектрика, непроницаема дл носителей , инжектированных из анодной и управл ющей областей, оказьшает существенное вли ние иа перенос носителей в области базы.
На чертеже показан предложенный прибор в разрезе.
Прибор содержит базу 1 (пластину исходного материала и-типа проводимости), анодную об1ласть 2 р-типа проводимости, на границе которой с
йзой 1 образован р-л-переход 3; управл ющую область 4 р-типа проводимости, на границе которой с базой 1 образован р-п-переход 5, катодную область 6 п-тмпа проводимости, созданную в управл к цей области 4 и образующую с ней р-л-переход 7, ограничивающую область 8, представл ющую собс диэлектрик и расположенную на рассто нии не больше 2 L от управл кмцей 4 и анодной 2 областей , KOHT&KtH 9, JO, 11.
Если к контакту 9 приложено напр жение положительной пол рности, к контакту 11 напр жение отрицательной пол рности, к контакту 10- напр жение управл ющего сигнала положительной пол рности, то вследствие действи положительной обратном св зи, сопровождающегос инжекцией неосновных носителей из области 2 в областьбазы 1, и из области 6 в область 4, устройство переходит в состо ние с малым сопротивлением , т.е. вклк аетс . Перенос и инжекци неосновных носителей в области базы 1 зависит от рассто ни между областью 8 и анодной 2 и управл ющей 4 област ми. Так как диффузи неосновных носителей в область 8 невозможна, то около области 8 образуетс избьтгочный градиент концентрации неосновных носителей, который в значительнс степени ослабл ет поток неосновных носителей, tOfxeK-mpyetOtOi вертикально вниз из областей 2 и 4. Рследствие этого коэффициент передачи через область базы становитс выше, чем в известных конструкщшх прк одинаковом кхто ние между област га 2 и 4.
Если указанное рассто ние менее 0,1 L, то чу: твительность к управл ющему сигналу устройства значительно повгшшетс , но напр жение переключши уменьшатс . Если же рассто ние между областью 8 и област ми 2 и 4 составл ет от 0,1 L до 2 Цто в устройстве сочетаютс высокие нш1р жени переключени и чувствительность к унравл гощрму сигналу. Если указанное рассто ние 2L, то иекотс ое повышение напр жени 1 ереключеш1 сопровождаетс значительным сни оетюм чувствительности к управл ющему сигналу
Claims (1)
- Изобретение может быть реализовано на основе современной технологии изготовлени полупроводниковых приборов: эпитакси на сапфире или шпинели, диффузи , ионное внедрение и др. Оно может бьпь использовано в тиристорных схемах, в частности в матрицах пам ти, в схемах управлени злектролюминесцентными индикаторами. Формула изобретениПолупроводниковый многослойный переключаюший прибор, например тиристор, с горизонтальной структурой, вьшолненный в изолированном кармане, отличающийс тем, что, с целью повышени чувствительности прибора к сигналу управле ш , рассто ние между диэлектри|ком и анодной и управл ющей областью не превыщает двух диффузионных длин неосновных носителей в базе.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU7001488265A SU339246A1 (ru) | 1970-11-02 | 1970-11-02 | Полупроводниковый многослойный перключающий прибор |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU7001488265A SU339246A1 (ru) | 1970-11-02 | 1970-11-02 | Полупроводниковый многослойный перключающий прибор |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU339246A1 true SU339246A1 (ru) | 1977-07-05 |
Family
ID=20459186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU7001488265A SU339246A1 (ru) | 1970-11-02 | 1970-11-02 | Полупроводниковый многослойный перключающий прибор |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU339246A1 (ru) |
-
1970
- 1970-11-02 SU SU7001488265A patent/SU339246A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3476993A (en) | Five layer and junction bridging terminal switching device | |
US2993154A (en) | Semiconductor switch | |
US3697833A (en) | Light activated thyristor | |
GB1057823A (en) | Improvements in semiconductor switch | |
US4286279A (en) | Multilayer semiconductor switching devices | |
ES348224A1 (es) | Dispositivo conmutador de semiconductor. | |
US3508127A (en) | Semiconductor integrated circuits | |
US3858236A (en) | Four layer controllable semiconductor rectifier with improved firing propagation speed | |
GB971261A (en) | Improvements in semiconductor devices | |
US3210563A (en) | Four-layer semiconductor switch with particular configuration exhibiting relatively high turn-off gain | |
GB875674A (en) | Improvements in or relating to semiconductive devices | |
US4195306A (en) | Gate turn-off thyristor | |
SU339246A1 (ru) | Полупроводниковый многослойный перключающий прибор | |
KR900005564B1 (ko) | 반도체 장치 구조체 | |
US3742318A (en) | Field effect semiconductor device | |
US4190853A (en) | Multilayer semiconductor switching devices | |
US3324357A (en) | Multi-terminal semiconductor device having active element directly mounted on terminal leads | |
US3260901A (en) | Semi-conductor device having selfprotection against overvoltage | |
KR940006281A (ko) | 반도체 장치 | |
US4231054A (en) | Thyristor with starting and generating cathode base contacts for use in rectifier circuits | |
US3697830A (en) | Semiconductor switching device | |
US3504241A (en) | Semiconductor bidirectional switch | |
JPS623987B2 (ru) | ||
US3284680A (en) | Semiconductor switch | |
GB1254500A (en) | Semiconductor device |