SU339246A1 - Полупроводниковый многослойный перключающий прибор - Google Patents

Description

Изобретение относитс  к полупроводниковым переключаюцдам устройствам.

Известны полупроводниковые многослойные переключающие устройства с горизонтальной структурой, например тиристоры. Эти устройства в интегральных монолитных схемах изолируютс  от других элементов схемы диэлектриком, рашоло женным под анодной и управл ющей област ми.

Подобные полупроводниковые устройств малочувствительны к управл ющему сигналу.

В предложенном приборе повышена чувствительность к управл ющему; сигналу за счет расположени  диэлектрика на рассто нии, меньше 2 L от анодной и управл ющей областей, где L - диффузионна  длина неосновных носителей в области базы.

Область диэлектрика, непроницаема  дл  носителей , инжектированных из анодной и управл ющей областей, оказьшает существенное вли ние иа перенос носителей в области базы.

На чертеже показан предложенный прибор в разрезе.

Прибор содержит базу 1 (пластину исходного материала и-типа проводимости), анодную об1ласть 2 р-типа проводимости, на границе которой с

йзой 1 образован р-л-переход 3; управл ющую область 4 р-типа проводимости, на границе которой с базой 1 образован р-п-переход 5, катодную область 6 п-тмпа проводимости, созданную в управл  к цей области 4 и образующую с ней р-л-переход 7, ограничивающую область 8, представл ющую собс  диэлектрик и расположенную на рассто нии не больше 2 L от управл кмцей 4 и анодной 2 областей , KOHT&KtH 9, JO, 11.

Если к контакту 9 приложено напр жение положительной пол рности, к контакту 11 напр жение отрицательной пол рности, к контакту 10- напр жение управл ющего сигнала положительной пол рности, то вследствие действи  положительной обратном св зи, сопровождающегос  инжекцией неосновных носителей из области 2 в областьбазы 1, и из области 6 в область 4, устройство переходит в состо ние с малым сопротивлением , т.е. вклк аетс . Перенос и инжекци  неосновных носителей в области базы 1 зависит от рассто ни  между областью 8 и анодной 2 и управл ющей 4 област ми. Так как диффузи  неосновных носителей в область 8 невозможна, то около области 8 образуетс  избьтгочный градиент концентрации неосновных носителей, который в значительнс степени ослабл ет поток неосновных носителей, tOfxeK-mpyetOtOi вертикально вниз из областей 2 и 4. Рследствие этого коэффициент передачи через область базы становитс  выше, чем в известных конструкщшх прк одинаковом кхто ние между област  га 2 и 4.

Если указанное рассто ние менее 0,1 L, то чу: твительность к управл ющему сигналу устройства значительно повгшшетс , но напр жение переключши  уменьшатс . Если же рассто ние между областью 8 и област ми 2 и 4 составл ет от 0,1 L до 2 Цто в устройстве сочетаютс  высокие нш1р жени  переключени  и чувствительность к унравл гощрму сигналу. Если указанное рассто ние 2L, то иекотс ое повышение напр жени  1 ереключеш1  сопровождаетс  значительным сни оетюм чувствительности к управл ющему сигналу

Claims (1)

1. Изобретение может быть реализовано на основе современной технологии изготовлени  полупроводниковых приборов: эпитакси  на сапфире или шпинели, диффузи , ионное внедрение и др. Оно может бьпь использовано в тиристорных схемах, в частности в матрицах пам ти, в схемах управлени  злектролюминесцентными индикаторами. Формула изобретени 

   Полупроводниковый многослойный переключаюший прибор, например тиристор, с горизонтальной структурой, вьшолненный в изолированном кармане, отличающийс  тем, что, с целью повышени  чувствительности прибора к сигналу управле ш , рассто ние между диэлектри|ком и анодной и управл ющей областью не превыщает двух диффузионных длин неосновных носителей в базе.