PL55908B1 - - Google Patents

Description

Pierwszenstwo: Opublikowano: 15. X. 1968 55908 KI. 21 g, 11/02 MKP H 01 1 t/OO *- lllLIOTEKAl utffc a*h Pu*H iii mmm Twórca wynalazku: dr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elektronowej), Warszawa (Polska) Germanowa dioda warstwowa o kwadratowej zaleznosci pradu przewodzenia od napiecia Przedmiotem wynalazku jest germanowa dioda warstwowa o kwadratowej zaleznosci pradu prze¬ wodzenia od napiecia.Znane i stosowane dotychczas przyrzady pól¬ przewodnikowe o kwadratowej zaleznosci pradu przewodzenia od napiecia nie sa oparte na dzialaniu zlacza p-n. Kwadratowa zaleznosc pradu od na¬ piecia uzyskuje sie w przyrzadach, w których przeplyw pradu ograniczony jest ladunkiem prze¬ strzennym, przy czym zaleznosc ta jest sluszna tylko w pewnym zakresie charakterystyki.Wynalazek stawia sobie za cel opracowanie przy¬ rzadu pólprzewodnikowego opartego na dzialaniu zlacza p-n, w którym zaleznosc pradu przewodze¬ nia w funkcji kwadratu napiecia obejmuje co naj¬ mniej dwie dekady pradowe.Cel ten wedlug wynalazku osiagnieto przez wy¬ konanie diody z germanu o dwóch zlaczach p-n i 1-h, w której grubosc obszaru bazy musi byc wieksza od dlugosci dyfuzyjnej nosników mniej¬ szosciowych w tym obszarze, a kontakt bazy sta¬ nowi zlacze 1-h, przy czym grubosc obszaru „h" jest wieksza od odpowiadajacej mu dlugosci dy¬ fuzyjnej nosników mniejszosciowych.Germanowa dioda wedlug wynalazku zostanie objasniona blizej na podstawie rysunku.Dioda sklada sie z dwóch zlacz p-n i 1-h, przy czym zlacze 1-h spelnia role kontaktu bazy b. Gru¬ bosc W obszaru bazy b jest wieksza od dlugosci dyfuzyjnej nosników mniej szoscowych w tym 10 15 20 25 30 2 obszarze, natomiast grubosc obszaru „h" zlacza 1-h jest wieksza od odpowiadajacej mu dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszosciowych. Poniewaz zawsze istnieje rozrzut parametrów diody, wyni¬ kajacy z rozrzutu parametrów pólprzewodnika i innych stosowanych materialów, mozna dokonac korekty charakterystyki diod przez zmiane srednic 0 i 0Jh zlacz p-n i 1-h na drodze trawienia elek¬ trolitycznego tych zlacz. PL

Claims (1)

Zastrzezenia patentowe Germanowa dioda warstwowa o kwadratowej zaleznosci pradu przewodzenia od napiecia, za¬ wierajaca dwa zlacza p-n i

1. -h, znamienna tym, ze grubosc (W) obszaru bazy (b) jest wieksza ód dlugosci dyfuzyjnej nosników mniejszoscio¬ wych w tym obszarze, a grubosc obszaru „h" zlacza (1-h) spelniajacego role kontaktu bazy jest wieksza od odpowiadajacej mu odleglosci dyfu¬ zyjnej nosników mniejszosciowych. Germanowa dioda wedlug zastrz. 1, znamienna tym, ze korekcja charakterystyki pradowo-napie- ciowej uzyskiwana jest przez zmiane srednic zlacz (p-n) i (1-h). 55908KI. 21 g, 11/02 55908 MKP H 01 1 Krak 1, zam. 310 VIII. 68 400 PL