PL57102B1 - - Google Patents

Description

Opublikowano: 30.VI.1969 57102 KI. 21 g, 11/02 MKP HM1 S/ft UKD Twórca wynalazku: dr inz. Jerzy Pultorak Wlasciciel patentu: Polska Akademia Nauk (Instytut Technologii Elektro¬ nowej), Warszawa (Polska) Przyrzad pólprzewodnikowy Wynalazek dotyczy przyrzadu pólprzewodnikowe¬ go, którego dzialanie opiera sie na wykorzystaniu elektrycznych wlasnosci zlacza 1 — h.W znanych konstrukcjach przyrzadów pólprze¬ wodnikowych zlacze 1 — h stanowi element wspól¬ pracujacy ze zlaczem p — n. Na tej zasadzie kon¬ struowane sa diody o logarytmicznej charaktery¬ styce bedace przedmiotem patentu polskiego nr 48976 lub potegowej zaleznosci pradu przewodzenia od napiecia, jak równiez fotodioda wielkiej cze¬ stotliwosci.W znanych konstrukcjach fotoelektrycznych przy¬ rzadów pólprzewodnikowych kontakty sa wyko¬ nywane jako kontakty powierzchniowe typu p+, p lub n+, n uzyskane np. przez napylenie. Sa to kontakty typu metal-pólprzewodnik charakteryzu¬ jace sie bardzo duza szybkoscia rekombinacji nos¬ ników mniejszosciowych. Nie sa to zlacza typu 1 — h, bo nie maja obszaru h.W przeciwienstwie do tego zlacze 1 — h ma silnie domieszkowana warstwe pólprzewodnika (obszar h).Celem wynalazku jest stworzenie przyrzadu pól¬ przewodnikowego o duzej czulosci i latwego do wy¬ konania.Wynalazek dotyczy przyrzadu pólprzewodnikowe¬ go, którego dzialanie opiera sie wlasnie na wyko¬ rzystaniu elektrycznych wlasnosci dwóch zlacz 1 — h. Istote wynalazku stanowia dwa zlacza 1 — h, a zawarty miedzy nimi obszar ma grubosc mniejsza od dlugosci dyfuzyjnej nosników mniej- 10 20 30 szosciowych w nim, natomiast obydwa obszary ty¬ pu „h" maja grubosci wieksze od dlugosci dyfu¬ zyjnej nosników mniejszosciowych w tych obsza¬ rach.Przyrzad wedlug wynalazku przedstawiony jest na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia jego sche¬ matyczny rysunek, fig. 2 — charakterystyke pra- dowo-napieciowa, fig. 3 — jego charakterystyke po- jemnosciowo-napieciowa.Obszar 1 pólprzewodnika o duzej opornosci wla- sciowej i grubosci W mniejszej niz dlugosc dyfu¬ zyjna nosników mniejszosciowych w tym obszarze, znajduje sie pomiedzy dwoma obszarami h silnie do¬ mieszkowanego pólprzewodnika o tym samym ty¬ pie przewodnictwa. W ten sposób powstaje przy¬ rzad o dwóch zlaczach 1 — h. Obszary h maja gru¬ bosci wieksze od odpowiadajacych im dlugosci dy¬ fuzyjnych nosników mniejszosciowych i zaopa¬ trzone sa w niskoomowe odprowadzenia C.Przyrzad pólprzewodnikowy z dwoma zlaczami 1 — h ma symetryczna, nieliniowa charakterysty¬ ke pradowo-napieciowa. Na fig. 2 przedstawione sa charakterystyki przy róznych wartosciach stru¬ mienia swietlnego cp. Nachylenie tej charakterysty¬ ki w zakresie bardzo malych napiec polaryzacji wynika z opornosci wlasciwej obszaru 1 i wymiarów geometrycznych przyrzadu i maleje w miare wzro¬ stu napiecia polaryzacji. Ponadto ma symetryczna, nieliniowa charakterystyke pojemnosciowo-napie- ciowa (fig. 3), przy czym wartosc pojemnosci ma- 57 10257 102 leje w miare wzrostu napiecia polaryzacji. Charak¬ teryzuje sie równiez bardzo duza czuloscia foto- elektryczna. PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Przyrzad pólprzewodnikowy znamienny tym, ze stanowia go dwa zlacza (1 — h) o zblizonych wy¬ miarach, przy czym grubosc zawartego pomiedzy nimi obszaru (1) jest mniejsza niz dlugosc dyfu¬ zyjna nosników mniejszosciowych w tym obszarze, natomiast obydwa obszary silniej domieszkowane (h) maja grubosci wieksze od dlugosci dyfuzyjnych nos¬ ników mniejszosciowych w tych obszarach i sa zaopatrzone w niskoomowe odprowadzenia (C). ngJKi 21 g, 11/02 57 102 MKP H 01 1 MA 200 900 13 ^^"^ * a -aoO^ f 4 2 « ^ ^ ^S ' 4 #* B (J[VJ ? f#.2 -51/ frO 0.5 l n —' ' ' < 1 -/ 0 ..) +5y Fig. 3 PL