PL45124B1 - - Google Patents

Description

Wiadomo, ze czulosc widmowa selenowych ogniw fotoelektrycznych dopasowuje sie do krzy¬ wej czulosci oka ludzkiego lub emulsji fotogra¬ ficznej, przez nakladanie obcych powlok na warstwe selenu, np. w postaci warstw posred¬ nich albo przez stosowanie elektrod pokrywa¬ jacych wykonanych z róznych metali lub pól¬ przewodników. Istnieja jednak takze zakresy za¬ stosowania selenowych fotokomórek warstwowo- zaporowych, w których pracuja one w innym zakresie widmowym na przyklad w poblizu pro¬ mieni podczerwonych. Ma to miejsce np. w przy¬ rzadach do okreslenia zawartosci tlenu we krwi.W przyrzadzie tym jest np. niezbedne, aby za¬ stosowane w nim ogniwo fotoelektryczne wyka¬ zywalo wysoka czulosc jeszcze w zakresie fal o dlugosci okolo 800 mu.Jest wprawdzie znane, ze przez wprowadzenie dodatku Te, Tl, Cd albo Ag mozna spowodowac *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze twórca wy¬ nalazku jest dr Alfred Krohs. przesuniecie maksimum widma selenowych foto¬ komórek warstwowo-zaporowych do zakresu wiekszych dlugosci fal. Jednak przy zastosowa¬ niu tych srodków granica czulosci nie znajduje sie juz przy 800 m^ tak, ze czulosc tego rodzaju fotoelementów przy dlugosci fal 800 mu nie wystarcza dla celów technicznych wymienione¬ go rodzaju.Wynalazek dotyczy selenowej fotokomórki warstwowo zaporowej ze zwiekszona czuloscia na promienie podczerwone, w której drugie wa¬ skie maksimum czulosci lezy w zakresie fal o dlugosci od 770 do 800 mu.Wedlug wynalazku tego rodzaju widmowy roz¬ dzial czulosci osiaga sie dzieki temu, ze stosuje sie posrednia warstwe z indu, która jest oddzie¬ lona od podstawowego metalu selenowego foto¬ komórki inna metalowa czescia skladowa, wy¬ konana np. ze srebra.Warstwa posrednia z indu moze byc równiez naniesiona przez odparowanie lub katodowe roz¬ pylenie w atmosferze gazu. Wskazane jest rów*niez posrednia warstwe poddac obróbce cieplnej w prózjni, powietrzu lub w atmosferze gazowej, przy czym miedzy zastosowana temperatura a panujacymi warunkami cisnienia istnieje sci¬ sla relacja. Obróbke przeprowadzic mozna w za¬ kresie cisnien od cisnienia atmosferycznego do okolo 10-4 Torr, przy czym potrzebne odpowied¬ nio do zastosowanego cisnienia temperatury leza w granicach od 280 do 130°C.Przy stosowaniu warstwy posredniej z indu jest celowym poddanie jej obróbce cieplnej w prózni, powietrzu albo w atmosferze gazowej przy okreslonym cisnieniu. Krzywa czulosci wid¬ mowej, selenowej fotokomórki warstwowo-zapo- rowej wedlug wynalazku wykazuje w zakresie fal o dlugosci od 770 do QjH) jjfijm drugie waskie maksimum, które w przeliczeniu na maksimum tej samej energii w ogniwie fotoelektrycznym w zakresie widzialnym posiada okolo 30% wy¬ sokosci zwyklego maksimum, przy czym czulosc ogniwa w zakresie widzialnym w obszarze mak¬ simum odpowiada normalnemu ogniwu fotoelek- trycznemu. Przez umieszczenie wars?,w.v metalo¬ wej miedzy zasadniczym metalem selenu i war¬ stwa posrednia — ind, która moze skladac sie rtp. ze srebra, .mozna wplywac w okreslonych granicach na wysokosc jak równiez ria poloze¬ nie czulosci widmowej. PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Selenowa fotokomórka warstwowo-zaporowa o zwiekszonej czulosci na promienie podczer¬ wone przez dodatek domieszek do selenu lub dodanie warstw posrednich, znamienna tym, ze zawiera warstwe posrednia z indu, która jest oddzielona od podstawowego metalu se¬ lenowego fotokomórki za pomoca metalowej czesci skladowej np. ze srebra.

2. Sposób wytwarzania selenowej fotokomórki warstwowo-zaporowej wedlug zastrz. 1, zna¬ mienny tym, ze posrednia warstwe z indu poddaje sie obróbce cieplnej w prózni, w po- . .wietrzu lub atmosferze gazu ^przy okreslo¬ nych warunkach cisnienia, najlepiej pod cis¬ nieniem od atmosferycznego do 10-4 Torr i w zakresie temperatur od 218 do 130°C. VEB Carl Zeiss, Jena Zastepca: dr Andrzej Au rzecznik patentowy. 1790. RSW „Prasa", Kielce. PL