PL45527B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL45527B1 PL45527B1 PL45527A PL4552760A PL45527B1 PL 45527 B1 PL45527 B1 PL 45527B1 PL 45527 A PL45527 A PL 45527A PL 4552760 A PL4552760 A PL 4552760A PL 45527 B1 PL45527 B1 PL 45527B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- separating
- photoelectric cell
- cell according
- sensitivity
- Prior art date
Links
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 17
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 5
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 4
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052946 acanthite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940112669 cuprous oxide Drugs 0.000 description 1
- AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N indium(3+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Se-2].[Se-2].[In+3].[In+3] AKUCEXGLFUSJCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N silver sulfide Chemical compound [S-2].[Ag+].[Ag+] XUARKZBEFFVFRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940056910 silver sulfide Drugs 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
Znany jest caly szereg sposobów wplywania na rozklad czulosci w widmie selenowego ogniwa fotoelektrycznego. Mozna podwyzszyc nieznacznie czulosc w podczerwonej czesci widma na przyklad przez domieszanie telluru i rteci do selenu. Wskutek nalozenia warstwy kadmu pomiedzy selen i zewnetrzna elektrode przykrywajaca wystepuje w krzywej czulosci widmowej drugie male maksimum przy dlu¬ gosci fali okolo 710 m p. Wystepowanie tego maksimum nalezy przypisac tworzeniu sie selenku kadmu w miejscu stykania sie selenu i kadmu. Jezeli pomiedzy selen i kadm zosta¬ nie umieszczona jeszcze warstwa selenku biz¬ mutu, to drugie maksimum wystepuje przy wiekszych dlugosciach fal i wynosi okolo 35% *) Wlasciciel patentu oswiadczyl, ze wspól¬ twórcami wynalazku sa inz. Gisbert Dietzel, prof. dr inz. Paul Górlich i dr Alfred Krohs. glównego maksimum. Wynalazek dotyczy ogni¬ wa fotoelektrycznego, którego krzywa czulosci widmowej posiada silnie zarysowane drugie maksimum w zakresie dlugosci fal od 780 m/i do 820 m fi, którego wysokosc wynosi ponad 50% glównego maksimum.Wedlug wynalazku uzyskac to mozna rów¬ niez w ten sposób, ze dla zwiekszenia calko¬ witej czulosci i zmiany czulosci spektralnej pomiedzy warstwa zasadnicza a posrednia lub pomiedzy dwoma lub kilkoma warstwami po¬ srednimi umieszczona jest warstwa oddziela¬ jaca, która kieruje dyfuzja substancji zawar¬ tych w warstwie posredniej do warstwy den¬ nej. Warstwa ta moze byc wytworzona na drodze chemicznej. Moze sie ona skladac z izolatora, na przyklad fluorku wapnia.Mozliwym jest równiez stosowanie w tym celu warstw pólprzewodzacych ale zapobiega¬ jacych dyfuzji. Na warstwe oddzielajaca na¬ daja sie szczególnie chlorowce metali ciezkich.Znane jest wprawdzie umieszczanie w foto¬ komórkach pólprzewodnikowych i prostowni¬ kach czysto fizycznych warstw zaporowych, które jednak wykazuja wylacznie dzialanie za¬ porowe. Te warstwy zaporowe nie moga byc jednakze porównywane z warstwa oddzielajaca wedlug wynalazku, poniewaz nie posiadaja one zadnego wplywu na wzmozenie czulosci cal¬ kowitej i zmiane wzglednej czulosci spektral¬ nej.Na rysunku fig. 1 przedstawia schematycznie przyklad ogniwa fotoelektrycznego zbudowane¬ go wedlug wynalazku, a krzywe na fig. 2 i 3 przedstawiaja wplyw warstwy oddzielajacej wedlug wynalazku na rozklad czulosci wid¬ mowej oraz na przebieg procesu prostowania.W przykladzie wykonania wedlug fig. 1 na plycie podstawy 1 nalozona jest warstwa sele¬ nowa 2. Na niej znajduje sie warstwa od¬ dzielajaca 3 z fluorku wapnia, na której dla podwyzszania czulosci ogniwa fotoelektryczne¬ go w zakresie podczerwonym jest napylona lub naparowana katodowo warstwa posred¬ nia 4 z indu. Na tej warstwie posredniej znajduje sie zewnetrzna elektroda przykrywa¬ jaca 5, która jak zwykle moze skladac sie z warstwy metalu lub pólprzewodnika. War¬ stwa oddzielajaca 3 ma na celu w tym przy¬ padku kierowanie dyfuzja indu z warstwy posredniej do warstwy selenowej. Dzieki te¬ mu mozliwym jest wplyniecie na calkowita i spektralna czulosc fotokomórki i na przy¬ klad zwiekszyc czulosc calkowita o wspól¬ czynnik 3 i zmienic odpowiednio stosunek maksimum selenowego do maksimum w pod¬ czerwieni. Grubosc warstwy oddzielajacej 3 dobiera sie celowo w ten sposób, aby w wy¬ niku nie otrzymac okreslonego przewodnictwa elektronowego, lecz kierowanie dyfuzja. Cal¬ kowity prad fotoelektryczny takich ogniw foto¬ elektrycznych o powierzchni 3,14 cm2 mierzony przy iródle swiatla normalnego A, przy 500 lx i oporze zewnetrznym 120 Ohmów wynosi 7Qt-£0 mfkroamperów/cm2.Na fig. 2 przedstawione sa dla porównania krzywe rozkladu czulosci dwóch ogniw foto¬ elektrycznych odnoszace sie do widma o jed¬ nakowej energii. Krzywa 6 przedstawia prze¬ bieg czulosci znanego selenowego ogniwa foto¬ elektrycznego z warstwa posrednia z kadmu i bizmutu. Drugie maksimum tej krzywej le¬ zace w zakresie 780 m p ma wysokosc okolo 35% maksimum glównego. Natomiast krzywa czulosci 7 dla ogniwa fotoelektrycznego we¬ dlug wynalazku z warstwa posrednia z indu i warstwa oddzielajaca pomiedzy indem i war¬ stwa selenu, wykazuje drugie maksimum, któ¬ rego wysokosc wynosi ponad 50% maksimum glównego. Krzywa 8 na fig. 3 przedstawia charakterystyke prostowania dla jednego z do¬ tychczas stosowanych ogniw fotoelektrycznyeh bez warstwy oddzielajacej, a krzywa 9 przed¬ stawia charakterystyke prostowania ogniwa fotoelektrycznego wyposazonego wedlug wy¬ nalazku w warstwe oddzielajaca. Jak wynika z obu tych krzywych przy zastosowaniu wyna¬ lazku uzyskuje sie znacznie wieksze dzialanie prostownicze. Wynalazek mozna wiec równiez wykorzystac do wytwarzania prostowników stykowych o korzystniejszej warstwie zaporo¬ wej.Zastosowanie wynalazku dotyczy nie tyl¬ ko ogniw fotoelektrycznych typu selenowego, lecz mozliwe jest równiez przy innych ogni¬ wach fotoelektrycznych, które posiadaja inna warstwe podstawowa, na przyklad z tlenku miedziawego lub siarczku srebra. Okazalo sie szczególnie korzystnym, zastosowanie indu lub selenku indu jako warstwy posredniej. "~ PL
Claims (5)
- Zastrzezenia patentowe 1. Ogniwo fotoelektryczne typu warstw po¬ srednich, znamienne tym, ze dla zwieksze¬ nia czulosci calkowitej i w celu zmiany czulosci spektralnej jest umieszczona po¬ miedzy warstwa podstawowa a warstwa posrednia, lub pomiedzy dwoma lub kilko¬ ma warstwami .posrednimi, warstwa oddzie¬ lajaca, sterujaca dyfuzja substancji z war¬ stwy posredniej do warstwy podstawowej.
- 2. Ogniwo fotoelektryczne wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze warstwa oddzielajaca jest dielektrykiem nieprzewodzacym.
- 3. Ogniwo fotoelektryczne wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze warstwa oddzielajaca sklada sie z fluorku wapnia.
- 4. Ogniwo fotoelektryczne wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze warstwa oddzielajaca jest warstwa pólprzewodnikowa kierujaca dyfuzja pomiedzy substancjami poszczegól¬ nych warstw ogniwa.
- 5. Ogniwo fotoelektryczne wedlug zastrz. 1, znamienne tym, ze warstwa oddzielajaca sklada sie z chlorowców metali ciezkich. VEB Carl Zeiss Jena Zastepca: dr Andrzej Au rzecznik patentowyDo opisu patentowego nr 45527 Ark. 1 Figi V° ST **2 300 mDo opisu patentowego nr 45527 Ark. 2 jBIBU 'vi'EKA ZG „Ruch" W-wa zam. 1587-61 B5 — 100 egz. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL45527B1 true PL45527B1 (pl) | 1962-02-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2820841A (en) | Photovoltaic cells and methods of fabricating same | |
| Humphrey et al. | Photoconductivity of lead selenide: Theory of the mechanism of sensitization | |
| GB1480402A (en) | Filament-type semiconductor switch device | |
| US3489615A (en) | Solar cells with insulated wraparound electrodes | |
| US2766144A (en) | Photocell | |
| PL45527B1 (pl) | ||
| NO134847B (pl) | ||
| US2096170A (en) | Light-sensitive device | |
| Patel et al. | Optical properties of AgGaSe2 thin films | |
| Kalygina et al. | Photoelectrical characteristics of TiO 2-Si heterostructures | |
| US2613301A (en) | Process of manufacturing photoelectric cells | |
| JPS56125881A (en) | Optical semiconductor element | |
| Wishah et al. | Photoconduction and polarization effects in a heat-treated Au/Pb2CrO5/SnO2 film device | |
| Andreichin | Conductivity and photopolarization properties of vitreous As2S3 | |
| PL45124B1 (pl) | ||
| JPS57152174A (en) | Manufacture of light receiving device | |
| US3513317A (en) | High-impedance photosensitive devices comprising electrodes of polyolefin oxide | |
| Sparvoli et al. | Circuit Emulating Neural Response Based on Ga2O3 Photomemristor | |
| JPS5617059A (en) | Semiconductor switching element | |
| SU132664A1 (ru) | Селеновый фотоэлемент | |
| JPS5740967A (en) | Integrated circuit device | |
| Makhnii | Schottky barrier UV photodetectors based on zinc selenide | |
| JPS5789246A (en) | Fabrication of semiconductor device | |
| SU124550A1 (ru) | Селеновый выпр митель | |
| SU461404A1 (ru) | Электрофотографический материал |