SU395925A1 - ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; - Google Patents

ВПТ5ФВад а:ш::;:пит;

Info

Publication number
SU395925A1
SU395925A1 SU1661809A SU1661809A SU395925A1 SU 395925 A1 SU395925 A1 SU 395925A1 SU 1661809 A SU1661809 A SU 1661809A SU 1661809 A SU1661809 A SU 1661809A SU 395925 A1 SU395925 A1 SU 395925A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
target
layer
selenide
cadmium
wtp5fvad
Prior art date
Application number
SU1661809A
Other languages
English (en)
Inventor
Г. А. Федорова О. А. Баске Л. М. Прокатор В. М. Любин
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to SU1661809A priority Critical patent/SU395925A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU395925A1 publication Critical patent/SU395925A1/ru

Links

Landscapes

  • Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)

Description

1
Изобретение относитс  к телевидению, в частности к телевизионным передающим трубкам типа видикон.
Известна мишень телевизионной передающей трубки типа видикон, содержаща  сигнальную пластину, два фоточувствительных сло , один из которых выполнен на основе селенида кадми , преимущественно активированного , например, медью, а второй изготовлен из полупроводн,ико.вого материала высокого сопротивлени , например, из трисульфида сурьмы, нанесенного на первый слой.
С помощью известной мишени, с точки зрени  применени  видиконов в Малокадрсзых системах телевидени , невозможно получить достаточно высокое темновое сопротивление, нео.бходимое дл  обеспечени  длительного хранени  потенциального рельефа на мишени в режиме «па1м ти.
Отличие мишени, выполненной по предлагаемому изобретению, состоит в том, что втооой фоточувствительный слой выполнен из :теклообразного сплава состава:
Р(2-х)А5,., гдеОг Х 1,5.
Предлагаема  мишень обладает высокой Чувствительностью в режиме «пам ти в сочетании с малой инерционностью фотоответа, низкими значени ми темновых токов, широкой
спектральной областью фоточувствительности и высокой термостойкостью.
На чертеже изображена предлагаема  мищень телевизионной передающей трубки типа видикон.
Мишень содерлч.пт примыкающие друг к другу слой / селенида кадми , активированного , например, медью, серебром и другими активаторами, и слой 2 селенида фосфора
или селенида фосфора и мышь ка, которые расположены на прозрачной сигнальной пластине 3 из провод щего материала, нанесенного на прозрачную диэлектрическую подлол ку 4.
Физика процессов, протекающих в данной мишени, обусловлена следующими факторами. На контакте двух фотопровод щих слоев, поликристаллического сло  CdSe с проводимостью п-типа и аморфного сло  селенида
фосфора с проводимостью р-типа, формируетс  эффективный  -р гетеропереход, который и позвол ет сочетать в мишени высокую чувствительность селенида кадми  с малой инерционностью и высоким сопротивлением , необходимым дл  длительного удержани  потенциального рельефа в режиме «пам ти. Толщина сло  селенида кадми  может измен тьс  в пределах от 0,3 до 1,5 мкм и определ етс , в основном, условием наибольшего
поглощени  света. Толщина аморфной проСлойки мишени может измен тьс  в пределах от 0,05 до 0,7 мкм в зависимости от выбора материала этой прослойки и от толщины сло  селеанда кадми . Ограничение толщины второй прослойки обусловлено, главным образом, возможностью образовани  эффективного гетероперехода . Нарушение оптимальных толщин .прослоек -ведет к падению чувствительности , росту темновых токов и величин остаточного сигнала при перекрывании света.
Тщательное изучение вольтамперных, люксамнерных характеристик, инерционности фотоответа , зависимости свойств мишени от пол рности приложенного напр жени  показало, что предлагаема  мишень обладает р дом признаков, характеризующих образование эффективного гетероперехода п-/ -типа.
Вольтамперные характеристики имеют диодный характер с коэффициентом выпр млени  от 10 до 10 причем запорное направление соответствует приложению положительного потенциала на слой селенида кадми  и отрицательного потенциала на слой селенида фосфора.
Уровень темновых токов пр.и заиорном смещении понижаетс  в раз по сравнению с однослойной мишенью из селенида кадми  и обеспечивает сопротивление, необходимое дл  работы .мишени в режиме «пам ти.
Инерционность фотоответа при запорном смещении резко уменьшилась (величина остаточного сигнала через 40 мсек не больи-е 10- 20% при освещенности 1 лк) по сравнению с длинновременными процессами, характерными дл  селенида кадми .
Люксамперные характеристики линейны при запорном смещении на мишени в широком диапазоне освещенностей.
Высокочувствительный слей ;селенида кадми , активированный, например, медью, приготавливаетс  химическим способом и имеет при этом мелкокристаллическую структуру с плотной упаковкой кристалликов, обеспечивающей хорошую равномерность сло . Аморфный слой селенида фосфора или селенида фосфора и мышь ка наноситс  обычным тер.млческим испарением в вакууме 10 мм рт. ст. . Были изготовлены и испытаны экспериментальные видиконы с предлагаемой, мишенью. Такие видиконы генерировали сигнал до 0,1 мка при освещенности 0,5 лк на мишени при величине остаточного сигнала через 40 мсек после перекрывани  света не больше
20-30% в стандартном режиме разложени  и показали хорошую работоспособность в малокадровом режиме разложени  с импульсным освещением при экспозици х до 0,05 лксек, с инерционностью не хуже
во втором кадре.
Мишень, выполненна  согласно предлагаемому изобретению,  вл етс  перспективной дл  видиконов «с пам тью, работающих в системах малокадрового разложени , а также
дл  видиконов, работающих в системах стандартного разложени .
Предмет изобретени  Мишень телевизионной передающей трубки типа видикон, содержаща  сигнальную пластину и два фоточувстъительных сло , один из которых выполнен на основе селенида кадми , преимущественно активированного, например медью, отличающа с  тем, что, с целью обеспечени  высокой чувствительности
в режиме «пам ти, второй фоточувствительиый слой выполнен из стеклообразного сплава состава
Р(2-Х)А5;,.51з,
40 где ,5.
SU1661809A 1971-05-28 1971-05-28 ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; SU395925A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1661809A SU395925A1 (ru) 1971-05-28 1971-05-28 ВПТ5ФВад а:ш::;:пит;

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU1661809A SU395925A1 (ru) 1971-05-28 1971-05-28 ВПТ5ФВад а:ш::;:пит;

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU395925A1 true SU395925A1 (ru) 1973-08-28

Family

ID=20476804

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU1661809A SU395925A1 (ru) 1971-05-28 1971-05-28 ВПТ5ФВад а:ш::;:пит;

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU395925A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5075237A (en) Process of making a high photosensitive depletion-gate thin film transistor
US4132999A (en) Semiconductor devices
KR950033523A (ko) 투광성 전기 전도 산화막 및 이것의 형성 방법
US4320248A (en) Semiconductor photoelectric conversion device
GB1070623A (en) Improvements in or relating to photo-sensitive devices
US4107724A (en) Surface controlled field effect solid state device
US3755002A (en) Method of making photoconductive film
SU395925A1 (ru) ВПТ5ФВад а:ш::;:пит;
US3990095A (en) Selenium rectifier having hexagonal polycrystalline selenium layer
JPH07101598B2 (ja) 撮像管
US3571646A (en) Photoconductive target with n-type layer of cadmium selenide including cadmium chloride and cuprous chloride
JPS5739588A (en) Solid state image pickup device
US5196911A (en) High photosensitive depletion-gate thin film transistor
US4689873A (en) Imaging device having two anti-reflection layers on a surface of silicon wafer
US4772933A (en) Method for compensating operationally-induced defects and semiconductor device made thereby
US2096170A (en) Light-sensitive device
US4149907A (en) Method of making camera tube target by modifying Schottky barrier heights
US4307319A (en) Semiconductor layer of oxygen depletion type cerium oxide or lead oxide
GB1141944A (en) Photoconductors
US3805124A (en) Stannic oxide photoconductive device for detecting ultraviolet light and method for making the same
JPS56142680A (en) Photoconductive semiconductor device
JPS6143872B2 (ru)
US3519480A (en) Process for treating photoconductive cadmium sulfide layers
Shea et al. Photoproperties of anodized lead monoxide
GB1311404A (en) Photoelectric conductor devices