SU395925A1 - ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; - Google Patents
ВПТ5ФВад а:ш::;:пит;Info
- Publication number
- SU395925A1 SU395925A1 SU1661809A SU1661809A SU395925A1 SU 395925 A1 SU395925 A1 SU 395925A1 SU 1661809 A SU1661809 A SU 1661809A SU 1661809 A SU1661809 A SU 1661809A SU 395925 A1 SU395925 A1 SU 395925A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- target
- layer
- selenide
- cadmium
- wtp5fvad
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
Description
1
Изобретение относитс к телевидению, в частности к телевизионным передающим трубкам типа видикон.
Известна мишень телевизионной передающей трубки типа видикон, содержаща сигнальную пластину, два фоточувствительных сло , один из которых выполнен на основе селенида кадми , преимущественно активированного , например, медью, а второй изготовлен из полупроводн,ико.вого материала высокого сопротивлени , например, из трисульфида сурьмы, нанесенного на первый слой.
С помощью известной мишени, с точки зрени применени видиконов в Малокадрсзых системах телевидени , невозможно получить достаточно высокое темновое сопротивление, нео.бходимое дл обеспечени длительного хранени потенциального рельефа на мишени в режиме «па1м ти.
Отличие мишени, выполненной по предлагаемому изобретению, состоит в том, что втооой фоточувствительный слой выполнен из :теклообразного сплава состава:
Р(2-х)А5,., гдеОг Х 1,5.
Предлагаема мишень обладает высокой Чувствительностью в режиме «пам ти в сочетании с малой инерционностью фотоответа, низкими значени ми темновых токов, широкой
спектральной областью фоточувствительности и высокой термостойкостью.
На чертеже изображена предлагаема мищень телевизионной передающей трубки типа видикон.
Мишень содерлч.пт примыкающие друг к другу слой / селенида кадми , активированного , например, медью, серебром и другими активаторами, и слой 2 селенида фосфора
или селенида фосфора и мышь ка, которые расположены на прозрачной сигнальной пластине 3 из провод щего материала, нанесенного на прозрачную диэлектрическую подлол ку 4.
Физика процессов, протекающих в данной мишени, обусловлена следующими факторами. На контакте двух фотопровод щих слоев, поликристаллического сло CdSe с проводимостью п-типа и аморфного сло селенида
фосфора с проводимостью р-типа, формируетс эффективный -р гетеропереход, который и позвол ет сочетать в мишени высокую чувствительность селенида кадми с малой инерционностью и высоким сопротивлением , необходимым дл длительного удержани потенциального рельефа в режиме «пам ти. Толщина сло селенида кадми может измен тьс в пределах от 0,3 до 1,5 мкм и определ етс , в основном, условием наибольшего
поглощени света. Толщина аморфной проСлойки мишени может измен тьс в пределах от 0,05 до 0,7 мкм в зависимости от выбора материала этой прослойки и от толщины сло селеанда кадми . Ограничение толщины второй прослойки обусловлено, главным образом, возможностью образовани эффективного гетероперехода . Нарушение оптимальных толщин .прослоек -ведет к падению чувствительности , росту темновых токов и величин остаточного сигнала при перекрывании света.
Тщательное изучение вольтамперных, люксамнерных характеристик, инерционности фотоответа , зависимости свойств мишени от пол рности приложенного напр жени показало, что предлагаема мишень обладает р дом признаков, характеризующих образование эффективного гетероперехода п-/ -типа.
Вольтамперные характеристики имеют диодный характер с коэффициентом выпр млени от 10 до 10 причем запорное направление соответствует приложению положительного потенциала на слой селенида кадми и отрицательного потенциала на слой селенида фосфора.
Уровень темновых токов пр.и заиорном смещении понижаетс в раз по сравнению с однослойной мишенью из селенида кадми и обеспечивает сопротивление, необходимое дл работы .мишени в режиме «пам ти.
Инерционность фотоответа при запорном смещении резко уменьшилась (величина остаточного сигнала через 40 мсек не больи-е 10- 20% при освещенности 1 лк) по сравнению с длинновременными процессами, характерными дл селенида кадми .
Люксамперные характеристики линейны при запорном смещении на мишени в широком диапазоне освещенностей.
Высокочувствительный слей ;селенида кадми , активированный, например, медью, приготавливаетс химическим способом и имеет при этом мелкокристаллическую структуру с плотной упаковкой кристалликов, обеспечивающей хорошую равномерность сло . Аморфный слой селенида фосфора или селенида фосфора и мышь ка наноситс обычным тер.млческим испарением в вакууме 10 мм рт. ст. . Были изготовлены и испытаны экспериментальные видиконы с предлагаемой, мишенью. Такие видиконы генерировали сигнал до 0,1 мка при освещенности 0,5 лк на мишени при величине остаточного сигнала через 40 мсек после перекрывани света не больше
20-30% в стандартном режиме разложени и показали хорошую работоспособность в малокадровом режиме разложени с импульсным освещением при экспозици х до 0,05 лксек, с инерционностью не хуже
во втором кадре.
Мишень, выполненна согласно предлагаемому изобретению, вл етс перспективной дл видиконов «с пам тью, работающих в системах малокадрового разложени , а также
дл видиконов, работающих в системах стандартного разложени .
Предмет изобретени Мишень телевизионной передающей трубки типа видикон, содержаща сигнальную пластину и два фоточувстъительных сло , один из которых выполнен на основе селенида кадми , преимущественно активированного, например медью, отличающа с тем, что, с целью обеспечени высокой чувствительности
в режиме «пам ти, второй фоточувствительиый слой выполнен из стеклообразного сплава состава
Р(2-Х)А5;,.51з,
40 где ,5.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1661809A SU395925A1 (ru) | 1971-05-28 | 1971-05-28 | ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU1661809A SU395925A1 (ru) | 1971-05-28 | 1971-05-28 | ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU395925A1 true SU395925A1 (ru) | 1973-08-28 |
Family
ID=20476804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU1661809A SU395925A1 (ru) | 1971-05-28 | 1971-05-28 | ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU395925A1 (ru) |
-
1971
- 1971-05-28 SU SU1661809A patent/SU395925A1/ru active
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5075237A (en) | Process of making a high photosensitive depletion-gate thin film transistor | |
US4132999A (en) | Semiconductor devices | |
KR950033523A (ko) | 투광성 전기 전도 산화막 및 이것의 형성 방법 | |
US4320248A (en) | Semiconductor photoelectric conversion device | |
GB1070623A (en) | Improvements in or relating to photo-sensitive devices | |
US4107724A (en) | Surface controlled field effect solid state device | |
US3755002A (en) | Method of making photoconductive film | |
SU395925A1 (ru) | ВПТ5ФВад а:ш::;:пит; | |
US3990095A (en) | Selenium rectifier having hexagonal polycrystalline selenium layer | |
JPH07101598B2 (ja) | 撮像管 | |
US3571646A (en) | Photoconductive target with n-type layer of cadmium selenide including cadmium chloride and cuprous chloride | |
JPS5739588A (en) | Solid state image pickup device | |
US5196911A (en) | High photosensitive depletion-gate thin film transistor | |
US4689873A (en) | Imaging device having two anti-reflection layers on a surface of silicon wafer | |
US4772933A (en) | Method for compensating operationally-induced defects and semiconductor device made thereby | |
US2096170A (en) | Light-sensitive device | |
US4149907A (en) | Method of making camera tube target by modifying Schottky barrier heights | |
US4307319A (en) | Semiconductor layer of oxygen depletion type cerium oxide or lead oxide | |
GB1141944A (en) | Photoconductors | |
US3805124A (en) | Stannic oxide photoconductive device for detecting ultraviolet light and method for making the same | |
JPS56142680A (en) | Photoconductive semiconductor device | |
JPS6143872B2 (ru) | ||
US3519480A (en) | Process for treating photoconductive cadmium sulfide layers | |
Shea et al. | Photoproperties of anodized lead monoxide | |
GB1311404A (en) | Photoelectric conductor devices |