SU132664A1 - Селеновый фотоэлемент - Google Patents

Селеновый фотоэлемент

Info

Publication number
SU132664A1
SU132664A1 SU646051A SU646051A SU132664A1 SU 132664 A1 SU132664 A1 SU 132664A1 SU 646051 A SU646051 A SU 646051A SU 646051 A SU646051 A SU 646051A SU 132664 A1 SU132664 A1 SU 132664A1
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
layer
photocell
sensitivity
selenium
layers
Prior art date
Application number
SU646051A
Other languages
English (en)
Inventor
Пауль Герлих
Гизберт Дицель
Альфред Крос
Original Assignee
Пауль Герлих
Гизберт Дицель
Альфред Крос
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Пауль Герлих, Гизберт Дицель, Альфред Крос filed Critical Пауль Герлих
Priority to SU646051A priority Critical patent/SU132664A1/ru
Application granted granted Critical
Publication of SU132664A1 publication Critical patent/SU132664A1/ru

Links

Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)

Description

Известные методы Бездействи  на спектральное распределение чувствительности фотоэлементов не обеспечивают достаточного повышени  чувствительности во всех област х спектра.
Предлагаемый селеновый фотоэлемент, имеющий основной слой и оди-н ИЛИ несколько дополнительных слоев, отличаетс  повышенной чувствительностью. Это достигаетс  тем, что между этими сло ми нанесены разделительные слои «з диэлектрика или из полупроводника, предназначенные дл  уменьшени  взаимной диффузии материалов основного и дополнительного слоев.
Схематическое изображение конструкции описываемого фотоэлемента дано на чертеже.
На основной слой-пластинку / нанесен селеновый слой 2. Этот слой покрыт разделительным слоем 5 из фтористого кальци , на который в цел х повышени  чувствительности фотоэлемента нанесен методом катодного распылени  или испарени  промежуточный слой 4 из инди . Над промежуточным слоем 4 расположен прозрачный электрод 5, представл ющий собой слой из металла или полупроводникового материала. Разделительный слой 3; в данном случае служит дл  уменьшени  диффузии инди  промежуточного сло  4 в селеновый слой 2.
Описанна  конструкци  позвол ет значительно повысить чувствительность фотоэлемента не только в види.мой. области спектра, но и в ближайшей инфракрасной области.
Предмет изобретени 
СелёНовый фотоэлемент, имеюший основной слой и один или несколько дополнительных слоев, отличающийс  тем, что, с целью
№ 132664- 2 -
повышени  чувствительности, между этими сло ми нанесены разделительные слои из изол тора (например, из фтористого кальци ) или из полупроводника (например, из какого-либо галогенида т желого металла ), уменьшаюидие взаимную диффузию материалов осн.овного и дополнительных слоев.
SU646051A 1959-12-03 1959-12-03 Селеновый фотоэлемент SU132664A1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU646051A SU132664A1 (ru) 1959-12-03 1959-12-03 Селеновый фотоэлемент

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU646051A SU132664A1 (ru) 1959-12-03 1959-12-03 Селеновый фотоэлемент

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU132664A1 true SU132664A1 (ru) 1960-11-30

Family

ID=48403689

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU646051A SU132664A1 (ru) 1959-12-03 1959-12-03 Селеновый фотоэлемент

Country Status (1)

Country Link
SU (1) SU132664A1 (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
GB889729A (en) Improvements in and relating to thin film superconductors
ES297430A1 (es) Un dispositivo fotosensible
SU132664A1 (ru) Селеновый фотоэлемент
GB863210A (en) Improvements in or relating to light sensitive devices
GB1361049A (en) Measuring electrode for capacitive measuring
GB500696A (en) Improvements in or relating to devices sensitive to radiation
GB1228699A (ru)
USRE22052E (en) Light-sensitive device
GB1447655A (en) Extended spectral range photoconductor
GB834437A (en) Photocolorimetric unit for oximetric and similar apparatus for simultaneous measuring in two spectral regions
GB658503A (en) Improvements relating to photo-electric cells
SU118425A1 (ru) Способ изготовлени фотокатода дл регистрации ультрафиолетового излучени
SU122220A1 (ru) Селеновый фотоэлемент
GB547806A (en) Improvements in or relating to photo-sensitive layers and methods of manufacturing such layers
GB460012A (en) Improvements in or relating to light sensitive layers for photoelectric cells
GB1304417A (ru)
GB1074990A (en) Selenium rectifier elements
SU150951A1 (ru) Селеновый фотоэлемент с запирающим слоем повышенной инфракрасной чувствительности и способ его изготовлени
SU73715A1 (ru) Фотосопротивление
ES392672A1 (es) Perfeccionamientos en la fabricacion de detectores de par- ticulas de semi-conductor de estructuras nip.
GB791053A (en) Improvements in or relating to processes for the production of selenium rectifiers
GB831250A (en) Improvements in and relating to glow switches
GB849461A (en) Improvements in or relating to solid-state image-intensifiers
GB657485A (en) Improvements in or relating to photo-electric cells of the barrier layer type
GB1096743A (en) Method of manufacturing photoconductive layers