PL42452B1 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- PL42452B1 PL42452B1 PL42452A PL4245258A PL42452B1 PL 42452 B1 PL42452 B1 PL 42452B1 PL 42452 A PL42452 A PL 42452A PL 4245258 A PL4245258 A PL 4245258A PL 42452 B1 PL42452 B1 PL 42452B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- layer
- plastic
- insulating
- metallic
- liquid
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011236 particulate material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Description
Opublikowano dnia 8 listopada 1959 r.WUJ* ]-i r v5..v n?owego 02, POLSKIEJ RZECZYPOSPOLITEJ LUDOWEJ OPIS PATENTOWY Nr 42452 KI. 21 g, 11/02 Walter Brandt G. m. b. H.Lage-Lippe, Niemiecka Republika Federalna Sposób lqczenia przewodu doprowadzenia prqdu z melalicznq eleklrodg przykrywowq prostownika suchego Patent trwa od dnia 6 wrzesnia 1958 r.Przy wytwarzaniu prostowników suchych do¬ tychczas nakladalo sie wielokrotnie warstwe izo¬ lacyjna na powierzchnie pólprzewodnika i po¬ krywalo, sie ja np. warstwa natryskanego me¬ talu. W takich prostownikach, w celu uzyskania polaczenia miedzy elektroda przykrywkowa i do¬ prowadzeniem pradu, doprowadzenie to bylo wtlaczane do natryskanego metalu. Stosowanie takich doprowadzen dociskowych ma jednak ta wade, ze cienka natryskana, metaliczna warst¬ wa, moze byc podczas tloczenia uszkodzona.Powstale z tego powodu ewentualne niestalosci w dzialaniu tak wykonanych prostowników nie daja sie juz nastepnie usunac.Z tego powodu próbowano juz w prostowni¬ kach suchych laczyc przewód doprowadzajacy prad z metaliczna elektroda przykrywkowa za pomoca dzialania ciepla bez wywierania nacisku.Pod dzialaniem temperatur wymaganych do utworzenia polaczenia, moze jednak w miejscu takiego polaczenia nastapic deformacja warstwy pólprzewodnika, na skutek czego moga zostac pogorszone wlasciwosci prostownika. Dlatego pozadane jest oddzielenie warstwy pólprzewod¬ nikowej cd styku, przez zastosowanie warstwy izolacyjnej. Przewodnik doprowadzenia musi byc umieszczony np.na warstwie natryskanego metalu, nalozonej na warstwe izolacyjna. Przy wytwarzaniu tego rodzaju prostowników wyste¬ puje jednak ta niedogodnosc, ze przyczepnosc warstwy metalicznej do gladkiej powierzchni materialu izolacyjnego jest za mala i nie odpo¬ wiada wymaganiom praktycznym.Przy laczeniu przewodu doprowadzajacego prad z metaliczna elektroda przykrywkowa prostownika suchego, przy którym na warstwe pólprzewodnika zostaje nalozona warstwa izola¬ cyjna z tworzywa sztucznego w stanie cieklym lufo plastycznym, warstwe ta pokrywa sie po¬ wloka metaliczna, do której dolacza sie prze¬ wodnik doprowadzenia. Wspomniana wyzej nie¬ dogodnosc usuwa sie wedlug wynalazku w "ten sposób, ze na znajdujaca sie jeszcze w stanie plynnym lub plastycznym warstwe izolacyjna,I przed naniesieniem warstwy metalicznej, nakla¬ da sie dowolny material ziarnisty np. pochodze¬ nia mineralnego, tak aby górne czesci ziarn te¬ go materialu wystawaly z warstwy tworzywa sztucznego. Jezeli teraz zostanie natryskana lub naparowana powloka metaliczna, zapelnia ona najpierw przestrzenie pomiedzy górnymi wysta¬ jacymi czesciami materialu ziarnistego. Material ziarnisty stwarza wiec tu polaczenie pomiedzy warstwa izolacyjna i powloka metaliczna, za¬ bezpieczajac w sposób niezawodny przed ewen¬ tualnym pózniejszym oddzieleniem sie od tych dwóch warstw od siebie.W dalszym rozwinieciu sposobu wedlug wyna¬ lazku, po nalozeniu materialu ziarnistego, war¬ stwa tworzywa sztucznego jest utwardzana dzia¬ laniem ciepla. PL
Claims (1)
- Zastrzezenia patentowe 1. Sposób laczenia przewodu doprowadzenia pradu z metaliczna elektroda przykrywkowa prostownika suchego, przy którym na war¬ stwe pólprzewodnika jest nalozona warstwa izolacji z tworzywa sztucznego w stanie cie¬ klym lub plastycznym i ta warstwa jest po¬ kryta powloka metaliczna, a na nia jest na¬ lozony przewodnik doprowadzajacy prad, znamienny tym, ze na znajdujaca sie jeszcze w stanie cieklym lub plastycznym warstwe izolacyjna, przed nalozeniem powloki meta¬ licznej, zostaje nalozony dowolnego rodzaju material ziarnisty w ten sposób, iz czesci górne ziarn materialu ziarnistego wystaja z warstwy izolacyjnej. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze po nalozeniu materialu ziarnistego, warstwa izolacyjna z tworzywa sztucznego zostaje ter¬ micznie utwardzona. Walter Brandt G. m. b. H. Zastepca: inz. Kazimierz Siennicki, rzecznik patentowy Wzór jednoraz. CWD, zam, PL/Ke, Czest. zam. 2%ó 7. 9. 59. 100 eqz. Al pisra. ki. 3. PL
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL42452B1 true PL42452B1 (pl) | 1959-08-15 |
Family
ID=
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2902629A (en) | Printed circuit connection and method of making same | |
| DE2963256D1 (en) | Method for forming a laminated structure for highly integrated semiconductor devices with an insulating layer between two conductive layers | |
| DE3879021D1 (de) | Elektrische sicherung und verfahren zu ihrer herstellung. | |
| CH529223A (de) | Verfahren zum Abscheiden einer Schicht aus anorganischem Halbleiter- oder Isoliermaterial auf erhitzte Halbleiterscheiben | |
| BR7707204A (pt) | Elemento de compressao para a conexao de condutores eletricos,com seccionamento do isolamento | |
| ES367160A1 (es) | Perfeccionamientos en la construccion de cables electricos. | |
| IT1230364B (it) | Elemento immagazzinabile di rivestimento di giunti di cavi elettrici, applicabile a piu' cavi di differente diametro, con strato isolante che ammette deformazione residua. | |
| US2134131A (en) | Electric rectifier | |
| PL42452B1 (pl) | ||
| GB994824A (en) | Electric insulated wires for forming coils | |
| US2923859A (en) | Manufacture of electrical appliances with printed wiring panels | |
| GB1217293A (en) | Method of making connecting parts of semi-conducting devices or the like. | |
| US1873931A (en) | Storage battery connecter and method of making the same | |
| BR7408264D0 (pt) | Processo aperfeicoado para a aplicacao seletiva de revestimento de metal sobre os componentes metalicos que atravessam um corpo isolante de elementos eletricos | |
| US3056350A (en) | Electric igniter | |
| CH485351A (de) | Leiterstab mit einer zwischen zwei Isolierschichten eingebetteten Innenglimmschutzschicht für Hochspannungsisolation | |
| US2887764A (en) | Method for making commutators | |
| GB854881A (en) | Improvements in or relating to methods of forming conducting coatings on walls extending into insulating supports | |
| US2903780A (en) | Manufacture of electrical capacitors | |
| US1576102A (en) | Terminal connection for electrical apparatus | |
| GB874713A (en) | Improvements in or relating to electrical components and processes for the manufacture thereof | |
| US1606419A (en) | Protecting device for electric detonators | |
| SU127993A1 (ru) | Электроутюг | |
| JPS5680151A (en) | Production of semiconductor device having plated projecting electrode | |
| JPS5769769A (en) | Semiconductor device |