PL229677B1 - Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania - Google Patents
Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzaniaInfo
- Publication number
- PL229677B1 PL229677B1 PL406199A PL40619913A PL229677B1 PL 229677 B1 PL229677 B1 PL 229677B1 PL 406199 A PL406199 A PL 406199A PL 40619913 A PL40619913 A PL 40619913A PL 229677 B1 PL229677 B1 PL 229677B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diamond
- cobalt
- phase
- binding phase
- weight
- Prior art date
Links
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 66
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 title description 9
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims abstract description 21
- QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N B#[Ti]#B Chemical group B#[Ti]#B QYEXBYZXHDUPRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910033181 TiB2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000011858 nanopowder Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 30
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 19
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910009043 WC-Co Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 5
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 4
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 2
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910034327 TiC Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N cobalt tungsten Chemical compound [Co].[W] JPNWDVUTVSTKMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 239000002934 diuretic Substances 0.000 description 1
- 229940030606 diuretics Drugs 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Kompozyt na osnowie z diamentu składający się z mikroproszku diamentowego i ceramicznej, niediamentowej fazy wiążącej, charakteryzuje się tym, że fazę wiążącą stanowi nanoproszek lub mikroproszek dwuborku tytanu TiB2 w ilości od 3% do 7% masy oraz kobalt w ilości do 3% masy.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest kompozyt o osnowie diamentu z fazą wiążącą w postaci cermetalu otrzymywany w procesie spiekania wysokociśnieniowego mieszaniny proszku diamentu, z nowym rodzajem fazy wiążącej i sposób jego wytwarzania. Kompozyt diamentowy ma zastosowanie na narzędzia skrawające do cięcia, obróbki i wiercenia różnych rodzajów materiałów w tym metali nieżelaznych, drewna i kamienia oraz przeznaczony jest na powierzchnie odporne na ścieranie.
Sposobem wytwarzania tego typu materiałów nazywanych polikrystalicznym diamentem, jest metoda spiekania wysokociśnieniowego (HP-HT, ang. High Pressure-High Temperature) przedstawiona przykładowo w opisach US 2 941 248, US 3 407 445. Znana metoda otrzymywania polikrystalicznego diamentu polega na spiekaniu mikroproszku diamentowego z dodatkową fazą wiążącą lub bez fazy wiążącej na podłożu z węglika spiekanego lub bez podłoża, w warunkach wysokich ciśnień, w specjalnych prasach o nacisku 25 do 50 kN wyposażonych w komorę wysokiego ciśnienia typu toroid, Belt lub w komorę wielokowadłową. W procesie spiekania w urządzeniach wysokociśnieniowych stosuje się ciśnienie do 10 GPa i temperaturę do 2400K.
Pierwsze polikryształy diamentowe spiekano ze spoiwem metalowym w postaci Co, Ti, Ni, Cr, Mn, w opisie US 3 141 746 przedstawiono takie spiekanie przy udziale diamentu powyżej 50% obj. W rozwiązaniu według opisu US 3 407 445 również zastosowano ponad 50% obj. diamentu oraz metale takie jak Co i Ni bez dodatkowych innych faz. W rozwiązaniach według opisów US 3 745 623 i US 3 767 371 materiały diamentowe były spiekane równocześnie z podłożem w postaci węglika spiekanego, a diament stanowił więcej niż 70% obj. warstwy diamentowej. US 3 407 445 przedstawia spiekany wysokociśnieniowo dwuwarstwowy materiał z warstwą diamentową połączoną z podłożem z węglika spiekanego, w którym wielkość cząstek diamentowych w warstwie wierzchniej znajduje się poniżej 10 pm, a w miejscu połączenia z węglikowym podłożem wynosi od 70-500 pm. Całkowita zawartość diamentu w warstwie diamentowej jest powyżej 70% obj.
Różnicowanie wielkości ziarna wynika z potrzeby rozwiązania problemu powstawania naprężeń pomiędzy warstwami diamentową i węglika spiekanego. Materiały dwuwarstwowe z podłożem z węglika spiekanego i z warstwą diamentową zawierającą kobaltową fazę wiążącą są korzystne pod względem ekonomicznym oraz pod względem możliwości lutowania podłoża z węglika spiekanego, spoiwami lutującymi nie wymagającymi beztlenowych warunków lutowania i z uwagi na łatwość kształtowania metodami elektroerozyjnymi dzięki przewodnictwu elektrycznemu, które zapewnia obecność kobaltu zarówno w warstwie diamentowej, jak i w warstwie podłoża z węglika spiekanego.
W strefie kontaktu w diamentowych materiałach dwuwarstwowych, między warstwą diamentową, a warstwą węglika spiekanego pojawiają się naprężenia cieplne wynikające głównie z różnicy współczynników rozszerzalności liniowej obydwu materiałów. Zjawisko to ma znaczenie na etapie wytwarzania materiału, na etapie jego obróbki kształtującej i wykańczającej, w procesie lutowania materiału narzędziowego do korpusu narzędzia oraz podczas pracy narzędzia. Wszędzie tam mamy do czynienia z podwyższonymi temperaturami często przekraczającymi 970 K. Naprężenia występujące pomiędzy warstwą polikryształu diamentowego, a podłożem z węglika spiekanego powodują, po ich relaksacji, rozwarstwianie się materiału.
Jedno z rozwiązań problemu powstających naprężeń cieplnych wynikających z różnic rozszerzalności cieplnej jest przedstawione w opisie US 4 293 618, w którym zaproponowano wprowadzenie międzywarstwowego metalu Mo, W, Nb, Ta, Ti, Zr i Hf pomiędzy warstwę polikrystalicznego diamentu, a warstwę węglika spiekanego. Zgodnie z US 3 233 988 i US 3 136 615 metodą obniżającą różnice współczynników rozszerzalności cieplnej jest zastosowanie dużej ilości np. kobaltu, a później usunięcie kobaltu metodą trawienia chemicznego, za pomocą mocnych kwasów z warstwy zawierającej diament. Jednak metoda ta wpływa na zwiększenie porowatości i osłabienie właściwości mechanicznych materiału. Inna metodą było wprowadzenie np. Si, stopów krzemu i SiC. Rozwiązania te opisano w patentach US 4 151 686, US 4 241 135, US 4 167 399 i US 4 124 401.
Stwierdzono, że temperatura lutowania wpływa na właściwości polikrystalicznego diamentu. W czasie procesu lutowania w temperaturach powyżej 970 K może zachodzić zjawisko przemiany alotropowej diamentu w grafit. W czasie lutowania w obecności tlenu w podobnym zakresie temperaturowym zachodzi zjawisko utleniania z powstaniem gazowych produktów w postaci CO i CO2. Zaczęto interesować się odpornością temperaturową materiałów z polikrystalicznego diamentu, a dzięki nowoczesnym urządzeniom lutującym materiały do korpusów narzędzi powróciła pierwotna koncepcja otrzymywania polikrystalicznego diamentu bez podłoża z węglika spiekanego, zastąpienia WC+Co innym
PL 229 677 B1 materiałem, lub spiekania warstwy diamentowej z warstwą podłoża zawierającą wysokotopliwe metale lub inne materiały takie jak azotki, borki zabezpieczające przed dyfuzją pomiędzy diamentem, a materiałem podłoża, przykładowo US 4 766 040.
Jako fazę wiążącą proszki diamentowe najczęściej stosuje się metale grupy VIII, co przedstawiono w opisie US 4 985 051. Zastosowanie kobaltu, pomimo bardzo wielu korzyści polegających na poprawie przewodnictwa elektrycznego, zachowaniu doskonałych właściwości mechanicznych materiału jest stopniowo ograniczane. Kobalt jest katalizatorem przemiany diamentu w grafit i odwrotnie, panuje powszechne przekonanie, że obniża on odporność temperaturową polikrystalicznego diamentu na skutek stosunkowo niskiej temperatury grafityzacji materiału. Jako fazy wiążące diament stosuje się także metale grupy IV-VI oraz inne związki, najczęściej krzem i węgliki SiC, znane z opisów AU 601 561, US 5 010 043. Węglik krzemu powstaje na skutek reakcji stopionego krzemu z węglem diamentu. Z uwagi na tak zwaną porowatość szczątkową, wynikającą z reakcji tworzenia się SiC, na skutek infiltracji diamentu krzemem i zmian objętości produktu podczas tej reakcji. Krzem podczas procesu spiekania występuje w postaci fazy ciekłej i wypełnia wszystkie przestrzenie międzyziarnowe pomiędzy cząstkami diamentu. Spieki takie są mniej kruche w stosunku do spieków z kobaltową fazą wiążącą i bardziej odporne na wysokie temperatury, jednak nie przewodzą prądu elektrycznego i do ich przecinania i kształtowania ostrzy muszą być zastosowane inne niż elektroerozyjne techniki np. metody ultradźwiękowe i laserowe. Ze względu na możliwość wykruszeń krawędzi skrawającej nie są stosowane jako ostrza noży tokarskich, natomiast doskonale sprawdzają się w obróbce kamienia budowlanego i w narzędziach wiertniczych, gdzie występują duże obciążenia dynamiczne i wysokie temperatury. Z opisów US 4 525 178 i US 4 636 253 znane są zastosowania na fazy wiążące diamentu, węglików WC, TaC, a z opisu US 4 171 973A takich faz jak WC, (MoW)C, WC+Co. Badania utleniania węglików wskazują jednak, że pomimo lepszej odporności na grafityzację takich polikryształów diamentowych, fazy węglikowe mogą ulegać utlenianiu już w temperaturach od 870 K.
Znanych jest kilka innych sposobów otrzymywania polikrystalicznego diamentu z fazą wiążącą inną niż kobalt czy węglik krzemu. W opisie US 3 913 280 przedstawiono sposób wytwarzania polikrystalicznego diamentu, o wielkości ziarna około 1 gm, z różnymi dodatkami proszków o wielkościach mieszczących się w zakresie od 1 do 5 gm: 29% masy AI2O3, 29% masy MgO, 25% masy SiC, 66% masy WC, h-BN lub 33% masy TiB2. W tym opisie po raz pierwszy zwrócono uwagę na możliwość zastosowania borków jako fazy wiążącej. Rozwiązanie z fazą borkową pojawiło się także w US 4 108 614 gdzie zaproponowano zastąpienie warstwy podłożowej wykonanej ze spieku WC+Co, spiekiem opartym na dwuborku tytanu. W opisie US 5 169 572 przedstawiono rozwiązanie, które dotyczy zagęszczania wyprasek między innymi z proszku diamentu z dwuborkiem tytanu za pomocą szybkiego grzania pulsacyjnego pod ciśnieniem. Celem tego rozwiązania jest opracowanie procesu wytwarzania wyrobów o dużej gęstości z mieszanek materiałów o zróżnicowanej oporności właściwej. Mieszankę wytworzoną z proszku materiału przewodzącego prąd elektryczny i proszków materiałów o własnościach dielektrycznych lub proszków z materiałów półprzewodnikowych poddaje się ciśnieniu i intensywnym impulsom prądu elektrycznego w dostatecznie krótkim czasie. Jedną z prezentowanych mieszanek, jest mieszanka zawierająca proszek diamentu z borkiem tytanu i węglikami boru.
Borki charakteryzują się wysoką temperaturą topnienia i dużą odpornością na utlenianie. TiB2 poprawia odporność na ścieranie materiałów, co opisano w US 7 517 375. Dwuborki tytanu poprawiają również przewodnictwo elektryczne materiałów ceramicznych, co pozwala na zastosowanie metod elektroerozyjnych do ich kształtowania. Dwuborek tytanu należy do materiałów trudnospiekalnych z uwagi na wysoką temperaturę topnienia i niski współczynnik dyfuzji, jego spiekanie wymaga metod ciśnieniowych, co opisano na przykład w US 8 142 749.
Z opisu zgłoszenia WO 20131811525, znane jest rozwiązanie, w którym zastosowano jako fazę wiążącą stechiometryczne węgliki, azotki i tlenki, bez borków. Dodatkowo jako fazę wiążącą wskazuje się WC-Co co nazywane jest cermetalem. Wskazany materiał nazywany w tym opisie cermetalem pochodzi z domielania, które prowadzi się w młynach kulowych wykonanych z węglika wolframu z kobaltem. W wyniku procesu spiekania następują reakcje w wyniku, których tworzą się fazy borkowe, szczególnie w przypadku osnowy z cBN. Powstają w wyniku reakcji in-situ i są efektem zanieczyszczeń technologicznych wynikających z procesu mieszania w młynach węglikowych, WC-Co. Jest to zatem tylko przypadkowe wprowadzanie WC-Co a nie celowy dodatek.
Celem niniejszego wynalazku jest otrzymanie nowego rodzaju kompozytu diamentowego, z fazą wiążącą inną od dotychczas stosowanych, zapewniającą lepszą odporność temperaturową i lepsze właściwości mechaniczne.
PL 229 677 B1
Istota rozwiązania według wynalazku polega na tym, że kompozyt ma fazę wiążącą, którą stanowi cermetal składający się z dwuborku tytanu TiB2, dodawany do osnowy diamentowej w ilości do 7%, z dodatkiem kobaltu poniżej 3% masy.
Sposób wytwarzania kompozytu według wynalazku polega na tym, że jako fazę wiążącą stosuje się nanoproszek lub mikroproszek dwuborku tytanu TiB2 w ilości od 4% masy do 7% masy i do 3% masy kobaltu. Mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7,0 GPa do 8,5 GPa w temperaturze od 1950 do 2450 K.
Dwuborek tytanu TiB2 jest materiałem charakteryzującym się bardzo dobrymi właściwościami mechanicznymi i fizycznymi takimi jak wysoka twardość, ok. 3500 HV, wysoka temperatura topnienia, powyżej 3200 K, dobra przewodność elektryczna, bardzo dobra przewodność cieplna, bardzo dobre własności mechaniczne w podwyższonych temperaturach, dobra odporność chemiczna, odporność na utlenianie do temperatury 1673 K oraz odporność na erozje ciekłych metali. Obecność fazy wiążącej typu TiB2 w spiekach diamentowych powoduje, że przewodzą one prąd elektryczny, co znacznie ułatwia ich przecinanie i kształtowanie przy pomocy metod obróbki elektroerozyjnej. Niewielki dodatek kobaltu wpływa na zabezpieczenie spieku przed tworzeniem się grafitu na powierzchni diamentu tworzącego się na skutek przemiany alotropowej diamentu w grafit, w pierwszej fazie procesu spiekania wysokociśnieniowego, na skutek naprężeń rozciągających powstających w przestrzeniach międzykrystalicznych. Kobalt stanowi składnik wchodzący w reakcje z borem w efekcie także tworzy borki. Proces spiekania wysokociśnieniowego kompozytu diamentowego z fazą wiążącą w postaci TiB2Co ma charakter spiekania reaktywnego, w efekcie którego spieczony materiał składa się z diamentu, TiC, TiB2 oraz W2CoB2, CoB2. Faza W2CoB2 jest efektem domielania mielników wykonanych z WC-Co w procesie przygotowywania mieszanek wyjściowych.
Zastosowanie fazy wiążącej w postaci cermetalu dwuborku tytanu z kobaltem, prowadzi w wyniku spiekania reakcyjnego do powstania borków kobaltu i dwuborku kobaltowo wolframowego (wolfram jest wprowadzany w procesie mieszania z mielników WC-Co) oraz w wyniku reakcji z węglem diamentu do powstania TiC. Nowo powstałe fazy są odporne na utlenianie i nie przyspieszają procesu utleniania grafityzacji, co z kolei pozwala stosować spieki diamentowe w wyższych temperaturach, w stosunku do spieków zawierających kobalt, co ma znaczenie dla procesu ich łączenia ostrza diamentowego z korpusem narzędzia, jego obróbki i pracy ostrza z tego materiału.
Faza wiążąca według wynalazku różni się w istotny sposób od dotychczas znanych tym, że otrzymano kompozyt diamentowy, o twardości odpowiadającej materiałom z polikrystalicznego diamentu, o najwyższych twardościach, które mają materiały z fazą kobaltową, a szkodliwy proces wpływu procesu utleniania nowych kompozytów rozpoczyna się w temperaturach o 300 K wyższych w stosunku do kompozytów z fazą kobaltową lub węglikową.
Twardość Vickersa HV1 kompozytu wynosi 6794±300, moduł sprężystości wzdłużnej (moduł Younga) 834±23 GPa. Uzyskane właściwości świadczą o przydatności tego spieku jako materiału do zastosowań na narzędzia skrawające do cięcia, do obróbki i wiercenia różnych rodzajów materiałów w tym metali nieżelaznych, drewna i kamienia oraz może być przeznaczony na powierzchnie odporne na ścieranie.
P r z y k ł a d 1
W młynie planetarnym z mielnikami z WC-Co, przy prędkości 200 obr/min, w acetonie, w czasie godzin przygotowano mieszaninę 93% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 pm oraz 5% masy proszku TiB2 o wielkości około <100 nm i 2% masy proszku kobaltu o wielkości 0,5-1,5 pm. Po wstępnym sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 5 mm umieszczano ją w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą toroidalną stosując ciśnienie 8,0±0,5 GPa i temperaturę 2420 K, w czasie 40 s. Otrzymano kompozyt o twardości HV1 ok. 7000. Moduł Younga tego kompozytu wynosi 834 GPa.
P r z y k ł a d 2
Przygotowano mieszaninę 93% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 pm oraz 4% masy proszku TiB2 o wielkości 2,5-3,5 pm oraz 3% proszku kobaltu. Po wstępnym sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 5 mm umieszczano ją w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 7,8±0,5 GPa i temperaturę 2235K, w czasie 60 s. Otrzymano kompozyt o twardości HV1 około 5400. Moduł Younga tego kompozytu wynosi 560 GPa.
Claims (2)
1. Kompozyt na osnowie z diamentu składający się z mikroproszku diamentowego i ceramicznej, niediamentowej fazy wiążącej, znamienny tym, że fazę wiążącą stanowi nanoproszek lub mikroproszek dwuborku tytanu TiB2 w ilości od 3% do 7% masy oraz kobalt w ilości do 3% masy.
2. Sposób wytwarzania kompozytu na osnowie diamentu polegający na wymieszaniu mikroproszku diamentowego z fazą wiążącą i spiekaniu mieszaniny w odpowiednich warunkach wysokich ciśnień i temperatur, znamienny tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek lub nanoproszek dwuborku tytanu TiB2 w ilości od 3% do 7% masy z dodatkiem poniżej 3% kobaltu i mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7,0 GPa do 8,5 GPa w temperaturze od 1950 K do 2450 K.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL406199A PL229677B1 (pl) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL406199A PL229677B1 (pl) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL406199A1 PL406199A1 (pl) | 2015-05-25 |
| PL229677B1 true PL229677B1 (pl) | 2018-08-31 |
Family
ID=53176104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL406199A PL229677B1 (pl) | 2013-11-22 | 2013-11-22 | Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL229677B1 (pl) |
-
2013
- 2013-11-22 PL PL406199A patent/PL229677B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL406199A1 (pl) | 2015-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6585179B2 (ja) | 超硬質構造物とその製造方法 | |
| JP6806792B2 (ja) | 靭性を増大させる構造を有する焼結炭化物 | |
| AU2010279557B2 (en) | Tough coated hard particles consolidated in a tough matrix material | |
| KR101530455B1 (ko) | 자가-소결된 다결정성 입방정 질화붕소(pcbn) 절삭 요소 및 상기 자가-소결된 pcbn 절삭 요소의 형성 방법 | |
| KR101190963B1 (ko) | Cbn 콤팩트의 제조 방법 | |
| CN102836999A (zh) | 热稳定聚晶金刚石 | |
| JP3949181B2 (ja) | 硬質合金を結合材とするダイヤモンド燒結体及びその製造方法 | |
| KR102587409B1 (ko) | 소결체 및 절삭 공구 | |
| CN106660886A (zh) | 一种超硬多晶金刚石构造及其制造方法 | |
| US10252946B2 (en) | Composite ceramic composition and method of forming same | |
| CN114901613A (zh) | 聚晶立方氮化硼材料 | |
| US20130318883A1 (en) | Cutting tools made from stress free cbn composite material and method of production | |
| PL229677B1 (pl) | Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania | |
| Hadzley et al. | Comparison of wear performance between alumina and alumina-zirconia cutting tools at higher cutting speed | |
| JP7425872B2 (ja) | 鉄含有バインダーを含む多結晶ダイヤモンド | |
| JP7473149B2 (ja) | 高硬度ダイヤモンド基塊状工具素材およびその製法 | |
| WO2019129715A1 (en) | A polycrystalline super hard construction and a method of making same | |
| JP3481702B2 (ja) | 硬質合金を結合材とする立方晶窒化硼素燒結体及びその製造方法 | |
| JP3092887B2 (ja) | 表面調質焼結合金及びその製造方法 | |
| Albdiry et al. | Effect of SiC addition on mechanical and wear characteristics of WC–32 (W–Ti) C–6Co cemented carbides | |
| PL224205B1 (pl) | Kompozyt na osnowie diamentu z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania | |
| KR20240105402A (ko) | 초경합금 조성물 | |
| PL212600B1 (pl) | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania | |
| JP2005263503A (ja) | W(c,n)−wb系複合体及びその製造方法 | |
| JP2001240932A (ja) | 耐摩耗工具材料およびその製法 |