PL212600B1 - Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania - Google Patents
Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzaniaInfo
- Publication number
- PL212600B1 PL212600B1 PL383186A PL38318607A PL212600B1 PL 212600 B1 PL212600 B1 PL 212600B1 PL 383186 A PL383186 A PL 383186A PL 38318607 A PL38318607 A PL 38318607A PL 212600 B1 PL212600 B1 PL 212600B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diamond
- phase
- sintering
- ti3sic2
- pressure
- Prior art date
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 54
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 53
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 21
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910009817 Ti3SiC2 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 10
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 14
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 14
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 5
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 5
- 238000005087 graphitization Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- -1 SiC carbides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011093 chipboard Substances 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000009760 electrical discharge machining Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000010189 synthetic method Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N tungsten carbide Chemical compound [W+]#[C-] UONOETXJSWQNOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007514 turning Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania drogą wysokociśnieniowego spiekania proszku diamentu, z nowym rodzajem fazy wiążącej.
Kompozyt diamentowy ma zastosowanie w szczególności do wytwarzania materiałów przeznaczonych na ostrza noży skrawających, frezów oraz na końcówki nagniataków.
Ostrza diamentowe stosowane w obróbce skrawaniem mają najczęściej postać kształtek wykonanych z tworzywa dwuwarstwowego. Pierwszą - pracującą warstwę - stanowi spiek diamentowy, drugą warstwą jest wysoko kobaltowy węglik spiekany.
Inną grupą kompozytów diamentowych stosowanych w obróbce skrawaniem są monolityczne spieki diamentowe z fazą wiążącą w postaci węglika krzemu, bez warstwy podłożowej. Węglik krzemu powstaje na skutek reakcji stopionego krzemu z węglem diamentu. Materiały z fazą wiążącą w postaci krzemu najczęściej przeznaczone są na ostrza w koronkach wiertniczych do obróbki skał i kamienia budowlanego.
Znana metoda otrzymywania tych kształtek polega na spiekaniu mikroproszku diamentowego z dodatkową fazą wiążącą lub bez fazy wiążącej na podłożu z węglika spiekanego lub bez podłoża, w warunkach wysokich ciśnień, w specjalnych prasach o nacisku 25 do 50 kN wyposażonych w komorę wysokiego ciśnienia typu Bridgmana, Belt lub inną. W procesie spiekania w urządzeniach wysokociśnieniowych stosuje się ciśnienie do 10 GPa i temperaturę do 2200K.
Znanych jest kilka sposobów otrzymywania spieków diamentowych. Spiekanie mikroproszków diamentowych prowadzi się z fazą wiążącą w postaci proszków metali, niemetali lub innego rodzaju związków w warunkach stabilności termicznej diamentu. W przypadku spiekania kompozytów warstwowych najczęściej wykorzystuje się dyfuzję kobaltu z warstwy spieku węglikowego do warstwy wstępnie sprasowanego proszku diamentowego umieszczonego bezpośrednio nad tą warstwą.
Jako fazę wiążącą najczęściej stosuje się metale grupy VIII, co opisano na przykład w opisie patentowym US 4 985 051, metale grupy IV-VI oraz inne związki, najczęściej węgliki SiC, znane z opisu patentowego US 5 010 043, lub WC, TaC, znane między innymi z opisów patentowych US 4 525 178 i US 4 636 253.
W zależności od zawartości fazy wiążącej rozróżnia się dwa rodzaje spieków diamentowych.
Pierwszy rodzaj zawiera powyżej 85 % masy diamentu i jego struktura charakteryzuje się dużą ilością mocnych wiązań typu diament-diament. Spieki takie mają wysoką twardość lecz są kruche. Kobalt jest katalizatorem procesu spiekania diamentu. Kobalt tworzy roztwory stałe z węglem, a w warunkach stabilności termodynamicznej diamentu węgiel wytrąca się w postaci kryształów diamentu. Obecność tego metalu obniża parametry spiekania proszków diamentowych tzn. ciśnienie i temperaturę. Kobalt jest również katalizatorem przemiany odwrotnej diamentu w grafit przy niższych temperaturach niż temperatura przemiany alotropowej diamentu bez udziału kobaltu. Obecność kobaltu w spiekach diamentowych ogranicza temperatury jego stosowania, w powietrzu do około 970K. Inny rodzaj fazy wiążącej niż kobaltowa może pozwolić na zastosowanie spieków diamentowych w wyższych temperaturach, co ma znaczenie dla procesu łączenia spieków z korpusem narzędzia, obróbki i pracy ostrza z tego materiału na przykład bez konieczności stosowania cieczy chłodząco- smarujących, które są szkodliwe dla zdrowia i środowiska. Dzięki obecności kobaltowej fazy wiążącej spieki diamentowe przewodzą prąd elektryczny i jest możliwe ich przecinanie i kształtowanie przy pomocy metod obróbki elektroerozyjnej.
Drugi rodzaj spieków zawiera mniej niż 85 % masy diamentu i więcej niż 15% masy niediamentowej fazy wiążącej najczęściej w postaci SiC. Węglik krzemu najczęściej powstaje „in situ” podczas reakcji spiekania mieszaniny proszków diamentu i krzemu. Krzem podczas procesu spiekania występuje w postaci fazy ciekłej i wypełnia wszystkie przestrzenie międzyziarnowe pomiędzy cząstkami diamentu. Spieki takie są mniej kruche w stosunku do spieków z kobaltowa fazą wiążącą i bardziej odporne na wysokie temperatury, jednak nie przewodzą prądu elektrycznego i do ich przecinania i kształtowania ostrzy muszą być zastosowane inne niż elektroerozyjne techniki np. metody ultradźwiękowe i laserowe. Ze względu na możliwość wykruszeń krawędzi skrawającej nie są stosowane jako ostrza noży tokarskich, natomiast doskonale sprawdzają się w obróbce kamienia budowlanego i w narzędziach wiertniczych, gdzie występują duże obciążenia dynamiczne i wysokie temperatury.
Celem wynalazku jest otrzymanie nowego rodzaju kompozytu diamentowego, z inną od dotychczas stosowanych fazą wiążącą, zapewniającą lepszą odporność temperaturową i lepsze właściwości wytrzymałościowe.
PL 212 600 B1
Zgodnie z wynalazkiem w kompozycie diamentowym zastosowano nową fazę wiążącą w postaci węglika tytanowo krzemowego Ti3SiC2.
Ti3SiC2 jest materiałem, który krystalograficznie został po raz pierwszy opisany przez W.Jeitschko i H.Nowotnego w roku 1967. Obecnie otrzymywany jest w postaci proszków i kształtek objętościowych wieloma metodami syntezy znanymi między innymi z opisów patentowych US 5 942 455, US 6 461 989, US 6 986 873, CN 1 245 155 oraz w postaci warstw. Często Ti3SiC2 spiekany jest z dodatkiem innych tworzywami ceramicznych takich jak węgliki, borki, azotki oraz tlenki znanych z opisów patentowych CN 1 552 662, CN 1 594 213, CN 1 609 250, CN 1 654 425.
Istota rozwiązania według wynalazku polega zatem na tym, że kompozyt diamentowy ma fazę wiążącą, którą stanowi węglik tytanowo krzemowy Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy.
Węglik tytanowo-krzemowy Ti3SiC2 charakteryzuje się unikalnym połączeniem właściwości typowych dla ceramiki: wysoką temperaturą topnienia, odpornością na utlenianie, odpornością na ścieranie z właściwościami typowymi dla grupy materiałów metalicznych takimi jak dobre przewodnictwo cieplne i elektryczne i plastyczność.
W przypadku spiekania wysokociśnieniowego diamentu z fazami ceramicznymi występują dwa niekorzystne zjawiska - pękania fazy wiążącej, z możliwością propagacji tych pęknięć podczas pracy narzędzia wykonanego z tego materiału oraz grafityzacji w wyniku niekorzystnego stanu naprężeń podczas spiekania. Związki ceramiczne nie są katalizatorami procesu przemiany diamentu w grafit i odwrotnie, materiały z taką fazą wiążącą mogą zostać zastosowane w wyższych temperaturach niż materiały z kobaltową fazą wiążącą.
Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego według wynalazku polega na tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek lub sumikroproszek węglika tytanowo krzemowego Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy. Mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1970K do 2200K.
Faza wiążąca według wynalazku różni się w istotny sposób od dotychczas znanych tym, że jej duży udział fazy ceramicznej w spieku nieznacznie obniża twardość spieku diamentowego w stosunku do spieku z kobaltową fazą wiążącą. Zastosowanie Ti3SiC2, w pierwszym etapie spiekania wysokociśnieniowego, dzięki swojej plastyczności, zapewnia prawidłowy rozkład naprężeń pomiędzy cząstkami spiekanej mieszaniny diamentu i węglika tytanowo krzemowego, co zapobiega procesowi grafityzacji. Zapewnia także mocne połączenie pomiędzy cząstkami spiekanego materiału. W drugim etapie procesu spiekania w strefie kontaktu następują reakcje chemiczne w wyniku których powstają krzemki TixSiy, TiC, SiC oraz pozostaje pewna ilość nieprzereagowanego Ti3SiC2. Obecność węglików w kompozycie jest bardzo korzystna, poprawiają się właściwości wytrzymałościowe spieku diamentowego, zwiększa odporność temperaturową materiału w stosunku do spieków z kobaltową fazą wiążącą.
Wyjątkowa dla tworzyw ceramicznych plastyczność fazy wiążącej w postaci Ti3SiC2, w procesie wysokociśnieniowego spiekania diamentu ma zasadnicze znaczenie ze względu na lepszy rozkład naprężeń wewnątrz materiału. W przypadku spiekania materiałów kruchych i twardych, w materiale spiekanym pod ciśnieniem wewnątrz materiału pojawia się nierównomierny rozkład naprężeń. W takich warunkach dla spieku diamentowego, część ziarna diamentu znajduje się w stanie naprężeń ściskających, w miejscach styku ziaren, natomiast w lukach międzyziarnowych, na powierzchni ziaren występują naprężenia rozciągające. Efektem występowania naprężeń rozciągających jest obniżenie ciśnienia w tej części ziarna. Ciśnienie i temperatura w strefie naprężeń rozciągających mogą odpowiadać stanowi równowagi termodynamicznej grafitu, czego następstwem jest powierzchniowa grafityzacja ziaren diamentu na skutek przemiany alotropowej diamentu w grafit. Plastyczna faza wiążąca wypełniająca przestrzenie międzyziarnowe poprawia rozkład naprężeń w spiekanym ciśnieniowo materiale i stwarza pseudoizostatyczne warunki spiekania, zabezpieczając diament przed grafityzacją. Dlatego zastosowanie „plastycznej” ceramiki w postaci Ti3SiC2 jest bardzo korzystne.
Materiał według wynalazku charakteryzuje się dobrymi własnościami wytrzymałościowymi, przykładowo wytrzymałość na ściskanie średnicowe dla kompozytu otrzymanego z 70% mas. diamentu o wielkości 3-6 μm oraz 30% masy Ti3SiC2 wynosi 253,98 MPa. Współczynnik odporności na pęka1/2 nie dla tego materiału wynosi 8,0 MPa m1/2. Obecność SiC jako składnika fazy wiążącej w spieku diamentowym jest korzystna również ze względu na jego właściwości tribologiczne (niski współczynnik tarcia), natomiast TiC ma odpowiednie właściwości wytrzymałościowe wymagane dla materiału narzędziowego. Zwiększenie ilości fazy wiążącej w postaci Ti3SiC2 wpływa korzystnie na spiekalność materiału, zabezpiecza materiał przed grafityzacją, przy zachowaniu wysokiej twardości, zwiększeniu jego wytrzymałości, odporności temperaturowej, mierzonej obniżeniem twardości i zwiększeniem udziału
PL 212 600 B1 fazy grafitowej po procesie wyżarzania w czasie pół godziny, w próżni w temperaturze 1470 K, w stosunku do tradycyjnych spieków diamentowych z kobaltową fazą wiążącą.
Znaczące zwiększenie udziału fazy wiążącej i tym samym zmniejszenie kruchości pozwala na zmianę zastosowań materiału narzędziowego, dla obróbki w warunkach obciążeń dynamicznych i do obróbki wymagającej większej odporności na ścieranie np. do cięcia płyt wiórowych. Materiał może zostać zastosowany zarówno jako monolityczna wkładka narzędzia skrawającego, końcówka nagniataka, jak i występować w postaci warstwy spieku na podłożu węglika spiekanego.
P r z y k ł a d 1
Przygotowano mieszaninę 70% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 μηι oraz 30% masy proszku Ti3SiC2 o wielkości poniżej 2 μηι. Po wstępnym sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 5 mm umieszczano ją w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 8,0±0,5 GPa i temperatu3 rę 1800±50°C. Otrzymano kompozyt o twardości HVI 44,42±4,32 GPa i gęstości pozornej 3,61 g/cm3. Moduł Younga tego materiału wynosił 567 MPa.
P r z y k ł a d 2.
Przygotowano mieszaninę 60% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 μm oraz 40% masy proszku Ti3SiC2, o wielkości poniżej 2 μm. Po sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 1,5 mm umieszczano wraz ze spiekiem węglika wolframu z 20% masy kobaltu w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 8,0±0,2 GPa i temperaturę 1800±50°C. Otrzymano kompozyt o twardości HVl 3
39,16±5,44 GPa i gęstości pozornej 3,75 g/cm3.
Claims (2)
1. Kompozyt diamentowy składający się z mikroproszku diamentowego i niediamentowej fazy wiążącej, znamienny tym, że fazę wiążącą stanowi węglik tytanowo krzemowy Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy.
2. Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego polegający na wymieszaniu proszku diamentowego z fazą wiążącą i spiekaniu mieszaniny w odpowiednich warunkach wysokich ciśnień i temperatur, znamienny tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek lub submikroproszek węglika tytanowo krzemowego Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy, mieszaninę wyjściowa poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1970K do 2200K.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL383186A PL212600B1 (pl) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL383186A PL212600B1 (pl) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL383186A1 PL383186A1 (pl) | 2009-03-02 |
| PL212600B1 true PL212600B1 (pl) | 2012-10-31 |
Family
ID=42984711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL383186A PL212600B1 (pl) | 2007-08-23 | 2007-08-23 | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL212600B1 (pl) |
-
2007
- 2007-08-23 PL PL383186A patent/PL212600B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL383186A1 (pl) | 2009-03-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20220411900A1 (en) | Superhard constructions & methods of making | |
| US7377341B2 (en) | Thermally stable ultra-hard material compact construction | |
| JP6585179B2 (ja) | 超硬質構造物とその製造方法 | |
| CA2556052C (en) | Polycrystalline diamond composite constructions comprising thermally stable diamond volume | |
| CN105392584B (zh) | 超硬结构及其制作方法 | |
| KR20120034659A (ko) | 절삭 요소, 절삭 요소의 제조 방법 및, 절삭 요소를 포함하는 공구 | |
| GB2463578A (en) | Thermally stable cutting structure including PCD and polycrystalline CBN | |
| GB2413813A (en) | Thermally stable diamond bonded materials and compacts | |
| CN104903537A (zh) | 在碳化物基体上制造碳酸盐pcd及烧结碳酸盐pcd的方法 | |
| US20170081247A1 (en) | Superhard pcd constructions and methods of making same | |
| US8828110B2 (en) | ADNR composite | |
| CN110267760A (zh) | 超硬构造及其制造方法 | |
| Jaworska | Diamond composites with TiC, SiC and Ti 3 SiC 2 bonding phase | |
| GB2383799A (en) | Diamond containing cermet | |
| PL212600B1 (pl) | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania | |
| PL224205B1 (pl) | Kompozyt na osnowie diamentu z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania | |
| KR102573968B1 (ko) | 절삭공구용 복합 소결체 및 이를 이용한 절삭공구 | |
| JP7473149B2 (ja) | 高硬度ダイヤモンド基塊状工具素材およびその製法 | |
| PL229677B1 (pl) | Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania | |
| PL192739B1 (pl) | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania | |
| CN106029608A (zh) | 多晶超硬构造及其制造方法 | |
| PL223935B1 (pl) | Kompozyt diamentowy z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania |