PL212600B1 - Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania - Google Patents

Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania

Info

Publication number
PL212600B1
PL212600B1 PL383186A PL38318607A PL212600B1 PL 212600 B1 PL212600 B1 PL 212600B1 PL 383186 A PL383186 A PL 383186A PL 38318607 A PL38318607 A PL 38318607A PL 212600 B1 PL212600 B1 PL 212600B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
diamond
phase
sintering
ti3sic2
pressure
Prior art date
Application number
PL383186A
Other languages
English (en)
Other versions
PL383186A1 (pl
Inventor
Lucyna Jaworska
Ludosław Stobierski
Jacek Kwiatkowski
Bogna Królicka
Magdalena Szutkowska
Jerzy Morgiel
Original Assignee
Inst Zaawansowanych Technologii Wytwarzania
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Zaawansowanych Technologii Wytwarzania filed Critical Inst Zaawansowanych Technologii Wytwarzania
Priority to PL383186A priority Critical patent/PL212600B1/pl
Publication of PL383186A1 publication Critical patent/PL383186A1/pl
Publication of PL212600B1 publication Critical patent/PL212600B1/pl

Links

Landscapes

  • Ceramic Products (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania drogą wysokociśnieniowego spiekania proszku diamentu, z nowym rodzajem fazy wiążącej.
Kompozyt diamentowy ma zastosowanie w szczególności do wytwarzania materiałów przeznaczonych na ostrza noży skrawających, frezów oraz na końcówki nagniataków.
Ostrza diamentowe stosowane w obróbce skrawaniem mają najczęściej postać kształtek wykonanych z tworzywa dwuwarstwowego. Pierwszą - pracującą warstwę - stanowi spiek diamentowy, drugą warstwą jest wysoko kobaltowy węglik spiekany.
Inną grupą kompozytów diamentowych stosowanych w obróbce skrawaniem są monolityczne spieki diamentowe z fazą wiążącą w postaci węglika krzemu, bez warstwy podłożowej. Węglik krzemu powstaje na skutek reakcji stopionego krzemu z węglem diamentu. Materiały z fazą wiążącą w postaci krzemu najczęściej przeznaczone są na ostrza w koronkach wiertniczych do obróbki skał i kamienia budowlanego.
Znana metoda otrzymywania tych kształtek polega na spiekaniu mikroproszku diamentowego z dodatkową fazą wiążącą lub bez fazy wiążącej na podłożu z węglika spiekanego lub bez podłoża, w warunkach wysokich ciśnień, w specjalnych prasach o nacisku 25 do 50 kN wyposażonych w komorę wysokiego ciśnienia typu Bridgmana, Belt lub inną. W procesie spiekania w urządzeniach wysokociśnieniowych stosuje się ciśnienie do 10 GPa i temperaturę do 2200K.
Znanych jest kilka sposobów otrzymywania spieków diamentowych. Spiekanie mikroproszków diamentowych prowadzi się z fazą wiążącą w postaci proszków metali, niemetali lub innego rodzaju związków w warunkach stabilności termicznej diamentu. W przypadku spiekania kompozytów warstwowych najczęściej wykorzystuje się dyfuzję kobaltu z warstwy spieku węglikowego do warstwy wstępnie sprasowanego proszku diamentowego umieszczonego bezpośrednio nad tą warstwą.
Jako fazę wiążącą najczęściej stosuje się metale grupy VIII, co opisano na przykład w opisie patentowym US 4 985 051, metale grupy IV-VI oraz inne związki, najczęściej węgliki SiC, znane z opisu patentowego US 5 010 043, lub WC, TaC, znane między innymi z opisów patentowych US 4 525 178 i US 4 636 253.
W zależności od zawartości fazy wiążącej rozróżnia się dwa rodzaje spieków diamentowych.
Pierwszy rodzaj zawiera powyżej 85 % masy diamentu i jego struktura charakteryzuje się dużą ilością mocnych wiązań typu diament-diament. Spieki takie mają wysoką twardość lecz są kruche. Kobalt jest katalizatorem procesu spiekania diamentu. Kobalt tworzy roztwory stałe z węglem, a w warunkach stabilności termodynamicznej diamentu węgiel wytrąca się w postaci kryształów diamentu. Obecność tego metalu obniża parametry spiekania proszków diamentowych tzn. ciśnienie i temperaturę. Kobalt jest również katalizatorem przemiany odwrotnej diamentu w grafit przy niższych temperaturach niż temperatura przemiany alotropowej diamentu bez udziału kobaltu. Obecność kobaltu w spiekach diamentowych ogranicza temperatury jego stosowania, w powietrzu do około 970K. Inny rodzaj fazy wiążącej niż kobaltowa może pozwolić na zastosowanie spieków diamentowych w wyższych temperaturach, co ma znaczenie dla procesu łączenia spieków z korpusem narzędzia, obróbki i pracy ostrza z tego materiału na przykład bez konieczności stosowania cieczy chłodząco- smarujących, które są szkodliwe dla zdrowia i środowiska. Dzięki obecności kobaltowej fazy wiążącej spieki diamentowe przewodzą prąd elektryczny i jest możliwe ich przecinanie i kształtowanie przy pomocy metod obróbki elektroerozyjnej.
Drugi rodzaj spieków zawiera mniej niż 85 % masy diamentu i więcej niż 15% masy niediamentowej fazy wiążącej najczęściej w postaci SiC. Węglik krzemu najczęściej powstaje „in situ” podczas reakcji spiekania mieszaniny proszków diamentu i krzemu. Krzem podczas procesu spiekania występuje w postaci fazy ciekłej i wypełnia wszystkie przestrzenie międzyziarnowe pomiędzy cząstkami diamentu. Spieki takie są mniej kruche w stosunku do spieków z kobaltowa fazą wiążącą i bardziej odporne na wysokie temperatury, jednak nie przewodzą prądu elektrycznego i do ich przecinania i kształtowania ostrzy muszą być zastosowane inne niż elektroerozyjne techniki np. metody ultradźwiękowe i laserowe. Ze względu na możliwość wykruszeń krawędzi skrawającej nie są stosowane jako ostrza noży tokarskich, natomiast doskonale sprawdzają się w obróbce kamienia budowlanego i w narzędziach wiertniczych, gdzie występują duże obciążenia dynamiczne i wysokie temperatury.
Celem wynalazku jest otrzymanie nowego rodzaju kompozytu diamentowego, z inną od dotychczas stosowanych fazą wiążącą, zapewniającą lepszą odporność temperaturową i lepsze właściwości wytrzymałościowe.
PL 212 600 B1
Zgodnie z wynalazkiem w kompozycie diamentowym zastosowano nową fazę wiążącą w postaci węglika tytanowo krzemowego Ti3SiC2.
Ti3SiC2 jest materiałem, który krystalograficznie został po raz pierwszy opisany przez W.Jeitschko i H.Nowotnego w roku 1967. Obecnie otrzymywany jest w postaci proszków i kształtek objętościowych wieloma metodami syntezy znanymi między innymi z opisów patentowych US 5 942 455, US 6 461 989, US 6 986 873, CN 1 245 155 oraz w postaci warstw. Często Ti3SiC2 spiekany jest z dodatkiem innych tworzywami ceramicznych takich jak węgliki, borki, azotki oraz tlenki znanych z opisów patentowych CN 1 552 662, CN 1 594 213, CN 1 609 250, CN 1 654 425.
Istota rozwiązania według wynalazku polega zatem na tym, że kompozyt diamentowy ma fazę wiążącą, którą stanowi węglik tytanowo krzemowy Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy.
Węglik tytanowo-krzemowy Ti3SiC2 charakteryzuje się unikalnym połączeniem właściwości typowych dla ceramiki: wysoką temperaturą topnienia, odpornością na utlenianie, odpornością na ścieranie z właściwościami typowymi dla grupy materiałów metalicznych takimi jak dobre przewodnictwo cieplne i elektryczne i plastyczność.
W przypadku spiekania wysokociśnieniowego diamentu z fazami ceramicznymi występują dwa niekorzystne zjawiska - pękania fazy wiążącej, z możliwością propagacji tych pęknięć podczas pracy narzędzia wykonanego z tego materiału oraz grafityzacji w wyniku niekorzystnego stanu naprężeń podczas spiekania. Związki ceramiczne nie są katalizatorami procesu przemiany diamentu w grafit i odwrotnie, materiały z taką fazą wiążącą mogą zostać zastosowane w wyższych temperaturach niż materiały z kobaltową fazą wiążącą.
Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego według wynalazku polega na tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek lub sumikroproszek węglika tytanowo krzemowego Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy. Mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1970K do 2200K.
Faza wiążąca według wynalazku różni się w istotny sposób od dotychczas znanych tym, że jej duży udział fazy ceramicznej w spieku nieznacznie obniża twardość spieku diamentowego w stosunku do spieku z kobaltową fazą wiążącą. Zastosowanie Ti3SiC2, w pierwszym etapie spiekania wysokociśnieniowego, dzięki swojej plastyczności, zapewnia prawidłowy rozkład naprężeń pomiędzy cząstkami spiekanej mieszaniny diamentu i węglika tytanowo krzemowego, co zapobiega procesowi grafityzacji. Zapewnia także mocne połączenie pomiędzy cząstkami spiekanego materiału. W drugim etapie procesu spiekania w strefie kontaktu następują reakcje chemiczne w wyniku których powstają krzemki TixSiy, TiC, SiC oraz pozostaje pewna ilość nieprzereagowanego Ti3SiC2. Obecność węglików w kompozycie jest bardzo korzystna, poprawiają się właściwości wytrzymałościowe spieku diamentowego, zwiększa odporność temperaturową materiału w stosunku do spieków z kobaltową fazą wiążącą.
Wyjątkowa dla tworzyw ceramicznych plastyczność fazy wiążącej w postaci Ti3SiC2, w procesie wysokociśnieniowego spiekania diamentu ma zasadnicze znaczenie ze względu na lepszy rozkład naprężeń wewnątrz materiału. W przypadku spiekania materiałów kruchych i twardych, w materiale spiekanym pod ciśnieniem wewnątrz materiału pojawia się nierównomierny rozkład naprężeń. W takich warunkach dla spieku diamentowego, część ziarna diamentu znajduje się w stanie naprężeń ściskających, w miejscach styku ziaren, natomiast w lukach międzyziarnowych, na powierzchni ziaren występują naprężenia rozciągające. Efektem występowania naprężeń rozciągających jest obniżenie ciśnienia w tej części ziarna. Ciśnienie i temperatura w strefie naprężeń rozciągających mogą odpowiadać stanowi równowagi termodynamicznej grafitu, czego następstwem jest powierzchniowa grafityzacja ziaren diamentu na skutek przemiany alotropowej diamentu w grafit. Plastyczna faza wiążąca wypełniająca przestrzenie międzyziarnowe poprawia rozkład naprężeń w spiekanym ciśnieniowo materiale i stwarza pseudoizostatyczne warunki spiekania, zabezpieczając diament przed grafityzacją. Dlatego zastosowanie „plastycznej” ceramiki w postaci Ti3SiC2 jest bardzo korzystne.
Materiał według wynalazku charakteryzuje się dobrymi własnościami wytrzymałościowymi, przykładowo wytrzymałość na ściskanie średnicowe dla kompozytu otrzymanego z 70% mas. diamentu o wielkości 3-6 μm oraz 30% masy Ti3SiC2 wynosi 253,98 MPa. Współczynnik odporności na pęka1/2 nie dla tego materiału wynosi 8,0 MPa m1/2. Obecność SiC jako składnika fazy wiążącej w spieku diamentowym jest korzystna również ze względu na jego właściwości tribologiczne (niski współczynnik tarcia), natomiast TiC ma odpowiednie właściwości wytrzymałościowe wymagane dla materiału narzędziowego. Zwiększenie ilości fazy wiążącej w postaci Ti3SiC2 wpływa korzystnie na spiekalność materiału, zabezpiecza materiał przed grafityzacją, przy zachowaniu wysokiej twardości, zwiększeniu jego wytrzymałości, odporności temperaturowej, mierzonej obniżeniem twardości i zwiększeniem udziału
PL 212 600 B1 fazy grafitowej po procesie wyżarzania w czasie pół godziny, w próżni w temperaturze 1470 K, w stosunku do tradycyjnych spieków diamentowych z kobaltową fazą wiążącą.
Znaczące zwiększenie udziału fazy wiążącej i tym samym zmniejszenie kruchości pozwala na zmianę zastosowań materiału narzędziowego, dla obróbki w warunkach obciążeń dynamicznych i do obróbki wymagającej większej odporności na ścieranie np. do cięcia płyt wiórowych. Materiał może zostać zastosowany zarówno jako monolityczna wkładka narzędzia skrawającego, końcówka nagniataka, jak i występować w postaci warstwy spieku na podłożu węglika spiekanego.
P r z y k ł a d 1
Przygotowano mieszaninę 70% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 μηι oraz 30% masy proszku Ti3SiC2 o wielkości poniżej 2 μηι. Po wstępnym sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 5 mm umieszczano ją w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 8,0±0,5 GPa i temperatu3 rę 1800±50°C. Otrzymano kompozyt o twardości HVI 44,42±4,32 GPa i gęstości pozornej 3,61 g/cm3. Moduł Younga tego materiału wynosił 567 MPa.
P r z y k ł a d 2.
Przygotowano mieszaninę 60% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 μm oraz 40% masy proszku Ti3SiC2, o wielkości poniżej 2 μm. Po sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 1,5 mm umieszczano wraz ze spiekiem węglika wolframu z 20% masy kobaltu w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 8,0±0,2 GPa i temperaturę 1800±50°C. Otrzymano kompozyt o twardości HVl 3
39,16±5,44 GPa i gęstości pozornej 3,75 g/cm3.

Claims (2)

1. Kompozyt diamentowy składający się z mikroproszku diamentowego i niediamentowej fazy wiążącej, znamienny tym, że fazę wiążącą stanowi węglik tytanowo krzemowy Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy.
2. Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego polegający na wymieszaniu proszku diamentowego z fazą wiążącą i spiekaniu mieszaniny w odpowiednich warunkach wysokich ciśnień i temperatur, znamienny tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek lub submikroproszek węglika tytanowo krzemowego Ti3SiC2 w ilości od 10% do 40% masy, mieszaninę wyjściowa poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1970K do 2200K.
PL383186A 2007-08-23 2007-08-23 Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania PL212600B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL383186A PL212600B1 (pl) 2007-08-23 2007-08-23 Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL383186A PL212600B1 (pl) 2007-08-23 2007-08-23 Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL383186A1 PL383186A1 (pl) 2009-03-02
PL212600B1 true PL212600B1 (pl) 2012-10-31

Family

ID=42984711

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL383186A PL212600B1 (pl) 2007-08-23 2007-08-23 Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL212600B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL383186A1 (pl) 2009-03-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20220411900A1 (en) Superhard constructions & methods of making
US7377341B2 (en) Thermally stable ultra-hard material compact construction
JP6585179B2 (ja) 超硬質構造物とその製造方法
CA2556052C (en) Polycrystalline diamond composite constructions comprising thermally stable diamond volume
CN105392584B (zh) 超硬结构及其制作方法
KR20120034659A (ko) 절삭 요소, 절삭 요소의 제조 방법 및, 절삭 요소를 포함하는 공구
GB2463578A (en) Thermally stable cutting structure including PCD and polycrystalline CBN
GB2413813A (en) Thermally stable diamond bonded materials and compacts
CN104903537A (zh) 在碳化物基体上制造碳酸盐pcd及烧结碳酸盐pcd的方法
US20170081247A1 (en) Superhard pcd constructions and methods of making same
US8828110B2 (en) ADNR composite
CN110267760A (zh) 超硬构造及其制造方法
Jaworska Diamond composites with TiC, SiC and Ti 3 SiC 2 bonding phase
GB2383799A (en) Diamond containing cermet
PL212600B1 (pl) Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania
PL224205B1 (pl) Kompozyt na osnowie diamentu z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania
KR102573968B1 (ko) 절삭공구용 복합 소결체 및 이를 이용한 절삭공구
JP7473149B2 (ja) 高硬度ダイヤモンド基塊状工具素材およびその製法
PL229677B1 (pl) Kompozyt diamentowy z fazą wiążącą w postaci cermetalu i sposób jego wytwarzania
PL192739B1 (pl) Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania
CN106029608A (zh) 多晶超硬构造及其制造方法
PL223935B1 (pl) Kompozyt diamentowy z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania