PL192739B1 - Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania - Google Patents
Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzaniaInfo
- Publication number
- PL192739B1 PL192739B1 PL339961A PL33996100A PL192739B1 PL 192739 B1 PL192739 B1 PL 192739B1 PL 339961 A PL339961 A PL 339961A PL 33996100 A PL33996100 A PL 33996100A PL 192739 B1 PL192739 B1 PL 192739B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- diamond
- sintering
- binding phase
- weight
- tisi2
- Prior art date
Links
Landscapes
- Powder Metallurgy (AREA)
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
Abstract
1. Kompozyt diamentowy składający się z mikroproszku diamentowego i niediamentowej fazy wiążącej, znamienny tym, że fazę wiążącą stanowi dwukrzemek tytanu TiSi2 w ilości od 20% do 40% masy. 2. Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego polegający na wymieszaniu proszku diamentowego z fazą wiążącą i spiekaniu mieszaniny w odpowiednich warunkach wysokich ciśnień i temperatur, znamienny tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek dwukrzemku tytanu TiSi2 ilości od 20% do 40% masy, mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1700°C do 1900°C, przy czym proces spiekania prowadzi się w zakresie termodynamicznej stabilności diamentu.
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania drogą wysokociśnieniowego spiekania proszku diamentu, z nowym rodzajem fazy wiążącej. Kompozyt diamentowy ma zastosowanie w szczególności do wytwarzania materiałów przeznaczonych na ostrza noży skrawających.
Ostrza diamentowe stosowane w obróbce skrawaniem mają najczęściej postać kształtek wykonanych z tworzywa dwuwarstwowego. Pierwszą - pracującą warstwę - stanowi spiek diamentowy, zaś drugą warstwę stanowi wysoko kobaltowy węglik spiekany.
Znana metoda otrzymywania tych kształtek polega na spiekaniu mikroproszku diamentowego z dodatkową fazą wiążącą na podłożu z węglika spiekanego, w warunkach wysokich ciśnień w specjalnych prasach o nacisku 25 do 50 kN wyposażonych w komorę wysokiego ciśnienia typu Bridgmana, Belt, lub inną. W procesie spiekania w urządzeniach wysokociśnieniowych stosuje się ciśnienie do 10GPa i temperaturę do 2200K.
Znanych jest kilka sposobów otrzymywania spieków diamentowych. Spiekanie mikroproszków diamentowych prowadzi się z fazą wiążącą w postaci proszków metali, niemetali lub innego rodzaju związków w warunkach stabilności termicznej diamentu. W przypadku spiekania kompozytów warstwowych najczęściej wykorzystuje się dyfuzję kobaltu z warstwy spieku węglikowego do warstwy proszku diamentowego umieszczonego bezpośrednio nad tą warstwą.
Jako fazę wiążącą najczęściej stosuje się metale grupy VIII, co opisano na przykład w opisie patentowym USA nr 4 985 051, metale grupy IV-VI oraz inne związki, najczęściej węgliki SiC, znane z opisu patentowego USA nr 5 010 043, lub WC, TaC, znane między innymi z opisów patentowych USA nr 4 525 178 i nr 4 636 253.
Znane są dwa rodzaje spieków diamentowych. Pierwszy rodzaj zawiera powyżej 85% masy diamentu i jego struktura charakteryzuje się dużą ilością mocnych wiązań typu diament-diament. Spieki takie mają wysoką twardość lecz są kruche. Drugi rodzaj spieków zawiera mniej niż 85% masy diamentu i więcej niż 15% masy niediamentowej fazy wiążącej. Spieki takie są mniej kruche w stosunku do poprzednich i bardziej odporne na wysokie temperatury.
Celem wynalazku jest otrzymanie nowego rodzaju kompozytu diamentowego, z inną od dotychczas stosowanych fazą wiążącą, przede wszystkim nie zawierającą kobaltu.
Istota rozwiązania według wynalazku polega na tym, że kompozyt diamentowy ma fazę wiążącą, którą stanowi dwukrzemek tytanu TiSi2 w ilości od 20% do 40% masy.
Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego według wynalazku polega na tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek dwukrzemku tytanu TiSi2 w ilości od20% do 40% masy. Mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1700°C do 1900°C, przy czym proces spiekania prowadzi się w zakresie termodynamicznej stabilności diamentu.
Faza wiążąca według wynalazku różni się w istotny sposób od dotychczas znanych tym, że jej duży udział, w spieku nie obniża twardości materiału. Zastosowanie dwukrzemku tytanu TiSi2 zapewnia mocne połączenie pomiędzy cząstkami spiekanego materiału. W czasie procesu spiekania następuje w strefie kontaktu reakcja chemiczna, w wyniku której powstaje TiC, SiC. Obecność węglików w kompozycie jest bardzo korzystna, poprawiają się właściwości wytrzymałościowe spieku diamentowego, zmniejszają jego kruchość. Równocześnie tego typu faza wiążąca uzyskuje wysoką twardość wynoszącą do 50GPa, charakterystyczną dla spieków o małym udziale fazy wiążącej. Materiał charakteryzuje się dobrymi własnościami wytrzymałościowymi, przykładowo wytrzymałość na ściskanie średnicowe dla 30% masy TiSi2 wynosi 213,45 MPa. Otrzymany spiek jest odporny na ścieranie.
Obecność SiC jako składnika fazy wiążącej w spieku diamentowym jest korzystna również ze względu na jego własności tribologiczne (niski współczynnik tarcia), natomiast TiC ma odpowiednie własności wytrzymałościowe wymagane dla materiału narzędziowego. Zwiększenie ilości fazy wiążącej w postaci TiSi2 wpływa korzystnie na spiekalność materiału, równocześnie przy zachowaniu wysokiej twardości i zwiększeniu wytrzymałości w stosunku do tradycyjnych spieków diamentowych np. z kobaltową fazą wiążącą.
Znaczące zwiększenie udziału fazy wiążącej i tym samym zmniejszenie kruchości pozwala na zmianę zastosowań materiału narzędziowego, dla obróbki w warunkach obciążeń dynamicznych i do obróbki wymagającej większej odporności na ścieranie np. do cięcia płyt wiórowych. Materiał może
PL 192 739 B1 zostać zastosowany zarówno jako monolityczna wkładka narzędzia skrawającego, jak i występować w postaci warstwy spieku na podłożu węglika spiekanego.
P r z y k ł a d 1
Przygotowano mieszaninę 70% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 mm oraz 30% masy proszku TiSi2. Po wstępnym sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm umieszczano w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 8,0±0,5 GPa i temperaturę 1800±50°C. Otrzymano kompozyt o twardości HV1 50,5±5,0 GPa i gęstości pozornej 3,606 g/cm3.
P r z y k ł a d 2.
Przygotowano mieszaninę 80% masy proszku diamentowego o wielkości 3-6 mm oraz 20% masy proszku dwukrzemku tytanu TiSi2. Po sprasowaniu kształtki o średnicy 15 mm i wysokości 1,5 mm umieszczano wraz ze spiekiem węglika wolframu z 20% masy kobaltu w specjalnych wkładach reakcyjnych do spiekania wysokociśnieniowego. Materiał spiekano w prasie z komorą Bridgmana stosując ciśnienie 8,0±0,2 GPa i temperaturę 1800±50°C. Otrzymano kompozyt o twardości HV1 31,0±2,69 GPa i gęstości pozornej 3,540 g/cm3.
Claims (2)
1. Kompozyt diamentowy składający się z mikroproszku diamentowego i niediamentowej fazy wiążącej, znamienny tym, że fazę wiążącą stanowi dwukrzemek tytanu TiSi2 w ilości od 20% do 40% masy.
2. Sposób wytwarzania kompozytu diamentowego polegający na wymieszaniu proszku diamentowego z fazą wiążącą i spiekaniu mieszaniny w odpowiednich warunkach wysokich ciśnień i temperatur, znamienny tym, że jako fazę wiążącą stosuje się mikroproszek dwukrzemku tytanu TiSi2 ilości od 20% do 40% masy, mieszaninę wyjściową poddaje się spiekaniu wysokociśnieniowemu pod ciśnieniem od 7 do 9 GPa w temperaturze od 1700°C do 1900°C, przy czym proces spiekania prowadzi się w zakresie termodynamicznej stabilności diamentu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL339961A PL192739B1 (pl) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL339961A PL192739B1 (pl) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL339961A1 PL339961A1 (en) | 2001-11-05 |
| PL192739B1 true PL192739B1 (pl) | 2006-12-29 |
Family
ID=20076552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL339961A PL192739B1 (pl) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL192739B1 (pl) |
-
2000
- 2000-04-26 PL PL339961A patent/PL192739B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL339961A1 (en) | 2001-11-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7569179B2 (en) | Functionally graded cemented tungsten carbide | |
| AU2009247613B2 (en) | Boron carbide composite materials | |
| US5510193A (en) | Supported polycrystalline diamond compact having a cubic boron nitride interlayer for improved physical properties | |
| CA2488085C (en) | Randomly-oriented composite constructions | |
| US7501081B2 (en) | Nanostructured titanium monoboride monolithic material and associated methods | |
| US20130323108A1 (en) | Intermetallic bonded diamond composite composition and methods of forming articles from same | |
| US20110020163A1 (en) | Super-Hard Enhanced Hard Metals | |
| GB2413813A (en) | Thermally stable diamond bonded materials and compacts | |
| GB2335440A (en) | Metal-matrix diamond or CBN composite | |
| US20110283629A1 (en) | High Strength Diamond-SiC Compacts and Method of Making Same | |
| EP0816304A2 (en) | Ceramic bonded cubic boron nitride compact | |
| GB2275690A (en) | Polycrystalline diamond compacts and methods of making them | |
| CN111266573A (zh) | 一种聚晶立方氮化硼复合片的制备方法 | |
| PL192739B1 (pl) | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania | |
| EP0306353B1 (en) | Diamond composite and method for producing the same | |
| US8172915B2 (en) | Method of making a composite diamond body | |
| JPH1179839A (ja) | 炭化タングステン系超硬質材料およびその製造方法 | |
| JPH0911005A (ja) | 積層構造焼結体及びその製造方法 | |
| JPS6311414B2 (pl) | ||
| PL223935B1 (pl) | Kompozyt diamentowy z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania | |
| PL191953B1 (pl) | Sposób wytwarzania spieków diamentowych | |
| JPH08291356A (ja) | Cbn焼結体及びその製造方法 | |
| JP2000246645A (ja) | 耐食性の向上した多結晶質研磨材成形体 | |
| PL212600B1 (pl) | Kompozyt diamentowy i sposób jego wytwarzania | |
| PL224205B1 (pl) | Kompozyt na osnowie diamentu z ceramiczną fazą wiążącą i sposób jego wytwarzania |