PL209946B1 - Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody - Google Patents

Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody

Info

Publication number
PL209946B1
PL209946B1 PL364900A PL36490004A PL209946B1 PL 209946 B1 PL209946 B1 PL 209946B1 PL 364900 A PL364900 A PL 364900A PL 36490004 A PL36490004 A PL 36490004A PL 209946 B1 PL209946 B1 PL 209946B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
diode
microwave
dielectric disk
transmission line
electrical contact
Prior art date
Application number
PL364900A
Other languages
English (en)
Other versions
PL364900A1 (pl
Inventor
Anna Czwartacka
Bogdan Stachowski
Konrad Szustak
Original Assignee
Przemysłowy Inst Telekomunikacji Społka Akcyjna
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Przemysłowy Inst Telekomunikacji Społka Akcyjna filed Critical Przemysłowy Inst Telekomunikacji Społka Akcyjna
Priority to PL364900A priority Critical patent/PL209946B1/pl
Publication of PL364900A1 publication Critical patent/PL364900A1/pl
Publication of PL209946B1 publication Critical patent/PL209946B1/pl

Links

Landscapes

  • Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody w linii transmisyjnej, znajdujący zastosowanie w traktach odbiorczych współczesnych urządzeń radiolokacyjnych.
W zakresie częstotliwości mikrofalowych do przełączania zmiany kierunków transmisji, ograniczania bądź regulacji mocy przesyłanej liniami transmisyjnymi stosowane są diody. Indukcyjność doprowadzeń diod powoduje ograniczenie maksymalnego tłumienia wprowadzanego przez diodę, które zmniejsza się dosyć szybko wraz ze wzrostem częstotliwości.
W znanych układach mikrofalowych kompensację szkodliwej indukcyjności diody realizuje się poprzez jej równoległe włączenie w linię transmisyjną wraz z kompensującą pojemnością i ponadto z dławikiem wielkiej częstotliwości oraz blokującą pojemnością, zamykającymi obwód prądu stałego diody mikrofalowej. Poprzez zmianę wartości prądu stałego diody reguluje się wartość jej impedancji równolegle wtrąconej w linię wywołując pożądaną zmianę poziomu transmitowanego sygnału.
Znane są z polskich opisów patentowych Nr Nr 166377, 107050 rozwiązania układów z kompensacją indukcyjności doprowadzeń realizowanych w obwodach o stałych skupionych lub obwodach o stał ych rozł o ż onych na liniach koncentrycznych. Niedoskonał oś cią pierwszego z nich jest zastosowanie w układzie kompensacji elementów dyskretnych, które w zakresie większych częstotliwości ujawniają wpływ własnych elementów pasożytniczych, takich jak rozproszone indukcyjności i pojemności. Obwód utworzony z takich elementów jest trudny do realizacji i w stosunku do obwodu projektowanego wymaga korekty na drodze eksperymentalnej. Ponadto jest niepowtarzalny, gdyż wpływ elementów pasożytniczych zależy od ich montażu. Dodatkowo mogą występować w paśmie pracy rezonanse pasożytnicze uniemożliwiające uzyskanie w tym zakresie pożądanych charakterystyk przełączników, ograniczników bądź tłumików.
Znany jest również z polskiego opisu patentowego Nr 185467 układ kompensacji indukcyjności diody w postaci linii mikropaskowej rozwartej na końcu. Rozwiązanie to ograniczone jest do diod włączonych równolegle w linię mikropaskową. W przypadku układów dużej mocy stosowanie linii mikropaskowych stanowi istotne ograniczenie maksymalnej wartości mocy.
Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody w linii paskowej wyróżnia się tym, że pojemność kompensująca diody mikrofalowej utworzona jest w postaci cylindrycznego dysku dielektrycznego z dwustronną metalizacją. Dioda mikrofalowa włączona jest równolegle w linię transmisyjną tak, że jedna z jej elektrod połączona jest z przewodem wewnętrznym linii transmisyjnej, zaś druga elektroda diody jest połączona z jedną ze stron metalizowanej powierzchni dysku dielektrycznego. Powierzchnia metalizowana po przeciwnej stronie dysku dielektrycznego jest tak ukształtowana, że elektroda diody mikrofalowej nie ma kontaktu elektrycznego z tą metalizacją. Dysk dielektryczny z diodą mikrofalową umieszczony jest w przewodzą cej tulei w taki sposób, ż e kontakt elektryczny z przewodząc ą tuleją ma ta metalizowana powierzchnia dysku dielektrycznego, która nie ma kontaktu elektrycznego z diodą mikrofalową. Przewodząca tuleja jest następnie wmontowana, korzystnie poprzez połączenie gwintowane, w przewód zewnętrzny linii transmisyjnej.
Wynalazek jest bliżej objaśniony w przykładzie wykonania, na rysunku, który przedstawia przekrój wzdłużny układu mikrofalowego z kompensacją indukcyjności diody.
Dioda mikrofalowa 1 jest włączona równolegle w linię transmisyjną tak, że jedna z jej elektrod jest połączona z przewodem wewnętrznym 2 tej linii, zaś druga elektroda diody 1 połączona jest z metalizowaną powierzchnią jednej ze stron 3 dysku dielektrycznego 4.
Średnica zewnętrzna metalizacji dysku jest mniejsza od średnicy zewnętrznej dysku dielektrycznego 4. W metalizowanej powierzchni 5, po przeciwnej stronie dysku dielektrycznego 4, usunięta jest metalizacja z centralnej części dysku dielektrycznego 4 tak, aby nie było kontaktu elektrycznego tej metalizacji z elektrodą diody mikrofalowej 1. Dysk dielektryczny 4 usytuowany jest, z kolei, w przewodzącej tulei 6 tak, aby zapewniony był trwały kontakt elektryczny pomiędzy tuleją 6 a metalizowaną powierzchnią 5 dysku dielektrycznego 4. Tuleja 6 wmontowana jest w przewód zewnętrzny linii paskowej 7.

Claims (1)

  1. Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody zawierający diodę mikrofalową, która wraz z obwodem prądu stałego włączona jest w linię transmisyjną, znamienny tym, że pojemność kompensująca diody mikrofalowej (1) utworzona jest w postaci cylindrycznego dysku dielektrycznego (4) z dwustronną metalizacją, zaś dioda mikrofalowa (1) włączona jest równolegle w linię transmisyjną tak, że jedna z jej elektrod połączona jest z przewodem wewnętrznym (2) linii transmisyjnej, zaś druga elektroda diody jest połączona z jedną ze stron metalizowanej powierzchni (3) dysku dielektrycznego (4), przy czym metalizowana powierzchnia po przeciwnej stronie (5) dysku dielektrycznego (4) jest tak ukształtowana, że elektroda diody mikrofalowej (1) nie ma kontaktu elektrycznego z tą metalizacją, tymczasem dysk dielektryczny (4) z diodą mikrofalową (1) umieszczony jest w przewodzącej tulei (6) w taki sposób, aby kontakt elektryczny z przewodzącą tuleją (6) miała ta metalizowana powierzchnia dysku dielektrycznego (4), która nie ma kontaktu elektrycznego z diodą mikrofalową (1), zaś przewodząca tuleja (6) jest następnie wmontowana, korzystnie poprzez połączenie gwintowane, w przewód zewnętrzny linii transmisyjnej (7).
PL364900A 2004-02-06 2004-02-06 Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody PL209946B1 (pl)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL364900A PL209946B1 (pl) 2004-02-06 2004-02-06 Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL364900A PL209946B1 (pl) 2004-02-06 2004-02-06 Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL364900A1 PL364900A1 (pl) 2005-08-08
PL209946B1 true PL209946B1 (pl) 2011-11-30

Family

ID=36241606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL364900A PL209946B1 (pl) 2004-02-06 2004-02-06 Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL209946B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL364900A1 (pl) 2005-08-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100992895B1 (ko) 스위치 기능을 갖는 필터 및 밴드 패스 필터
US20020050873A1 (en) Filtering device
JP2003110322A (ja) 平面回路
US8089328B2 (en) Electronic switching device for high-frequency signals
KR100512794B1 (ko) 필터 부품 및 통신기 장치
KR20020071717A (ko) 고주파 스위치
EP2564513B1 (en) Rf switches
TW201926794A (zh) 電子裝置、射頻裝置及其訊號傳輸構件
EP1430612B1 (en) Rf signal switch for a wireless communication device
PL209946B1 (pl) Układ mikrofalowy z kompensacją indukcyjności diody
KR101051584B1 (ko) 유도결합을 이용한 마이크로스트립 대역통과필터 및 그를 포함하는 장치
JP5405919B2 (ja) 高周波スイッチ
JP2008022232A (ja) リミッタ回路
JP5255587B2 (ja) リミッタ回路
US12015387B2 (en) Digital phase shifter
KR100961370B1 (ko) 고주파용 전송선로 및 이를 이용한 임피던스 변환기
KR200263615Y1 (ko) 감쇠극을 갖는 유전체 필터
KR100401970B1 (ko) 유전체 듀플렉서 및 통신 장치
KR100367718B1 (ko) 직렬구조의 u자형 공진기를 갖는 고주파 필터
JP2003318267A (ja) 半導体装置
JP2003018040A (ja) 高周波回路及びその高周波回路部品
JP5405920B2 (ja) 高周波スイッチ
JP2008022255A (ja) リミッタ回路
RU2231174C2 (ru) Коммутирующее устройство
JP2006109356A (ja) 高周波スイッチ回路

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20070206