PL209889B1 - Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych - Google Patents
Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowychInfo
- Publication number
- PL209889B1 PL209889B1 PL384408A PL38440808A PL209889B1 PL 209889 B1 PL209889 B1 PL 209889B1 PL 384408 A PL384408 A PL 384408A PL 38440808 A PL38440808 A PL 38440808A PL 209889 B1 PL209889 B1 PL 209889B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- temperature
- zinc
- magnesium
- distillation
- admixtures
- Prior art date
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 14
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 title claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 33
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 32
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 31
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 25
- 238000004821 distillation Methods 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 19
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 9
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 17
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- -1 lithium (Li) Chemical class 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002848 electrochemical method Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez stanowiących domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych.
Elementy półprzewodnikowe o żądanych własnościach elektrycznych powstają przez dodanie niewielkich ilości materiałów obcych (domieszek) do jednorodnych kryształów półprzewodnikowych. Takie centra domieszkowe, centra zaburzające, zmieniają własności elektryczne i optoelektroniczne kryształu. Domieszki, w tym przede wszystkim metale, działają na przykład jako centra rekombinacyjne i w ten sposób wpływają na czas życia nośników ładunku. Jednak pierwiastki te mogą być wykorzystywane w materiałach półprzewodnikowych jeżeli dają się otrzymać z nadzwyczajną czystością. Tylko taka czystość umożliwia osiągnięcie zamierzonego domieszkowania w kontrolowany sposób. Czyste metale z jednym tylko rodzajem atomów praktycznie nie występują, a ponieważ udział obcych atomów w istotny sposób wpływa na własności fizyczne takich metali, dlatego oznacza się specjalnie ich stopień czystości. Dla metali oznaczonych 6N wynosi on 99,9999%.
Cynk jako pierwiastek chemiczny z drugiej kolumny układu okresowego ma szerokie spektrum zastosowania ale przede wszystkim używany jest jako składnik związków półprzewodnikowych AlI - BVI typu ZnTe. Cynk będący produktem procesu rektyfikacji (SHG) posiada czystość 99,995% i zawiera domieszki takie jak: ołów (Pb), kadm (Cd), cyna (Sn), aluminium (Al), magnez (Mg), siarka (S), a także domieszki metali lekkich takich jak: lit (Li), sód (Na), potas (K). wapń (Ca), miedź (Cu) oraz domieszki metali przejściowych jak: mangan (Mn), żelazo (Fe) itd.
Podobnie magnez jako pierwiastek chemiczny z drugiej kolumny układu okresowego stosowany jest w różnych dziedzinach - między innymi jest wykorzystywany jako składnik związków półprzewodnikowych AlI - BVI i AIII - BV. W wypadku związków AII - BVI (typu np. CdTe) magnez podstawiając kadm zmienia parametry struktury pasmowej tego związku półprzewodnikowego zwiększając przerwę energetyczną. W wypadku związków AIII - BV (typu GaN) magnez gra rolę akceptora bardzo ważną z punktu widzenia niebieskiej optoelektroniki. Szerokie zastosowania tego pierwiastka w technologii półprzewodnikowej stawiają wymagania jakościowe, a szczególnie jego czystość tzn. jak najdokładniejsze oczyszczenie z tlenków oraz z domieszek innego typu jak siarka (S), metale lekkie typu lit (Li), sód (Na), potas (K), wapń (Ca), miedź (Cu) i metale przejściowe typu mangan (Mn), żelazo (Fe) itd.
Znany jest sposób oczyszczania domieszki cynku w oparciu o tak zwaną metodę topienia strefowego, w której ciekła strefa, jako część długiego pręta cynku, przesuwa się powoli przez cały pręt (na skutek powolnego ruchu grzejącego ją pieca), zabierając ze sobą niektóre domieszki. Ten proces musi być kilkadziesiąt razy powtarzany i jest procesem bardzo długotrwałym i technicznie skomplikowanym. Magnez natomiast otrzymywany jest metodami elektrochemicznymi, w większości metod otrzymuje się najpierw chlorek magnezu (MgCl2), który następnie poddaje się elektrolizie, a jako jej produkty powstają magnez i chlor. Czystość tak otrzymanego magnezu z punktu widzenia domieszki półprzewodnikowej jest daleka od wymaganej.
Innym i podstawowym znanym sposobem oczyszczania zarówno cynku jak i magnezu jest destylacja z fazy pary, przebiegająca (dla zmniejszenia kosztów) w jednorazowych specjalnie uformowanych rurach szklanych. Rury używane do tego celu wykonywane są z czystego szkła, a podstawową wadą tego sposobu jest to, że w celu wyjęcia materiału (np. cynku) po procesie destylacji rurę tłucze się. Uzyskany w ten sposób cynk, czy magnez zawiera na swoich powierzchniach drobinki przyklejonego szkła, a poza tym w kilku mikronowej warstwie przypowierzchniowej (od strony szkła) zlokalizowane są domieszki wapnia, sodu i potasu będące składnikami szkła laboratoryjnego (nawet najczystszego). Z opisu europejskiego zgłoszenia patentowego nr EP1335032 oraz z opisu zgłoszenia japońskiego nr JP10324930 znane są urządzenia do prowadzenia procesów destylacji z fazy pary, ale są to urządzenia skomplikowane, kosztowne i nie eliminują zanieczyszczeń przypowierzchniowej warstwy oczyszczanego metalu z domieszek będących składnikami kwarcu.
Celem wynalazku jest opracowanie takiego sposobu przygotowania metali takich jak cynk i magnez, używanych jako domieszki do półprzewodników, który byłby wydajniejszy od sposobów znanych, a także technicznie znacznie prostszy.
Sposób według wynalazku polega na tym że, spektralnie czysty metal domieszki poddaje się dodatkowej destylacji z fazy pary, którą prowadzi się w warunkach wysokiej próżni. W sposobie tym proces destylacji prowadzi się w jednostronnie zamkniętej rurze kwarcowej, gdzie materiał domieszki cynku lub magnezu, podgrzewa się do temperatury zbliżonej do temperatury topnienia tego materiału i utrzymuje się w tej temperaturze przez co najmniej 4 godziny. Istotnym jest, ż e materiał domieszki
PL 209 889 B1 podczas procesu znajduje się w pojemniku ze spektralnie czystego kwarcu (~ 6N), połączonego z dwuczęściowym tyglem grafitowym o czystości (~ 6N). Po zakończeniu procesu destylacji układ schładza się do temperatury pokojowej. Oczyszczony materiał domieszki wyjmuje się z tygla grafitowego i proces powtarza się co najmniej trzykrotnie. Jeżeli materiał domieszki stanowi cynk, to proces destylacji prowadzi się w temperaturze o 110 - 120°C wyższej niż temperatura jego topnienia, najkorzystniej proces przebiega w temp. 530 - 560°C. Jeżeli materiałem domieszki jest magnez to proces destylacji prowadzi się w temperaturze o 20 - 30°C niższej niż temperatura jego topnienia, najkorzystniej w temp. 620 - 630°C.
Sposób oczyszczania według wynalazku charakteryzuje się zwiększoną o 100 - 200% wydajnością w stosunku do znanych sposobów.
Wynalazek zostanie bliżej objaśniony na przykładzie sposobu przygotowania najwyższej czystości (6N) domieszki cynku i równie czystej domieszki magnezu.
Przykładowe urządzenie pokazane na rysunku posiada ruchomy piec rurowy 6 wyposażony w otwartą rurę kwarcową 4 wewnątrz której, znajduje się pojemnik kwarcowy 2 oraz tygiel grafitowy 3. Przeznaczoną do oczyszczania domieszkę 1 (cynk lub magnez) umieszcza się w pojemniku 2, w którym także zbiera się domieszka rozpuszczona w czasie trwania procesu destylacji. Pojemnik ten ma postać rury zamkniętej z jednej strony, a z drugiej strony posiadającej deformację w postaci progu 7, który uniemożliwia wypływ roztopionej domieszki. Ponadto pojemnik posiada otwarte przewężenie pełniące rolę dyszy dla par domieszek i tą częścią jest połączony z tyglem grafitowym 3. Tygiel 3 składa się z dwóch zazębiających się w środkowej części rur grafitowych o średnicach wewnętrznych mniejszych na początku i na końcu tygla i większych w środkowej części (zazębiającej się). W przykładowym urządzeniu wewnętrzna średnica środkowej części tygla grafitowego jest o ok. 5% większa niż średnice na początku i końca tygla. Taka konstrukcja powoduje, że osadzający się na ściankach tygla cynk lub magnez możemy łatwo wydobyć rozsuwając obie części tygla.
Przykładowy sposób przygotowania najwyższej czystości (6N) domieszki cynku polega na poddaniu „czystego do analiz (~ 99,9%) cynku odpowiedniemu procesowi destylacji. W tym celu przeznaczony do oczyszczenia cynk umieszcza się w pojemniku kwarcowym ze spektralnie czystego kwarcu (SiO2 o czystości ~ 6N), a następnie pojemnik ten łączy się z dwuczęściowym tyglem grafitowym o czystoś ci „pół przewodnikowe” (~ 6N tzn. 99,9999%) i razem umieszcza się w zamknię tej z jednej strony rurze kwarcowej po czym, odpompowuje się. Po odpompowaniu do wysokiej próżni ~ 10-6 Tr, rurę kwarcową zawierającą pojemnik kwarcowy z cynkiem i tyglem grafitowym umieszcza się w piecu, podgrzewa się do temperatury 540 - 550°C i utrzymuje się w tej temperaturze przez 4 godziny.
W przykł adowym sposobie temperatura oczyszczanego cynku jest o 130°C wyższa, niż temperatura jego topnienia (~ 420°C). W wyniku tak prowadzonego procesu parujący cynk kondensuje i osadza się w środkowej, chłodniejszej części grafitowego tygla. Po zakończeniu procesu termicznego rurę kwarcową z pojemnikiem kwarcowym i tyglem grafitowym ochładza się do temperatury pokojowej, wyjmuje się z tygla grafitowego oczyszczony cynk i w ten sam sposób powtarza się proces destylacji trzykrotnie.
W trakcie procesu destylacji frakcje mające niską prężność par pozostają w pojemniku kwarcowym, a frakcje mające wyższą niż cynk prężność par przemieszczają się w ramach tygla grafitowego poza miejsce kondensacji czystego cynku. Oczyszczany cynk nie ma kontaktu ze szkłem, które go zanieczyszczało, a używany kwarc i grafit są wielokrotnego użycia. Wysoka dynamiczna próżnia utrzymywana podczas procesu zabezpiecza cynk przed utlenianiem. Pojedynczy, przykładowy proces oczyszczenia (destylacji) 400g cynku trwa 6 godzin. W tym, 1 godzina to czas niezbędny na uzyskanie wysokiej próżni i właściwej temperatury, 4 godziny to czas destylacji i 1 godzina to chłodzenie. Końcowa czystość trzykrotnie destylowanego cynku wynosi 6N tzn. 99,9999%, a uzysk około 70% cynku poddanego pierwotnie oczyszczaniu. W przypadku domieszki magnezu „czysty do analiz” (~ 99,9%) magnez destyluje się w układzie identycznym jak w przypadku cynku, ale w innych warunkach termicznych.
W tym przypadku rurę kwarcową zawierają c ą pojemnik grafitowy z magnezem i tyglem grafitowym umieszcza się w piecu, i podgrzewa tak by temperatura materiału wsadowego (magnezu) była niższa o 30 - 20% niż temperatura jego topnienia (650°C), czyli do temperatury ~ 620 - 630°C i utrzymuje się w tej temperaturze przez 4 godziny. Proces podgrzewania i parowania magnezu przebiega w warunkach dynamicznej próż ni ~10-6 Tr, która zabezpiecza przed utlenianiem. Parujący magnez kondensuje i osadza się w środkowej, chłodniejszej części tygla grafitowego, która poprzez odpo4
PL 209 889 B1 wiednią pozycję nasuniętego pieca wypada w środkowej jego części, skąd można go łatwo wyjąć. W czasie opisanego procesu destylacji frakcje mające niską prężność par pozostają w pojemniku grafitowym, a frakcje mające wyższą niż magnez prężność par przemieszczają się w ramach tygla grafitowego poza miejsce kondensacji czystego magnezu. Oczyszczany magnez nie ma kontaktu ze szkłem, które go zanieczyszczało, a jedynie z grafitem, który jest „bezpieczny”. Ponadto używany grafit jest wielokrotnego użytku.
Pojedynczy, proces destylacji 30 g magnezu trwa 6 godzin, w tym. 1 godzina przeznaczona jest na uzyskanie wysokiej próżni i właściwej temperatury. 4 godziny trwa sam proces destylacji, a 1 godzina jest przeznaczona na chłodzenie całego układu. Dla uzyskania półprzewodnikowej czystości magnezu wyjęty z pierwszej destylacji materiał poddawany jest w ten sam sposób drugiej i trzeciej destylacji, w efekcie czego końcowa czystość trzykrotnie destylowanego magnezu wynosi 6N tzn. 99.9999%. a końcowy uzysk około 70% metalu wstępnie przeznaczonego do oczyszczania. Po zakończeniu takiej destylacji, w pojemniku kwarcowym, w miejscu gdzie był materiał wsadowy pozostają tlenki i różnego typu ciężkie domieszki, a na końcu tygla grafitowego, blisko brzegu pieca (od strony aparatury pompującej) osadzony jest materiał, którego nawet pobieżna analiza wzrokowa wykazuje, że zawiera liczne obce domieszki. Prawdziwie czysty cynk lub magnez znajduje się w środkowej części grafitowego tygla, a ponieważ nie przykleja się do grafitu, to jest łatwy do wyjęcia po rozsunięciu obu części tygla.
Claims (3)
1. Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych polegający na poddaniu w warunkach wysokiej próżni, destylacji z fazy pary spektralnie czystego metalu, znamienny tym, że proces destylacji prowadzi się w jednostronnie zamkniętej rurze kwarcowej, gdzie materiał domieszki cynku lub magnezu, podgrzewa się do temperatury zbliżonej do temperatury topnienia tego materiału i utrzymuje się w tej temperaturze przez co najmniej 4 godziny, przy czym materiał domieszki umieszcza się w pojemniku ze spektralnie czystego kwarcu (~ 6N), połączonego z dwuczęściowym tyglem grafitowym o czystości (~ 6N), po zakończeniu procesu destylacji układ schładza się do temperatury pokojowej, wyjmuje się oczyszczony materiał domieszki z tygla grafitowego i proces powtarza się co najmniej trzykrotnie.
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że materiał domieszki cynku podgrzewa się do temperatury o 110 - 120°C wyższej niż temperatura jego topnienia, korzystnie do temp. 530 - 560°C.
3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że materiał domieszki magnezu podgrzewa się do temperatury o 20 - 30°C niższej niż temperatura jego topnienia, korzystnie do temp. 620 - 630°C.
PL 209 889 B1
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL384408A PL209889B1 (pl) | 2008-02-06 | 2008-02-06 | Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL384408A PL209889B1 (pl) | 2008-02-06 | 2008-02-06 | Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL384408A1 PL384408A1 (pl) | 2009-08-17 |
| PL209889B1 true PL209889B1 (pl) | 2011-11-30 |
Family
ID=42986870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL384408A PL209889B1 (pl) | 2008-02-06 | 2008-02-06 | Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL209889B1 (pl) |
-
2008
- 2008-02-06 PL PL384408A patent/PL209889B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL384408A1 (pl) | 2009-08-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI454423B (zh) | 利用串級程序純化矽的方法 | |
| JP2012508154A (ja) | 冶金級シリコンを精錬してソーラー級シリコンを生産するための方法及び装置 | |
| US20120082610A1 (en) | Fluorspar/Iodide process for reduction,purificatioin, and crystallization of silicon | |
| US20090028766A1 (en) | High Purity Anhydrous Aluminium Chloride and Process for Production Thereof | |
| KR20140037277A (ko) | 고순도 칼슘 및 이의 제조 방법 | |
| Hamilton | The synthesis of single crystals of the sulphides of zinc, cadmium and mercury and of mercuric selenide by vapour phase methods | |
| CN103409647B (zh) | 一种高、低温兼容型金属锂蒸馏设备及其蒸馏方法 | |
| ZHENG | Preparation of high pure tellurium from raw tellurium containing Cu and Se by chemical method | |
| Pearson et al. | The production and properties of super-purity aluminium | |
| PL209889B1 (pl) | Sposób przygotowania metali takich jak cynk i magnez używanych jako domieszki dla wytwarzania związków półprzewodnikowych | |
| CN104562191B (zh) | 一种提纯固态半导体多晶材料的设备及方法 | |
| JP2019526521A (ja) | 精製された六フッ化マンガン酸カリウム及び六フッ化マンガン酸カリウムを精製する方法 | |
| Abbasova et al. | Phase relations in the Cu8GeS6-Ag8GeS6 system and some properties of solid solutions | |
| JP3382561B2 (ja) | 高純度リン酸 | |
| Ahmedova | PHYSICO-CHEMICAL AND X-RAY STRUCTURAL INVESTIGATION OF ALLOYS OF THE AS2S3TLINTE2 SYSTEM | |
| JPH10121162A (ja) | 高純度アンチモンの製造方法および製造装置 | |
| US9194057B2 (en) | Production of radiation-resistant fluoride crystals, in particular calcium fluoride crystals | |
| WO2012050410A1 (en) | Method of purification of silicon | |
| RU2370558C1 (ru) | Способ получения высокочистого кобальта для распыляемых мишеней | |
| US20150376017A1 (en) | Method for purifying silicon | |
| Nicoara et al. | Growth and Characterization of Doped CaF2 Crystals | |
| US20140341795A1 (en) | Fluorspar/Iodide Process for Reduction, Purification, and Crystallization of Silicon | |
| PL210262B1 (pl) | Sposób oczyszczania telluru oraz urządzenie do oczyszczania telluru | |
| PL210945B1 (pl) | Sposób oczyszczania kadmu oraz urządzenie do oczyszczania kadmu | |
| EP0260223A1 (de) | Verfahren zur Herstellung polykristalliner Siliziumschichten durch elektrolytische Abscheidung von Silizium |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LICE | Declarations of willingness to grant licence |
Effective date: 20110614 |