PL207180B1 - Przejście między linią mikropaskową a falowodem - Google Patents
Przejście między linią mikropaskową a falowodemInfo
- Publication number
- PL207180B1 PL207180B1 PL374171A PL37417103A PL207180B1 PL 207180 B1 PL207180 B1 PL 207180B1 PL 374171 A PL374171 A PL 374171A PL 37417103 A PL37417103 A PL 37417103A PL 207180 B1 PL207180 B1 PL 207180B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- waveguide
- substrate
- microstrip line
- transition
- stepped structure
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P5/00—Coupling devices of the waveguide type
- H01P5/08—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices
- H01P5/10—Coupling devices of the waveguide type for linking dissimilar lines or devices for coupling balanced with unbalanced lines or devices
- H01P5/107—Hollow-waveguide/strip-line transitions
Description
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest przejście między linią mikropaskową a falowodem.
W wielu przypadkach stosowania techniki wielkiej czę stotliwoś ci, zwł aszcza w technice fal milimetrowych, wymagane jest wprowadzanie fali prowadzonej w linii mikropaskowej do falowodu i odwrotnie. Przy tym pożądane jest przejście możliwie bezodbiciowe i bezstratne. To przejście wewnątrz pewnego ograniczonego zakresu częstotliwości zapewnia wzajemne dopasowanie impedancji między falowodem a linią paskową i zamianę obrazu pola falowodu jednego rodzaju, na obraz pola falowodu innego rodzaju.
Przejścia linia mikropaskowa - falowód znane są na przykład z opisów DE 197 41 944 A1 lub US 6.265.950 B1.
W opisie DE 197 41 944 A1 opisano ukł ad, w którym linia mikropaskową umieszczona jest na górnej powierzchni podłoża. To znane rozwiązanie przedstawione jest na fig. 1 załączonego rysunku. Falowód HL powierzchnią czołową przylega do spodniej strony podłoża S. Podłoże S w obszarze falowodu HL ma przelotowe wybranie D, które w zasadzie odpowiada przekrojowi falowodu HL. Na linii mikropaskowej ML osadzony jest element sprzęgający (nie przedstawiony), który wchodzi do wewnątrz przelotowego wybrania. Przelotowe wybranie D jest po górnej stronie podłoża otoczone kołpakiem ekranującym SK, który za pośrednictwem przewodzących wierconych przepustów (ViaHoles) VH połączony jest z przewodzącą elektrycznie metalizacją RM znajdującą się na spodniej stronie podłoża S.
Ten układ ma wadę polegającą na tym, że płytka drukowana wymaga montażu z zapewnieniem przewodzenia na prefabrykowanej płycie nośnej z falowodem HL. Dodatkowo potrzebny jest wykonany precyzyjnie, dokładnie pozycjonowany mechanicznie i nałożony z zapewnieniem przewodzenia, kołpak ekranujący SK. Wytwarzanie tego układu z powodu dużej liczby różnorodnych etapów obróbki jest czasochłonne i kosztowne. Inne wady wynikają z potrzebnej dużej przestrzeni, co spowodowane jest umieszczeniem falowodu na zewnątrz płytki z obwodami.
W układzie opisanym w dokumencie US 6.265.950 B1, zapewniają cym przejście mię dzy linią mikropaskową a falowodem, podłoże wraz z umieszczoną na nim linią mikropaskową sięga do wewnątrz falowodu. Wadą tego układu jest trudność integracji falowodu ze środowiskiem obwodów drukowanych. Falowód może być umieszczony tylko na powierzchniach ograniczających płytki z obwodami (podłoża). Integracja falowodu wewnątrz płytki z obwodami, z powodu kosztownej obróbki wstępnej płytki z obwodami, nie jest możliwa.
Z artykułu „A transition from microstrip to dielectric-filled rectangular waveguide in surface mounting, 2002 lEEE-MTT-S International Microwave Symposium, str. 813-816 znany jest układ przejścia między linią mikropaskową a falowodem, który zawiera linię mikropaskową na górnej powierzchni podłoża, na której znajduje się też falowód mający ujście na przynajmniej jednej końcowej powierzchni. przy czym jedna ściana boczna falowodu ma metalizowaną warstwę utworzoną na podłożu. W metalizowanej warstwie jest utworzone wybranie, w którym wystaje do falowodu, poprzez ujś cie, linia mikropaskową. Na tylnej powierzchni podłoża jest utworzona metalizacja tylno-powierzchniowa. Pomiędzy metalizowaną warstwą na górnej powierzchni podłoża i metalizacją tylno-powierzchniową są utworzone elektrycznie przewodzące przepusty. Zastosowane w tym rozwiązaniu przewodzące przepusty są przedstawione w dokumencie EP 0 920 071 A2.
Ponadto, z dokumentu JP 05283915 znane jest przejście między linią mikropaskową i falowodem, w którym przejście dla poprawy dopasowania między linią mikropaskową a falowodem, w kierunku wydłużenia wzdłużnego falowodu, posiada wiele stopni o tej samej szerokości.
Przejście między linią mikropaskową a falowodem, zawierające linię mikropaskową usytuowaną na górnej powierzchni dielektrycznego podłoża, na której znajduje się również falowód mający ujście na przynajmniej jednej czołowej powierzchni, przy czym jedna ściana boczna falowodu jest metalizowaną warstwą utworzoną na podłożu, w której to metalizowanej warstwie jest utworzone wybranie, w którym wystaje do falowodu, poprzez uj ś cie, linia mikropaskową , przy czym na tylnej stronie podł o ż a jest utworzona metalizacja, a pomiędzy metalizowaną warstwą na górnej powierzchni podłoża a metalizacją strony tylnej, które otaczają wybranie, są utworzone przewodzące przepusty, według wynalazku charakteryzuje się tym, że do linii mikropaskowej jest dołączona przewodzącym połączeniem przynajmniej jedna część struktury schodkowej w postaci przynajmniej jednego stopnia, która to struktura schodkowa jest utworzona na bocznej ścianie, przeciwległej względem górnej powierzchni czołowej
PL 207 180 B1 podłoża falowodu, w obszarze ujścia falowodowego elementu, przy czym stopnie struktury schodkowej mają szerokość wzrastającą we wzdłużnym kierunku falowodu, oddalając się od przejścia.
Korzystnym jest, jeśli falowód jest elementem do montażu powierzchniowego, czyli tak zwanym elementem SMD.
W korzystnym rozwią zaniu przejścia, struktura schodkowa, która jest utworzona w kształcie przynajmniej jednego stopnia, jest wykonana na ścianie bocznej falowodowego elementu, przeciwległej względem wybrania.
Korzystnym jest, że przewodzące przepusty rozmieszczone są w kilku wzajemnie równoległych rzędach, a podłoże w obszarze metalizowanej warstwy po stronie górnej podłoża zawiera przelotowe ujście falowodu. Korzystnie, wewnętrzna powierzchnia przelotowego ujścia falowodu jest przewodząca elektrycznie.
W korzystnym rozwią zaniu przejś cia wedł ug wynalazku, ściana boczna falowodu, przeciwległ a do górnej strony podłoża, w obszarze przelotowego ujścia zawiera strukturę schodkową o kształcie przynajmniej jednego stopnia.
Zaletą układu według niniejszego wynalazku jest prosty i oszczędny sposób wytwarzania przejścia między linią mikropaskową a falowodem. Dla realizacji przejścia, w odróżnieniu od rozwiązań znanych, potrzebnych jest mniej elementów składowych. Inna zaleta polega na tym, że implementacja falowodu w środowisku płytek z obwodami nie musi się odbywać, jak w przypadku rozwiązania według opisu US 6.265.950, na obrzeżu płytki z obwodami, lecz możliwe jest umieszczenie go w dowolnym miejscu na płytce z obwodami. Układ według wynalazku charakteryzuje się przy tym mniejszym zapotrzebowaniem przestrzeni.
Korzystnym jest, że falowód jest elementem do montażu powierzchniowego SMD (surface mount device). Element falowodowy jest osadzany w jednym etapie montażu od góry na płytce z obwodami i połączony jest z zapewnieniem przewodzenia. Przyłączenie falowodu do przejścia może być zintegrowane ze znanym procesem obsadzania elementów. Dzięki temu oszczędza się na etapach wykonawczych, a w wyniku tego obniżają się koszty i czas wytwarzania.
Przedmiot wynalazku w przykładach realizacji, jest uwidoczniony na rysunku, na którym fig. 2 przedstawia w widoku od góry, warstwę metalizacji po górnej stronie podłoża, fig. 3 - w widoku perspektywicznym przykładową schodkową strukturę elementu SMD, fig. 4 - w przekroju wzdłużnym przejście między linią mikropaskową a falowodem, według wynalazku, fig. 5 - pierwszy przekrój, obszaru 3 na fig. 4, fig. 6 - drugi przekrój obszaru 4 z fig. 4, fig. 7 - trzeci przekrój obszaru 5 z fig. 4, fig. 8 - czwarty przekrój obszaru 6 z fig. 4, a fig. 9 przedstawia inny korzystny przykład wykonania przejścia linia mikropaskową - falowód.
Na fig. 2 przedstawiono metalizowaną warstwę LS podłoża S. Ta metalizowana warstwa LS stanowi strukturę podstawową dla przejścia linia mikropaskową - falowód. Metalizowana warstwa LS ma wybranie A z ujściem OZ. Przez to ujście OZ przebiega linia mikropaskową ML, która kończy się wewnątrz wybrania A. Wybranie A jest otoczone przewodzącymi przepustami VH, znanymi pod nazwą Via-Holes. Te przewodzące przepusty VH są przewodzącymi elektrycznie otworami przelotowymi podłoża, które strukturę podstawową utworzoną przez warstwę metalizowaną LS, łączą z metalizacją wykonaną na tylnej stronie podłoża (nie pokazana). Odstęp między poszczególnymi przewodzącymi przepustami VH jest dobrany na tyle mały, że w użytecznym zakresie częstotliwości, wypromieniowywanie fali elektromagnetycznej przez przestrzenie pośrednie jest ograniczone. Przepusty VH, dla ograniczenia wypromieniowywania, mogą być korzystnie, ustawione w kilku wzajemnie równoległych rzędach.
Na fig. 3 przedstawiono widok perspektywiczny przykładowej wewnętrznej struktury schodkowej ST falowodowego elementu do montażu powierzchniowego SMD. Falowodowy element B ma ujście OB, odpowiednio do ujścia OZ wybrania A w strukturze podstawowej z metalizowanej warstwy LS (por. fig. 2). W kierunku wzdł u ż nym tego elementu B znajduje się , w zadanym odstę pie od ujś cia OB, ukształ towana na ścianie bocznej, struktura schodkowa ST z częścią struktury stanowiąca stopień ST1. Ściana boczna elementu B, zawierająca strukturę schodkową ST i jej część stanowiąca stopień ST1, po montażu struktury podstawowej z metalizowanej warstwy LS znajduje się naprzeciwko powierzchni podłoża S (por. fig. 4). Przeznaczony do nałożenia konstrukcyjny element B falowodu jest przed montażem otwarty ku dołowi (w kierunku podłoża), w związku z czym falowód jest jeszcze niekompletny. Brakująca jeszcze ściana boczna utworzona zostaje przez wykonaną na podłożu strukturę podstawową, którą stanowi metalizowana warstwa LS.
PL 207 180 B1
Przejście według wynalazku nie jest ograniczone do liczby stopni przedstawionych na fig. 3 lub fig. 4. Struktura schodkowa ST pod względem liczby stopni, długości i szerokości poszczególnych stopni jest dostosowywana w zależności od potrzeb.
W przedstawionym rozwiązaniu, stanowiący część struktury ST stopień ST1, ma taką wysokość, że przy łączeniu kształtowym elementu B ze strukturą podstawową według fig. 2, stopień ST1 układa się dokładnie na linii mikropaskowej ML i dzięki temu tworzy połączenie z zachowaniem przewodzenia elektrycznego między linią mikropaskową ML a falowodowym elementem B.
Na fig. 4 przedstawiono przekrój wzdłużny przez przejście linia mikropaskową - falowód. Przy tym element B według fig. 5 jest nałożony, z połączeniem kształtowym, na strukturę podstawową podłoża S. Element B jest ponadto w taki sposób nakładany na podłoże, że między strukturą podstawową a elementem B powstaje połączenie przewodzące.
Po spodniej stronie, podłoże S pokryte jest w zasadzie całkowicie warstwą metalizacji RM. W przekroju wzdł u ż nym wedł ug fig. 4, obszar falowodowy w tym widoku oznaczono odnoś nikiem HB. Obszar przejścia oznaczono odnośnikiem UB.
Przejście linia mikropaskową - falowód działa na następującej zasadzie:
Sygnał wielkiej częstotliwości na zewnątrz falowodu HL jest prowadzony przez linię mikropaskową ML o impedancji Z0 (Obszar 1). Sygnał wielkiej częstotliwości wewnątrz falowodu HL jest prowadzony w postaci podstawowego modu TE10 falowodu. Przejście UB przekształca obraz pola modu linii mikropaskowej stopniowo w obraz pola modu falowodowego. Równocześnie, przejście UB w wyniku stopniowania elementu B powoduje transformację rezystancji falowej i zapewnia w użytecznym paśmie częstotliwościowym dopasowanie impedancji Z0 do impedancji ZHL falowodu HL. Dzięki temu zapewnia się mało-stratne i niskoodbiciowe przejście między obydwoma torami falowodowymi.
Linia mikropaskową ML wchodzi najpierw w obszar 2 tak zwanego kanału odcięcia (Cutoff). Ten kanał jest utworzony z elementu B, metalizacji RM strony tylnej i przewodzących przepustów przewodzących VH, które tworzą przewodzące połączenie między elementem B a metalizacją RM strony tylnej. Szerokość kanału odcięcia jest dobrana tak, że w tym obszarze 2 poza przenoszącym sygnał modu linii mikropaskowej nie propagowany jest żaden dodatkowy typ falowy. Długość kanału określa tłumienie niepożądanego, nie podlegającego propagacji modu falowodowego i uniemożliwia wypromieniowywanie do swobodnej przestrzeni (Obszar 1).
W obszarze 3 znajduje się linia mikropaskową ML w pewnego rodzaju częściowo wypeł nionym falowodzie. Falowód jest utworzony przez element B, metalizację RM strony tylnej i przepusty przewodzące VH (fig. 5). W obszarze 4 stopniowana struktura elementu B jest połączona z linią mikropaskową ML (fig. 6). Ściany boczne elementu B są połączone elektrycznie z metalizacją RM strony tylnej przez rząd ekranujący złożony z przepustów VH. Dzięki temu powstaje pewien obciążony dielektrycznie, tak zwany falowód grzbietowy. Energia sygnałowa koncentruje się między metalizacją RM strony tylnej a grzbietem utworzonym przez linię mikropaskową ML i stopień ST1 elementu B.
W porównaniu z obszarem 4, w obszarze 5 zmniejsza się wysokość struktury schodkowej ST w elemencie B, tak ż e przy kształ towym zakł adaniu elementu B na strukturę podstawową z metalizowanej warstwy LS podłoża S powstaje określona szczelina powietrzna L między materiałem podłoża a strukturą schodkową ST (fig. 7). Ś ciany boczne elementu B są za pomocą przewodzą cych przepustów VH połączone z metalizacją RM na stronie tylnej. Dzięki temu powstaje częściowo wypełniony dielektrykiem falowód grzbietowy.
Szerokość stopnia powiększa się, wyrównując obraz pola z obszaru 4 stopniowo do obrazu pola modu falowodowego (Obszar 6). Długość, szerokość i wysokość stopni są dobrane tak, że impedancja Z0 modu linii mikropaskowej ML jest transformowana na impedancję ZHL modu falowodowego na końcu obszaru 6. W razie potrzeby można również zwiększyć liczbę stopni w strukturze elementu B w obszarze 5.
Obszar 6 oznacza obszar falowodowy HB. Element B tworzy ściany boczne i pokrywę falowodu HL. Spód falowodu jest utworzony przez strukturę podstawową z metalizowanej warstwy LS podłoża S, to znaczy w porównaniu z obszarem 5 jeszcze w falowodzie HL nie znajduje się wypełnienie dielektryczne.
Jeden lub kilka, biegnących poprzecznie względem kierunku propagacji fali w falowodzie szeregów ekranujących, utworzonych z przewodzących przepustów VH w obszarze przejściowym między obszarem 5, a obszarem 6, tworzy przejście między falowodem częściowo wypełnionym dielektrykiem a falowodem czysto powietrznym. Równocześnie dzięki szeregowi ekranującemu następuje uniemożliwienie sprzężenia dla sygnałów między strukturą podstawową z metalizowanej warstwy LS a metalizacją RM strony tylnej.
PL 207 180 B1
W obszarze 6, w górnej części kołpaka może znajdować się, opcjonalnie, również pewna struktura schodkowa (analogicznie do struktury schodkowej w obszarze 5). Długość i wysokość tych stopni jest, analogicznie, jak w obszarze 5, dobrana tak, że w kombinacji z innymi obszarami impedancja Z0 modu linii mikropaskowej jest transformowana na przykładaną na końcu obszaru 6 impedancję ZHL modu falowodowego.
Na fig. 9 przedstawiono inny korzystny przykład wykonania przejścia linia mikropaskową - falowód według wynalazku. W tym przykładzie wykonania możliwe jest zrealizowanie prostego i oszczędnego pod względem kosztów przejścia falowodowego, za pomocą którego sygnał wielkiej częstotliwości może być wyprowadzany poprzez podłoże S ku dołowi, przez znajdujące się w podłożu przelotowe ujście falowodowe DB. Ujście falowodowe DB ma, korzystnie, przewodzące elektrycznie ściany wewnętrzne IW. Element konstrukcyjny B, korzystnie, w obszarze ujścia DB na ścianie przeciwległej do ujścia DB, ma ukształtowaną strukturę schodkową ST. Dzięki temu kształtowi w postaci jednego stopnia, fala z falowodu jest odchylana o 90°, z obszaru falowodowego HB elementu B, do ujścia falowodowego DB podłoża S. Na spodniej stronie podłoża S, w obszarze tego ujścia falowodowego DB, może być umieszczony na przykład dodatkowy falowód lub element promieniujący. W przykładzie przedstawionym na fig. 9, na metalizację RM strony tylnej naniesiony jest dodatkowy materiał nośny TP, na przykład jednowarstwowa lub wielowarstwowa płytka z obwodami, lub metalowy wspornik. Zaleta tego układu w porównaniu z rozwiązaniem znanym z DE 197 41 944 A1 polega na uproszczeniu i zmniejszeniu kosztów budowy podłoża S i materiału nośnego TP. Ujś cie falowodowe jest frezowane przelotowe, a ściany wewnętrzne są metalizowane galwanicznie. Oba etapy obróbki są łatwo realizowalnymi standardowymi procesami, zwykłymi w technologii obwodów drukowanych.
Claims (7)
1. Przejście między linią mikropaskową a falowodem, zawierające linię mikropaskową (ML) usytuowaną na górnej powierzchni dielektrycznego podłoża (S), na której znajduje się również falowód mający ujście (OB) na przynajmniej jednej czołowej powierzchni, przy czym jedna ściana boczna falowodu jest metalizowaną warstwą (LS) utworzoną na podłożu (S), w której to metalizowanej warstwie (LS) jest utworzone wybranie (A), w którym wystaje do falowodu, poprzez ujście (OB), linia mikropaskową (ML), przy czym na tylnej stronie podłoża (S) jest utworzona metalizacja (RM), a pomiędzy metalizowaną warstwą (LS) na górnej powierzchni podłoża (S) a metalizacją (RM) strony tylnej, które otaczają wybranie (A), są utworzone przewodzące przepusty (VH), znamienne tym, że do linii mikropaskowej (ML) jest dołączona przewodzącym połączeniem przynajmniej jedna część (ST1) struktury schodkowej (ST) w postaci przynajmniej jednego stopnia, która to struktura schodkowa (ST) jest utworzona na bocznej ścianie, przeciwległej względem górnej powierzchni czołowej podłoża (S) falowodu, w obszarze ujś cia (OB) falowodowego elementu (B), przy czym stopnie struktury schodkowej (ST) mają szerokość wzrastającą we wzdłużnym kierunku falowodu, oddalając się od przejścia.
2. Przejście według zastrz. 1, znamienne tym, że falowód jest elementem do montażu powierzchniowego.
3. Przejście według zastrz. 1 lub 2, znamienne tym, że struktura schodkowa (ST), która jest utworzona w kształcie przynajmniej jednego stopnia, jest wykonana na ścianie bocznej falowodowego elementu (B), przeciwległej względem wybrania (A).
4 Przejście według zastrz. 1, znamienne tym, że przewodzące przepusty (VH) rozmieszczone są w kilku wzajemnie równoległych rzędach.
5. Przejście według zastrz. 1, znamienne tym, że podłoże (S) w obszarze metalizowanej warstwy (LS) po stronie górnej podłoża (S) zawiera przelotowe ujście (DB) falowodu.
6. Przejście według zastrz. 5, znamienne tym, że wewnętrzna powierzchnia przelotowego ujścia (DB) falowodu jest przewodząca elektrycznie.
7. Przejście według zastrz. 4 lub 5, znamienne tym, że ściana boczna falowodu, przeciwległa do górnej strony podłoża (S), w obszarze przelotowego ujścia (DB) zawiera strukturę schodkową (ST) o kształ cie przynajmniej jednego stopnia.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10243671A DE10243671B3 (de) | 2002-09-20 | 2002-09-20 | Anordnung für einen Übergang zwischen einer Mikrostreifenleitung und einem Hohlleiter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
PL374171A1 PL374171A1 (pl) | 2005-10-03 |
PL207180B1 true PL207180B1 (pl) | 2010-11-30 |
Family
ID=31896216
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PL374171A PL207180B1 (pl) | 2002-09-20 | 2003-07-30 | Przejście między linią mikropaskową a falowodem |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7336141B2 (pl) |
EP (1) | EP1540762B1 (pl) |
JP (1) | JP4145876B2 (pl) |
KR (1) | KR100958790B1 (pl) |
CN (1) | CN100391045C (pl) |
AT (1) | ATE406672T1 (pl) |
AU (1) | AU2003257396B2 (pl) |
BR (1) | BR0306449A (pl) |
CA (1) | CA2499585C (pl) |
DE (2) | DE10243671B3 (pl) |
ES (1) | ES2312850T3 (pl) |
IL (1) | IL167325A (pl) |
NO (1) | NO20041694L (pl) |
PL (1) | PL207180B1 (pl) |
WO (1) | WO2004030142A1 (pl) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7680464B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Waveguide—printed wiring board (PWB) interconnection |
US7603097B2 (en) * | 2004-12-30 | 2009-10-13 | Valeo Radar Systems, Inc. | Vehicle radar sensor assembly |
EP1949491B1 (de) | 2005-11-14 | 2011-07-06 | VEGA Grieshaber KG | Hohlleiterübergang |
JP4365852B2 (ja) * | 2006-11-30 | 2009-11-18 | 株式会社日立製作所 | 導波管構造 |
WO2008069714A1 (en) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A surface-mountable waveguide arrangement |
WO2009068071A1 (en) * | 2007-11-30 | 2009-06-04 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A microstrip to waveguide transition arrangement |
WO2009084697A1 (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Kyocera Corporation | 高周波伝送線路の接続構造、配線基板、高周波モジュールおよびレーダ装置 |
WO2009128752A1 (en) * | 2008-04-16 | 2009-10-22 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | A waveguide transition arrangement |
CA2794675A1 (en) * | 2010-03-10 | 2011-09-15 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Microstrip coupler |
US9653796B2 (en) | 2013-12-16 | 2017-05-16 | Valeo Radar Systems, Inc. | Structure and technique for antenna decoupling in a vehicle mounted sensor |
DE102014109120B4 (de) | 2014-06-30 | 2017-04-06 | Krohne Messtechnik Gmbh | Mikrowellenmodul |
KR20180088002A (ko) * | 2017-01-26 | 2018-08-03 | 주식회사 케이엠더블유 | 전송선로-도파관 전이 장치 |
US10468736B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-11-05 | Aptiv Technologies Limited | Radar assembly with ultra wide band waveguide to substrate integrated waveguide transition |
DE102017214871A1 (de) * | 2017-08-24 | 2019-02-28 | Astyx Gmbh | Übergang von einer Streifenleitung auf einen Hohlleiter |
KR101827952B1 (ko) | 2017-10-18 | 2018-02-09 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 밀리미터파 초소형 레이더 시스템 |
KR101839045B1 (ko) | 2017-10-18 | 2018-03-15 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 밀리미터파 시스템에서의 신호 전송용 구조 |
KR101858585B1 (ko) | 2018-03-15 | 2018-05-16 | 엘아이지넥스원 주식회사 | 밀리미터파 시스템의 전력 결합 장치 |
US11283162B2 (en) * | 2019-07-23 | 2022-03-22 | Veoneer Us, Inc. | Transitional waveguide structures and related sensor assemblies |
US11757166B2 (en) * | 2020-11-10 | 2023-09-12 | Aptiv Technologies Limited | Surface-mount waveguide for vertical transitions of a printed circuit board |
US11616306B2 (en) | 2021-03-22 | 2023-03-28 | Aptiv Technologies Limited | Apparatus, method and system comprising an air waveguide antenna having a single layer material with air channels therein which is interfaced with a circuit board |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4754239A (en) * | 1986-12-19 | 1988-06-28 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Waveguide to stripline transition assembly |
JPH0590807A (ja) * | 1991-09-27 | 1993-04-09 | Nissan Motor Co Ltd | 導波管・ストリツプ線路変換器 |
JP2682589B2 (ja) * | 1992-03-10 | 1997-11-26 | 三菱電機株式会社 | 同軸マイクロストリップ線路変換器 |
JPH05283915A (ja) * | 1992-03-31 | 1993-10-29 | Toshiba Corp | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 |
JPH08162810A (ja) * | 1994-12-08 | 1996-06-21 | Nec Corp | ストリップライン導波管変換回路 |
DE19636890C1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-02-12 | Bosch Gmbh Robert | Übergang von einem Hohlleiter auf eine Streifenleitung |
DE19741944A1 (de) * | 1997-09-23 | 1999-03-25 | Daimler Benz Aerospace Ag | Streifenleiter-Hohlleiter-Übergang |
US5982250A (en) * | 1997-11-26 | 1999-11-09 | Twr Inc. | Millimeter-wave LTCC package |
JP2002111312A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 導波管フィルタ |
-
2002
- 2002-09-20 DE DE10243671A patent/DE10243671B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-07-30 CN CNB038222183A patent/CN100391045C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-30 AU AU2003257396A patent/AU2003257396B2/en not_active Ceased
- 2003-07-30 ES ES03798047T patent/ES2312850T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 BR BR0306449-2A patent/BR0306449A/pt not_active IP Right Cessation
- 2003-07-30 US US10/528,431 patent/US7336141B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-30 DE DE50310414T patent/DE50310414D1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 PL PL374171A patent/PL207180B1/pl not_active IP Right Cessation
- 2003-07-30 JP JP2004538686A patent/JP4145876B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-30 WO PCT/DE2003/002553 patent/WO2004030142A1/de active IP Right Grant
- 2003-07-30 EP EP03798047A patent/EP1540762B1/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-30 KR KR1020057004819A patent/KR100958790B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-07-30 AT AT03798047T patent/ATE406672T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-07-30 CA CA2499585A patent/CA2499585C/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-27 NO NO20041694A patent/NO20041694L/no not_active Application Discontinuation
-
2005
- 2005-03-08 IL IL167325A patent/IL167325A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1682404A (zh) | 2005-10-12 |
AU2003257396A1 (en) | 2004-04-19 |
DE10243671B3 (de) | 2004-03-25 |
CA2499585A1 (en) | 2004-04-08 |
CN100391045C (zh) | 2008-05-28 |
KR20050057509A (ko) | 2005-06-16 |
US20060145777A1 (en) | 2006-07-06 |
JP4145876B2 (ja) | 2008-09-03 |
DE50310414D1 (de) | 2008-10-09 |
EP1540762A1 (de) | 2005-06-15 |
WO2004030142A1 (de) | 2004-04-08 |
EP1540762B1 (de) | 2008-08-27 |
KR100958790B1 (ko) | 2010-05-18 |
BR0306449A (pt) | 2004-10-26 |
CA2499585C (en) | 2011-02-15 |
AU2003257396B2 (en) | 2008-09-25 |
PL374171A1 (pl) | 2005-10-03 |
ATE406672T1 (de) | 2008-09-15 |
US7336141B2 (en) | 2008-02-26 |
ES2312850T3 (es) | 2009-03-01 |
IL167325A (en) | 2010-04-15 |
JP2005539461A (ja) | 2005-12-22 |
NO20041694L (no) | 2004-04-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP3460908B1 (en) | Phased array antenna | |
PL207180B1 (pl) | Przejście między linią mikropaskową a falowodem | |
US20220416396A1 (en) | Vertical switched filter bank | |
KR101158559B1 (ko) | 도파로와 마이크로스트립 라인 사이의 무접점 전이 요소 | |
US7102896B2 (en) | Electronic component module | |
US20110037530A1 (en) | Stripline to waveguide perpendicular transition | |
US11101535B2 (en) | Transmission line-waveguide transition device comprising a waveguide having a ridge connected to the transmission line at a reduced width ground transition area | |
CN108777343A (zh) | 基片集成波导传输结构、天线结构及连接方法 | |
US8022784B2 (en) | Planar transmission line-to-waveguide transition apparatus having an embedded bent stub | |
CN208173765U (zh) | 基片集成波导传输结构、天线结构 | |
JP4404797B2 (ja) | 配線基板 | |
US6914787B2 (en) | Electronic component module | |
CN217507641U (zh) | 一种平面微带转间隙波导天线 | |
JP2023136491A (ja) | 平面線路・導波管変換器 | |
CN116387783A (zh) | 准空气集成波导、过渡结构、阵列天线及制造方法 | |
WO2006059934A1 (en) | A stripline arrangement and a method for production thereof | |
KR20060092156A (ko) | 금속블럭을 이용한 비방사마이크로스트립선로에서의모드변환 접속법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20110730 |