JPH0590807A - 導波管・ストリツプ線路変換器 - Google Patents
導波管・ストリツプ線路変換器Info
- Publication number
- JPH0590807A JPH0590807A JP24978291A JP24978291A JPH0590807A JP H0590807 A JPH0590807 A JP H0590807A JP 24978291 A JP24978291 A JP 24978291A JP 24978291 A JP24978291 A JP 24978291A JP H0590807 A JPH0590807 A JP H0590807A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- substrate
- strip line
- ridge portion
- ridge
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、導波管が小型化されてもリッジ部
の精度を確保して良好な変換特性を得ることを目的とす
る。 【構成】 一主面に管内壁となる凹部２及びこの凹部２
の一部にテーパ状のリッジ部３が形成された半導体材料
からなる第１の基板１と凹部２に対向して第１の基板１
に固着された第２の基板４とで管体を構成しリッジ部３
を含む管体内壁に金属層５が形成された導波管１０と、
リッジ部３における金属層５に接続されたストリップ線
路６とを有することを特徴とする。
の精度を確保して良好な変換特性を得ることを目的とす
る。 【構成】 一主面に管内壁となる凹部２及びこの凹部２
の一部にテーパ状のリッジ部３が形成された半導体材料
からなる第１の基板１と凹部２に対向して第１の基板１
に固着された第２の基板４とで管体を構成しリッジ部３
を含む管体内壁に金属層５が形成された導波管１０と、
リッジ部３における金属層５に接続されたストリップ線
路６とを有することを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、極超短波帯において導
波管とストリップ線路とを結合する導波管・ストリップ
線路変換器に関する。
波管とストリップ線路とを結合する導波管・ストリップ
線路変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の導波管・ストリップ線路変換器と
しては、例えば図９に示すようなものがある。同図
（ａ），（ｂ）において、２１は導波管であり、その管
内には、インピーダンス変換用のテーパ状のリッジ部２
２が形成されている。導波管２１及びリッジ部２２は、
金属材料の機械的加工により作製されている。そして、
リッジ部２２にストリップ線路２３が接続されている。
ストリップ線路２３は、導波管２１の構成材の一部から
延在された導体板２１ａ上に、低損失の誘電体２４で離
隔して形成されている。導波管２１、リッジ部２２の各
部の寸法及び誘電体２４の厚さ等は使用周波数及び変換
特性により決定される。
しては、例えば図９に示すようなものがある。同図
（ａ），（ｂ）において、２１は導波管であり、その管
内には、インピーダンス変換用のテーパ状のリッジ部２
２が形成されている。導波管２１及びリッジ部２２は、
金属材料の機械的加工により作製されている。そして、
リッジ部２２にストリップ線路２３が接続されている。
ストリップ線路２３は、導波管２１の構成材の一部から
延在された導体板２１ａ上に、低損失の誘電体２４で離
隔して形成されている。導波管２１、リッジ部２２の各
部の寸法及び誘電体２４の厚さ等は使用周波数及び変換
特性により決定される。
【０００３】図９の（ｃ）〜（ｆ）は、動作説明用の図
で、同図（ｂ）中のＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅの各位置における電
界２５の様子を示している。Ｂの位置（同図（ｃ））で
は、電界２５は導波管２１内の全体に分布しているが、
リッジ部２２により電界２５の分布は次第に縮まり、最
終的に図９（ｆ）に示すように、電界２５はストリップ
線路２３の下の誘電体２４の部分に分布する。このよう
して、リッジ部２２により導波管２１内の電界モードが
ストリップ線路２３の電界モードに変換される。
で、同図（ｂ）中のＢ，Ｃ，Ｄ，Ｅの各位置における電
界２５の様子を示している。Ｂの位置（同図（ｃ））で
は、電界２５は導波管２１内の全体に分布しているが、
リッジ部２２により電界２５の分布は次第に縮まり、最
終的に図９（ｆ）に示すように、電界２５はストリップ
線路２３の下の誘電体２４の部分に分布する。このよう
して、リッジ部２２により導波管２１内の電界モードが
ストリップ線路２３の電界モードに変換される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の導波管・ストリ
ップ線路変換器は、導波管及びリッジ部が金属材料の機
械的加工により作製されていたため、使用周波数の向上
に伴ない、導波管が小型化した場合、リッジ部の精度を
確保することが困難で、良好な変換特性を得ることが難
しくなるという問題があった。
ップ線路変換器は、導波管及びリッジ部が金属材料の機
械的加工により作製されていたため、使用周波数の向上
に伴ない、導波管が小型化した場合、リッジ部の精度を
確保することが困難で、良好な変換特性を得ることが難
しくなるという問題があった。
【０００５】そこで、本発明は、使用周波数の向上に伴
なって導波管が小型化されてもリッジ部の精度を十分に
確保することができて良好な変換特性を得ることができ
る導波管・ストリップ線路変換器を提供することを目的
とする。
なって導波管が小型化されてもリッジ部の精度を十分に
確保することができて良好な変換特性を得ることができ
る導波管・ストリップ線路変換器を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、一主面に管内壁となる凹部及び該凹部の一
部にインピーダンス変換用のテーパ状のリッジ部が形成
された半導体材料からなる第１の基板と前記凹部に対向
して当該第１の基板に固着された第２の基板とで管体が
構成され前記リッジ部を含む管体内壁に金属層が形成さ
れた導波管と、前記リッジ部における金属層に接続され
たストリップ線路とを有することを要旨とする。
するために、一主面に管内壁となる凹部及び該凹部の一
部にインピーダンス変換用のテーパ状のリッジ部が形成
された半導体材料からなる第１の基板と前記凹部に対向
して当該第１の基板に固着された第２の基板とで管体が
構成され前記リッジ部を含む管体内壁に金属層が形成さ
れた導波管と、前記リッジ部における金属層に接続され
たストリップ線路とを有することを要旨とする。
【０００７】
【作用】上記構成において、リッジ部は、半導体材料か
らなる第１の基板上に、異方性エッチング等のエッチン
グ加工により形成することが可能となる。これにより、
導波管が小型化されてもリッジ部の精度を十分に確保す
ることが可能となる。
らなる第１の基板上に、異方性エッチング等のエッチン
グ加工により形成することが可能となる。これにより、
導波管が小型化されてもリッジ部の精度を十分に確保す
ることが可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。
する。
【０００９】図１ないし図３は、本発明の第１実施例を
示す図である。
示す図である。
【００１０】図２（ａ）は図１の横方向の断面図、図２
（ｂ）は図１の長手方向の断面図、図２（ｃ）は図１中
のＦ矢印部の反転図である。
（ｂ）は図１の長手方向の断面図、図２（ｃ）は図１中
のＦ矢印部の反転図である。
【００１１】まず、図１及び図２を用いて、導波管・ス
トリップ線路変換器の構成を説明する。
トリップ線路変換器の構成を説明する。
【００１２】図１及び図２において、１は主面が（１，
１，０）面のＳｉ半導体からなる第１の基板（以下、単
にＳｉ基板ともいう）であり、その主面には、後述する
ように強アルカリエッチングを用いた異方性エッチング
により、導波管１０の管内壁となる凹部２とその凹部２
の端部の部分にテーパ状のリッジ部３とが形成されてい
る。４はＳｉ半導体製もしくは金属製の第２の基板であ
り、この第２の基板４が凹部２と対向するように第１の
基板１に接着されて管体が構成されている。そして、リ
ッジ部３を含む管体内壁に金属層５が形成されてリッジ
部３を有する導波管１０が構成されている。金属層５が
形成された第２の基板４は、導波管１０から延在され、
その延在部の部分に低損失の誘電体７を介してストリッ
プ線路６が設けられている。ストリップ線路６はリッジ
部３表面の金属層５に接続されている。また、導波管１
０の内部には、誘電率の高い誘電体材料８が充填されて
いる。誘電体材料８の誘電率をεａとすると、導波管１
０は、誘電体材料８を充填しない場合に比べて１／（ε
ａ1/2 ）に小型化される。
１，０）面のＳｉ半導体からなる第１の基板（以下、単
にＳｉ基板ともいう）であり、その主面には、後述する
ように強アルカリエッチングを用いた異方性エッチング
により、導波管１０の管内壁となる凹部２とその凹部２
の端部の部分にテーパ状のリッジ部３とが形成されてい
る。４はＳｉ半導体製もしくは金属製の第２の基板であ
り、この第２の基板４が凹部２と対向するように第１の
基板１に接着されて管体が構成されている。そして、リ
ッジ部３を含む管体内壁に金属層５が形成されてリッジ
部３を有する導波管１０が構成されている。金属層５が
形成された第２の基板４は、導波管１０から延在され、
その延在部の部分に低損失の誘電体７を介してストリッ
プ線路６が設けられている。ストリップ線路６はリッジ
部３表面の金属層５に接続されている。また、導波管１
０の内部には、誘電率の高い誘電体材料８が充填されて
いる。誘電体材料８の誘電率をεａとすると、導波管１
０は、誘電体材料８を充填しない場合に比べて１／（ε
ａ1/2 ）に小型化される。
【００１３】この実施例の導波管・ストリップ線路は上
述のように構成されており、導波管１０内の電界モード
がインピーダンス変換用のリッジ部３によりストリップ
線路６の電界モードに変換されて導波管１０とストリッ
プ線路６との結合が行われる。このとき、リッジ部３に
おけるテーパ部の形状は、理想的には、理論にのっとっ
たカーブ形状をしていることが望ましいが、直線であっ
てもよい。本実施例は、使用周波数が高くなって導波管
１０が小型になった場合、他の材料では実現困難なリッ
ジ部３の精度確保を容易に実現可能としたものであり、
テーパ部が直線であることは変換特性に殆んど影響しな
い。
述のように構成されており、導波管１０内の電界モード
がインピーダンス変換用のリッジ部３によりストリップ
線路６の電界モードに変換されて導波管１０とストリッ
プ線路６との結合が行われる。このとき、リッジ部３に
おけるテーパ部の形状は、理想的には、理論にのっとっ
たカーブ形状をしていることが望ましいが、直線であっ
てもよい。本実施例は、使用周波数が高くなって導波管
１０が小型になった場合、他の材料では実現困難なリッ
ジ部３の精度確保を容易に実現可能としたものであり、
テーパ部が直線であることは変換特性に殆んど影響しな
い。
【００１４】次いで、図３を用いて、Ｓｉ基板１部の製
造工程を説明する。
造工程を説明する。
【００１５】（ａ）（１，０，０）面Ｓｉ基板１の主面
に、マスクとなるＳｉＯ2 膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜等のマスキ
ング材９を形成する。
に、マスクとなるＳｉＯ2 膜、Ｓｉ3 Ｎ4 膜等のマスキ
ング材９を形成する。
【００１６】（ｂ）マスキング材９に凹部２とリッジ部
３を形成するための所要のパターニングを行い、不要な
部分を除去する。
３を形成するための所要のパターニングを行い、不要な
部分を除去する。
【００１７】（ｃ）マスキング材９をマスクとして、Ｓ
ｉ基板１に強アルカリエッチングによる異方性エッチン
グを行い、凹部２とリッジ部３を形成する。
ｉ基板１に強アルカリエッチングによる異方性エッチン
グを行い、凹部２とリッジ部３を形成する。
【００１８】（ｄ）マスキング材９を除去したのち、リ
ッジ部３及び凹部２を含む表面に金属層５を形成する。
ッジ部３及び凹部２を含む表面に金属層５を形成する。
【００１９】上述の異方性エッチングにより、導波管１
０が小型化されても直線状のテーパ部を有するリッジ部
３が精度よく形成される。
０が小型化されても直線状のテーパ部を有するリッジ部
３が精度よく形成される。
【００２０】図４及び図５には、本発明の第２実施例を
示す。
示す。
【００２１】図５（ａ）は図４の横方向の断面図、図５
（ｂ）は図４の長手方向の断面図、図５（ｃ）は図４中
の第３の基板の平面図、図５（ｄ）は第３の基板の側面
図である。
（ｂ）は図４の長手方向の断面図、図５（ｃ）は図４中
の第３の基板の平面図、図５（ｄ）は第３の基板の側面
図である。
【００２２】なお、図４、図５及び後述の第３実施例を
示す図において、前記図１及び図２に示す部材及び部位
と同一ないし均等のものは、前記と同一符号を以って示
し、重複した説明を省略する。
示す図において、前記図１及び図２に示す部材及び部位
と同一ないし均等のものは、前記と同一符号を以って示
し、重複した説明を省略する。
【００２３】この実施例は、（１，１，０）面のＳｉ半
導体からなる第３の基板１１に前述と同様の異方性エッ
チングを施すことにより導波管１０の内壁の一部が形成
され、また、この第３の基板１１上に通常のパターニン
グによりストリップ線路６が形成されている。第３の基
板１１における導波管１０の内壁となる面とストリップ
ライン６が形成されている面の反対側の面とには、金属
層５が形成されている。
導体からなる第３の基板１１に前述と同様の異方性エッ
チングを施すことにより導波管１０の内壁の一部が形成
され、また、この第３の基板１１上に通常のパターニン
グによりストリップ線路６が形成されている。第３の基
板１１における導波管１０の内壁となる面とストリップ
ライン６が形成されている面の反対側の面とには、金属
層５が形成されている。
【００２４】作用については、前記第１実施例のものと
ほぼ同様である。
ほぼ同様である。
【００２５】図６ないし図８には、本発明の第３実施例
を示す。この実施例は、ストリップ線路の側方部に検波
回路を組込んだものである。
を示す。この実施例は、ストリップ線路の側方部に検波
回路を組込んだものである。
【００２６】図７において、１３はｐ型基板であり、ｐ
型基板１３上にｎエピタキシャル層１４が成長されてエ
ピタキシャルＳｉ基板１２が形成されている。１５は素
子分離用のｐ＋ガードリング、１６はｎウェル、１７は
ｐ＋拡散層であり、このｐ＋拡散層１７とｎウェル１６
とで検波ダイオード１９が形成されている。ｐ＋拡散層
１７はストリップ線路６に接続され、ｎウェル１６は検
波出力線１８に接続されている。
型基板１３上にｎエピタキシャル層１４が成長されてエ
ピタキシャルＳｉ基板１２が形成されている。１５は素
子分離用のｐ＋ガードリング、１６はｎウェル、１７は
ｐ＋拡散層であり、このｐ＋拡散層１７とｎウェル１６
とで検波ダイオード１９が形成されている。ｐ＋拡散層
１７はストリップ線路６に接続され、ｎウェル１６は検
波出力線１８に接続されている。
【００２７】ストリップ線路６を伝送されてきたマイク
ロ波は、検波ダイオード１９で検波され、検波出力線１
８に出力される。図８は、この検波の様子を示してい
る。
ロ波は、検波ダイオード１９で検波され、検波出力線１
８に出力される。図８は、この検波の様子を示してい
る。
【００２８】なお、図７では、検波回路２０の初段のみ
を示しているが、それに続く所要の各種能動回路も同時
にエピタキシャルＳｉ基板１２上に作り込むことが可能
である。本実施例でｎエピタキシャル層１４を有する基
板を使用していることの利点として容易にバイポーラデ
バイスを作製できる点が上げられる。また、ｎエピタキ
シャルｐ基板に代えてｐエピタキシャルｎ基板を用いる
ことも可能である。
を示しているが、それに続く所要の各種能動回路も同時
にエピタキシャルＳｉ基板１２上に作り込むことが可能
である。本実施例でｎエピタキシャル層１４を有する基
板を使用していることの利点として容易にバイポーラデ
バイスを作製できる点が上げられる。また、ｎエピタキ
シャルｐ基板に代えてｐエピタキシャルｎ基板を用いる
ことも可能である。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
一主面に管内壁となる凹部及びこの凹部の一部にインピ
ーダンス変換用のテーパ状のリッジ部が形成された半導
体材料からなる第１の基板と凹部に対向して当該第１の
基板に固着された第２の基板とで管体を構成しリッジ部
を含む管体内壁に金属層が形成された導波管と、リッジ
部における金属層に接続されたストリップ線路とを具備
させたため、リッジ部は異方性エッチング等のエッチン
グ加工により形成することが可能となる。したがって、
使用周波数の向上に伴なって導波管が小型化されてもリ
ッジ部の精度を十分に確保することができて良好な変換
特性を得ることができる。
一主面に管内壁となる凹部及びこの凹部の一部にインピ
ーダンス変換用のテーパ状のリッジ部が形成された半導
体材料からなる第１の基板と凹部に対向して当該第１の
基板に固着された第２の基板とで管体を構成しリッジ部
を含む管体内壁に金属層が形成された導波管と、リッジ
部における金属層に接続されたストリップ線路とを具備
させたため、リッジ部は異方性エッチング等のエッチン
グ加工により形成することが可能となる。したがって、
使用周波数の向上に伴なって導波管が小型化されてもリ
ッジ部の精度を十分に確保することができて良好な変換
特性を得ることができる。
【図１】本発明に係る導波管・ストリップ線路変換器の
第１実施例を示す斜視図である。
第１実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の各部の断面等を示す図である。
【図３】第１実施例における第１の基板部の製造工程を
示す工程図である。
示す工程図である。
【図４】本発明の第２実施例を示す斜視図である。
【図５】図４の各部断面等を示す図である。
【図６】本発明の第３実施例を示す斜視図である。
【図７】図６のＸ−Ｘ線拡大断面図である。
【図８】第３実施例における検波作用を説明するための
図である。
図である。
【図９】従来の導波管・ストリップ線路変換器を示す図
である。
である。
１ 第１の基板 ２ 凹部 ３ リッジ部 ４ 第２の基板 ５ 金属層 ６ ストリップ線路 ７ 誘電体 １０ 導波管
Claims (1)
- 【請求項１】 一主面に管内壁となる凹部及び該凹部の
一部にインピーダンス変換用のテーパ状のリッジ部が形
成された半導体材料からなる第１の基板と前記凹部に対
向して当該第１の基板に固着された第２の基板とで管体
が構成され前記リッジ部を含む管体内壁に金属層が形成
された導波管と、前記リッジ部における金属層に接続さ
れたストリップ線路とを有することを特徴とする導波管
・ストリップ線路変換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24978291A JPH0590807A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 導波管・ストリツプ線路変換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24978291A JPH0590807A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 導波管・ストリツプ線路変換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590807A true JPH0590807A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17198151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24978291A Pending JPH0590807A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | 導波管・ストリツプ線路変換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590807A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998011621A1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-03-19 | Robert Bosch Gmbh | Übergang von einem hohlleiter auf eine streifenleitung |
| EP0984504A2 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-08 | The Whitaker Corporation | Transverse electric or quasi-transverse electric mode to waveguide mode transformer |
| JP2002532928A (ja) * | 1998-12-10 | 2002-10-02 | レイセオン・カンパニー | 広帯域マイクロストリップから平行板導波管への転移部 |
| WO2002082579A1 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A transition from microstrip to waveguide |
| WO2004030142A1 (de) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Eads Deutschland Gmbh | Übergang zwischen einer mikrostreifenleitung und einem hohlleiter |
| CN1327568C (zh) * | 2002-09-20 | 2007-07-18 | 伊兹德国有限公司 | 波导滤波器 |
| JP2012222439A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 同軸導波管変換器 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP24978291A patent/JPH0590807A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998011621A1 (de) * | 1996-09-11 | 1998-03-19 | Robert Bosch Gmbh | Übergang von einem hohlleiter auf eine streifenleitung |
| EP0984504A2 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-08 | The Whitaker Corporation | Transverse electric or quasi-transverse electric mode to waveguide mode transformer |
| EP0984504A3 (en) * | 1998-08-31 | 2001-08-08 | The Whitaker Corporation | Transverse electric or quasi-transverse electric mode to waveguide mode transformer |
| JP2002532928A (ja) * | 1998-12-10 | 2002-10-02 | レイセオン・カンパニー | 広帯域マイクロストリップから平行板導波管への転移部 |
| WO2002082579A1 (en) * | 2001-04-05 | 2002-10-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | A transition from microstrip to waveguide |
| WO2004030142A1 (de) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Eads Deutschland Gmbh | Übergang zwischen einer mikrostreifenleitung und einem hohlleiter |
| CN1327568C (zh) * | 2002-09-20 | 2007-07-18 | 伊兹德国有限公司 | 波导滤波器 |
| US7336141B2 (en) | 2002-09-20 | 2008-02-26 | Eads Deutschland Gmbh | Junction with stepped structures between a microstrip line and a waveguide |
| CN100391045C (zh) * | 2002-09-20 | 2008-05-28 | 伊兹德国有限公司 | 微波传输带与波导管间的过渡装置 |
| JP2012222439A (ja) * | 2011-04-05 | 2012-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 同軸導波管変換器 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2825876A (en) | Radio frequency transducers | |
| KR20000061886A (ko) | 전압제어발진기의 위상잡음 감소용 공동공진기 | |
| US5192927A (en) | Microstrip spur-line broad-band band-stop filter | |
| JPH0590807A (ja) | 導波管・ストリツプ線路変換器 | |
| US4006425A (en) | Dielectric image guide integrated mixer/detector circuit | |
| US5880517A (en) | Microwave power transistor having matched impedance with integrated DC blocking capacitor and manufacturing method therefor | |
| Mehdi et al. | Fabrication and performance of planar Schottky diodes with T-gate-like anodes in 200-GHz subharmonically pumped waveguide mixers | |
| JPH09246816A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JP4209842B2 (ja) | シリコン基板装置とその製造方法 | |
| US7688163B2 (en) | Pillbox vacuum window | |
| JP3951532B2 (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JPS644361B2 (ja) | ||
| US3519962A (en) | Microwave transmission line | |
| JPH05335816A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| JPS61141203A (ja) | 導波管−ストリツプライン変換器 | |
| JPS5940702A (ja) | 導波管−ストリツプ線路変換器 | |
| US20220376375A1 (en) | Waveguides | |
| JPS5830761B2 (ja) | 同軸−マイクロストリツプ変換器 | |
| JPH05235613A (ja) | 同軸−マイクロストリップ変換コネクター構造 | |
| JP2006013868A (ja) | 導波管−平面伝送線路変換器の製造方法 | |
| JPS62271508A (ja) | フインライン検波器 | |
| JP2005176156A (ja) | アンテナ集積素子及びその作製方法 | |
| JPH05283915A (ja) | 導波管−マイクロストリップ線路変換器 | |
| KR0132486B1 (ko) | 엠엠아이씨용 귀환증폭기의 제조방법 | |
| JPS6127203Y2 (ja) |