PL196952B1 - Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami - Google Patents
Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalamiInfo
- Publication number
- PL196952B1 PL196952B1 PL357452A PL35745202A PL196952B1 PL 196952 B1 PL196952 B1 PL 196952B1 PL 357452 A PL357452 A PL 357452A PL 35745202 A PL35745202 A PL 35745202A PL 196952 B1 PL196952 B1 PL 196952B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- elements
- mole
- cu2o
- nitride ceramics
- alumina
- Prior art date
Links
Landscapes
- Ceramic Products (AREA)
Abstract
1. Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami, poprzez wstępne naniesienie na powierzchnie elementów z ceramiki warstwy, zawierającej Cu2O i/lub CuO oraz Ti i/lub TiH2, znamienny tym, że na powierzchnie elementów z ceramiki korundowej i/lub azotkowej nanosi się mieszaninę proszków Cu2O i/lub CuO, Mn oraz Ti i/lub TiH2, zawierającą 80-85% molowych Cu, 75-85% molowych O2, 7-9% molowych Mn i 12-15% molowych Ti, a następnie tak przygotowane elementy ogrzewa się w próżni lub w atmosferze gazu obojętnego, korzystnie azotu, w temperaturze 1273-1353 K.
Description
(21) Numer zgłoszenia: 357452 (51) Int.Cl.
C04B 41/89 (2006.01) C04B 41/90 (2006.01) (22) Data zgłoszenia: 29.11.2002
Urząd Patentowy Rzeczypospolitej Polskiej
| (54) Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami | |
| (73) Uprawniony z patentu: | |
| Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych,Warszawa,PL | |
| (43) Zgłoszenie ogłoszono: | |
| 31.05.2004 BUP 11/04 | (72) Twórca(y) wynalazku: Wiesława Olesińska,Warszawa,PL Marcin Chmielewski,Pionki,PL Adam Bień,Warszawa,PL |
| (45) O udzieleniu patentu ogłoszono: | |
| 29.02.2008 WUP 02/08 | (74) Pełnomocnik: |
| Barbara Kehl, Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych |
(57) 1. Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami, poprzez wstępne naniesienie na powierzchnie elementów z ceramiki warstwy, zawierającej Cu2O i/lub CuO oraz Ti i/lub TiH2, znamienny tym, że na powierzchnie elementów z ceramiki korundowej i/lub azotkowej nanosi się mieszaninę proszków Cu2O i/lub CuO, Mn oraz Ti i/lub TiH2, zawierającą 80-85% molowych Cu, 75-85% molowych O2, 7-9% molowych Mn i 12-15% molowych Ti, a następnie tak przygotowane elementy ogrzewa się w próżni lub w atmosferze gazu obojętnego, korzystnie azotu, w temperaturze 1273-1353 K.
PL 196 952 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami, stosowany zwłaszcza w przemyśle elektronicznym.
Znane są sposoby wytwarzania złączy ceramika-ceramika i ceramika-metal, wykorzystujące pierwiastki aktywne, które w warunkach łączenia reagują z ceramiką, tworząc różnorodne związki w warstwie złącza.
Znane są również metody wytwarzania takich złączy przy użyciu lutów aktywnych z dodatkiem tytanu lub cyrkonu w atmosferze wysokiej próżni.
Znany z publikacji W. Tillmann i in., J.of Mater. Sci., 31 (1996) 445-452 proces łączenia Si3N4 ze stalą nierdzewną, jak również płytek z Si3N4 między sobą, był prowadzony w atmosferze próżni 10-5 Tr (1,3-10-4 Pa=1,3-10-3 μbar). Prasowane na gorąco płytki z Si3N4 z dodatkiem Y2O3 łączono z elementami ze stali przy użyciu lutowia o zawartości 68,8% wagowych Ag, 26,7% wagowych Cu i 4,5% wagowych Ti w temperaturze 1133K lub lutowiem o zawartości 70,5% wagowych Ag, 26,5% wagowych Cu i 3% wagowych Ti w temperaturze 1153 K.
Znane jest również łączenie spiekanych płytek z Si3N4 między sobą w analogicznych warunkach próżni w piecu próżniowym za pomocą lutowia o zawartości 72,5% wagowych Ag, 19,5% wagowych Cu, 5% wagowych In i 3% wagowych Ti w temperaturze 1173 K.
We wszystkich otrzymanych w ten sposób złączach na powierzchni Si3N4 tworzy się cienka zwarta warstwa TiN o grubości poniżej 1 um. Dalej od powierzchni ceramiki w głąb stopu lutowniczego tworzy się warstwa mieszana TiN i Ti5Si3 o grubości 2-3 um, co potwierdzają badania dyfrakcji rentgenowskiej oraz badania za pomocą sondy elektronicznej.
Z publikacji C.Peytour i in., J.of Materials Research, 5, Nol, 127-135 (1990) znane są badania złączy pomiędzy ceramiką korundową a stopem lutowniczym, zawierającym 55% wagowych Cu, 40% wagowych Ag i 5% wagowych Ti po wygrzewaniu w próżni 1x10-3 Pa w ciągu 20 minut w temperaturze 1173 K. Podczas spajania następuje rozpuszczanie oraz rozkład Al2O3 w stopie lutowniczym i powstają tlenowe i międzymetaliczne związki tytanu. Uszkodzenie mikrostruktury korundu prowadzi do destrukcji powierzchniowej spajanego materiału, w wyniku czego otrzymane złącza nie są odporne na działania mechaniczne i nie są próżnioszczelne.
Z polskiego opisu patentowego nr 144 117 znane jest wytwarzanie złączy miedzi lub jej stopów z ceramiką poprzez nałożenie płytki ceramicznej na płytkę miedzianą z naniesioną warstewką innego metalu, takiego jak Mn, Ti lub Cr lub jego stopu z Cu, albo na płytkę ze stopu Cu i innego metalu, takiego jak Mn, Ti lub Cr i spajanie ich w temperaturze 1073-1373 K w atmosferze wilgotnego wodoru. Tak otrzymane złącza również nie są próżnioszczelne i nie są odporne na rozrywanie. W przypadku wytwarzania złączy ceramiki z płytkami ze stopów Cu bardzo trudno jest uzyskać złącza pozbawione pęcherzy.
Z polskiego opisu patentowego nr 180 421 znane jest wytwarzanie złączy ceramika-ceramika i ceramika-metal poprzez wstępne naniesienie na łączone powierzchnie ceramiki warstw pokrywających, zawierających Ti lub Zr, lub ich wodorki, Cu i/lub CuO i/lub Cu2O, Ag i ewentualnie Sn, ogrzewanie ich w atmosferze gazu obojętnego, korzystnie azotu zawierającego 2-20 ppm O2 w temperaturze 1123-1423 K i następnie łączenie tak przygotowanych elementów ceramicznych między sobą lub z elementami metalowymi - po ewentualnym naniesieniu na warstwy pokrywające warstwy Ni lub Cu przy użyciu lutowia. Tak otrzymane złącza mają charakter półplastyczny są bardziej wytrzymałe mechanicznie i próżnioszczelne.
W znanych sposobach łączenia poprzez wiązanie fazami pośrednimi z wytworzeniem warstwy metalicznej na Si3N4 w próżni w porównaniu z łączeniem w azocie przy użyciu znanych lutowi zachodzi inna równowaga sił napięcia powierzchniowego, co w efekcie powoduje korzystniejsze warunki zwilżania powierzchni Si3N4 przez lutowie. Również warunki tworzenia się TiN na powierzchni Si3N4 są korzystniejsze wskutek łatwiejszego oddzielania się azotu w próżni według reakcji
Si3N4 + 4Ti 4 TiN + 3 Si
Jednak prowadzenie procesu w próżni jest mniej wydajne w skali produkcji.
Nieoczekiwanie okazało się, że jest możliwe uzyskanie trwale związanej z podłożem warstwy pokrywającej przy ogrzewaniu zarówno w próżni, jak i w atmosferze gazu obojętnego - przez zastosowanie
PL 196 952 B1 mieszaniny proszków Cu2O i/lub CuO, Mn oraz Ti i/lub TiH4, zawierającej określone proporcje Cu, O, Mn i Ti.
Sposób według wynalazku, polegający na wstępnym naniesieniu na powierzchnie elementów z ceramiki warstwy, zawierającej Cu2O i/lub CuO oraz Ti i/lub TiH2, charakteryzuje się tym, że na powierzchnie elementów z ceramiki korundowej i/lub azotkowej nanosi się mieszaninę proszków Cu2O i/lub CuO, Mn oraz Ti i/lub TiH2, zawierającą 80-85% molowych Cu, 75-85% molowych O2, 7-9% molowych Mn i 12-15% molowych Ti, a następnie tak przygotowane elementy ogrzewa się w próżni lub w atmosferze gazu oboję tnego, korzystnie azotu, w temperaturze 1273 - 1353 K.
Jako elementy z ceramiki azotkowej korzystnie stosuje się elementy z azotku krzemu Si3N4 i/lub azotku glinu AlN.
Jako elementy z ceramiki korundowej korzystnie stosuje się elementy z tlenku glinu Al2O3.
Mieszaninę proszków nanosi się korzystnie w postaci pasty, przy czym jako lepik organiczny w paś cie najkorzystniej stosuje się roztwór nitrocelulozy w octanie n-butylu.
W przypadku zastosowania elementów z azotku krzemu w wytworzonej sposobem według wynalazku warstwie jako fazy wiążące zidentyfikowano badaniami dyfrakcji rentgenowskiej następujące związki: azotki manganu Mn3N2 i Mn4N występujące w układzie Mn-N, krzemki tytanu Ti5Si4 i TiSi2, krzemki manganu Mn5Si3, Mn5Si2 i MnSi występujące w układzie Mn-Si, niskotlenowy związek Cu2Ti4O, azotek tytanu TiN, azotek krzemu i manganu MnSiN2, związek międzymetaliczny MnTi oraz niższy tlenek tytanu Ti3O5.
Sposób według wynalazku umożliwia uzyskanie warstwy pokrywającej, trwale związanej z podłożem, bez pęcherzyków N2, pochodzących z dekompozycji Si3N4, jak również bez wykwitów wydzieleń szklistych na leżących pod warstwą ziarnach Si3N4. Składniki dekompozycji ceramik azotkowych wiązane są w sposób trwały, a obecność nowych faz, zwłaszcza TiN, zabezpiecza powierzchnię przed dalszą degradacją. Ceramika korundowa natomiast jest trwała w warunkach procesu, a komponenty warstwy pokrywającej tworzą wbudowane w sieć korundu związki złożone, takie jak Al2CuO4, Al2MnO4, Cu2Ti4O.
Sposób według wynalazku pozwala na uzyskanie trwałej warstwy pokrywającej przez prowadzenie procesu nie tylko w próżni, ale również w atmosferze gazu obojętnego.
Poprzez wytwarzanie warstwy pokrywającej sposób według wynalazku daje możliwość trwałego łączenia elementów z ceramiki z miedzią metodą bezpośrednią podczas procesu wytwarzania warstwy.
Uzyskana warstwa umożliwia również trwałe łączenie elementów z ceramiki między sobą, jak też praktycznie z każdym metalem lub jego stopem przy użyciu lutowia, także po uprzednim niklowaniu.
Podane niżej przykłady ilustrują sposób według wynalazku w konkretnych przypadkach jego wykonania podczas łączenia elementów z ceramiki między sobą oraz z metalami, nie ograniczając zakresu jego stosowania.
P r z y k ł a d I
Na powierzchnię płytki z Si3N4 nanosi się pastę, składającą się z jednorodnej mieszaniny proszków 91,6% wagowych Cu2O, 3,2% wagowych Mn i 5,2% wagowych TiH2 w 2% roztworze nitrocelulozy w octanie n-butylu - 0,6 ml roztworu nitrocelulozy na 1 g suchej mieszaniny proszków. Po wysuszeniu podgrzanym powietrzem na warstwę pasty nakłada się odtłuszczoną w acetorze folię miedzianą o grubości 0,3 mm. Zestaw umieszcza się w kasecie z grafitu i obciąża dociskiem 0,2 N/cm2. Po przejściu przez piec tunelowy w czasie 20 minut w temperaturze 1323 K w atmosferze azotu o punkcie rosy 203 K otrzymuje się trwałe połączenie folii miedzianej z płytką z Si3N4 o wytrzymałości na ścinanie 10 MPa.
P r z y k ł a d II
Na powierzchnie płytek z Si3N4 nanosi się pastę, składającą się z jednorodnej mieszaniny proszków 91,6% wagowych Cu2O, 3,2% wagowych Mn i 5,2% wagowych TiH2 w 2% roztworze nitrocelulozy w octanie n-butylu - 0,6 ml roztworu na 1 g suchych proszków. Wypalanie warstwy pokrywającej przeprowadza się w czasie 15 minut w temperaturze 1323 K w próżni 1-10-5 Tr. Na płytki z tak uzyskaną warstwą pokrywającą nakłada się warstwę niklu metodą chemiczną przez wytrącanie z roztworu soli niklowych. Tak przygotowane wysuszone płytki, lut Pb Sn1 Ag3 w postaci folii oraz płytki z miedzi umieszcza się w kasetach z grafitu i obciąża dociskiem 0,2 N/cm. Lutowanie przeprowadza się w piecu tunelowym w atmosferze azotu o zawartości tlenu około 20 ppm w czasie 10 minut. Otrzymuje się złącza o wytrzymałości na ścinanie 15 MPa.
P r z y k ł a d III
Na powierzchnie płytek z AlN nanosi się pastę, składającą się z jednorodnej mieszaniny proszków 79,7% wagowych Cu2O, 7,3% wagowych Mn i 13% wagowych Ti w 2% roztworze nitrocelulozy
PL 196 952 B1 w octanie n-butylu - 0,6 ml roztworu na 1 g suchych proszków. Wypalanie warstwy pokrywającej przeprowadza się w temperaturze 1273 K w atmosferze azotu o punkcie rosy 203 K w czasie 15 minut. Tak przygotowane płytki, lut Au Sn2O oraz płytki z molibdenu pokrytego warstwą niklu zestawia się w kasetach z grafitu i obciąża dociskiem 0,2 N/cm2. Lutowanie przeprowadza się w temperaturze 593 K w atmosferze azotu z wodorem o punkcie rosy 203 K w czasie 5 minut. Otrzymuje się złącza o wytrzymałości na ścinanie około 20 MPa.
P r z y k ł a d IV.
Na powierzchnię płytki z Al2O3 nanosi się pastę, składającą z jednorodnej mieszaniny proszków 88,5% wagowych Cu2O, 3,5% wagowych Mn i 8% wagowych Ti zawieszonych w 2% roztworze nitrocelulozy w octanie n-butylu - 0,6 ml roztworu na 1 g suchych proszków. Wypalanie warstwy pokrywającej przeprowadza się w czasie 15 minut w temperaturze 1323 K w atmosferze azotu o punkcie rosy 203 K. Tak przygotowaną płytkę, lut SnAg4 w postaci folii oraz płytkę z miedzi umieszcza się w kasecie z grafitu i obciąża dociskiem 0,5 N/cm2. Lutowanie przeprowadza się w temperaturze 573 K w piecu tunelowym w atmosferze mieszaniny azotu z wodorem o punkcie rosy 203 K w czasie 5 minut. Otrzymuje się złącza o wytrzymałości na ścinanie 25 MPa.
P r z y k ł a d V
Na powierzchnie płytek z AlN nanosi się pastę, składającą się z jednorodnej mieszaniny proszków 81% wagowych Cu2O, 5,7% wagowych CuO, 7,3% wagowych Mn i 6% wagowych Ti w 2% roztworze nitrocelulozy w octanie n-butylu-0,6% ml roztworu na 1 g suchych proszków. Wypalanie warstwy pokrywającej przeprowadza się w temperaturze 1353 K w atmosferze azotu o punkcie rosy 203 K. Tak przygotowane płytki składa się stronami z warstwą pokrywającą w kasetach z grafitu, umieszczając między nimi lut SnAg 3 i obciąża dociskiem 0,2 N/cm2. Lutowanie przeprowadza się w temperaturze 573 K w atmosferze azotu z wodorem o punkcie rosy 203 K w czasie 5 minut. Otrzymuje się złącza o wytrzymałości na ścinanie około 25 MPa.
Claims (5)
- Zastrzeżenia patentowe1. Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami, poprzez wstępne naniesienie na powierzchnie elementów z ceramiki warstwy, zawierającej Cu2O i/lub CuO oraz Ti i/lub TiH2, znamienny tym, że na powierzchnie elementów z ceramiki korundowej i/lub azotkowej nanosi się mieszaninę proszków Cu2O i/lub CuO, Mn oraz Ti i/lub TiH2, zawierającą 80-85% molowych Cu, 75-85% molowych O2, 7-9% molowych Mn i 12-15% molowych Ti, a następnie tak przygotowane elementy ogrzewa się w próżni lub w atmosferze gazu obojętnego, korzystnie azotu, w temperaturze 1273-1353 K.
- 2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że mieszaninę proszków nanosi się na powierzchnie elementów z azotku krzemu Si3N4 i/lub azotku glinu AlN.
- 3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że mieszaninę proszków nanosi się na powierzchnie elementów z tlenku glinu Al2O3.
- 4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że mieszaninę proszków nanosi się w postaci pasty.
- 5. Sposób według zastrz. 4, znamienny tym, że jako lepik organiczny w paście stosuje się roztwór nitrocelulozy w octanie n-butylu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL357452A PL196952B1 (pl) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL357452A PL196952B1 (pl) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL357452A1 PL357452A1 (pl) | 2004-05-31 |
| PL196952B1 true PL196952B1 (pl) | 2008-02-29 |
Family
ID=32589695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL357452A PL196952B1 (pl) | 2002-11-29 | 2002-11-29 | Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL196952B1 (pl) |
-
2002
- 2002-11-29 PL PL357452A patent/PL196952B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL357452A1 (pl) | 2004-05-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0083834B1 (en) | Metal ceramics composites and a method for producing said composites | |
| EP0122522B1 (en) | Method of manufacturing sintered ceramic body | |
| JPH05148053A (ja) | セラミツクス−金属接合体 | |
| JPH0159238B2 (pl) | ||
| PL196952B1 (pl) | Sposób wytwarzania warstwy pokrywającej na elementach z ceramiki korundowej i/lub (54) azotkowej, zwłaszcza do łączenia ich między sobą oraz z metalami | |
| JPH1067586A (ja) | パワーモジュール用回路基板およびその製造方法 | |
| CA2134340A1 (en) | Thin film metallization and brazing of aluminum nitride | |
| JP3370060B2 (ja) | セラミックス−金属接合体 | |
| CN109251053B (zh) | 用于陶瓷金属化和连接的空气钎焊填充材料和用于金属化和连接陶瓷表面的方法 | |
| JP2563809B2 (ja) | 半導体用窒化アルミニウム基板 | |
| JP2541837B2 (ja) | セラミックスと金属との接合体の製造方法 | |
| JPH02199075A (ja) | セラミックス―金属接合体 | |
| JP2001114575A (ja) | セラミックスとセラミックスとの接合体及びその接合方法 | |
| JPH03103385A (ja) | セラミックスのメタライズ方法、ならびにセラミックスと金属の接合方法 | |
| JPS6228067A (ja) | セラミツクスの接合方法 | |
| JPS6121985A (ja) | シリコン窒化物系セラミツク融着性合金 | |
| JPS6270284A (ja) | メタライズド炭化珪素系セラミツクス体とその製造方法 | |
| JPH07187839A (ja) | 窒化物系セラミックス−金属接合体およびその製造方法 | |
| JPH035387A (ja) | セラミック体への金属層の被着方法 | |
| JPS5864273A (ja) | 窒化けい素焼結体 | |
| JPH04235246A (ja) | セラミックスのメタライズ用合金及びメタライズ方法 | |
| JPS6111912B2 (pl) | ||
| JPH0240028B2 (ja) | Seramitsukusutokinzoku*doshuseramitsukusudoshimatahaishuseramitsukusukannosetsugohoho | |
| JPH0725675A (ja) | アルミナセラミックスとアルミニウムの接合方法 | |
| JPS631279B2 (pl) |