PL1868243T3 - Półprzewodnikowy moduł mocy z wzajemnie elektrycznie izolowanymi elementami przyłączeniowymi - Google Patents

Półprzewodnikowy moduł mocy z wzajemnie elektrycznie izolowanymi elementami przyłączeniowymi

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PL1868243T3
PL1868243T3 PL07011532T PL07011532T PL1868243T3 PL 1868243 T3 PL1868243 T3 PL 1868243T3 PL 07011532 T PL07011532 T PL 07011532T PL 07011532 T PL07011532 T PL 07011532T PL 1868243 T3 PL1868243 T3 PL 1868243T3
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substrate
conductor module
insulated terminals
opposing electrically
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Marco Lederer
Rainer Popp
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Semikron Elektronik Gmbh & Co Kg Patentabteilung
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572247B2 (ja) * 2008-06-02 2010-11-04 本田技研工業株式会社 ハイブリッド車両
US7952856B2 (en) 2008-06-02 2011-05-31 Honda Motor Co., Ltd. Power control unit and hybrid vehicle comprising same
DE102008034467B4 (de) * 2008-07-24 2014-04-03 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleitermodul und mit einer Verbindungseinrichtung
DE102009000094A1 (de) * 2009-01-09 2010-07-15 Robert Bosch Gmbh Tank zur Aufnahme einer wässrigen Lösung
DE102009037257B4 (de) * 2009-08-12 2014-07-31 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Schaltungsträger und Lastanschlusselement sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102009057146B4 (de) * 2009-12-05 2013-09-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul mit Hybriddruckspeicher
DE102009057145B4 (de) * 2009-12-05 2013-12-19 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Druckkontaktiertes Leistungshalbleitermodul mit teilweise bandartigen Lastanschlusselementen
DE102010041892A1 (de) * 2010-10-01 2012-04-05 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit einem Grundmodul und einem Verbindungsmodul
US8637981B2 (en) * 2011-03-30 2014-01-28 International Rectifier Corporation Dual compartment semiconductor package with temperature sensor
KR101443972B1 (ko) 2012-10-31 2014-09-23 삼성전기주식회사 일체형 전력 반도체 모듈
WO2014090685A1 (de) 2012-12-10 2014-06-19 Abb Technology Ag Leistungshalbleitermodul und kontaktierungsanordnung
WO2015187500A1 (en) * 2014-06-02 2015-12-10 Enphase Energy, Inc. Ungrounded inverter enclosure and cabling
CN105742252B (zh) * 2014-12-09 2019-05-07 台达电子工业股份有限公司 一种功率模块及其制造方法
EP3104507A1 (en) 2015-06-12 2016-12-14 ABB Technology AG Terminal arrangement for a power semiconductor module
CN108010891B (zh) * 2016-11-02 2020-03-17 株洲中车时代电气股份有限公司 功率半导体模块
US10283447B1 (en) 2017-10-26 2019-05-07 Infineon Technologies Ag Power semiconductor module with partially coated power terminals and method of manufacturing thereof
DE102018112552B4 (de) * 2018-05-25 2021-04-15 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Baugruppe mit einem Kunststoffformkörper und einer Mehrzahl von Lastanschlusselementen einer Leistungshalbleitereinrichtung und Leistungshalbleitereinrichtung hiermit
DE102021205632A1 (de) 2021-06-02 2022-12-08 Zf Friedrichshafen Ag Halbbrücke für einen elektrischen Antrieb eines Elektrofahrzeugs oder eines Hybridfahrzeugs, Leistungsmodul für einen Inverter und Inverter
DE102022207590A1 (de) * 2022-07-26 2024-02-01 Zf Friedrichshafen Ag Herstellungsoptimierte Leistungselektronik für einen Stromrichter mit oberseitig kontaktierbaren Leistungsanschlüssen
JP7784974B2 (ja) * 2022-09-08 2025-12-12 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
KR102801033B1 (ko) 2023-06-15 2025-04-30 주식회사 세미파워렉스 분산형 단자 구조를 갖는 전력반도체모듈
KR102846335B1 (ko) 2023-11-20 2025-08-14 주식회사 세미파워렉스 조립형 신호단자를 갖는 트랜스퍼 몰드형 전력 반도체모듈

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4313128A (en) * 1979-05-08 1982-01-26 Westinghouse Electric Corp. Compression bonded electronic device comprising a plurality of discrete semiconductor devices
DE3538933A1 (de) * 1985-11-02 1987-05-14 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul
US5017859A (en) * 1989-08-03 1991-05-21 Westinghouse Electric Corp. Integral capacitive divider bus bar voltage measuring apparatus and combined current sensor
DE3937045A1 (de) * 1989-11-07 1991-05-08 Abb Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleitermodul
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
EP0597144A1 (de) * 1992-11-12 1994-05-18 IXYS Semiconductor GmbH Hybride leistungselektronische Anordnung
JP3396566B2 (ja) * 1995-10-25 2003-04-14 三菱電機株式会社 半導体装置
DE19617055C1 (de) * 1996-04-29 1997-06-26 Semikron Elektronik Gmbh Halbleiterleistungsmodul hoher Packungsdichte in Mehrschichtbauweise
US5811878A (en) * 1996-07-09 1998-09-22 Asea Brown Boveri Ag High-power semiconductor module
DE69726518T2 (de) * 1996-09-06 2004-10-07 Hitachi Ltd Leistungshalbleiteranordnung in modularer Bauart
DE19719703C5 (de) * 1997-05-09 2005-11-17 eupec Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH & Co. KG Leistungshalbleitermodul mit Keramiksubstrat
DE19903875C2 (de) * 1999-02-01 2001-11-29 Semikron Elektronik Gmbh Leistungshalbleiterschaltungsanordnung, insbesondere Stromumrichter, in Druckkontaktierung
JP3692906B2 (ja) * 2000-05-25 2005-09-07 日産自動車株式会社 電力配線構造及び半導体装置
DE10127947C1 (de) * 2001-08-22 2002-10-17 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
DE10316355C5 (de) * 2003-04-10 2008-03-06 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbeitermodul mit flexibler äusserer Anschlussbelegung
DE102004021122B4 (de) * 2004-04-29 2007-10-11 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung in Druckkontaktierung mit einem Leistungshalbleitermodul
DE102005024900B4 (de) * 2004-06-08 2012-08-16 Fuji Electric Co., Ltd. Leistungsmodul
DE102004051039B4 (de) * 2004-10-20 2008-06-26 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Leistungshalbleitermodul mit Druckkontakteinrichtung
JP2007251076A (ja) * 2006-03-20 2007-09-27 Hitachi Ltd パワー半導体モジュール

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