PL179037B1 - Uklad M x N luster wzbudzanych cienkoblonowych PL PL - Google Patents

Uklad M x N luster wzbudzanych cienkoblonowych PL PL

Info

Publication number
PL179037B1
PL179037B1 PL95319945A PL31994595A PL179037B1 PL 179037 B1 PL179037 B1 PL 179037B1 PL 95319945 A PL95319945 A PL 95319945A PL 31994595 A PL31994595 A PL 31994595A PL 179037 B1 PL179037 B1 PL 179037B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
actuators
layer
gate
pair
electrode layer
Prior art date
Application number
PL95319945A
Other languages
English (en)
Other versions
PL319945A1 (en
Inventor
Jeong-Beom Ji
Dong-Seon Yoon
Original Assignee
Daewoo Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daewoo Electronics Co Ltd filed Critical Daewoo Electronics Co Ltd
Publication of PL319945A1 publication Critical patent/PL319945A1/xx
Publication of PL179037B1 publication Critical patent/PL179037B1/pl

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/37—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements
    • G09F9/372—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being movable elements the positions of the elements being controlled by the application of an electric field
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
    • G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
    • G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
    • G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
    • G02B26/0858—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by piezoelectric means

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Lenses (AREA)
  • Projection Apparatus (AREA)

Abstract

1 Uklad M x N luster wzbudzanych cienkoblonowych zawierajacy ma- tryce aktywna, uklad M x N par elementów podtrzymujacych, uklad M x N struktur wzbudzajacych, przy czym matryca aktywna zawiera podloze tworzace warstwe izolacyjna, kazda para elementów podtrzymujacych jest z materialu izolacyjnego, zas kazda ze struktur wzbudzajacych zawiera war- stwe odbijajaca, warstwe elastyczna tworzaca warstwe izolacyjna oraz war- stwe elektroodksztalcalna tworzaca warstwe piezoelektryczna, znamienny tym, ze podloze (110) posiada pierwsze, drugie i trzecie wzory linu przewo- dzenia (112, 113, 114) wykonane na jego górnej powierzchni, w której pier- wsze i drugie wzory hnn przewodzenia (112,113) sa polaczone z obwodem zewnetrznym przenoszac odpowiednio, sygnal lustrzany i sygnal nape- dzajacy, a trzeci wzór linii przewodzenia (114) dostarcza sygnal lustrzany do kazdego z luster wzbudzanych cienkoblonowych (106), przy czym kazdy z elementów podtrzymujacych ( 104) jest umieszczony na górze drugiego i trze- ciego wzoru linii przewodzenia (113, 114), oraz kazda ze struktur wzbu- dzajacych (106) zawiera pierwsze, drugie, centralne, trzecie i czwarte czesci klapkowe (115,116,117,118,119), przy czym kazda z czesci klapkowych (115,116,117,118,119) jest oddzielona od innych znajdujaca sie pomiedzy mmi szczelina (120), a kazda ze struktur wzbudzajacych (106) zawiera ponadto pare urzadzen wzbudzajacych (121) i pare urzadzen wzbudzajacych bramkowych (122) , a kazde z urzadzen wzbudzajacych (121) i urzadzen wzbudzajacych bramkowych (122) posiada koniec blizszy (123) i koniec dal- szy (124), zas kazde z urzadzen wzbudzajacych (121) i kazde z urzadzen bra- mkowych (122) w parze jest podparte na kazdym z elementów podtrzymujacych (104) najego bliskim koncu (123) i kazde z urzadzen wzbu- dzajacych bramkowych (122) ponadto posiada warstwe izolacyjna (129), przymocowana do jego spodu najego oddalonym koncu (124), oraz warstwe kontaktowa (180), przymocowana do spodu warstwy izolacyjnej (129) FIG. 5 PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest układ Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych. Układ taki może być stosowany w optycznym systemie projekcyjnym.
Spośród różnych dostępnych systemów ekranów wizyjnych, optyczny system projekcji jest znany jako zdolny do dostarczania obrazu o wysokiej jakości w dużej skali. W takim optycznym systemie projekcji, światło z lampy jest jednolicie naświetlane na układ, na przykład Μ x N, luster pobudzanych, w którym każde z luster jest połączone z każdym z urządzeń wzbudzających. Urządzenia wzbudzające mogą być wykonane z materiału elektroodkształcalnego, takiego jak piezoelektryk, albo z materiału elektrostrykcyjnego, który odkształca się w odpowiedzi na oddziałujące na niego pole elektryczne.
Wiązka światła odbitego od każdego z luster pada na otwór w, na przykład, przegrodzie optycznej. Poprzez przykładanie sygnału elektrycznego do każdego z urządzeń wzbudzających, względne położenie każdego z luster względem padającej wiązki światła jest zmieniane, w ten sposób powodując odchylenie ścieżki optycznej wiązki odbitej od każdego z luster. Kiedy ścieżka optyczna każdej z odbitych wiązek się zmienia, ilość światła odbitego od każdego z luster, które przechodzi przez otwór, jest zmieniana, w ten sposób modulując natężenie wiązki. Modulowane wiązki przechodzące przez otwór są przesyłane na ekran projekcyjny poprzez odpowiednie urządzenie optyczne, takie jak soczewki projekcyjne, aby w ten sposób wyświetlić na nim obraz.
Znany jest z amerykańskiego opisu patentowego nr serii 08/340,762 układ Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych, do stosowania w optycznym systemie projekcyjnym, „Układ luster wzbudzanych cienkobłonowych do stosowania w optycznym systemie projekcji oraz sposób jego wytwarzania”, który zawiera matrycę aktywną, układ Μ x N struktur wzbudzających cienkobłonowych, oraz układ Μ x N elementów podtrzymujących i układ Μ x N warstw lustrzanych.
Jedną z głównych wad tego układu jest to, że zawiera on w sobie matrycę aktywną, zawierającą układ tranzystorów, służących do dostarczania sygnałów napędzających i lustrzanych do każdego z luster wzbudzanych cienkobłonowych, w ten sposób podnosząc koszty wytwarzania układu.
Celem wynalazku jest układ Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych.
Układ M x N luster wzbudzanych cienkobłonowych zawierający matrycę aktywną, układ M x N par elementów podtrzymujących, układ Μ x N struktur wzbudzających, przy czym matryca aktywna zawiera podłoże tworzące warstwę izolacyjną, każda para elementów podtrzymujących jest z materiału izolacyjnego, zaś każda ze struktur wzbudzających zawiera warstwę odbijającą, warstwę elastyczną tworzącą warstwę izolacyjną oraz warstwę elektroodkształcalną tworzącą warstwę piezoelektryczną, według wynalazku charakteryzuje się tym, że podłoże posiada pierwsze, drugie i trzecie wzory linii przewodzenia wykonane na jego górnej powierzchni, w której pierwsze i drugie wzory linii przewodzenia sąpołączone z obwodem zewnętrznym przenosząc odpowiednio, sygnał lustrzany i sygnał napędzający, a trzeci wzór linii przewodzenia dostarcza sygnał lustrzany do każdego z luster wzbudzanych cienkobłonowych, przy czym każdy z elementów podtrzymujących jest umieszczony na górze drugiego i trzeciego wzoru linii przewodzenia; oraz każda ze struktur wzbudzających zawiera pierwsze, drugie, centralne, trzecie i czwarte części klapkowe, przy czym każda z części klapkowych, jest oddzielona od innych znajdującą się pomiędzy nimi szczeliną, a każda ze struktur wzbudzających zawiera ponadto parę urządzeń wzbudzających i parę urządzeń wzbudzających bramkowych, a każde z urządzeń wzbudzających i urządzeń wzbudzających bramkowych posiada koniec bliższy i koniec dalszy,
179 037 zaś każde z urządzeń wzbudzających i każde z urządzeń bramkowych w parze jest podparte na każdym z elementów podtrzymujących na jego bliskim końcu i każde z urządzeń wzbudzających bramkowych ponadto posiada warstwę izolacyjną, przymocowaną do jego spodu na jego oddalonym końcu, oraz warstwę kontaktową przymocowaną do spodu warstwy izolacyjnej.
Korzystnie każde z urządzeń wzbudzających zawiera część warstwy odbijającej, część warstwy elastycznej, warstwę elektrody sygnałowej, część warstwy elektroodkształcalnej i warstwę elektrody napięcia wstępnego.
Korzystnie warstwa elektrody sygnałowej w każdym z urządzeń wzbudzających jest elektrycznie połączona z trzecim wzorem linii przewodzenia.
Korzystnie każde z urządzeń wzbudzających bramkowych zawiera część warstwy odbijającej, część warstwy elastycznej, warstwę bramkowej elektrody sygnałowej, część warstwy elektroodkształcalnej i warstwę bramkowej elektrody napięcia wstępnego.
Korzystnie warstwa bramkowej elektrody sygnałowej w każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych jest elektrycznie połączona z drugim wzorem linii przewodzenia.
Korzystnie warstwa elektrody napięcia wstępnego w każdym z urządzeń wzbudzających jest elektrycznie połączona z warstwą bramkowej elektrody napięcia wstępnego w każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych.
Korzystnie napięcie przykładane do warstwy elektrody napięcia wstępnego i warstwy bramkowej elektrody napięcia wstępnego w każdym z urządzeń wzbudzających jest identyczne.
Korzystnie każde z urządzeń wzbudzających w parze jest położone poniżej pierwszej i czwartej części klapkowej, gdy każde z urządzeń wzbudzających bramkowych w parze jest położone poniżej drugiej i trzeciej części klapkowej, odpowiednio.
Korzystnie każde z urządzeń wzbudzających w parze jest położone poniżej drugiej i trzeciej części klapkowej, gdy każde z urządzeń wzbudzających bramkowych w parze jest położone poniżej pierwszej i czwartej części klapkowej, odpowiednio.
Dzięki rozwiązaniu według wynalazku nie potrzeba stosować układu Μ x N tranzystorów, zawartych w matrycy aktywnej w celu dostarczania do każdego z luster wzbudzanych cienkobłonowych sygnałów napędzających i lustrzanych.
Układ M x N luster wzbudzanych cienkobłonowych, zawiera w sobie nowatorskie środki do dostarczania sygnałów napędzających i lustrzanych do każdego z luster wzbudzanych cienkobłonowych, przy czym każde z luster wzbudzanych cienkobłonowych wykorzystuje parę urządzeń wzbudzających bramkowych.
Na fig. 1 przedstawiono przekrój układu Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych znanych ze stanu techniki, a na fig. 2 - widok perspektywiczny układu M i N luster wzbudzanych cienkobłonowych przedstawionych na fig. 1, zaś przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym: fig. 3 przedstawia przekrój układu Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych według korzystnego przykładu wykonania niniejszego wynalazku; fig. 4 -częściowy widok z góry matrycy przełączającej stosowanej w układzie Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych według wynalazku przedstawionym na fig. 3; fig. 5 - widok z góry wzbudzonego lustra w układzie według wynalazku; fig. 6 - przekrój urządzenia wzbudzającego lustra wzbudzanego według wynalazku; oraz fig. 7 - przekrój urządzenia wzbudzającego bramkowego w lustrze wzbudzanym według wynalazku.
Na fig. 1 i 2 pokazano znany ze stanu techniki układ Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych 11 stosowanych w optycznym systemie projekcyjnym. Układ 10 zawiera matrycę aktywną 12, układ 13 Μ x N struktur wzbudzających cienkobłonowych 14, oraz układ 15 Μ x N elementów podtrzymujących 16 i układ 17 Μ x N warstw lustrzanych 18.
Matryca aktywna 12 zawiera podłoże 19, układ Μ x N tranzystorów (nie pokazany) oraz układ 20 M x N końcówek łączących 21. Każda ze struktur wzbudzających 14 w układzie 10 jest wyposażona w pierwsze i drugie części wzbudzające 22(a), 22(b) i część centralną 22(c) znajdującą się pomiędzy nimi, przy czym pierwsze i drugie części wzbudzające 22(a), 22(b) są identycznie ukształtowane. Każda z pierwszych i drugich części wzbudzających 22(a), 22(b), posiada przynajmniej cienką warstwę błony 23 z materiału elektroodkształcalnego, na przykład matę
179 037 riału piezoelektrycznego, zawierającego powierzchnie górne i dolne 24,25, warstwę elastyczną 26, posiadającą powierzchnię dolną41, oraz pierwszą i drugą elektrodę 28 i 29. Warstwa elastyczna 26 jest umieszczana na powierzchni górnej 24 elektroodkształcalnej warstwy cienkiej błony 23. Pierwsza i druga elektroda 28, 29 znajdują się, odpowiednio, na górnych i dolnych powierzchniach 24, 25 elektroodkształcalnej warstwy cienkiej błony 23, przy czym sygnał elektryczny przyłożony na szerokości elektroodkształcalnej warstwy cienkiej błony 23, umieszczonej pomiędzy pierwszą i drugą elektrodą 28, 29 powoduje odkształcenie jej, a stąd i części wzbudzających 22(a), 22(b). Każdy z elementów podtrzymujących 16 jest stosowany do utrzymywania każdej ze struktur wzbudzających 13 na miejscu, a także do elektrycznego łączenia każdej ze struktur wzbudzających 14 z matrycą aktywną 12. Każda z warstw lustrzanych 18 zawiera bok pierwszy 30, przeciwległy bok drugi 31 i część centralną 32, znajdującą się pomiędzy nimi, jak pokazano na fig. 2. Bok pierwszy 30, przeciwległy bok drugi 31 i część centralna 32 każdej z warstw lustrzanych 18 są zamocowane na górze części wzbudzających pierwszej i drugiej oraz centralnej, odpowiednio, 22(a), 22(b), 22(c), każdej ze struktur wzbudzających 14 tak, że kiedy pierwsza i druga części wzbudzające 22(a), 22(b) w każdej ze struktur wzbudzających 14 odkształcają się w odpowiedzi na sygnał elektryczny, to część centralna 22(c) w każdej ze struktur wzbudzających 13, a stąd i część centralna 32 odpowiedniej warstwy lustrzanej 18 przechyla się, jednocześnie pozostając płaską, w ten sposób umożliwiając wszystkim częściom centralnym 32 odbijanie wiązek światła, powodując zwiększoną skuteczność optyczną.
Na fig. 3 do 7, pokazano w różnych widokach układ Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych według wynalazku do stosowania w optycznym systemie proj ekcyjnym, w którym M i N są liczbami całkowitymi, według korzystnych przykładów wykonania niniejszego wynalazku. Należy zauważyć, że te same części pojawiające się na fig. 3 do 7 są oznaczone tymi samymi numerami odnośników.
Na fig. 3 przedstawiony jest przekrój układu 100 Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych 101 do stosowania w optycznym systemie projekcyjnym, zawierającym matrycę przełączającą 102, układ 103 M xN par (nie pokazanych) elementów podtrzymujących 104, oraz układ 105 MxN struktur wzbudzających 106.
Jak przedstawiono na fig. 3, każda ze struktur wzbudzających 106 zawiera warstwę odbijającą 107 wykonaną z materiału odbijającego światło, na przykład aluminium (Al), warstwę elastyczną 108 wykonaną z materiału izolacyjnego, na przykład azotku krzemu (Si3N4) oraz warstwę elektroodkształcalną 109 wykonaną z materiału piezoelektrycznego, na przykład tytanianu cyrkonowego ołowiu (PZT), albo materiału elektrostrykcyjnego, na przykład niobanu magnezowego ołowiu (PMN).
Matryca przekształcająca 102 zawiera podłoże 110, posiadające powierzchnię górną 111, i jest wykonana z materiału izolacyjnego, na przykład tlenku glinowego (A12O3). Matryca przełączająca 102, w przeciwieństwie, do matrycy aktywnej poprzednio ujawnionego układu M x N luster wzbudzanych cienkobłonowych posiadającej układ Μ x N tranzystorów, jest wyposażona w pierwszy, drugi i trzeci wzory linii przewodzenia 112,113,114, wykonane na jej powierzchni gómej 111, jak pokazano na fig. 4, przy czym pierwszy i drugi wzory linii przewodzenia 112,113 sąpołączone ze źródłem zewnętrznym (nie pokazanym) i sąstosowane do przenoszenia, odpowiednio, sygnału lustrzanego i sygnału napędzającego, a trzeci wzór linii przewodzenia 114 jest stosowany do dostarczania sygnału lustrzanego do każdego z luster wzbudzanych 101.
Każdy z elementów podtrzymujących 104, wykonanych z tego samego materiału co warstwa elastyczna 109, jest umieszczony na górze drugiego i trzeciego wzoru linii przewodzenia 113, 114.
Figura 5 przedstawia szczegółowy widok z góry struktury wzbudzającej 106 składającej się na układ 100 przedstawiony na fig. 3. Każda ze struktur wzbudzających 106 zawiera pierwszą, drugą, centralną, czwartą część klapkową 115,116,117,118, 119, przy czym każda z części klapkowych jest oddzielona od innych znajdujących się pomiędzy nimi szczeliną 120.
Każda ze struktur wzbudzających 106 zawiera dalej parę urządzeń wzbudzających 121 i parę urządzeń wzbudzających bramkowych 122, których przekroje są przedstawione odpowied
179 037 nio, na fig. 6 i 7, przy czym każde z urządzeń wzbudzających 121 i każde z urządzeń wzbudzających bramkowych 122 jest wyposażone w końce bliski i oddalony 123, 124. Jak przedstawiono na fig. 6, każde z urządzeń wzbudzających 121 zawiera część warstwy odbijającej 107, część warstwy elastycznej 108, warstwę elektrody sygnałowej 125, część warstwy elektro-odkształcalnej 109 i warstwę elektrody napięcia wstępnego 126, przy czym warstwa elektrody sygnałowej 125 jest elektrycznie połączona z trzecim wzorem linii przewodzenia 114. Każde z urządzeń wzbudzaj ących 121 j est wsparte na każdym z elementów podtrzymuj ących 104 na j ego bliskim końcu 123.
Ponadto, każde z urządzeń wzbudzających bramkowych 122, jak pokazano na fig. 7, jest wyposażone w część warstwy odbijającej 107, część warstwy elastycznej 108, warstwę elektrody sygnałowej bramkowej 127, część warstwy elektroodkształcalnej 109 i warstwę bramkowej elektrody napięcia wstępnego 128, przy czym warstwa elektrody sygnałowej bramkowej 127 j est elektrycznie połączona z drugim wzorem linii przewodzenia 113. Tak jak w przypadku urządzeń wzbudzaj ących 121, każde z urządzeń wzbudzaj ących bramkowych 122 j est wsparte na każdym z elementów podtrzymujących 104 na jego bliskim końcu 123.
Każde z urządzeń wzbudzających bramkowych 122 jest ponadto wyposażone w warstwę izolacyjną 129, zamocowana na spodzie warstwy bramkowej elektrody napięcia wstępnego 128 na jej oddalonym końcu 124, oraz warstwę kontaktową 130, wykonaną z materiału przewodzącego elektryczność, na przykład srebra (Ag), zamocowanąna spodzie warstwy izolacyjnej 129, przy czym warstwa izolacyjna 129 jest wykorzystywana do zapobiegania zwarciu pomiędzy warstwą bramkowej elektrody napięcia wstępnego 128 i warstwą kontaktową 130.
Warstwa bramkowej elektrody napięcia wstępnego 128 w każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych jest 122 jest elektrycznie połączona z warstwą elektrody napięcia wstępnego 126 w każdym z urządzeń wzbudzających 121 i dlatego napięcie wstępne do niej przykładane jest identyczne.
Każde z urządzeń wzbudzających 121 w strukturach wzbudzających 106 znajduje się poniżej pierwszych i czwartych części klapkowych 115,119, jeśli każde z urządzeń wzbudzających bramkowych 122 znajduje się poniżej drugich i trzecich części klapkowych, odpowiednio, 116, 118, albo poniżej drugich i trzecich części klapkowych 116, 118, jeśli każde z urządzeń wzbudzających bramkowych 122 znajdujesię poniżej pierwszych i czwartych części klapkowych 115,119.
Kiedy sygnał napędzający w postaci potencjału elektrycznego, dostarczony przez drugi wzór linii przewodzącej 113, jest przykładany na szerokości części warstwy elektroodkształcalnej 109 pomiędzy warstwą bramkowej elektrody sygnałowej 127, i warstwą bramkowej elektrody napięcia wstępnego 128 w każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych 122, prowadzi to do odkształcenia części warstwy elektroodkształcalnej 109, w wyniku pola elektrycznego pochodzącego z różnicy potencjału pomiędzy napięciem sygnału napędzającego i napięciem wstępnym. Odkształcenie części warstwy elektroodkształcalnej 109 będzie z kolei prowadziło do powstania naprężenia wewnętrznego na granicy pomiędzy częścią warstwy elektroodkształcalnej 109 i częścią warstwy elastycznej 108. Jeśli części warstwy elektroodkształcalnej 109 jest wykonana z cienkobłonowego materiału spolaryzowanego piezoelektrycznego, będzie to powodowało wygięcie odpowiedniego urządzenia wzbudzaj ącego bramkowego, którego kierunek wy gięcia zależy od polaryzacji pola elektrycznego. Jeśli napięcie sygnału napędzającego jest większe niż napięcie wstępne, powoduje to wygięcie do dołu odpowiednich urządzeń wzbudzających bramkowych. Z drugiej strony, jeśli napięcie sygnału napędzającego jest mniejsze niż napięcie wstępne, powoduje to wygięcie do góry odpowiedniego urządzenia wzbudzającego bramkowego 122. Z innej strony, jeśli część warstwy elektroodkształcalnej 109 jest wykonana z cienkobłonowego materiału spolaryzowanego piezoelektrycznego, będzie to powodowało wygięcie do dołu odpowiedniego urządzenia wzbudzającego bramkowego. Wygięcie do dołu pary urządzeń wzbudzających bramkowych 122 zmusza warstwę kontaktową 130 na każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych 122 do zetknięcia się z pierwszym i trzecim wzorem linii przewodzenia 112,114, aby w ten sposób wytworzyć pomiędzy nimi mostek elektryczny, umożliwiając przejście sygnałów lustrzanych z pierwszego wzoru linii przewodzenia 112 do trzeciego wzoru
179 037 linii przewodzenia 114, a stąd do warstwy elektrody sygnalizacyjnej 125 w każdym z urządzeń wzbudzaj ących 121. Każde z urządzeń wzbudzaj ących 121 w każdej ze struktur wzbudzaj ących 126 działa na tej samej zasadzie jak w urządzeniu wzbudzającym bramkowym 122. Kiedy sygnał lustrzany jest przykładany do szerokości części warstwy elektroodkształcalnej 109, pomiędzy warstwą elektrody sygnałowej 125, i warstwą elektrody napięcia wstępnego 126 w każdym z urządzeń wzbudzających 121, powoduje to odkształcenie części warstwy elektroodkształcalnej 109 w parze urządzeń wzbudzających 121, co z kolei spowoduje przechylenie jednocześnie pozostającej płaskiej, centralnej części klapkowej 117, znajdującej się pomiędzy nimi, w odpowiednich strukturach wzbudzających 106, w ten sposób umożliwiając zastosowanie wszystkich centralnych części klapkowych 117 do odbijania wiązek światła.
Układ 100 według wynalazku Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych 101 wykorzystuje parę urządzeń wzbudzających bramkowych 122 w każdej ze struktur wzbudzających 106, oraz matrycę przełączającą zawierającąpierwsze, drugie i trzecie wzory lini przewodzenia 112, 113, 114 do dostarczania sygnałów napędzających i lustrzanych do każdego z luster wzbudzanych 101, w przeciwieństwie do wcześniej opisanego układu 10 Μ x N luster wzbudzanych cienkobłonowych 11, w którym stosowana jest matryca aktywna, zawierająca układ Μ x N tranzystorów.
Podczas kiedy niniejszy wynalazek został opisany jedynie w odniesieniu do pewnych preferowanych przykładów wykonania, mogą być w nim dokonywane inne modyfikacje i zmiany bez odchodzenia od zakresu niniejszego wynalazku przedstawionego w dołączonych zastrzeżeniach patentowych.
FIG. 2 (STAN TECHNIKI)
179 037
FIG. 4
179 037
179 037
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 60 egz. Cena 2,00 zł.

Claims (9)

  1. Zastrzeżenia patentowe
    1. Układ M x N luster wzbudzanych cienkobłonowych zawierający matrycę aktywną układ M x N par elementów podtrzymujących, układ Μ x N struktur wzbudzających, przy czym matryca aktywna zawiera podłoże tworzące warstwę izolacyjną każda para elementów podtrzymujących jest z materiału izolacyjnego, zaś każda ze struktur wzbudzających zawiera warstwę odbijającą warstwę elastyczną tworzącą warstwę izolacyjną oraz warstwę elektroodkształcalną tworzącą warstwę piezoelektryczną znamienny tym, że podłoże (110) posiada pierwsze, drugie i trzecie wzory linii przewodzenia (112,113,114) wykonane na jego górnej powierzchni, w której pierwsze i drugie wzory linii przewodzenia (112,113) są połączone z obwodem zewnętrznym przenosząc odpowiednio, sygnał lustrzany i sygnał napędzający, a trzeci wzór linii przewodzenia (114) dostarcza sygnał lustrzany do każdego z luster wzbudzanych cienkobłonowych (106), przy czym każdy z elementów podtrzymujących (104) jest umieszczony na górze drugiego i trzeciego wzoru linii przewodzenia (113,114), oraz każda ze struktur wzbudzających (106) zawiera pierwsze, drugie, centralne, trzecie i czwarte części klapkowe (115,116,117,118,119), przy czym każda z części klapkowych (115,116,117,118,119) jest oddzielona od innych znajdującą się pomiędzy nimi szczeliną (120), a każda ze struktur wzbudzających (106) zawiera ponadto parę urządzeń wzbudzających (121) i parę urządzeń wzbudzających bramkowych (122), a każde z urządzeń wzbudzających (121) i urządzeń wzbudzających bramkowych (122) posiada koniec bliższy (123) i koniec dalszy (124), zaś każde zurządzeń wzbudzających (121) i każde z urządzeń bramkowych (122) wparze jest podparte na każdym z elementów podtrzymujących (104) najego bliskim końcu (123) i każde z urządzeń wzbudzających bramkowych (122) ponadto posiada warstwę izolacyjną (129), przymocowaną do jego spodu najego oddalonym końcu (124), oraz warstwę kontaktową (180), przymocowaną do spodu warstwy izolacyjnej (129).
  2. 2. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każde z urządzeń wzbudzających (121) zawiera część warstwy odbijającej (107), część warstwy elastycznej (108), warstwę elektrody sygnałowej (125), część warstwy elektroodkształcalnej (109) i warstwę elektrody napięcia wstępnego (126).
  3. 3. Układ według zastrz. 2, znamienny tym, że warstwa elektrody sygnałowej (125) w każdym z urządzeń wzbudzających (121) jest elektrycznie połączona z trzecim wzorem linii przewodzenia (114).
  4. 4. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każde z urządzeń wzbudzających bramkowych (122) zawiera część warstwy odbijającej (107), część warstwy elastycznej (108), warstwę bramkowej elektrody sygnałowej (127), część warstwy elektroodkształcalnej (109) i warstwę bramkowej elektrody napięcia wstępnego (128).
  5. 5. Układ według zastrz. 4, znamienny tym, że warstwa bramkowej elektrody sygnałowej (127) w każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych (122) jest elektrycznie połączona z drugim wzorem linii przewodzenia (113).
  6. 6. Układ według zastrz. 2 i 4, znamienny tym, że warstwa elektrody napięcia wstępnego (126) w każdym z urządzeń wzbudzających (121) jest elektrycznie połączona z warstwą bramkowej elektrody napięcia wstępnego (128) w każdym z urządzeń wzbudzających bramkowych (122).
  7. 7. Układ według zastrz. 6, znamienny tym, że napięcie przykładane do warstwy elektrody napięcia wstępnego (126) i warstwy bramkowej elektrody napięcia wstępnego (128) w każdym z urządzeń wzbudzających (122) jest identyczne.
  8. 8. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każde z urządzeń wzbudzających (121) w parze jest położone poniżej pierwszej i czwartej części klapkowej (115, 119), gdy każdy z urządzeń wzbudzających bramkowych (122) w parze jest położone poniżej drugiej i trzeciej części klapkowej (116,118), odpowiednio.
    179 037
  9. 9. Układ według zastrz. 1, znamienny tym, że każde z urządzeń wzbudzających (121) w parze jest położone poniżej drugiej i trzeciej części klapkowej (116, 118), gdy każde z urządzeń wzbudzających bramkowych (122) w parze jest położone poniżej pierwszej i czwartej części klapkowej (115,119), odpowiednio.
    * * *
PL95319945A 1994-10-31 1995-07-11 Uklad M x N luster wzbudzanych cienkoblonowych PL PL PL179037B1 (pl)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940028331A KR100213281B1 (ko) 1994-10-31 1994-10-31 광로조절장치
PCT/KR1995/000088 WO1996013745A1 (en) 1994-10-31 1995-07-11 Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL319945A1 PL319945A1 (en) 1997-09-01
PL179037B1 true PL179037B1 (pl) 2000-07-31

Family

ID=19396667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL95319945A PL179037B1 (pl) 1994-10-31 1995-07-11 Uklad M x N luster wzbudzanych cienkoblonowych PL PL

Country Status (18)

Country Link
US (1) US5610757A (pl)
EP (1) EP0712020B1 (pl)
JP (1) JP3595556B2 (pl)
KR (1) KR100213281B1 (pl)
CN (1) CN1058789C (pl)
AU (1) AU688071B2 (pl)
BR (1) BR9509460A (pl)
CA (1) CA2203990A1 (pl)
CZ (1) CZ288215B6 (pl)
DE (1) DE69523256T2 (pl)
HU (1) HU221355B1 (pl)
MY (1) MY118482A (pl)
PE (1) PE18997A1 (pl)
PL (1) PL179037B1 (pl)
RU (1) RU2153186C2 (pl)
TW (1) TW279204B (pl)
UY (1) UY24012A1 (pl)
WO (1) WO1996013745A1 (pl)

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6969635B2 (en) * 2000-12-07 2005-11-29 Reflectivity, Inc. Methods for depositing, releasing and packaging micro-electromechanical devices on wafer substrates
EP0810458B1 (en) * 1996-05-29 2001-09-19 Daewoo Electronics Co., Ltd Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
US5930025A (en) * 1996-05-29 1999-07-27 Daewoo Electronics Co., Ltd. Array of thin film actuated mirrors and method for the manufacture thereof
US5945898A (en) * 1996-05-31 1999-08-31 The Regents Of The University Of California Magnetic microactuator
KR980003662A (ko) * 1996-06-28 1998-03-30 배순훈 큰 구동 각도를 가지는 박막형 광로 조절 장치
US5991064A (en) * 1996-06-29 1999-11-23 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array and a method for the manufacture thereof
WO1998008127A1 (en) * 1996-08-21 1998-02-26 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array for use in an optical projection system
US6097859A (en) 1998-02-12 2000-08-01 The Regents Of The University Of California Multi-wavelength cross-connect optical switch
WO1998038801A1 (en) * 1997-02-26 1998-09-03 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
KR19990004787A (ko) * 1997-06-30 1999-01-25 배순훈 박막형 광로 조절 장치
US5920421A (en) * 1997-12-10 1999-07-06 Daewoo Electronics Co., Ltd. Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
GB2332750B (en) * 1997-12-23 2000-02-23 Daewoo Electronics Co Ltd Thin film actuated mirror array in an optical projection system and method for manufacturing the same
US6962419B2 (en) 1998-09-24 2005-11-08 Reflectivity, Inc Micromirror elements, package for the micromirror elements, and projection system therefor
US7018052B2 (en) * 2000-08-30 2006-03-28 Reflectivity, Inc Projection TV with improved micromirror array
US6661561B2 (en) * 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6856448B2 (en) * 2001-03-26 2005-02-15 Creo Inc. Spatial light modulator
US7023606B2 (en) * 2001-08-03 2006-04-04 Reflectivity, Inc Micromirror array for projection TV
KR100398310B1 (ko) * 2001-09-13 2003-09-19 한국과학기술원 엇물린 외팔보들을 이용한 마이크로미러 디바이스 및 그응용소자
US7042622B2 (en) * 2003-10-30 2006-05-09 Reflectivity, Inc Micromirror and post arrangements on substrates
US6914711B2 (en) * 2003-03-22 2005-07-05 Active Optical Networks, Inc. Spatial light modulator with hidden comb actuator
US7375874B1 (en) 2003-03-22 2008-05-20 Active Optical Mems Inc. Light modulator with integrated drive and control circuitry
US7015885B2 (en) * 2003-03-22 2006-03-21 Active Optical Networks, Inc. MEMS devices monolithically integrated with drive and control circuitry
US7281808B2 (en) * 2003-06-21 2007-10-16 Qortek, Inc. Thin, nearly wireless adaptive optical device
US7862188B2 (en) * 2005-07-01 2011-01-04 Flir Systems, Inc. Image detection improvement via compensatory high frequency motions of an undedicated mirror
US9298014B2 (en) * 2005-07-01 2016-03-29 Flir Systems, Inc. Image stabilization system
US7769255B2 (en) * 2006-11-07 2010-08-03 Olympus Corporation High port count instantiated wavelength selective switch
US7873246B2 (en) * 2006-11-07 2011-01-18 Olympus Corporation Beam steering element and associated methods for manifold fiberoptic switches and monitoring
US7720329B2 (en) 2006-11-07 2010-05-18 Olympus Corporation Segmented prism element and associated methods for manifold fiberoptic switches
US8131123B2 (en) 2006-11-07 2012-03-06 Olympus Corporation Beam steering element and associated methods for manifold fiberoptic switches and monitoring
US8000568B2 (en) * 2006-11-07 2011-08-16 Olympus Corporation Beam steering element and associated methods for mixed manifold fiberoptic switches
US7702194B2 (en) * 2006-11-07 2010-04-20 Olympus Corporation Beam steering element and associated methods for manifold fiberoptic switches
US8190025B2 (en) * 2008-02-28 2012-05-29 Olympus Corporation Wavelength selective switch having distinct planes of operation
US20100168851A1 (en) * 2008-12-30 2010-07-01 David Paul Vanderbilt Surface Modified Biomedical Devices
KR102581371B1 (ko) * 2017-02-07 2023-09-21 엘에스엠트론 주식회사 차량용 궤도
KR102562363B1 (ko) 2021-04-14 2023-08-01 공간찬넬주식회사 도어를 구비한 곡물 저장 및 운송용 박스형 빈

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3544201A (en) * 1968-01-02 1970-12-01 Gen Telephone & Elect Optical beam deflector
US4441791A (en) * 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
US4615595A (en) * 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4793699A (en) * 1985-04-19 1988-12-27 Canon Kabushiki Kaisha Projection apparatus provided with an electro-mechanical transducer element
US5172262A (en) * 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
SU1569783A1 (ru) * 1987-11-09 1990-06-07 Новосибирский институт инженеров геодезии, аэрофотосъемки и картографии Сканирующее магнитоэлектрическое устройство
US5126836A (en) * 1989-11-01 1992-06-30 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
US5185660A (en) * 1989-11-01 1993-02-09 Aura Systems, Inc. Actuated mirror optical intensity modulation
GB2239101B (en) * 1989-11-17 1993-09-22 Marconi Gec Ltd Optical device
US5085497A (en) * 1990-03-16 1992-02-04 Aura Systems, Inc. Method for fabricating mirror array for optical projection system
US5216537A (en) * 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5170283A (en) * 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5175465A (en) * 1991-10-18 1992-12-29 Aura Systems, Inc. Piezoelectric and electrostrictive actuators
US5159225A (en) * 1991-10-18 1992-10-27 Aura Systems, Inc. Piezoelectric actuator
US5247222A (en) * 1991-11-04 1993-09-21 Engle Craig D Constrained shear mode modulator
US5493439A (en) * 1992-09-29 1996-02-20 Engle; Craig D. Enhanced surface deformation light modulator
US5481396A (en) * 1994-02-23 1996-01-02 Aura Systems, Inc. Thin film actuated mirror array
US5535047A (en) * 1995-04-18 1996-07-09 Texas Instruments Incorporated Active yoke hidden hinge digital micromirror device

Also Published As

Publication number Publication date
HU221355B1 (en) 2002-09-28
EP0712020A1 (en) 1996-05-15
JPH10508118A (ja) 1998-08-04
AU688071B2 (en) 1998-03-05
CZ133797A3 (en) 1997-08-13
MY118482A (en) 2004-11-30
JP3595556B2 (ja) 2004-12-02
TW279204B (pl) 1996-06-21
PE18997A1 (es) 1997-09-22
MX9703079A (es) 1997-07-31
CN1058789C (zh) 2000-11-22
WO1996013745A1 (en) 1996-05-09
KR960016588A (ko) 1996-05-22
UY24012A1 (es) 1996-01-10
CA2203990A1 (en) 1996-05-09
DE69523256D1 (de) 2001-11-22
RU2153186C2 (ru) 2000-07-20
DE69523256T2 (de) 2002-04-18
PL319945A1 (en) 1997-09-01
AU2937495A (en) 1996-05-23
KR100213281B1 (ko) 1999-08-02
BR9509460A (pt) 1998-01-06
EP0712020B1 (en) 2001-10-17
CZ288215B6 (en) 2001-05-16
US5610757A (en) 1997-03-11
CN1162361A (zh) 1997-10-15
HUT77723A (hu) 1998-07-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL179037B1 (pl) Uklad M x N luster wzbudzanych cienkoblonowych PL PL
US5984481A (en) Array of thin film actuated mirrors for use in an optical projection system and method for the manufacture thereof
WO1993008609A1 (en) Piezoelectric and electrostrictive actuators
GB2321114A (en) Optical modulator
RU96112195A (ru) Тонкопленочная приводимая в действие зеркальная матрица для использования в оптической проекционной системе и способ ее изготовления
PL176490B1 (pl) Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych
PL176406B1 (pl) Układ zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych i sposób wytwarzania układu zwierciadeł cienkowarstwowych ruchomych
RU2129759C1 (ru) Периодическая структура из тонкопленочных связанных с приводом зеркал для оптических проекционных систем и способ ее изготовления
JPH07306369A (ja) Ｍ×ｎ薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ及びその製造方法
AU697053B2 (en) Thin film actuated mirror array for providing double tilt angle
US5550680A (en) Thin film actuated mirror array having an improved optical efficiency
KR19990007822A (ko) 모노모프 박막 액츄에이티드 미러 어레이
MXPA97003079A (en) Formed mirror of filmed delgadapara to be used in an opt projection system
JPH095608A (ja) Ｍ×ｎ個の薄膜アクチュエーテッドミラーアレイ
KR0131569B1 (ko) 투사형 화상 표시 장치의 광로 조절 장치 구조
JP4682589B2 (ja) 圧電アクチュエータおよびこれを用いた光線掃引装置
KR970003003B1 (ko) 광로조절장치
KR940023214A (ko) 투사형화상표시장치의 광로조절수단

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20050711