PL166920B1

PL166920B1 - Kineskop kolorowy szerokoekranowy z samozbieznym zespolem odchylajacym PL PL

Info

Publication number: PL166920B1
Application number: PL91296922A
Authority: PL
Inventors: Marc Milili; Jeffrey P Johnson; Jean-Michel Carrier
Original assignee: Thomson Tubes & Displays
Priority date: 1990-05-11
Filing date: 1991-05-10
Publication date: 1995-07-31
Also published as: CN1052561C; JP3217058B2; EP0455918B1; FI925102A; KR100236498B1; CN1057546A; CA2081200A1; DE69024789D1; ES2084675T3; US5408163A; WO1991018410A1; RU2202858C2; BR9106436A; PT97634B; CA2081200C; AU7884191A; ATE133004T1; JPH06504872A; TR25062A; MY107325A

Abstract

1. Kineskop kolorowy szerokoekranowy z samozbiez- nym zespolem odchylajacym, posiadajacy szyjke z umieszczona w niej rzedowa wyrzutnia elektronow a dla trzech wiazek ele- ktronów, stozek i plyte czolowa z szerokim ekranem, przy czym sam ozbiezny zespól odchylajacy m a uzw ojenie odchylania linii i uzwojenie odchylania pola i je s t um ieszczony w w ej- sciowej czesci stozka wzdluz osi podluznej kineskopu, uz- wojenie odchylania linii zawiera górna i dolna cewke typu siodlowego a uzwojenie odchylania pola zawiera dwie cewki nawiniete toroidalnie na górn a i dolna czesc rdzenia magnety- cznego, przy czym siodlowe cewki odchylania linii sa umieszczone blisko wewnetrznej powierzchni korpusu, a rdzen magnetyczny z nawinietymi toroidalnie cewkami odchylania pola jest umieszczony wokól zewnetrznej strony korpusu, znam ienny tym, ze siodlowe cewki (41a), (41b) odchylania linii posiadaja przewody tworzace elementy boczne (53), czesc przednia (51) uzwojenia i czesc tylna (49) uzwojenia, które tworza okno (46), przewody elementów bocznych (53) sa skierowane wzdluz osi podluznej (Z) kineskopu (30) zgodnie z profilem poczatkowej czesci (32) stozka (33), czesc przednia (51) uzwojenia jest wygieta na zewnatrz od osi pod- luznej (Z) w kierunku poprzecznym, czesc tylna (49) uzwojenia jest umieszczona równolegle do osi podluznej (Z), zgodnie z ksztaltem szyjki (31), natom iast nawiniete toroidalnie cewki (42a), (42b) odchylania pola maja wewnetrzne czesci umiesz- czone blisko wnetrza rdzenia m agnetycznego (50), zgodnie z jego profilem. F I G . 6 PL PL

Description

Przedmiotem wynalazku jest kineskop kolorowy szerokoekranowy z samozbieżnym zespołem odchylającym.

Znane, najbardziej nowoczesne, szerokoekranowe kineskopy kolorowe mają współczynnik kształtu ekranu równy 16 x 9, który określa stosunek wymiarów ekranu w kierunku poziomym i w kierunku pionowym. W porównaniu ze standardowym kineskopem wąskoekranowym VSN o współczynniku kształtu równym 4x3, przy zastosowaniu takiej samej przekątnej, na przykład 86,3 cm przy 34V, ekran szeroki jest w przybliżeniu 9% szerszy w kierunku poziomym i około 10% krótszy w kierunku pionowym niż ekran wąski.

kineskop szerokoekranowy VSW ma płytę czołową prawie prostokątną i profil płaski. Na wewnętrznej powierzchni płyty czołowej jest nałożony paskowy ekran elektroluminescencyjny. Rzeczywisty profil wewnętrznej powierzchni płyty czołowej jest złożony i jest określany dokładnie przy pomocy równań matematycznych.

Znane kineskopy szerokoekranowe mają zespoły odchylające charakteryzujące się brakiem samozbieżności i wymagają zastosowania w zespole odchylającym dodatkowych cewek zapewniających zbieżność zewnętrznych promieni elektronów. Stosowane w układach odchylania generatory przebiegów zbieżności i stopnie wyjściowe sterujące zespołem odchylającym są złożone. Znane są zespoły samozbieżne dla kineskopów o współczynniku kształtu 4x3. Zespoły samozbieżne dla kineskopów o współczynniku kształtu 16x9 muszą uwzględniać różnice parametrów krytycznych, występujących w zespole samozbieżnym dla ekranu wąskiego i dla ekranu szerokiego. Jedną z możliwości jest przystosowanie konstrukcji zespołu odchylającego dla systemu 4 x 3 do systemu 16 x 9, przy pomocy różnych środków korekcyjnych, które jednak komplikują produkcję. Jednym ze środków korekcyjnych jest zmiana uzwojenia odchylającego, na przykład w cewkach odchylania linii. Cewki te mogą być typu siodłowego, w których profil powierzchni, przebieg drutu i inne własności zależą od parametrów niezbędnych do wytworzenia samozbieżytgo pola odchylania linii.

Wielkość zmiany trzeciej harmonicznej niezbędnej do wyeliminowania stanu niedostatecznej zbieżności można określić przy użyciu teorii aberracji do analizy funkcji elektrooptycznych zespołu odchylającego. Oznaczenia stosowane poniżej są dostosowane do oznaczeń z teorii aberracji, gdzie HO(z) z H2(z) są funkcjami rozkładu pola, przedstawiającymi gaussowskie pole odchylające i niejednorodność poprzeczną x² przy odchylaniu linii, w postaci rozkładu na szereg potęgowy pola odchylającego. Teoria ta jest w^jćiś^iιsya na przykład w artykule J. kaasl:oeka w Philips Research Reports Supplements numer 11, 1968 i w opisie patentowym Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 329 671, dotyczącym kineskopu kolorowego typu rzędowego z układem samozbieżnym.

Znany jest z opisu patentowego: Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 231 009 zespół odchylający z magnesem, zmniejszającym czułość zbieżności na położenie tego zespołu. Zespół odchylający typu samozbieżnego przedstawiony w tym opisie wykorzystuje pola magnetyczne odchylania poziomego o kształcie poduszkowym i pola magnetyczne odchylania pionowego o kształcie beczkowym do skupiania trzech rzędowych wiązek elektronów i zawiera pierwszą parę magnesów, umieszczonych w pobliżu górnej i dolnej części wejścia zespołu odchylającego. każdy magnes jest spolaryzowany tak, żeby wytwarzać pole o tej samej biegunowości jak pole odchylania pionowego w okresie, w którym wiązka elektronów jest odchylana w kierunku magnesu. Druga para magnesów jest umieszczona na górze i na dole rozszerzonej części wewnętrznej zespołu odchylającego, zwykle w środkowym położę4

166 920 niu pomiędzy wejściem wiązki i wyjściem wiązki z zespołu odchylającego. Każdy z magnesów jest spolaryzowany tak, że wytwarza pole o biegunowości przeciwnej do pola odchylania pionowego przy odchylaniu wiązki w kierunku odpowiedniego magnesu. Pierwsza i druga para magnesów współpracują ze sobą w celu korekcji zniekształceń poduszkowych pionowych bez zasadniczego oddziaływania na zbieżność. Trzecia para magnesów jest umieszczona na górze i na dole rozszerzonej części wewnętrznej zespołu odchylającego, pomiędzy wejściem tego zespołu i drugą parą magnesów, przy czym jest spolaryzowana w tym samym kierunku jak pierwsza para magnesów. Trzecia para magnesów zmniejsza czułość zbieżności na położenie zespołu odchylającego względem wiązek elektronów. W powyższym znanym zespole odchylającym typu siodłowo-toroidalnego, para cewek odchylania liniijest typu siodłowego. Para magnesów wytwarzających pole magnetyczne jest zamocowana we wnęce korpusu. Druga i trzecia para magnesów są podobne i przymocowane do warstwy izolacyjnej korpusu.

W kineskopie według wynalazku siodłowe cewki odchylania linii posiadają przewody tworzące elementy boczne, część przednią uzwojenia i część tylną uzwojenia, które tworzą okno. Przewody elementów bocznych są skierowane wzdłuż osi podłużnej kineskopu zgodnie z profilem początkowej części stożka. Część przednia uzwojenia jest wygięta na zewnątrz od osi podłużnej w kierunku poprzecznym. Część tylna uzwojenia jest umieszczona równolegle do osi podłużnej, zgodnie z kształtem szyjki. Natomiast nawinięte toroidalnie cewki odchylania pola mają wewnętrzne części umieszczone blisko wnętrza rdzenia magnetycznego, zgodnie z jego profilem.

Korzystnie do zewnętrznej strony korpusu, który oddziela uzwojenie odchylania linii i uzwojenie odchylania pola, są zamocowane przenikalne magnetycznie korektory rozmieszczone kątowo i podłużnie.

Korzystnie kształt wewnętrznej powierzchni rdzenia i kształt siodłowych cewek odchylania linii są zgodne z profilem początkowej części stożka, która posiada kołowy przekrój poprzeczny względem osi podłużnej kineskopu. Ekran kineskopu ma dużą przekątną zawartą w zakresie od 66 cm do 96,5 cm. Współczynnik kształtu dla ekranu kineskopu jest zawarty w zakresie od 1,67 do 2,0. Korzystnie współczynnik kształtu ekranu kineskopu jest równy około 1,78, a kąt odchylania linii jest równy około 96°. Korzystnie ekran kineskopu ma dużą przekątną równą około 86,3 cm. Odwrotność współczynnika odległości pomiędzy wyrzutnią elektronową a ekranem jest równa 0,92.

Kineskop ma mały kąt zbieżności w środku ekranu i dużą odległość zewnętrznych wiązek elektronów na linii odniesienia kineskopu. Ekran kineskopu ma współczynnik większy od współczynnika kształtu równego 1,33 dla ekranu kineskopu wąskoekranowego, przy czym ma tę samą przekątną, ten sam profil ekranu i ten sam kąt odchylania linii.

Korzystnie ekran kineskopu ma współczynnik kształtu równego 1,33 dla ekranu kineskopu wąskoekranowego, przy czym ma tę samą przekątną, ten sam profil ekranu i ten sam kąt odchylania linii, mierzony od poszczególnych linii odniesienia kineskopu pomiędzy skrajnymi punktami ich poszczególnych osi głównych, lecz różne kąty nachylenia w środku ekranu i odległości zewnętrznych wiązek elektronów na poszczególnych liniach odniesienia kineskopu.

Korzystnie linia odniesienia kineskopu i płaszczyzna odchylania układu odchylającego są zgodne.

Zaletą wynalazku jest pokonanie problemów występujących przy zastosowaniu w kineskopach kolorowych szerokoekranowych znanych samozbieżnych zespołów odchylających, które były dotychczas stosowane w standardowych kineskopach wąskoekranowych. Problemy związane z różnicami parametrów krytycznych zostały pokonane dzięki zapewnieniu kineskopu o różnym kącie nachylenia środka ekranu i odległości wiązek elektronów. Uzwojenie odchylania linii jest zmodyfikowane przy uwzględnieniu tych parametrów. Taki układ zapobiega błędnej zbieżności na końcach osi poziomej szerokiego ekranu.

Uzwojenie odchylania linii posiada górną cewkę i dolną cewkę typu siodłowego z przewodami do wytwarzania pola odchylania linii mającego składową trzeciej harmonicznej dającą skuteczną funkcję rozkładu pola o współczynniku niejednorodności H2R równym

166 920 _o [1 + aw]/[1 + <Nj ], gdzie współczynnik niejednorodności H2R jest stosunkiem skutecznej funkcji rozkładu pola odchylania linii układu odchylającego kineskopu szerokoekranowego do skutecznej funkcji rozkładu pola odchylania linii porównywalnego samozbieżnego układu odchylającego kineskopu wąskoekranowego. Samozbieżność wzdłuż wielkiej osi ekranu wymaga zastosowania poduszkowego pola odchylania linii, które określa dodatnia funkcja rozkładu pola H2. Według wynalazku trzecia składowa harmoniczna pola odchylania linii w kineskopie szerokoekranowym powinna być zmniejszona w porównaniu z trzecią harmoniczną w porównywalnym kineskopie wąskoekranowym zgodnie z następującym współczynnikiem niejednorodności:

H2R=h2(Tw = h2<TN) ={H2}(tw) ·*· {H2}(tn) gdzie h2={H2}){HO}, TW i TN są odległościami padania wiązek elektronów na środek ekranu kineskopu szerokoekranowego i wąskoekranowego i {HO}, {H2} są funkcjami skutecznymi rozkładu pola gaussowskiego i niejednorodności x², co zostanie to opisane poniżej.

Na podstawie powyższego równania widać, że h2 jest funkcją rozkładu pola znormalizowaną względem odchylenia gaussowskiego. Wielkość h2, {HO} i {H2} są parametrami odległości padania TW i TN. W teorii aberracji funkcje skutecznego rozkładu pola {HO} i {H2} są określone w warunkach skutecznej długości 1_e pola odchylania linii. Skuteczna długość 1e jest określona jako szerokość prostokąta mającego taką samą powierzchnię jak powierzchnia pod gaussowską funkcją rozkładu pola HO i wysokość równą maksymalnej wartości HO(max) funkcji HO. Proskokąt ma środek w pobliżu punktu ZO na osi podłużnej, gdzie jest umieszczona płaszczyzna odchylania.

W oparciu o te same upraszczające założenia teorii aberracji, skuteczna gaussowska funkcja rozkładu pola {HO} może być określona jako funkcja stała HO(max) na skutecznej długości i równa zeru w innych miejscach. Funkcja {HO} może być wówczas stosowana zamiast funkcji HO, w celu obliczania położenia padania wiązki o torze gaussowskim na ekran, po oddziaływaniu na wiązki elektronów pola odchylania linii.

Podobna procedura upraszczająca może być zastosowana dla uzyskania skutecznej funkcji niejednorodności rozkładu pola {H2}, która może być stosowana zamiast rzeczywistej funkcji rozkładu pola H2 podczas analizowania wpływu H2 na astygmatyzm poziomy, to jest na zbieżność.

Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładach wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia wymiary ekranu wąskiego o współczynniku kształtu 4 x 3 i ekranu szerokiego o współczynniku kształtu 16x9, fig. 2 - płytę czołową kineskopu szerokoekranowego o współczynniku kształtu 16 x 9, w widoku od przodu, fig. 3 - profil powierzchni wewnętrznej płyty czołowej z fig. 2, fig. 4 - rzędowy kineskop kolorowy szerokoekranowy z płytą czołową z fig. 2, fig. 5 - część kineskopu szerokoekranowego z fig. 4 ze szczegółowo pokazanym zespołem odchylającym według wynalazku, w widoku z góry, fig. 6 - zespół odchylający z fig. 5 w bocznym przekroju poprzecznym, fig. 7 - zespół odchylający z fig. 5 w widoku od przodu, fig. 8a i 8b - dwa różne korektory ze stali krzemowej w zespole odchylającym z fig. 5, w widoku z góry, fig. 8c - magnes prętowy stosowany w zespole odchylającym z fig. 5, w widoku aksonometiycznym, fig. 9 - cewkę odchylania linii w zespole odchylającym z fig. 5, w widoku perspektywicznym, fig. 10 - cewkę odchylania pola nawiniętą na rdzeniu magnetycznym zespołu odchylającego z fig. 5, w widoku od przodu, fig. 11a, 11b i 11c - zależności geometryczne między różnymi parametrami kineskopu szerokoekranowego i porównywalnego kineskopu wąskoekranowego, fig. 12 - zależności różnych torów wiązek elektronów w samozbieżnych układach odchylania kineskopu wąskoekranowego i szerokoekranowego, fig. 13 - krzywe separacji zewnętrznych wiązek elektronów w funkcji położenia na osi podłużnej, fig. 14 - funkcja rozkładu pola związane z zespołem odchylającym z fig. 5, fig. 15 - krzywe innych funkcji z teorii aberracji, związanej z konstrukcją zespołu odchylającego z fig. 5, fig. 16,17,18,19,20,2122,23 - krzywe różnych funkcji z teorii aberracji związanej z przykładowym wykonaniem zespołu odchylającego

166 920 według wynalazku i fig. 24 - granicę powierzchni, z której otrzymano dane rejestracji strumienia magnetycznego.

Figura 1 przedstawia wymiary ekranu wąskiego o współczynniku kształtu 4 x 3 i ekranu szerokiego o współczynniku kształtu 16x9.

Figura 2 przedstawia prostokątną płytę czołową 18 kineskopu szerokoekranowego o współczynniku kształtu 16 x 9. Na wewnętrznej powierzchni płyty czołowej 18 jest nałożony paskowy ekran luminescencyjny. Prostokątna płyta czołowa 18 ma wielką oś X, małą oś Y i przekątne D. Dwa długie boki L płyty czołowej 18 są równoległe do wielkiej osi X a dwa krótkie boki S są równoległe do małej osi Y.

Figura 3 przedstawia wewnętrzną powierzchnię płyty czołowej 18 z fig. 2 w widoku perspektywicznym, uwidaczniającym krzywe 22,23,24,25,26 określające profil wewnętrznej powierzchni płyty czołowej 18 w kierunkach odpowiadających kierunkom z fig. 2. Każda z krzywych 22, 23, 24, 25, 26 jest określona przez promień R odpowiadający promieniowi okręgu przechodzącego przez środek CW płyty czołowej 18 i odpowiednie brzegi płyty czołowej 18 przy krawędziach ekranu. Rzeczywisty profil wewnętrznej powierzchni płyty czołowej 18 jest bardziej złożony i jest określony dokładnie przy pomocy omówionych poniżej równań.

Na figurze 3 przedstawiono promień RX krzywej 22 przebiegającej wzdłuż wielkiej osi, promień RY krzywej 23 przebiegającej wzdłuż małej osi ekranu, promień RL krzywej 25 przebiegającej wzdłuż długiego boku płyty czołowej, promień RS krzywej 26 przebiegającej wzdłuż krótkiego boku płyty czołowej oraz promień RD krzywej 24 przebiegającej wzdłuż przekątnej płyty czołowej.

Profil wewnętrznej powierzchni płyty czołowej 18 jest określony przez następujące równanie wielomianowe:

ZW = Σ i (Ai) (10 Λ Ji) (X Λ Ni) (Y Λ Mi) i = 1,2, 3,.......7

Wielkość ZW jest określona jako odległość punktu położonego na wewnętrznej powierzchni płyty czołowej 18 od płaszczyzny stycznej do powierzchni wewnętrznej w środku CW płyty czołowej 18. Wartości X i Y w równaniu są określone jako odległości od środka CW wzdłuż prostopadłych osi odpowiadających wielkiej osi i małej osi. Powyższe równanie określa rodzinę asferycznych profili płyty czołowej, którą można wykonać jako płaską w wyniku właściwego doboru parametrów.

W przypadku płyty czołowej o przekątnej ekranu DW = 86,3 cm w płaszczyźnie strzałkowej współczynniki Ai i wykładniki Ji, Ni, Mi są podane w poniższej tabeli.

Tabela 1

A(1) = +2,7548540	J(1) = -04	N(1) = 2	M(1) = 0
a(2) = +3,0213080	j(2) = -10	N(2) = 4	M(2) = 0
A(3) = +4,9051820	J(3) = -04	N(3) = 0	M(3) = 2
A(4) = -2,0299050	J(4) = -10	N(4) = 2	M(4) = 2
A(5) = -6,3074090	j(5) = -15	N(5) = 4	M(5) = 2
A(6) = +9,4301190	J(6) = -11	N(6) = 0	m(6) = 4
a(7) = +5,2725900	J(7) = -15	N(7) = 2	M(7) = 4

Figura 4 przedstawia szerokoekranowy kineskop 30, który zawiera szerokoekranową płytę czołową z fig. 2 w trzech rzutach cząstkowych. Pierwszy rzut cząstkowy na prawo od osi podłużnej Z kineskopu 30 jest widokiem z góry, co pokazano przez ustawienie osi Z i X. Drugi rzut cząstkowy na lewo od osi Z, blisko niżej, jest widokiem z boku, co pokazano przez ustawienie osi Y i Z. Trzeci rzut cząstkowy na lewo od osi Z, oddalony od niej, jest rzutem prostopadłym do przekątnej DW płyty czołowej 18.

Pokazany na fig. 4 zespół 27 płyty czołowej zawiera ekran luminescencyjny nałożony na wewnętrzną powierzchnię płyty czołowej 18 i maskę 131 przymocowaną do zespołu 27 płyty czołowej w określonej odległości od ekranu. Kineskop 30 ma szklaną bańkę 29, która

166 920 posiada szyjkę 31 i stożek 22. Na górze kineskopu 30 jest umieszczone przyłącze 34 anody. Wewnątrz szyjki 31 jest umieszczony zespół rzędowej wyrzutni elektronowej, nie pokazany na fig. 4, z wtykami umieszczonymi w cokole 38. Zespół odchylających 35 jest umieszczony na kineskopie 30 wokół przedniej części szyjki 31 i wokół początkowej części 32 stożka 33. Zespół odchylający 35 jest zaznaczony na fig. 4 linią przerywaną, podobnie jak linia odniesienia 39 kineskopu.

Figura 5 przedstawia część kineskopu 30 z fig. 4, która zawiera zespół odchylający 35 i tylną część kineskopu. Zespół odchylający 35 zawiera korpus 36 z tworzywa sztucznego do zamontowania zespołu odchylającego 40 na kineskopie. W tylnej części korpusu 36, na części rzędowej wyrzutni elektronowej 28 jest umieszczony zespół zbieżności/czystości 37 do regulacji zbieżności statycznej wiązek elektronów i czystości koloru.

W celu uniknięcia błędów czystości koloru wiązki elektronów wytwarzane przez rzędową wyrzutnię elektronową 28 muszą być właściwie odchylane przez zespół odchylający 35 w kierunku ekranu luminescencyjnego. W tym celu położenie wzdłużne zespołu odchylającego 40 jest regulowane, aby umieścić linię odniesienia 39 lampy w płaszczyźnie odchylania zespołu odchylającego 40.

Figury 6, 7, 8, 9 i 10 przedstawiają zespół odchylający 40 lub jego części w różnych widokach. Zespół odchylający 40 zawiera uzwojenie odchylania 41 linii posiadające górną cewkę 41a i dolną cewkę 41b typu siodłowego oraz uzwojenie odchylania 42 pola posiadające dwie cewki 42a, 42b nawinięte toroidalnie na górną i dolną część rdzenia magnetycznego 50. Siodłowe cewki 41a, 41b odchylania linii są umieszczone naprzeciwko wewnętrznej powierzchni korpusu 36 z tworzywa sztucznego, a rdzeń magnetyczny 50 z nawiniętymi toroidalnie cewkami 42a, 42b odchylania pola jest umieszczony wokół zewnętrznej strony korpusu.

Pokazane na fig. 6, 7 i 9 siodłowe cewki 41a, 41b odchylania linii posiadają przewody nawinięte tak, że tworzą elementy boczne 53, część przednią 51 uzwojenia i część tylną 49 uzwojenia, w wyniku czego powstaje okno 46. Przewody elementów bocznych 53 są skierowane wzdłuż osi podłużnej Z kineskopu 30 z fig. 4, zgodnie z profilem początkowej części 32 stożka 33. Część przednia 51 uzwojenia jest wygięta na zewnątrz od osi podłużnej Z w kierunku poprzecznym. Część tylna 49 uzwojenia jest prostą częścią umieszczoną równolegle do osi podłużnej Z, przy czym jej profil zakrzywiony w kierunkach X i Y jest zgodny z kształtem szyjki 31. W różnych punktach cewek odchylania 41a, 41b linii powstają szczeliny modyfikujące rozkład pola magnetycznego w celu korekcji błędów zbieżności i zniekształceń rastra, co będzie opisane dalej.

Nawinięte toroidalnie 42a, 42b odchylania pola są przedstawione na fig. 5, 6 i 10 w różnych widokach. Przewody cewek 42a, 42b odchylania pola są nawinięte tak, że wytwarzają pole magnetyczne konieczne do uzyskania samozbieżności w kineskopie kolorowym. Wewnętrzne części uzwojeń cewek odchylania 42a, 42b pola są umieszczone dokładnie naprzeciw wnętrza rdzenia 50, zgodnie z jego profilem. Do zewnętrznej strony korpusu 36, który oddziela uzwojenia odchylania 41, 42 linia i pola, jak to pokazano na fig. 6 i 7, są zamocowane korektory przenikalne magnetyczne, pokazane na fig. 8a i 8b. Korektory 44a,b lub 45a,b,c,d są rozmieszczone kątowo i podłużnie w celu modyfikacji pola magnetycznego wytwarzanego przez uzwojenie odchylania 42 pola w celu korekcji szczątkowych błędów zbieżności i zniekształceń rastra, co będzie opisane dalej. W celu zapewnienia dobrej czułości odchylania, kształt wewnętrznej powierzchni rdzenia 50 i kształt siodłowych cewek 41a, 41b odchylania linii są ściśle zgodne z profilem początkowej części 32 stożka 33.

Profil początkowej części 32 stożka 33 posiada kołowy przekrój poprzeczny względem osi podłużnej Z kineskopu. Promień tego przekroju poprzecznego wzrasta wraz z przesuwaniem się położenia na osi podłużnej w kierunku ekranu kineskopu, według następującego równania wielomianowego dla wewnętrznego profilu powierzchni bańki szklanej:

r=a0=a 1z=a2z²+a3z³+a4z4 gdzie; a0 = +10,8948 a1 = +6,46181 x 10'²a2= +1,09119 x 10'2

166 920 a3 = +5,70691 x 10’⁶a4 = -2,28845 x 10’⁷ gdzie r i z są mierzone w milimetrach. Punkt z=o na osi podłużnej jest umieszczony w punkcie, który znajduje się po stronie wyrzutni elektronowej i blisko punktu połączenia stożka i szyjki. Zewnętrzny profil powierzchni bańki szklanej jest podobny do wewnętrznego profilu powierzchni bańki szklanej, lecz przesunięty o grubość szkła, która wzrasta wraz ze wzrostem odległości z, aby zapewnić większą wytrzymałość.

W celu zapewnienia samozbieżności zespołu odchylającego 40 pole magnetyczne wytwarzane przez uzwojenie odchylania 41 linii ma kształt poduszkowy w głównym obszarze odchylania, to jest w obszarze pomiędzy obszarem wejściowym pola odchylania, w pobliżu tylnej części uzwojenia, od strony wyrzutni elektronowej, a obszarem wyjściowym w pobliżu przedniej części uzwojenia, od strony ekranu. Pole poduszkowe jest polem niejednorodnym, którego natężenie wzrasta w kierunku odchylania. Ta niejednorodność pola, narzucona na pole odchylania linii, oddziałuje różnie na zewnętrzne wiązki elektronów koloru niebieskiego i czerwonego, wytwarzając siły zbieżności korygujące błędną zbieżność wzdłuż głównej osi ekranu z fig. 2 i 4, w tym skrajny punkt + XW na prawym brzegu ekranu w jego środku i skrajny punkt - XW na lewym brzegu ekranu, w jego środku.

W celu uzyskania zbieżności zewnętrznych wiązek elektronów wzdłuż małej osi, pole magnetyczne wytwarzane przez uzwojenie odchylania 42 pola ma kształt beczkowy w głównym obszarze odchylania zespołu odchylającego 40. Beczkowe pole magnetyczne jest polem niejednorodnym, którego natężenie maleje w kierunku odchylania. Zakrzywienie beczkowego pola odchylania powoduje wytwarzanie sił oddziałujących na zewnętrzne wiązki elektronów w celu korekcji błędnej zbieżności wzdłuż małej osi, w tym błędnej zbieżności w skrajnym punkcie + YW na górnym brzegu ekranu w jego środku i w skrajnym - YW na dolnym brzegu ekranu w jego środku.

W wyniku oddziaływania pola odchylania linii o kształcie poduszkowym i pola odchylania pola o kształcie beczkowym, uzyskiwana jest istotna zbieżność we wszystkich punktach ekranu, także wzdłuż przekątnej D w punktach DW i w położeniach narożnych, na przykład w położeniach PDW1, PDW2.

Poprzez właściwy rozkład pola magnetycznego odchylania linii i pola, zespół odchylający 40 może także zapewniać korekcję innych błędów zbieżności i różnych zniekształceń rastra. Na przykład przez wytworzenie póła odchylania pola o kształcie poduszkowym w obszarze wy'ściowym, wytwarzane są siły korekcji zniekształceń poduszkowych w kierunku N-S. W celu dalszego zwiększenia poduszkowego pola korekcji w kierunku N-S w obszarze wyjściowym pola odchylającego, pokazane na fig. 8c magnesy 43a i 43b są rozmieszczone kątowo wzdłuż małej osi bezpośrednio powyżej części przedniej 51 uzwojenia.

Cztery korekty 45a, 45b, 45c i 45d ze stali krzemowej są umieszczone na przedniej części rdzenia 50, w pobliżu obszaru wyjściowego pola magnetycznego odchylania pola, pod kątem około 40° względem wielkiej osi, co pokazano na fig. 7. Korektory 45a, 45b, 45c, 45d spełniają funkcję bocznikowania pola pionowego w celu modyfikacji rozkładu pola, dla korekcji błędów zbieżności narożnych i błędów zbieżności strefy A. Korekcja jest uzyskiwana częściowo przez modyfikację siódmej harmonicznej pionowego pola magnetycznego. Para korektorów 44a, 44b ze stali krzemowej,rozmieszczonych kątowo wzdłuż małej osi w głównym obszarze odchylania w oknach 46 spełnia funkcję bocznikowania pola pionowego dla modyfikacji rozkładu pola. Korektory uwydatniają ogólny kształt beczkowy pola, aby poprawić zbieżność i skorygować błędy.

Szczątkowe zniekształcenie poduszkowe w kierunku N-S, wynikające z drugiej harmonicznej, znane jako zniekształcenie typu skrzydła w kształcie litery M jest korygowane przez modyfikację rozkładu pola odchylania linii w pobliżu obszaru wyjściowego pola odchylającego poprzez zwiększenie krzywizny części poziomych 51a części przedniej 51 uzwojenia.

Można zastosować także następną technikę dodatkowej korekcji zbiezności i zniekształcenia rastra. Technika ta polega na zastosowaniu szczelin, wprowadzonych przy rozkładzie uzwojenia odchylania 41 linii. Na przykład szczeliny 47a, 47b są umieszczone w

166 920 obszarze zwojów części przedniej, w sposób uwydatniający kształt poduszkowy pola odchylania linii w obszarze wyjściowym. Zapewnia to dodatkową korekcję zniekształcenia poduszkowego N-S. Szczeliny 48a i 48b są umieszczone w obszarze tylnej części uzwojenia i nadają polu odchylania linii w obszarze wyjściowym kształt mniej beczkowy dla korekcji błędu komy poziomej. Szczeliny 56 są wprowadzone do elementów bocznych 53 i są umieszczone w głównym obszarze odchylania, pod kątem około 25° względem głównej osi. Szczeliny 56 korygują błędy zbieżności w punktach ekranu w odległościach równych ćwiartkom wymiaru pionowego ekranu od jego naroży. Zespół odchylający 40 nie musi korygować wszystkich typów błędów zbieżności i zniekształceń rastra. Na przykład cewki 42a i 42b odchylania pola mogą być nawinięte promieniowo i dzięki temu zapewniać nieznaczną korekcję zniekształcenia poduszkowego w kierunku E-W, taką jaka była zapewniana przez cewki odchylania pola z polaryzacją. Korekcja komy pionowej może być zapewniona przez bocznikowanie pola przy pomocy konstrukcji wyrzutni elektronowej 28 kineskopu 30.

Figura 11a przedstawia w widoku perspektywicznym szerokoekranowy kineskop 30 o stosunkowo szerokim kącie odchylania, uwidaczniając zależności geometryczne miedzy różnymi parametrami kineskopu. Szerokoekranowy kineskop 30 posiada kąt odchylania 2Θ DW określony jako kąt pomiędzy punktami skrajnymi PDW1, PDW2 na przekątnej D ekranu, przy czym wierzchołek kata odchylania 2 Θ DW jest punktem przecięcia Z0 osi podłużnej Z z linią odniesienia 39 kineskopu. W przypadku szerokoekranowego kineskopu z ekranem o współczynniku kształtu 16 x 9, kąt odchylania 2Θ DW jest równy 106°. Kąt odchylania równy 106° jest bliski dużemu kątowi odchylania równemu 110°, stosowanemu w wąskoekranowych kineskopach z ekranem o współczynniku kształtu 4x3, Umożliwia to zachowanie względnie małej całkowitej długości kineskopu 30.

Figura 11b przedstawia, że gdy przekątne ekranów obu kineskopów o kątach odchylania równych 106° i 110° posiadają tę samą długość, to maksymalny kąt odchylania 2Θ H linii dla obu kineskopów jest równy 96°.

Ta własność stanowi szczególną zaletę zespołu odchylającego.Podczas odchylania do punktów skrajnych osi głównej w kącie odchylania 2 Θ H linii równym 96°, wiązki elektronów padają w punktach skrajnych PXW1, PXW2 szerokiego ekranu, między punktami +XW głównej osi ekranu. Przeciwnie, podczas odchylania w tym samym kącie odchylania linii 2Θ H, wiązki elektronów kineskopu z ekranem o współczynniku kształtu 4x3 padają na punkty skrajne PXN1, PXN2 ekranu o współczynniku kształtu 4 x 3 w punktach ±XN głównej osi ekranu.

W wyniku utrzymywania tego samego kąta odchylania 2Θ H linii, odległość padania TW wiązki elektronów na środku ekranu kineskopu szerokoekranowego jest większa niż odległość padania TN wiązki elektronów na środek ekranu kineskopu wąskoekranowego, podczas gdy przekątne tych dwóch kineskopów mają równą długość. Odległość padania wiązki elektronów na środek ekranu jest określona jako odległość wzdłuż osi podłużnej Z, między płaszczyzną odchylania i płaszczyzną styczną do punktu środkowego ekranu kineskopu. Na fig. 11b odległość padania TWjest długością odcinka między punktami ZO, CW, a odległość padania TN jest długością odcinka między punktami ZO, CN, więc ekran o współczynniku kształtu 4x3 znajduje się bliżej płaszczyzny odchylania niż ekran o współczynniku kształtu 16x9, przy założeniu zwykłego rozmieszczenia płaszczyzn odchylania dla obu kineskopów.

Energia zmagazynowana w uzwojeniu odchylania linii zależy od maksymalnego kąta odchylania linii. W wyniku zachowania takiego samego kąta odchylania linii dla kineskopu 110° o współczynniku kształtu 4 x 3 i kineskopu 106° o współczynniku kształtu 16 x 9, wymagania co do energii zmagazynowanej w zespole odchylającym kineskopu szerokoekranowego mogą być stosunkowo bliskie wymaganiom co do energii zmagazynowanej w zespole odchylającym kineskopu o współczynniku kształtu 4x3.

Następną zaletą kineskopu szerokoekranowego w porównaniu z kineskopem wąskoekranowym jest to, że maksymalny prąd odchylenia pola, wymagany przez uzwojenie odchylania kineskopu szerokoekranowego, jest zasadniczo mniejszy niż wymagany przez uzwojenie odchylania pola kineskopu wąskoekranowego, przy założeniu, że oba

166 920 uzwojenia maja taką samą czułość na odchylanie. Ta zaleta występuje dzięki mniejszemu maksymalnemu kątowi odchylania 2Θ YW pola równemu 60° dla kineskopu 106° o współczynniku kształtu 16 x 9, co pakazano na fig. 11c w porównaniu z większym maksymalnym kątem odchylania 2Θ YN pola równym 80° dla kineskopu 110° o współczynniku kształtu 4x3.

Figura 11c przedstawia mniejszy kąt odchylania 2 Θ YW pola wymagany do zapewnienia odchylania do punktów skrajnych PYW1, PYW2 ekranu szerokiego pomiędzy punktami ± YW małej osi ekranu. W przeciwieństwie do tego, aby uzyskać odchylanie do bardziej skrajnych punktów PYN1, PYN2 ekranu wąskiego, pomiędzy punktami ±YN małej osi ekranu, wymagany jest znacznie większy kąt maksymalnego odchylania 2 Θ YN pola równy 80°.

Szerokoekranowy kineskop 30 według wynalazku jest zaopatrzony w samozbieżny zespół odchylający 40. Konstrukcja zespołu odchylającego jest korzystna, ponieważ maksymalny kąt odchylania 2Θ H linii jest taki sam, jak w przypadku kineskopu 110° o współczynniku kształtu 4x3.

Figura 12 przedstawia schematycznie odchylanie trzech rzędowych wiązek elektronów R, G, B wzdłuż wielkiej osi ekranu szerokiego kineskopu 30 i także wzdłuż wielkiej osi ekranu wąskiego, o współczynniku kształtu 4x3 konwencjonalnego kineskopu 110° o tym samym profilu ekranu i o tej samej przekątnej ekranu, jak w przypadku ekranu szerokiego. Jak wspomniano poprzednio, odległość padania TW wiązek elektronów na środek ekranu kineskopu szerokoekranowego jest większa niż odległość padania TN wiązek elektronów na środek ekranu kineskopu wąskoekranowego. Dzięki temu oba kineskopy mogą mieć ten sam maksymalny kąt odchylania 2 H linii. Dla uproszczenia ekran szeroki i ekran wąski są oznaczone na fig. 12 przy pomocy wspólnego, stosunkowo dużego promienia równoważnego RX. W celu analizy konstrukcji uzwojenia odchylającego przyjmuje się, że linie odniesienia 39 obu kineskopów są zgodne w punkcie ZO na osi podłużnej i oba kineskopy mają wyrzutnie elektronowe ze zgodnymi płaszczyznami wyjściowymi 56 dla wiązek elektronów R, G, B. Odległość płaszczyzny wyjściowej wyrzutni od płaszczyzny odchylania wzdłuż osi podłużnej jest równa odległości EL.

Zostaną teraz rozważone warunki zbieżności zewnętrznych wiązek elektronów B i R dla zbieżności wzdłuż wielkiej osi ekranu wąskiego. W przypadku padania na środek CN ekranu wiązki elektronów nie są odchylane. Zespół zbieżności w wyrzutni elektronowej zapewnia zbieżność statyczną elektronów B i R w środku CN ekranu. W tym celu każda z zewnętrznych wiązek elektronów wychodzi z płaszczyzny wy'ściowej wyrzutni elektronów pod pewnym kątem do osi podłużnej Θ CN.

W gaussowskim jednorodnym polu odchylania linii zbieżność będzie zachowana we wszystkich punktach na powierzchni Gaussa, to jest na powierzchni kulistej, stycznej do środka ekranu, która ma promień krzywizny równy odległości padania wiązki elektronów na środek ekranu kineskopu. Ponieważ zbieżność środkowa została osiągnięta w punktach CN, zbieżność będzie zachowana we wszystkich punktach na kołowym łuku GSN przy odchylaniu ZX linii. Stąd w punkcie skrajnym odchylania linii, przy kącie odchylania Θ H, jednorodne pole odchylające powinno zapewniać zbieżność zewnętrznych wiązek elektronów w punkcie PGN. Ponieważ ekran wąski ma mniejszą krzywiznę, zewnętrzne wiązki elektronów będą przecinać się przed osiągnięciem punktu PXN ekranu, odpowiadającego położeniu godziny 3 na zegarze, przy maksymalnym odchyleniu linii wzdłuż wielkiej osi ekranu. Przecięcie się zewnętrznych wiązek elektronów przed ekranem wąskim powoduje nadmierną zbieżność czyli dodatni błąd zbieżności na wielkiej osi, co oznacza, że położenie padania wiązki barwy niebieskiej na ekran wąski znajduje się na prawo od położenia padania wiązki barwy czerwonej.

Celem osiągnięcia zbieżności wzdłuż wielkiej osi ekranu wąskiego, samozbieżny układ odchylający wytwarza niejednorodne pole odchylania linii o kształcie poduszkowym. Poduszkowe pole odchylania linii odpowiada polu odchylającemu z trzecią składową harmoniczną dodatnią. Dodatnia trzecia składowa harmoniczna powoduje różnicowe przesunięcie poziome zewnętrznych wiązek elektronów B i R, która ma charakter rozbieżny. W wyniku

166 920 prawidłowego doboru amplitudy trzeciej składowej harmonicznej względem składowej podstawowej odchylania linii, siły rozbieżne działające na zewnętrzne wiązki elektronów przez trzecią harmoniczną będą przesuwać punkt przecięcia się wiązek elektronów do punktu umieszczonego na ekranie wąskim, co spowoduje zbieżność zewnętrznych wiązek elektronów. Wówczas gdy wiązka elektronów barwy zielonej jest odchylana do maksymalnego kąta odchylania ΘΗ linii, jej tor jest odcinkiem GO podłużnej, prostej linii od płaszczyzny wyjściowej wyrzutni elektronów do punktu O w płaszczyźnie· odchylania. W płaszczyźnie odchylania ten tor przesuwa się do toru GX aż do chwili osiągnięcia punktu padania PXN wiązki elektronów.

Zewnętrzne wiązki elektronów B i R mają początkowe tory BNO i RNO nachylone od płaszczyzny wyjściowej wyrzutni elektronów do płaszczyzny odchylania. W płaszczyźnie odchylania zewnętrzne wiązki elektronów są odchylane przez poduszkowe pole odchylania linii w kierunku torów BNX i RNX, które przecinają się na ekranie wąskim w punkcie PXN. Działanie rozbieżne powodowane przez pole poduszkowe jest przedstawione na fig. 12 przez niedostateczną zbieżność zewnętrznej wiązki elektronów w punkcie przecięcia torów z powierzchnią Gaussa GSN.

Figura 13 przedstawia wpływ samozbieżyers pola odchylania linii na rozdzielanie zewnętrznych wiązek elektronów za pomocą wykresów. Oś odciętych określa odległość wzdłuż osi podłużnej kineskopu, a oś rzędnych określa rozdzielenie poziome AXBR zewnętrznych wiązek elektronów w płaszczyźnie ZX prostopadłej do osi podłużnej w danym punkcie Z wzdłuż osi podłużnej. Ujemna wartość Δ XBR określa położenie wiązki elektronów barwy niebieskiej na prawo od położenia wiązki elektronów barwy czerwonej.

krzywa 54 będąca linią ciągłą przedstawia rozdzielenie wiązek zewnętrznych w konwencjonalnym kineskopie 110° o współczynniku odchylania 4x3, mającym samozbieżny zespół odchylający. W płaszczyźnie wyjściowej wyrzutni elektronowej, w położeniu podłużnym ZE, rozdzielenie wiązek zewnętrznych -Δ XBRE jest równe -2sE, gdzie sE jest odległością pomiędzy środkową wiązką elektronów barwy zielonej i zewnętrzną wiązką elektronów barwy czerwonej lub niebieskiej, mierzoną pomiędzy środkami wiązek elektronów. Na przykład w przypadku wyrzutni elektronowej typu COTY-M, stosowanej w kineskopie 34V 110° o współczynniku kształtu 4x3, odległość ta wynosi sE równe 6,5 mm, przy czym rozdzielenie zewnętrznych wiązek elektronów Δ- XBRE jest równe -13 mm.

Odpowiednio do początkowego kąta nachylenia 2Θ CN z fig. 12 pomiędzy torami zewnętrznych wiązek elektronów, wymaganymi dla zbieżności w środku ekranu, rozdzielenie zewnętrznych wiązek elektronów maleje w miarę zbliżania się wiązek elektronów do ekranu i oddalania od płaszczyzny wyjściowej wyrzutni elektronów. Odcinek 54a krzywej na fig. 13 wykazuje, że rozdzielenie Δ XBR zewnętrznych wiązek maleje liniowo w obszarze wstępnego odchylania, od punktu ZE osi podłużnej do punktu ZD1 osi podłużnej. W pobliżu punktu ZD1 na osi podłużnej wiązki elektronów wchodzą w obszar wejściowy odchylania linii, który zaczyna odchylanie wiązek elektronów w kierunku położenia na wielkiej osi ekranu kineskopu, odpowiadającego godzinie 3 na zegarze.

Odcinek 54b krzywej 54 przedstawia rozdzielenie zewnętrznych wiązek elektronów podczas oddziaływania na wiązki elektronów polem odchylania linii, które ma obszar wejściowy w pobliżu punktu ZD1 osi podłużnej i obszar wyjściowy w pobliżu punktu ZD2 osi podłużnej. Płaszczyzna odchylania samszbieżytgs zespołu odchylającego jest umieszczona w punkcie pomiędzy obszarem wejściowym i wyjściowym pola odchylania linii w punkcie ZO osi podłużnej umieszczonym zwykle w głównym obszarze odchylania.

Ze względu na poduszkowy charakter pola odchylania do zewnętrznych wiązek elektronów jest przykładana różnicowa siła pozioma o charakterze rozbieżnym. To powoduje, że rozdzielenie Δ XBR wiązek zewnętrznych zmienia się wolniej w obszarze odchylania od punktu ZD1 do punktu ZD2, w porównaniu ze zmianą rozdzielenia wiązek zewnętrznych w przypadku jednorodnego pola odchylającego. Stąd na fig. 13 nachylenie odcinka 54b krzywej w polu odchylającym jest mniejsze niż nachylenie odcinka 54a krzywej. Po wyjściu z obszaru odchylania linii w pobliżu punktu ZD2 osi podłużnej, warunek niedostatecznej zbieżności zewnętrznych wiązek elektronów został ograniczony do punktu,

169 2020 w którym punkt przecięcia się wiązek elektronów, to jest punkt, w którym XBR jest równe zeru, został odsunięty od płaszczyzny gaussowskiej ekranu w kierunku położenia ZNX na osi podłużnej, co zaznaczona na fig. 13 odcinkiem 54c krzywej w obszarze poza strefą odchylania, malejącym od rozdzielenia Δ XBR2 w punkcie ZD2 do rozdzielenia 0 w punkcie ZNX.

Powstaje problem przy próbie przystosowania konstrukcji samozbieżnego zespołu odchylającego kineskopu o współczynniku kształtu 4x3 ekranu, do kineskopu szerokoekranowego o tym samym kącie odchylania linii. Celem zachowania tego samego kąta odchylania Θ H linii, mierzonego od osi podłużnej, odległość padania TW wiązki elektronów na środek ekranu na fig. 12 musi być większa niż odległość padania TN wiązki elektronów na środek ekranu kineskopu o współczynniku kształtu 4x3, przy założeniu że oba kineskopy mają tę samą przekątna. Ekran kineskopu szerokoekranowego jest dlatego umieszczony w punkcie bardziej oddalonym od płaszczyzny odchylania. W celu uzyskania zbieżności w środku CW ekranu szerokiego, można określić kąt zbieżności środkowej Θ CW dla każdej zewnętrznej wiązki elektronów w płaszczyźnie wyjściowej wyrzutni elektronów z fig. 12. Ze względu na większą odległość padania TW, ten kąt jest mniejszy niż kąt zbieżności środkowej Θ CN dla porównywalnego kineskopu wąskoekranowego. W przypadku jednorodnego pola odchylania linii zbieżności zewnętrznych wiązek elektronowych w kineskopie szerokoekranowym będzie zachowana w punktach na powierzchni Gaussa GSW z fig. 12.

Zwykle oczekuje się, że dodatnia trzecia składowa harmoniczna pozioma zespołu odchylającego przeznaczonego dla kineskopu o współczynniku kształtu 4x3 zapewnia siły rozbieżne oddziałujące na wiązki zewnętrzne wystarczające, aby otrzymać punkt przecięcia blisko punktu PXW na ekranie szerokim, przy założeniu, że zespół odchylający jest zastosowany w porównywalnym kineskopie szerokoekranowym, to znaczy w kineskopie mającym ten sam kąt odchylania linii, przekątną i profil ekranu.

Jednak przy zastosowaniu takiego zespołu odchylającego w kineskopie szerokoekranowym, powstaje stan niedostatecznej zbieżności, co powoduje przesunięcie punktu przecięcia się wiązek zewnętrznych do punktu PU daleko za ekranem. T a względnie duża niedostateczna zbieżność jest powodowana tym, że wielkość dodatniej trzeciej harmonicznej linii zespołu odchylającego dla kineskopu o współczynniku kształtu 4x3 jest większa niż wymagana do zastosowania w porównywalnym kineskopie o współczynniku kształtu 16 x 9. Wynikiem tego jest nadmierna siła rozbieżna działająca na zewnętrzne wiązki elektronów, powodująca stan niedostatecznej zbieżności w położeniu na wielkiej osi ekranu szerokiego, odpowiadającym godzinie 3 na zegarze. Początkowe tory RWO i BWO zewnętrznych wiązek elektronów z fig. 12 dla kineskopu szerokoekranowego stają się torami RNX i BNX, gdy wiązki elektronów zostają odchylone w płaszczyźnie odchylania w kierunku punktu XW. Ze względu na nadmierną różnicową siłę rozbieżną wprowadzoną przez niejednorodne pole odchylania linii, punkt przecięcia się zewnętrznych wiązek elektronów znajduje się za ekranem szerokim w punkcie PU. Powoduje to stan niedostatecznej zbieżności w punkcie PXW, punkcie padania wiązki dla toru GX środkowej wiązki barwy zielonej. Wielkość niedostatecznej zbieżności Δ XBRW może być istotna dla kineskopów szerokoekranowych, o dużym ekranie, i może wynosić do 2 mm lub więcej.

Wobec powyższego samozbieżny zespół odchylający dla kineskopu o współczynniku kształtu 4x3, przy zastosowaniu w porównywalnym kineskopie o współczynniku kształtu 16x9, wytwarza na ekranie szerokim stan niedostatecznej zbieżności, a nie przypuszczalny warunek zbieżności prawie doskonałej.

Główną przyczyną stanu niedostatecznej zbieżności wiązek elektronów na ekranie szerokim z fig. 12 jest większa odległość sW wiązek elektronów w płaszczyźnie odchylania. Ta większa odległość jest wynikiem mniejszego nachylenia początkowego lub mniejszego kąta zbieżności w środku ekranu dla torów BWO i TWO wiązek zewnętrznych w kineskopie szerokoekranowym. Ponieważ ta odległość w płaszczyźnie odchylania jest większa, to zewnętrzne wiązki elektronów wchodzą w pole odchylania linii w punktach bardziej oddalonych od osi podłużnej. Dla danego poduszkowego pola linii powoduje to większą różnicę

166 920 pomiędzy natężeniem pola napotykanego przez wiązkę zewnętrzną i natężeniem pola napotykanego przez drugą wiązkę zewnętrzną. Z tego względu na fig. 12, gdy zewnętrzne wiązki elektronów są odchylane o kąt Θ H w kierunku punktu PXW, na wiązkę elektronów R barwy czerwonej oddziałuje pole odchylania linii znacznie silniejsze niż dla wiązki elektronów B barwy niebieskiej podczas ich przemieszczania się przez pole odchylania linii. Uzyskany wzrost sił rozbieżnych, oddziałujących na zewnętrzne wiązki elektronów, powoduje powstanie punktu PU przecięcia za ekranem szerokim, a nie przed nim. Krzywa 55 na fig. 13 przedstawia, dlaczego mniejszy kąt zbieżności Θ CW w środku ekranu kineskopu szerokoekranowego przyczynia się do stanu niedostatecznej zbieżności na ekranie. W płaszczyźnie wyjściowej wyrzutni elektronów, w położeniu podłużnym ZE, rozdzielenie zewnętrznych wiązek ma taką samą wartość Δ- XBRE jak w przypadku porównywalnego kineskopu wąskoekranowego. To rozdzielanie jest równe odległości -2sE.

Ze względu na mniejsze nachylenie początkowe torów wiązek elektronów w kineskopie szerokoekranowym, rozdzielenie wiązek zewnętrznych maleje w mniejszym stopniu, co widać na odcinku 55a krzywej na fig. 13. Wówczas gdy wiązki elektronów przebiegają od płaszczyzny wyjściowej wyrzutni elektronów do obszaru wejściowego pola odchylania linii w pobliżu położenia wzdłużnego ZD1, rozdzielenie wiązek zewnętrznych w obszarze wejściowym Δ XBR3 jest większe nie rozdzielenie wiązek zewnętrznych Δ- XBR1 w kineskopie wąskoekranowym. W wyniku tego większa siła rozbieżna działa na zewnętrzne wiązki elektronów, powodując że rozdzielenie wiązek zewnętrznych maleje wolniej podczas przechodzenia wiązek elektronów przez obszar odchylania od punktu ZD1 obszaru wejściowego do punktu ZD2 obszaru wyjściowego. To jest pokazane przy pomocy odcinka 55b krzywej o mniejszym nachyleniu. W pobliżu obszaru wyjściowego pola odchylania, w punkcie ZD2 rozdzielenie A- XBR4 wiązek zewnętrznych jest większe niż rozdzielenie A- XBR2 wiązek zewnętrznych w kineskopie wąskoekranowym.W wyniku tego po wyjściu z obszaru zespołu odchylającego zewnętrzne wiązki elektronów nie zostały odchylone różnicowo wystarczająco, żeby zbiegać się na ekranie szerokim. Pokazane na fig. 13 rozdzielanie wiązek zewnętrznych po wyjściu wiązek elektronów z obszaru wyjściowego pola odchylania na odcinku 55c krzywej powoduje niedostateczną zbieżność Δ- XBRW, gdy wiązki elektronów osiągnęły ekran szeroki w położeniu podłużnym ZWX.

Zespół odchylający 40 z fig. 5 zapewnia samozbieżność wiązek elektronów łącznie z odchylaniem w szerokoekranowym kineskopie 30 z fig. 4. Konstrukcja uwzględnia różnice odległości linii odniesienia od płaszczyzny odchylania i różnice kąta zbieżności w środku ekranu dla kineskopu o współczynniku kształtu 16 x 9 i kineskopu o współczynniku kształtu 4x3, posiadających ten sam maksymalny kąt odchylania linii, przekątną i profil ekranu. Zmodyfikowany jest rozkład składowych harmonicznych pola odchylania linii w celu poprawy zbieżności. Modyfikacja jest zrealizowana głównie przez zmiany amplitudy trzeciej harmonicznej względem harmonicznej podstawowej w oparciu o te różnice odległości linii odniesienia od płaszczyzny odchylania i kąta zbieżności w środku ekranu. Zmiany wyższych składowych harmonicznych powodują natomiast niepożądane wprowadzenie innych typów błędów zbieżności i zniekształceń rastra.

Figura 14 przedstawia krzywą 57 reprezentującą funkcję rozkładu pola HO dla przykładowego samozbieżnego zespołu odchylającego 40 kineskopu szerokoekranowego z fig. 5, który zapewnia odchylanie trzech rzędowych wiązek elektronów w szerokoekranowym kineskopie 30 z fig. 4. Oś rzędnych jest wyskalowana w dowolnych jednostkach i punkt zerowy osi odciętych jest odniesiony do końca wejściowego magnetycznego rdzenia 50. Funkcja rozkładu pola HO osiąga wartość maksymalną HO(max) w głównym obszarze odchylania w punkcie ZN osi Z w płaszczyźnie odchylania od strony wyrzutni elektronowej. Prostokąt 58 ma taką samą powierzchnię jak krzywa 57, ma szerokość równą skutecznej długości i wysokości równą HO(max).

Figura 15 przedstawia ciągłą krzywą 59 funkcji rozkładu pola H2 dla omówionego zespołu odchylającego 40 kineskopu szerokoekranowego. Krzywa 59 funkcji rozkładu pola H2 ma wartość ujemną w obszarze wejściowym pola odchylającego, w punkcie wejściowym rdzenia, od strony wyrzutni elektronowej. Wartość ujemna jest związana z polem beczko14

169 ^20 wym wytwarzanym częściowo przez prostą część uzwojenia na tylnym końcu cewek odchylania 41a, 41b linii. Pole beczkowe zapewnia korekcję komy poziomej. Krzywa H2 jest prawie całkowicie dodatnia w głównym obszarze odchylania, przechodząc na drugą stronę płaszczyzny odchylania. Dodatnia wartość funkcji rozkładu pola H2 oznacza poduszkowe pole odchylające zapewniające korekcję astygmatyzmu linii.

Krzywa H2 pozostaje głównie dodatnia po wyjściu z głównego obszaru odchylania po stronie rdzenia zwróconej do ekranu, dzięki czemu zapewnia korekcję zniekształcenia poduszkowego N-S.

Funkcja skutecznego rozkładu pola {H2} równa się H2(max) na skutecznej długości 1e pola odchylającego, to jest pomiędzy punktami ZL1, ZL2 i jest równa zeru w innych miejscach. Fig. 15 przedstawia prostokąt 60 ze środkiem płaszczyzny odchylania, określający funkcję skutecznego rozkładu pola {H2}, która jest stosowana w teorii aberracji jako uproszczone podstawienie rzeczywistej funkcji H2 w różnych równaniach całkowych stosowanych do tworzenia ogólnych wyrażeń na aberrację, opisujących różne Δ X i Δ Y na ekranie pomiędzy położeniem padania wiązki gaussowskiej i położeniem padania wiązki, obliczonym w teorii aberracji trzeciego lub piątego rzędu.

Jako przykład astygmatyzmu poziomego całka S2 określa główny wpływ na zbieżność poprzez współczynnik Δ4, gdzie

S2 = 2/Xs2/ H2X[z-zs]2dz gdzie Xs jest współrzędna x gaussowskiego punktu odchylenia na ekranie, gdy ekran jest umieszczony w punkcie zs osi z, X jest współrzędną x gaussowskiego toru wiązki elektronów, przy czym ten tor jest funkcją położenia osi z i współczynnik Δ4 jest stosowany w równaniu na astygmatyzm poziomy:

Δχβ-r = 2A4Xs2xs’ gdzie Δ xb-r jest rozdzieleniem poziomym zewnętrznych wiązek elektronów barwy niebieskiej i czerwonej w punkcie Xs na współrzędnej x ekranu, gdzie xs’ jest nachyleniem toru wiązki elektronów w punkcie Xs ekranu, gdzie:

A₄ ⁼⁼2TO [1-*/<6l-S2 gdzie TO jest odległością padania wiązki elektronów na środek ekranu i gdzie λ = 1e/D, przy czym D jest odległością płaszczyzny odchylania i płaszczyzny strzałkowej.

Z powyższego równania dla całki S2, argument jest wyrażeniem H2X[z-zs]2 ważonym przez H2. Ten argument jest pokazany na fig. 15 przy pomocy krzywej 61 oznaczonej linią kreskową, która określa duże pole dodatnie 61a mające wierzchołek w pobliżu płaszczyzny odchylania. Całka S2 jest proporcjonalna do pola określonego krzywą 61, jest więc dodatnia ze względu na duże pole dodatnie 61a. Dzięki właściwej konstrukcji uzwojenia odchylania całka S2 staje się dodatnia w punkcie, gdzie określony powyżej współczynnik Δ4 staje się równy zeru, w wyniku czego eliminuje się astygmatyzm poziomy, to jest Δ Xb-r = 0. Argument całki S2 jest wyrażeniem H2X[z-zsj ważonym przez H2. Przy zastosowaniu skutecznej funkcji {H2} dla funkcji H2, równanie całkowe S2 upraszcza się do:

S2 = 2{H2}/Xs2j X(z-zs)2dz.

Całka S2 staje się więc proporcjonalna do całki toru gaussowskiego, ważonej przez kwadrat odległości wzdłuż osi z wiązki elektronów od ekranu, gdzie całkowanie jest wykonywane· tylko po skutecznej długości 1e.

Gdy wykonuje się analizę parametrów zbieżności wymaganych dla zespołu odchylającego w kineskopie szerokoekranowym, stosując w tej analizie funkcje skutecznego rozkładu pola {HO} i {H2}, wymagany współczynnik niejednorodności H2R jest określony równaniem:

_H2r- [6d - Λ] [10 - 5Λ + Λ²] [6 - λ] [10d² - 5dA + λ²] gdzie d = TW/TN λ = 1e/TN.

166 920

Z powyższych równań widać, że d jest stosunkiem odległości padania wiązek elektronów na środek ekranu szerokiego do odległości padania wiązek elektronów ekranu wąskiego i Ajest stosunkiem skutecznej długości pola odchylania linii do odległości padania wiązek elektronów na środek ekranu wąskiego.

Dalsze uproszczenie może być dokonane w oparciu o fakt, że stosunek λ = 1e/TN jest mały w porównaniu ze stosunkiem d = TW/TN. Równanie dla współczynnika niejednorodności H2R jest wówczas równe:

H2R = 1/d

Podobną analizę można przeprowadzić ze względu na wymagania zmniejszenia trzeciej harmonicznej odchylania linii w zespole odchylającym kineskopu szerokoekranowego celem uzyskania takiego stosunku całek S2, aby kompensować poważniejsze warunki geometrii niedostatecznej zbieżności w kineskopie szerokoekranowym, spowodowane różnicami odległości padania wiązek elektronów na środek ekranu kineskopu szerokoekranowego i kineskopu wąskoekranowego. Iloraz S2R dla S2 można określić jak następuje:

S2R = S2(TW)/S2)TN) gdzie równania całkowe S2 stają się parametrami odległości padania TW i TN wiązek elektronów na środek ekranu.

W oparciu o teorię aberracji konstrukcja zespołu odchylającego kineskopu szerokoekranowego powinna spełniać następujące równanie całkowe S2 przy modyfikacji trzeciej składowej harmonicznej zespołu odchylającego kineskopu szerokoekranowego względem trzeciej harmonicznej porównywalnego zespołu odchylającego kineskopu wąskoekranowego.

6d - A

S2R = [ 6 - A] d

Gdy wartość omówionego stosunku Ajest mniejsza niż wartość omówionego stosunku d, równanie całkowe S2 zostaje uproszczone następująco:

S2R = 1/d.

To jest takie samo wymaganie co dla uproszczonego współczynnika niejednorodności H2R dla funkcji rozkładu pola H2.

Pokazana na fig. 15 krzywa 61 dla równania całkowego S2 i krzywa 59 dla funkcji rozkładu pola H2 posiadają podobne pola dodatnie 61a i 59a na skutecznej długości 1e odchylania linii. Te dodatnie pola mają podstawowy wpływ na korekcję astygmatyzmu poziomego. Dlatego na tej podstawie można wyjaśnić identyczność ilorazu S2R i współczynnika niejednorodności:

S2R = H2R = 1/d.

Według wynalazku trzecia składowa harmoniczna pola odchylania linii kineskopu szerokoekranowego powinna być zmniejszona w porównaniu z trzecią składową harmoniczną kineskopu wąskoekranowego o wielkość, która daje S2R lub H2R równe l/d, czyli odwrotność ilorazu odległości padania wiązki elektronów na środek ekranu tych dwóch kineskopów. Ponieważ kineskop szerokoekranowy i wąskoekranowy mają taki sam kąt odchylania 2Θ H linii i taką samą przekątną, istnieje następująca zależność geometryczna pomiędzy odległościami padania TW i TN wiązek elektronów na środek ekranu i współczynnikami kształtu aw i «n ekranu kineskopu:_ d = TW/TN = V [1 + aN²] /11 + «w] gdzie aw jest współczynnikiem kształtu szerokiego ekranu i aN jest współczynnikiem kształtu wąskiego ekranu.

Wobec powyższej zależności pomiędzy odległością padania i współczynnikiem kształtu współczynnik niejednorodności H2R może być wyrażony jak następuje:

H2R = 1/d = V [1 + aw ] /[1 + aŃ²]

Na przykład dla współczynnika kształtu 4x3 ekranu wąskiego aN = 1,33 a dla ekranu szerokiego, gdy aw = 1,78, funkcja rozkładu pola H2 ma wartość H2R = 0,92.

166 920

Z powyższych zależności widać, że aby zachować zbieżność w punktach skrajnych wielkiej osi szerokiego ekranu kineskopu, jest korzystne zmniejszenie trzeciej harmonicznej pola odchylania linii w samozbieżnym zespole odchylającym w porównaniu z trzecią harmoniczną w zespole odchylającym porównywalnego ekranu wąskiego. Trzecia harmoniczna jest zmniejszona w takim stopniu, że współczynnik niejednorodności H2R lub alternatywnie iloraz S2R dla S2 są równe ilorazowi odległości padania wiązek elektronów na środek ekranu tych dwóch kineskopów. W ten sposób astygmatyzm poziomy w punktach skrajnych wielkiej osi ekranu może być skorygowany, to znaczy wartość błędnej zbieżności zostaje zmniejszona do około 1,5 mm lub mniej.

Ważność opisanych powyżej zależności wzrasta, gdy wzrasta kąt odchylania linii, odległość padania w środku ekranu i przekątna oraz gdy współczynnik kształtu staje się większy, na przykład dla przekątnych pomiędzy 66 cm (26 V) i 96,5 cm (38 V), współczynnik kształtu pomiędzy 1,67 (5 x 3) i 2,0 (2 x 1) oraz dużego kąta odchylania linii około 96°.

Trzecia harmoniczna linii może być korzystnie zmniejszona przez podanie zwiększonej liczby przewodów dla każdej z cewek 41a, 41b odchylania linii przedstawionych na fig;. 6, 7 i 9 w elementach bocznych 53 w położeniach kątowych oddalonych od osi poziomej. Umieszczenie przewodów w tych położeniach zwęża okno 46, nadając polu odchylania linii kształt mniej poduszkowy, w wyniku czego zmniejsza się amplituda dodatniej trzeciej harmonicznej i zmniejsza się amplituda dodatniej funkcji rozkładu pola H2. Celem zapewnienia samozbieżności wzdłuż wielkiej osi ekranu o współczynniku kształtu 16 x 9, zmiana liczby przewodów i ich kątowego rozmieszczenia są takie, aby spełnić warunek, że współczynnik niejednorodności H2R lub iloraz S2R były równe odwrotności ilorazu d odległości padania wiązek elektronów na środek ekranu.

Chociaż wyższe harmoniczne mogą być także modyfikowane, aby usunąć stan niedostatecznej zbieżności, taka zmiana mogłaby wprowadzić w sposób niepożądany inne błędy. Na przykład piąta harmoniczna linii może być zmodyfikowana tak, aby przeciwstawiać się skutkom zbyt dużej dodatniej trzeciej harmonicznej. Jednak towarzyszący temu skutek pogarsza różne błędy w kierunku N-S i wprowadza błędy zbieżności w narożach ekranu. Z tego powodu według wynalazku trzecia harmoniczna jest głównym mechanizmem, za pomocą którego osiąga się ponownie samozbieżność poprzez H2 lub S2.

Tabela 2 podaje różne parametry związane z samozbieżnością w przykładowym wykonaniu zespołu odchylającego 40 dla kineskopu 30 z szerokim ekranem.

Tabela 2

DW = 86,3 cm	tan(8CN) = 0,0143203 tan(8CW) = 0,013391
2XW = 75,2 cm
2YW = 42,2 cm	2sN = 10,102 mm 2sW = 28DW = 106° 28DN = 110°
Długość cewki odchylania linii = 82,5 mm	2ΘΚ = 96° _o 28YW = 60°
Długość rdzenia magnetycznego = 43,1 mm	28YN = 80°
Wysokość mierzona od płaszczyzny strzałkowej ± XW = 42 mm	1e = 69,1 mm
Wysokość od płaszczyzny strzałkowej w ± XY = 20 mm	aw = 1,78
Wysokość od płaszczyzny strzałkowej w narożach ekranu = 59 mm	aN = 1,33
TN = 352,7 mm	odległość Z płaszczyzny odchylania od wejścia
TW = 384,2 mm Odległość z płaszczyzny odchylania od tylnej części cewki odchylania linii = 54,3 mm	do rdzenia = 31,4 mm

166 920

Rozkład kątowy przewodów dla cewek odchylania pola w przykładowym wykonaniu wynalazku, po rozłożeniu na harmoniczne, charakteryzuje następujące współczynniki znormalizowane do składowej podstawowej A0:

A3/A0 = -0,25 A5/A0 = +0,08 A7/A0 = 0 A9/A0 = -0,55.

Figury 17,18,19,20 i 21 pokazują funkcje rozkładu HO, H2, H4 odchylania linii i funkcje rozkładu pola V0, V2, V4 odchylania pola w przykładowym wykonaniu.

Odmiennym sposobem opisu pola magnetycznego w przykładowym wykonaniu wynalazku są krzywe harmoniczne potencjału skalarnego φ natężenia magnetycznego H. Harmoniczne potencjału skalarnego są związane bezpośrednio z harmonicznymi natężenia pola magnetycznego i są wytwarzane jedynie nieparzyste harmoniczne.

Figury 22 i 23 przedstawiają pierwszych pięć harmonicznych potencjałów skalarnych dla odchylania linii i pola. Te potencjały zostały obliczone z danych rejestratora strumienia, zmierzonych na powierzchni obwodu określonego i otoczonego przez kontur powierzchni wewnętrznej na początkowej części rozszerzenia kineskopu szerokoekranowego, ale oddalony od nich o 2,5 mm.

Figura 24 przedstawia powierzchnię obwodu, na której są zbierane dane.

166 920

FIG.2

O/PHZEKAiWA/ ¹⁶⁶ 92ο

166 920

43b

F!G.8b

43« V FIG. 7

166 920

PDW1

FIG. 11a

LISIA ODNIESIENIA/ PŁASZCZYZNA ODCHJ^ANIA KINBSKOHJ

PDW2

166 920

LINIA ODN. ΚΙΝΈΞΚΟ

TN-Η

166 920

166 920 (Χ10)·⁴ ho/dowoutc jbotostuZ

FIG. 16

FIG. 17

FIG. 18

FIG. 19

166 920

Z (mm)

CEWKA ODCHYLANIA -.p rtn/., ywUM&O 3<V/16»9 ΓΐΙΧ·

Z (mm)

166 920

Z (mm)

166 920

KDZSl 3<V/l 6s9

BRZHS OBSZABU HEJESTHATOEA STHU MIŚNIA

FIG. 24

FIG. 1

2XW-1

Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.

Cena 1,00 zł.

Claims

Zastrzeżenia patentowe

1. Kineskop kolorowy szerokoekranowy z samozbieżnym zespołem odchylającym, posiadający szyjkę z umieszczoną w niej rzędową wyrzutnią elektronową dla trzech wiązek elektronów, stożek i płytę czołową z szerokim ekranem, przy czym samozbieżny zespół odchylający ma uzwojenie odchylania linii i uzwojenie odchylania pola i jest umieszczony w wejściowej części stożka wzdłuż osi podłużnej kineskopu, uzwojenie odchylania linii zawiera górną i dolną cewkę typu siodłowego a uzwojenie odchylania pola zawiera dwie cewki nawinięte toroidalnie na górną i dolną część rdzenia magnetycznego, przy czym siodłowe cewki odchylania linii są umieszczone blisko wewnętrznej powierzchni korpusu, a rdzeń magnetyczny z nawiniętymi toroidalnie cewkami odchylania pola jest umieszczony wokół zewnętrznej strony korpusu, znamienny tym, że siodłowe cewki (41a), (41b) odchylania linii posiadają przewody tworzące elementy boczne (53), część przednią (51) uzwojenia i część tylną (49) uzwojenia, które tworzą okno (46), przewody elementów bocznych (53) są skierowane wzdłuż osi podłużnej (Z) kineskopu (30) zgodnie z profilem początkowej części (32) stożka (33), część przednia (51) uzwojenia jest wygięta na zewnątrz od osi podłużnej (Z) w kierunku poprzecznym, część tylna (49) uzwojenia jest umieszczona równolegle do osi podłużnej (Z), zgodnie z kształtem szyjki (31), natomiast nawinięte toroidalnie cewki (42a), (42b) odchylania pola mają wewnętrzne części umieszczone blisko wnętrza rdzenia magnetycznego (50), zgodnie z jego profilem.
2. Kineskop według zastrz. 1, znamienny tym, że do zewnętrznej strony korpusu (36), który oddziela uzwojenie odchylania (41) linii i uzwojenie odchylania (42) pola, są zamocowane przenikalne magnetycznie korektory (44a, 44b), (45a, 45b, 45c, 45d) rozmieszczone kątowo i podłużnie.
3. Kineskop według zastrz. 2, znamienny tym, że kształt wewnętrznej powierzchni rdzenia (50) i kształt siodłowych cewek (41a), (41b) odchylania linii są zgodne z profilem początkowej części (32) stożka (33), która posiada kołowy przekrój poprzeczny względem osi podłużnej (Z) kineskopu.
4. Kineskop według zastrz. 1, znamienny tym, że ekran kineskopu (30) ma dużą przekątną zawartą w zakresie od 66 cm do 96,5 cm.
5. Kineskop według zastrz. 1, znamienny tym, że współczynnik kształtu ekranu kineskopu (30) jest zawarty w zakresie od 1,67 do 2,0.
6. Kineskop według zastrz. 5, znamienny tym, że współczynnik kształtu ekranu kineskopu (30) jest równy około 1,78, a kąt odchylania linii jest równy około 96°.
7. Kineskop według zastrz. 4, znamienny tym, że ekran kineskopu (30) ma dużą przekątną równą około 86,3 cm.
8. Kineskop według zastrz. 7, znamienny tym, że odwrotność współczynnika odległości pomiędzy wyrzutnią elektronową a ekranem jest równa 0,92.
9. Kineskop według zastrz. 1, znamienny tym, że kineskop (30) ma mały kąt zbieżności w środku ekranu i dużą odległość zewnętrznych wiązek elektronów na linii odniesienia (39) kineskopu.
10. Kineskop według zastrz. 1, znamienny tym, że ekran kineskopu (30) ma współczynnik kształtu większy od współczynnika kształtu równego 1,33 dla ekranu kineskopu wąskoekranowego, przy czym ma tę samą przekątną, ten sam profil ekranu i ten sam kąt odchylania linii.
11. Kineskop według zastrz. 1, znamienny tym, że ekran kineskopu (30) ma współczynnik większy od współczynnika kształtu równego 1,33 dla ekranu kineskopu wąskoekranowego, przy czym ma tę samą przekątną, ten sam profil ekranu i ten sam kąt odchylania

166 920 linii, mierzony od poszczególnych linii odniesienia kineskopu (30) pomiędzy skrajnymi punktami ich poszczególnych osi głównych, lecz różne kąty nachylenia w środku ekranu i odległości zewnętrznych wiązek elektronów na poszczególnych liniach odniesienia kineskopu
12. Kineskon według zastrz. 1 albo 12, znamienny tym, że linia odniesienia (e9) kineskopu i płaszczyzna odchylania zespołu odchylającego są zgodne.