PL164663B1 - Źródło plazmy - Google Patents
Źródło plazmyInfo
- Publication number
- PL164663B1 PL164663B1 PL29007291A PL29007291A PL164663B1 PL 164663 B1 PL164663 B1 PL 164663B1 PL 29007291 A PL29007291 A PL 29007291A PL 29007291 A PL29007291 A PL 29007291A PL 164663 B1 PL164663 B1 PL 164663B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- cathode
- plasma source
- control coils
- solenoid
- anode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Źródło plazmy, składające się ze zbiornika próżniowego, wewnątrz którego znajduje się solenoid wraz z umieszczoną w nim katodą i anoda z układem inicjującym wyładowanie łukowe, znamienne tym, że posiada co najmniej dwie dodatkowe cewki sterujące (5) umieszczone niewspółosiowo w stosunku do osi katody (2).
Description
Przedmiotem wynalazku jest źródło plazmy urządzenia stosowanego głównie do nanoszenia warstw materiałów jedno- i wieloskładnikowych metodą łukowego rozpylania w próżni.
Źródło plazmy urządzenia do nanoszenia cienkich warstw jedno- i wieloskładnikowych znane jest np. z patentu USA nr 3 625 848. Składa się ono z katody o kształcie walca otoczonej stożkowatą anodą, na której zamocowany jest układ inicjujący wyładowanie łukowe. Anoda wraz z układem inicjującym oraz katoda podłączone są do biegunów stałoprądowego zasilacza niskiego napięcia i umieszczone są w zbiorniku próżniowym.
Znane są też konstrukcje źródeł, w których dla lokalizacji plazmy na czołowej powierzchni katody, stosowane są ekrany elektrostatyczne lub układy magnetyczne. Układ magnetyczny w tego typu rozwiązaniach, stanowi elektromagnes wykonany w postaci solenoidu, wewnątrz którego umieszczona zostaje rozpylana katoda. Solenoid ten wytwarza nad powierzchnią katody pole magnetyczne o wektorze indukcji magnetycznej skierowanej prostopadle do rozpylanej powierzchni katody.
Źródło plazmy według wynalazku posiada co najmniej dwie dodatkowe cewki sterujące umieszczone niewspółosiowo w stosunku do osi katody.
Korzystne jest, gdy cewki sterujące umieszczone są poza płaszczyzną rozpylanej powierzchni katody po stronie jej układu chłodzenia. Dodatkowe korzyści osiąga się, gdy czołowa powierzchnia katody ma kształt prostokątu lub wydłużonego owalu.
Zastosowanie rozwiązania według wynalazku pozwala na lepsze ukierunkowanie strumienia plazmy, oraz pełniejsze wykorzystanie materiału katody.
Przedmiot wynalazku uwidoczniony jest w przykładzie wykonania na rysunku, który przedstawia źródło plazmy o katodzie cylindrycznej wyposażone w cewki sterujące oraz centralny solenoid.
Wewnątrz zbiornika próżniowego 1 umieszczona jest katoda 2 oraz stożkowa anoda 3 urządzenia. Katoda 2 wyposażona w układ chłodzenia 6 umieszczona jest wewnątrz solenoidu 4. Dodatkowo, poza płaszczyzną rozpylanej powierzchni katody, usytuowane są dodatkowe cewki sterujące 5.
Źródło działa w sposób następujący: Po odpompowaniu zbiornika próżniowego 1, do ciśnienia około 10 3xlO4Pa pomiędzy katodą 2 i anodą 3 inicjowane jest za pomocą urządzenia inicjującego 7 wyładowanie łukowe. Solenoid 4 wytwarza nad powierzchnią katody 2, prostopadłe do niej pole magnetyczne o indukcji 5^10mT. Dodatkowe pole magnetyczne wytwarzają cewki sterujące 5 nad tym obszarem katody 2, pod którym są one umieszczone. W wyniku lokalnego zwiększenia pola magnetycznego nad częścią katody 2, następuje zwiększenie jej szybkości rozpylania. Poprzez kolejne załączanie cewek sterujących 5, można zmieniać położenie wyładowania łukowego, a tym samym sterować obszarem erozji katody 2.
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 90 egz.
Cena 10 000 zł
Claims (3)
- Zastrzeżenia patentowe1. Źródło plazmy, składające się ze zbiornika próżniowego, wewnątrz którego znajduje się solenoid wraz z umieszczoną w nim katodą i anoda z układem inicjującym wyładowanie łukowe, znamienne tym, że posiada co najmniej dwie dodatkowe cewki sterujące (5) umieszczone niewspółosiowo w stosunku do osi katody (2).
- 2. Źródło według zastrz. 1, znamienne tym, że cewki sterujące (5) umieszczone są poza płaszczyzną rozpylanej powierzchni katody (2), po stronie jej układu chłodzenia (6).
- 3. Źródło według zastrz. 1, znamienne tym, że czołowa powierzchnia katody (2) ma kształt prostokąta lub wydłużonego owalu.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL29007291A PL164663B1 (pl) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Źródło plazmy |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL29007291A PL164663B1 (pl) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Źródło plazmy |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL290072A2 PL290072A2 (en) | 1992-01-27 |
| PL164663B1 true PL164663B1 (pl) | 1994-09-30 |
Family
ID=20054476
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL29007291A PL164663B1 (pl) | 1991-04-26 | 1991-04-26 | Źródło plazmy |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL164663B1 (pl) |
-
1991
- 1991-04-26 PL PL29007291A patent/PL164663B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL290072A2 (en) | 1992-01-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4264474B2 (ja) | ペニング放電プラズマ源 | |
| US5417834A (en) | Arrangement for generating a plasma by means of cathode sputtering | |
| JP6305950B2 (ja) | 真空アークプラズマを輸送するための方法 | |
| JP5160730B2 (ja) | ビーム状プラズマ源 | |
| US4915805A (en) | Hollow cathode type magnetron apparatus construction | |
| JPS61190070A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPH0211760A (ja) | マグネトロン式スパッタ装置 | |
| JPS60194072A (ja) | 十字電磁界ダイオ−ド・スパツタリング・タ−ゲツト集成体 | |
| RU2030807C1 (ru) | Источник ионов с замкнутым дрейфом электронов | |
| US20120187843A1 (en) | Closed drift ion source with symmetric magnetic field | |
| ATE277204T1 (de) | Lichtbogenverdampfer mit kraftvoller magnetführung für targets mit grosser oberfläche | |
| US4597847A (en) | Non-magnetic sputtering target | |
| US4824540A (en) | Method and apparatus for magnetron sputtering | |
| US20090159441A1 (en) | Plasma Film Deposition System | |
| PL164663B1 (pl) | Źródło plazmy | |
| KR100274433B1 (ko) | 스퍼트링장치 및 스퍼트링방법 | |
| PL166223B1 (pl) | Źródło plazmy | |
| Sanders et al. | Magnetic enhancement of cathodic arc deposition | |
| RU2032766C1 (ru) | Магнетронное распылительное устройство | |
| PL166215B1 (pl) | Źródło plazmy | |
| PL166238B1 (pl) | Źródło plazmy | |
| JPH07233473A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| RU2074905C1 (ru) | Способ ионноплазменной обработки длинномерных изделий | |
| JPS63170832A (ja) | イオンビ−ム装置 | |
| CN1004495B (zh) | 复合磁控溅射靶及其镀膜方法 |