PL155662B1 - Sposób wytwarzania mikroproszku /3 węglika krzemu - Google Patents
Sposób wytwarzania mikroproszku /3 węglika krzemuInfo
- Publication number
- PL155662B1 PL155662B1 PL27339488A PL27339488A PL155662B1 PL 155662 B1 PL155662 B1 PL 155662B1 PL 27339488 A PL27339488 A PL 27339488A PL 27339488 A PL27339488 A PL 27339488A PL 155662 B1 PL155662 B1 PL 155662B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- powder
- temperature
- heated
- silicon carbide
- inert gas
- Prior art date
Links
- 239000000843 powder Substances 0.000 title description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 3
- 239000011928 denatured alcohol Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N [C].[Si] Chemical compound [C].[Si] HMDDXIMCDZRSNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 230000008034 disappearance Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Materials For Medical Uses (AREA)
Description
RZECZPOSPOLITA
POLSKA
OPIS PATENTOWY
155 662
URZĄD
PATENTOWY
RP
Patent dodatkowy do patentu nr-Zgłoszono: 88 06 28 /p. 273394/
Pierwszeństwo Zgłoszenie ogłoszono: 90 01 08
Opis patentowy opublikowano: 1992 03 31
Int. Cl.s C01B 31/36
Twórcy wyralazku: Roman Pampuch, Elżbieta Ermer, Jerzy Białoskórski, Jerzy Lis, Ludosław Stobierski, Marian Rączka
Uprawniony z patentu: Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica, Kraków /Polska/
SPOSÓB WTWAARANIA MIKROPROSZKU /3 WGLIKA KRZEMU
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwrzania mikroproszku fi węglika krzemu, służącego do uzyskiwania gęstych wyrobów z polikrystalccznego wglika krzemu metodą spiekania.
Znany z literatury sposób otrzmmywarnia mikroproszku węglika krzemu, opracowany przez L.A. Harrisa i C.R. Keneddy’ego polega na tym, że mieszaninę koloidalnej krzemionki z organiczną substancją węglonośną ogrzewa się aż do cwglenił substancji węglonośnej np. cukru lub pąku. Po zwęgleniu mieszaninę wygrzewa się w temperaturze 1673 - 1973 K przez 20 godzin. Uzyskany produkt poddaje się obróbce chemicznej. Uzyskany proszek SiC ma postać sferycznych aglomeratów.
Inny znany sposób, przedstawiony przez Chia-Tsing Aei polega na ogrzewaniu mieszaniny proszku SiOg i proszku grafioowego w wysokotemperaturowy/m piecu obroowwyro przez kilka godzin w temperaturze 2273 K. Otrzymany proszek wgl-ika krzemu charakteryzuje się rozwinięciem powóerzchni w granicach 0,2 - 7 m /g.
Celem wynalazku jest otrzymanie mikroproszku SiC o wysokiej czystości i kontrolowanym składzie zi^irnnwyym i fazowym.
Istota wynalazku polega na wytrąceniu koloidalnej krzemionki na cząstkach silnie zdyspergowanego węgla, o dużym rozwinięciu powwerzchni, otrzymany żel suszy się, aż do samorzutnego rozk-uszenia się na kiH^emilLmiet^i^owe ziarna, po czym ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze 1473 - 1773 K przez 0,5 - 3 godzin.
Zaletą sposobu według wynalazku jest to, że dzięki bardzo dużej powierzchni kontaktu międzyfazowego reakcja redukcji przebiega w niższej temperaturze i z większą szybkością, niż w znanych dotąd sposobach. Uzyskany eίkΓoproscek β węglika krzemu posiada powLerz-chnię właściwą do 30 m/g.
Przykład I. 36 g węgla aktywnego, pylistego rozprowadza się w 200 mL alkoholu denaturowanego i dysperguje się przy użyciu dezintegratora ultaadOwiękowegn. Po uzyskaniu trwałej zawiesiny, przy równoczesnym intnnswnyym imeszaniu, wlurapla się 170 g
155 662
155 662
SiCl/, a następnie 100 rai wody destylowanej, doprowadza się do pełnej hydrolizy czterochlorku krzemu. Zawiesina zastyga w postaci żelu. Żel suszy się w temperaturze 393 K, aż do momentu samorzutnego rozpadu na kilkumilimetrowej wielkości cząstki. Mattriał umeszcza się następnie w pojemniku grafiowy/m i ogrzewa się do temperatury 1573 K w atmosferze gazu obojętnego. Wygrzewa się w tej temperaturze, aż do momentu zaniku wdzielania CO, przez około 2 godzi.ny. 0trzymany mikroproszek i^glika krzemu posiada powierzchnię właściwą 20 ra/g.
Przykład II. Nawżoną ilość sadzy rozprowadza się w 'w/zmaczonej uprzednio ilości krzemianu etylu. Skład mieszaniny powónien być tak zestawiony, aby stosunek molowy c/Si mieścił się w granicach 3,0 - 3,1. Zawiesinę sadzy w krzemianie etylu rozcieńcza się alkoholem denaturowanym i hommgenizuje się w młynku koloidalnym.
W trakcie mieszania zawiesinę zadaje się wodą, zakwaszoną kwasem solnym, w ilości około l/2 objętości krzemianu etylu. Po 15 minutach intinswmego mieszania, mieszanie przerywa się, a naczynie wstawia się do suszarki. Zawiesina zastygnie w postaci żelu, a następnie rozkruszy się na niewielkie kilkumilimetrowe cząstki. Mieszaninę ogrzewa się następnie do temperatury 1673 K w atmosferze gazu obojętnego, aż do zaniku w/yzielania CO.
Przykład III. 3 mole węgla w postaci sadzy miesza się w 200 mL alkoholu denaturowanego, a następnie wkrapla się 1 mol jedno-, dwu- lub trój mey^lc^cl^lc^i-c^^^Llanu. Po czym intensywnie mieśzając wkrapla się 50 ml wody. Mieszanie przerywa się i odstawia się mieszaninę do zastygnięcia w formie żelu. Żel suszy się pod wyciągiem w temperaturze 393 K, aż do samorzutnego rozkruszenia na λίΙλυΜίΙίη^ΐΓΟϋα ziaria, po czym ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze 1573 K, aż do zaniku w/dzzelania tlenku wgla.
Claims (1)
- Zastrzeżenie patenowweSposób wywarzania mikroproszku fi wglika krzemu, polegający na redukcji krzemionki węglem, znamienny tym, że wtrąca się koloidalną krzemionkę na cząstkach silnie zdyspergowanego wgla o dużym rozwinięciu powierzchni, po czym otrzymany żel suszy się aż do samorzutnego rozkruszenia na kilkumilimetrowe ziarna, a następnie ogrzewa się w atmosferze gazu obojętnego w temperaturze 1473 - 1773 K w czasie 0,5-3 godzin, po czym studzi w atmosferze beztlenowej do temperatury 773 K.Zakład Wydawnictw UP RP . Nakład 100 egz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL27339488A PL155662B1 (pl) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Sposób wytwarzania mikroproszku /3 węglika krzemu |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL27339488A PL155662B1 (pl) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Sposób wytwarzania mikroproszku /3 węglika krzemu |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL273394A1 PL273394A1 (en) | 1990-01-08 |
| PL155662B1 true PL155662B1 (pl) | 1991-12-31 |
Family
ID=20042975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL27339488A PL155662B1 (pl) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Sposób wytwarzania mikroproszku /3 węglika krzemu |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL155662B1 (pl) |
-
1988
- 1988-06-28 PL PL27339488A patent/PL155662B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL273394A1 (en) | 1990-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Li et al. | Kinetic mechanisms for mullite formation from sol-gel precursors | |
| JPWO2019167879A1 (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
| US4500643A (en) | Shaped refractory metal boride articles and method of making them | |
| JPS6044280B2 (ja) | 炭化けい素ウイスカ−の製造方法 | |
| JPS5948139B2 (ja) | メチルクロロシラン製造用銅触媒を付加したケイ素の製造方法 | |
| JPS5850929B2 (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JPS5855107B2 (ja) | 耐火物材料 | |
| Krishnarao et al. | Formation of SiC from rice husk silica-carbon black mixture: Effect of rapid heating | |
| WO2021210507A1 (ja) | 焼結用窒化ケイ素粉末 | |
| JPH0227317B2 (pl) | ||
| JP3264106B2 (ja) | セラミックス複合材料 | |
| Liu et al. | Improved sintering ability of SiC ceramics from SiC@ Al2O3 core-shell nanoparticles prepared by a slow precipitation method | |
| Kahar et al. | Synthesis of SiC nanowhiskers from graphite and silica by microwave heating | |
| PL155662B1 (pl) | Sposób wytwarzania mikroproszku /3 węglika krzemu | |
| Weimer et al. | Carbothermal nitridation synthesis of α-Si3N4 powder from pyrolysed rice hulls | |
| Real et al. | Synthesis of silicon carbide whiskers from carbothermal reduction of silica gel by means of the constant rate thermal analysis (CRTA) method | |
| Shimohira et al. | Preparation of amorphous silica particles and their thermal behavior | |
| JPS58172297A (ja) | SiCウイスカ−の製造方法 | |
| JP3342536B2 (ja) | MgO・SiO2 磁器粉末及びその製造方法 | |
| JPH0662286B2 (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
| JPH10203869A (ja) | 低熱膨張係数を有する高密度等方性黒鉛材の製造方法 | |
| JP4111478B2 (ja) | 炭化珪素微小球の製造方法 | |
| JPS5891027A (ja) | 炭化ケイ素粉末の製造方法 | |
| JPH066520B2 (ja) | 炭化ケイ素ウイスカ−の製造方法 | |
| JPS616109A (ja) | sicの製造法 |