Przedmiotem wynalazku jest wzmacniacz o re¬ gulowanym wzmocnieniu zawierajacy tranzystor wzmacniajacy, którego baza jest dolaczona do zacisku wejsciowego, do którego doprowa¬ dzony jest sygnal wejsciowy, kolektor jest po¬ laczony z zaciskiem wyjsciowym, z którego wy¬ prowadzany jest sygnal wyjsciowy, a emiter, po¬ przez obwód emiterowy jest polaczony ze wspól¬ nym punktem ukladu, rezystory zalaczone w ob¬ wodach bazy, kolektora i emitera tego tranzysto¬ ra wzmacniajacego ustalajace napiecia polaryzacji na jego elektrodach zapewniajace prace tranzysto¬ ra wzmacniajacego w ukladzie o wspólnym emi¬ terze, zródlo pradu regulujacego wzmocnienie, o- raz przyrzad pólprzewodnikowy przeznaczony do regulacji wzmocnienia, dolaczony do tranzystora wzmacniajacego i przeznaczony do regulacji wzmo¬ cnienia tego tranzystora w odpowiedza na prad regulujacy wzmocnienie. Zgodnie z wynalazkiem pierwsza elektroda przyrzadu pólprzewodnikowego jest polaczona z emiterem tranzystora wzmacnia¬ jacego, druga elektroda przyrzadu jest polaczo¬ na z wyjsciem zródla pradu regulujacego wzmoc¬ nienie, a trzecia elektroda jest polaczona z punk¬ tem o potencjale odniesienia ukladu.Przyrzad pólprzewodnikowy regulujacy wzmoc¬ nienie tranzystora wzmacniajacego stanowi tran¬ zystor, którego baza jest polaczona z emiterem tranzystora wzmacniajacego, emiter — do zródla pradu regulujacego wzmocnienia, a kolektor — do punktu o potencjale odniesienia ukladu. Dru¬ ga elektroda pierwszego przyrzadu pólprzewod¬ nikowego do regulacja wzmocnienia, którego pierw¬ sza elektroda jest polaczona z emiterem pierw¬ szego tranzystora wzmacniajacego jest polaczona z druga elektroda drugiego przyrzadu pólprzewod¬ nikowego do regulacji wzmocnienia, którego pierw¬ sza elektroda jest polaczona z emiterem drugiego tranzystora wzmacniajacego, przez co tworzy sie wzmacniacz róznicowy, do którego zacisków wej¬ sciowych doprowadzane sa sygnaly komplemen¬ tarne.Miedzy, pierwszymi elektrodami pierwszego i drugiego przyrzadów pólprzewodnikowych do re¬ gulacji wzmocnienia zalaczone sa polaczone sze¬ regowo pierwszy i drugd rezystory, których punkt polaczenia jest polaczony z punktem o potencjale odniesienia ukladu poprzez trzeci rezystor. Mie¬ dzy emiterami pierwszego i drugiego tranzysto¬ rów wzmacniajacych wlaczone sa polaczone sze¬ regowo rezystory, których punkt polaczenia jest polaczony poprzez trzecd rezystor z punktem o potencjale odniesienia ukladu, a miedzy pierw-# szymi elektrodami pierwszego i drugiego przy¬ rzadów pólprzewodnikowych do regulacji wzmoc¬ nienia wlaczony jest czwarty rezystor. Miedzy bazamd pierwszego i drugiego tranzystorów wzma¬ cniajacych a odpowiednimi zaciskami wejsciowy¬ mi wlaczone sa obwody odsprzegajace eliminuja¬ ce wplyw tranzystorów wzmacniajacych na po¬ przedzajace stopnie ukladu.Przedmiot wynalazku jest blizej objasniony w przykladzie wykonania przedstawionym na rysun¬ ku, na którym: fig. 1 przedstawia czesciowo w formie schematycznej czesciowo w postaci ukla¬ du blokowego róznicowy wzmacniacz o regulowa¬ nym wzmocnieniu skonstruowany zgodnie z zasa¬ dami niniejszego wynalazku, a fig. 2 przedstawia czesciowo w formie schematycznej czesciowo w postaci ukladu blokowego drugi przyklad reali¬ zacji niniejszego wynalazku, w którym zastoso¬ wano wejscie odsprzegajace.Na figurze 1 pokazano wzmacniacz róznicowy o regulowanym wzmocnieniu zawierajacy tranzy¬ story wzmacniajace 10 i 12. Sygnal wejsciowy jest doprowadzony do baz tych tranzystorów wzmacniajacych a mianowicie do zacisków 32 i 34, a wzmocniony sygnal wyjsciowy jest odbie¬ rany z kolektorów obu tranzystorów a miano¬ wicie z zacisków 36 i 38. Rezystory obciazenia 18 i 20 sa wlaczone pomiedzy odpowiednie ko¬ lektory tranzystorów wzmacniajacych a zródlem napiecia zasilania B+. Napiecie polaryzacji bazy dla * tranzystorów 10 i 12 jest dostarczone przez rezystory 22 i 24, które sa wlaczone pomiedzy odpowiednie bazy, a zródlem napiecia polaryzacji Ybias- Emitery obu tranzystorów wzmacniajacych 10 i 12 sa takze dolaczone do odpowiednich baz tranzystorów 14 i 16 wlaczonych w obwodach regulacja rezystancji. Obwody regulacji rezystancji maja kolektory polaczone z masa, a emitery po¬ laczone razem. Uklad automatycznej regulacji wzmocnienia 40 jest dolaczony do polaczonych emiterów tranzystorów obwodu regulujacego re¬ zystancje i dostarcza prad IGC regulacji wzmoc¬ nienia.Obwody regulacji rezystancji moga zawierac zwykle tranzystory 14 i 16. W korzystnym roz¬ wiazaniu wedlug niniejszego wynalazku, pracuja w taki sam sposób jak obwody regulujace re¬ zystancje opisane w zgloszeniu patentowym Sta¬ nów Zjectaioczonych Ameryki nr 143033 zatytulo¬ wanym „Wzmacniacz o regulowanym wzmocnie¬ niu stosujacy regulowane pradem zmiennym re¬ zystancje" zgloszonym w dniu 23 kwietniu 1980 r.Obwody te sa zbudowane z wykorzystaniem tran¬ zystora p-n-p o strukturze pionowej z obszarami bazy zawierajacymi obszary zasadniczo samoistne¬ go materialu pólprzewodzacego o duzej rezystyw- 10 15 20 25 30 35 40 45 50 555 135 040 6 nosci. Ten obszar samoistny oddziela obszar emi¬ tera p+ i obszar kontaktowy bazy n- na odle¬ glosc wieksza niz dlugosc dyfuzji nosników mniej¬ szosciowych wstrzyknietych w obszar samoistny z obszaru emitera w odpowiedzi na przeplyw przez emiter-kolektor pradu IGC regulujacego wzmoc¬ nienie. Zlacze emiter--baza przyrzadu pólprzewod¬ nikowego dziala jako nieprostujaca dioda PIN dla sygnalów wielkiej czestotliwosci (wiekszej niz 1 MHz). Rezystancja zlacza emiter^baza przyrza¬ du pólprzewodnikowego jest regulowana przez przeplyw piradu IGC z ukladu 40 automatycznej regulacji wzmocnienia i maleje, gdy prad IGC zwieksza sie. Zasadniczo caly prad IGC plynie w obwodzie emiterkolektor urzadzenia, a tylko maly prad staly plynie w obwodzie bazy przy¬ rzadu. Ten prad bazy nie ma znaczenia w po¬ równaniu z pradami emiterów tranzystorów 10, 12 i dlatego nie zmienia napiec polaryzacji pra¬ du stalego tranzystorów wzmacniajacych 10, 12.Uklad wzmacniacza róznicowego z figury 1 jest zrównowazony wzgledem punktów 15 i 27 bedacych punktami srodkowymi ukladu. Te punk¬ ty 15, 27 sa wiec zasadniczymi punktami sygnalu zerowego dla komplementarnych sygnalów wej¬ sciowych doprowadzonych do zacisków 32 i 34.Z tymi punktami majacymi zasadniczo potencjal zerowy tranzystor 10 ma w efekcie iiwpedancje emiterowa dla sygnalów pradu zmiennego obej¬ mujaca rezystancje baza-emiter przyrzadu pól¬ przewodnikowego 14 wlaczona równolegle do re¬ zystora 26— wlaczonego miedzy emiterem tran¬ zystora 10 i punktem o potencjale odniesienia.Podobnie impedancja emiterowa tranzystora 12 obejmuje równolegle polaczenie rezystora 28 i zlacza baza-emiter przyrzadu 16. Rezystor 30 u- zupelnia obwód pradu stalego polaryzacji emitera dla obu tranzystorów.Podczas pracy uklad 40 automatycznej regulacji wzmocnienia reaguje na obecnosc sygnalów wej¬ sciowych o niskim poziomie zwiekszeniem nate¬ zenia pradu IGC regulujacego wzmocnienie. Duzy prad IGC bedzie zmniejszac rezystancje zlacz baza- -emiter przyrzadów 14 i 16. Te zmniejszone re¬ zystancje sa wlaczone odpowiednio równolegle do rezystorów 26 i 28, co spowoduje zmniejszenie sie impedancja dla sygnalu zmiennopradowego na odcinkach miedzy emiterami tranzystorów a punk¬ tem o potencjale odniesienia. Male impedancje obwodów emiterowych spowoduja, ze tranzystory 10 i 12 beda odznaczaly sie duzym wspólczyn¬ nikiem wzmocnienia w warunkach wzmocnienia sygnalów wejsciowych o malym poziomie. v Gdy poziomy sygnalów wejsciowych zwiekszaja sie uklad 40 automatycznej regulacji wzmocnienia reaguje zmniejszeniem natezenia pradu IGC do¬ prowadzanego do przyrzadów regulujacych rezy¬ stancje. To spowoduje wzrost rezystancja zlacz baza-emiter przyrzadów 14, 16 co zwieksza im¬ pedancje obwodów emiterowych tranzystorów 10, 12 dla sygnalów pradu zmiennego, zmniejszajac wspólczynnik wzmocnienia tranzystorów 10, 12.Przy maksymalnym zmniejszeniu wspólczynnika wzmocnienia (warunki minimalnego wzmocnienia) natezenie pradu 1^ zmniejsza sie do zera, a im¬ pedancje obwodów emiterowych tranzystorów 10, 12 beda równe wartosciom rezystancji rezystorów 26 i 28 dla sygnalów pradu zmiennego.W ukladzie z figury 1 pojemnosc kolektor-baza 5 tranzystorów wzmacniajacych 10 i 12 moze po¬ gorszyc dzialanie wzmacniacza, gdy jest on za¬ stosowany jako stopien wzmacniajacy posredniej czestotliwosci w odbiorniku telewizyjnym. Powo¬ dowane przez te pojemnosc sprzezenie zwrotne moze zmniejszyc wzmocnienie wzmacniacza, a zmiana impedancji przy elektrodach wejsciowych moze przestroic obwody rezonansowe poprzednich ukladów, które sa dolaczone do zacisków 32 i 34. W ukladzie z fig. 2 ten wplyw pojemnosci kolektor-baza jest zmniejszony. Elementy ukladu z fig. 2 spelniaja te same funkcje co w ukladzie z fig. 1 i sa oznaczone tymi samymi symbola¬ mi.W ukladzie z "Tigury 2 w obwodach baz tran¬ zystorów wzmacniajacych 10 i 12 wlaczone sa tranzystory odsprzegajace 50, 52 zalaczone w u- kladach wtórników emiterowych. Zacisk 32 i re¬ zystor 22 ustalajacy prad polaryzacji sa polaczo¬ ne z baza tranzystora 50, którego emiter jest polaczony z baza tranzystora 10 i z rezystorem 54. Zacisk 34 i rezystor 24 ustalajacy prad po¬ laryzacji sa dolaczone do bazy tranzystora 52, którego emiter jest dolaczony do bazy tranzystora 12 i do rezystora 56. Rezystory 54 i 56 sa pola¬ czone razem i sa dolaczane do masy przez rezy¬ stor 58. Kolektory tranzystorów 50 i 52 sa po¬ laczone razem i dolaczone do zródla napiecia po¬ laryzacji 70. Zródlo 70 dostarcza takze napiecie polaryzacji dla rezystorów 18 i 20 wlaczonych w obwodach kolektorowych.Rezystory 26 i 28 z fig. 1 sa zastalpione rezy¬ storem 60 w ukladzie z fig. 2, który jest wla¬ czony miedzy emiterami tranzystorów 10 i 12.Rezystory 62 i 64 sa szeregowo wlaczone miedzy emiterami tranzystorów 10 i 12, a rezystor 66 jest wlaczony miedzy punktem polaczenia dwóch rezystorów a masa dla zamkniecia obwodów emi¬ terowych tranzystorów 10 i 12 dla pradu stalego.Wplyw pojemnosci kolektor-baza tranzystorów 10 i 12 jest odczuwany w obwodach baz tych tran¬ zystorów. Jednakze dzieki zastosowaniu tranzy¬ storów odsprzegajacych ten wplyw nie jest prze¬ noszony do ukladów, dolaczonych do zacisków 32, 34 wzmacniacza. iEmpedancie wejsciowe tranzystorów 50 i 52 po¬ zostaja zasadniczo stalymi i duzymi, poniewaz wplyw zmian pojemnosci kolektor-baza tranzy¬ storów 10 i 12 wywolanych zmianami wzmoc¬ nienia jest zmniejszany proporcjonalnie do war¬ tosci wspólczynnika wzmocnienia tranzystorów od¬ sprzegajacych. Odpowiednie punkty polaczen emi¬ terów tranzystorów 50 i 52 i baz tranzystorów 10 i 12 pozostaja na stalym poziomie polaryzacji pradu stalego dziejki wlaczeniu rezystorów 54, 56, 58 ustalajacych napiecia polaryzacji.Jak w ukladzie z figury 1, wzmocnienie tran¬ zystorów wzmacniajacych 10 i 12 z fig. 2 jest regulowane pradem lQC który zmienia rezystan¬ cje obwodów baza-emiter przyrzadów 14 i 16, a z tego powodu równiez i ujemne sprzezenie zwrot- 15 20 25 80 35 40 45 50 55 60135 040 T 8 ne we wzmacniaczu. Rezystor 60 jest wlaczony w srodku zrównowazonego ukladu i zero sygna¬ lowe bedzie w efekcie przypadalo na srodek re¬ zystora w przypadku doprowadzenia komplemen¬ tarnych sygnalów wejsciowych. W ten sposób po¬ lowie rezystancji tego rezystora zalacza sie mie¬ dzy emiterem kazdego tranzystora 10 i 12 a wspól¬ nymi punktem ukladu.Dzialanie wzmacniacza o regulowanym wzmoc¬ nieniu z fig. 2 moze byc dokladniej zrozumiane jezeli uwzgledni sie wartosc rezystancji rezysto¬ rów przedstawionych na fig. 2. Przykladowo moz¬ na zalozyc, ze wzmacniacz jest wykonany calko¬ wicie w technologii ukladów scalonych, z wyjat¬ kiem ukladu 40 automatycznej regulacji wzmoc¬ nienia i ze wzmacniacz jest zastosowany .jako stopien wyjsciowy z zalaczonych kaskadowo stop¬ ni wzmacniacza posredniej czestotliwosci o regu¬ lowanym wzmocnieniu w odbiorniku telewizyjnym.Poniewaz wzmacniacz jest wyjsciowym stopniem posredniej czestotliwosci, jest on zdolny do dzia¬ lania przy bardzo duzym poziomie sygnalów wej¬ sciowych z poprzednich stopni. Wzmacniacz jest zaprojektowany dla wytworzenia sygnalu o za¬ sadniczo stalym poziomie wynoszacym 60 mili- woltów wartosci skutecznej, zmierzonym na zacis¬ kach wyjsciowych 36 lub 38. Wzmacniacz jest takze zaprojektowany, aby zapewnial maksymal¬ ne wzmocnienie 20 db przy zakresie regulacji wzmocnienia wynoszacym 10 db. Utrzymywane sa duze impedancje dla zmniejszenia rozproszenia mocy i pradów sygnalowych we wzmacniaczu i w zasilaczoi'. Tranzystory wzmacniajace 10 i 12 maja stale obciazenia w postaci rezystorów 18 i 20 odpowiednio, których rezystancje wynosza po 1000 omów. Przy tym na zaciskach wyjscio¬ wych 36 i 38 uzyskuje sie sygnal wyjsciowy, którego wartosc skuteczna wynosi 60 mV. W przypadku wzmacniacza o regulowanym wzmoc¬ nieniu, ujawnionego w zgloszeniu patentowym nr 1430312 dokonanym w Stanach Zjednoczonych A- meryki regulowane rezystancje przyrzadów pól¬ przewodnikowych 14 i 16 sa zalaczone równolegle do rezystorów obciazajacych 18 i 20. W tym wzmacniaczu maksymalnemu zmniejszeniu wzmoc¬ nienia towarzyszy zmniejszenie impedaneji wyj¬ sciowej wzmacniacza, gdyz niezbedne sa duze pra¬ dy sygnalowe dla podtrzymania sygnalu wyjscio¬ wego na wymaganym poziomie 60 mV. We wzma¬ cniaczu wedlug wynalazku z fig. 2 nie sa wy¬ magane duze prady wysterowujace, poniewaz ob¬ ciazenia wyjsciowe 18 i 20 sa stale i maja sto¬ sunkowo duze impedancje przy maksymalnym zmniejszeniu wzmocnienia.W przypadku, gdy wzmacniacz wedlug wyna¬ lazku jest zrealizowany w technologii ukladów scalonych, rezystory obciazajace 18 i 20 moga byc obarczone pasozytnicza pojemnoscia, która w u- kladzie zastepczym moze byc odwzorowana kon¬ densatorem zalaczonym równolegle dó kazdego z tych rezystorów 18, 20. Te pasozytnicze pojem¬ nosci przejawiaja sie w tym, ze zmniejszaja im¬ pedancje obciazenia w tym wiekszym stopniu, lim wieksza jest czestotliwosc wzmacnianego syg¬ nalu. I tak w przypadku zastosowania rezysto-' rów o rezystancji 1000 omów, impedancja obcia¬ zenia przy czestotliwosci równej posredniej cze¬ stotliwosci bedzie wynosila 700 omów. Z tego po¬ wodu uklad wzmacniacza posredniej czestotliwo- 5 sci zostal zaprojektowany tak, aby jego impe¬ dancja wyjsciowa dla tej czestotliwosci wynosila 700 omów.Napiecia polaryzacji pradu stalego dla tran¬ zystorów 10 i 12 sa dobierane tak, aby zapew- 10 nic prace wzmacniacza przy wymaganym pozio¬ mie mocy zasadniczo bez znieksztalcen przy wy¬ maganym wzmocnieniu i zdolnosci przenoszenia sygnalu wejsciowego. Dla • wytworzenia sygnalu o wartosci skutecznej 60 mV przy obciazeniu 700 omów wystarczy, aby punkt pracy byl wy¬ brany przy pradzie wynoszacym jedynie 120 mi- kroamperów. Jednakze dla zmniejszenia zniek¬ sztalcen wymagany jest nieco wiekszy prad spo¬ czynkowy. I tak, w przypadku wybrania punktu pracy tranzystorów wzmacniajacych przy pradzie 300 fiA uzyskuje sie zadowalajaca linearnosc i wymagana moc sygnalu wyjsciowego. Jednakze roz¬ wazania nie moga byc skonczone w tym punk¬ cie, gdyz musza byc równiez rozwazone zagad¬ nienia, zwiazane z wartosciami wspólczynnika wzmocnienia i charakterystyka przenoszenia syg¬ nalu.Wymagane jest, aby wzmacniacz zapewnial ma¬ ksymalne wzmocnienie rzedu 20 dB. Wspólczyn¬ nik wzmocnienia napiecia jest odwzorowywany nastepujacym wzorem matematycznym: ZL . gdzie: ZL — impedancja zalaczona w obwodzie kolek¬ torowym tranzystora, a Re — suma dynamicznej rezystancja emitera /lacz¬ nie z rezystancja styku/ tranzystora wzmacniaja¬ cego równej re i rezystancji dla pradu zmien¬ nego obwodu, zalaczonego miedzy emiterem tran¬ zystora a punktem o potencjale odniesienia rów¬ nej Re. Wzmocnienie równe 12 dB bedzie uzy¬ skane wówczas, gdy RE bedzie równe 70 om przy obciazeniu równym 700 om. Wartosc rezy¬ stancji re tranzystora jest funkcja emiterowego pradu stalego tranzystora i moze zmieniac sie od okolo 60 om przy 0,5 mA pradu emiterowego do okolo 10 om przy 3,0 mA pradu emiterowego.Poniewaz zaklada sie, ze Rb === re + Re powin¬ na byc. równa 70 om, duza wartosc re oznacza, ze powinna byc redukowana wartosc Re.Na przyklad, jezeli tranzystor wzmacniajacy ma punkt praey przy 0,5 mA pradu emitero¬ wego, Re, która jest rezystancja zlacza baza- -emtter przyrzadu pólprzewodnikowego o regu¬ lowanej rezystancji zalaczona równolegle do po¬ lowy rezystora 60 /kt^ra to polowa ma rezystan¬ cje wynoszaca 2190 onV, powinna byc równa 10 om.Aby zapewnic 10-omowa wartosc rezystancji Re wymagane jest, aby natezenie pradu regulujacego IGC wynosilo 10 mA. Jest to wartosc nadmier¬ nie duza i dlatego w tym przykladzie realizacji wynalazku tranzystory wzmacniajace sa spolary- 20 19 30 35 40 45 50 •5 #09 135 040 10 zowane tak, ze punkt pracy jest ustalony przy 1,0 mA pradu emilerowego, przy którym war¬ tosc re wynosi okolo 30 om. Przyrzady pólprze¬ wodnikowe sterowane pradowo moga teraz byc sterowane pradem IGC wynoszacym co najwyzej 4 mA dla zapewnienia wymaganego wzmocnienia i zakresu redukcji wzmocnienia, jak .pokazano w tabeli.Tabela Wartosc parametrów dla jednej galezi wzmacniacza Zakres redukcji wzmocnienia m dB/ Maks. wzmocnienie m dw ' Min. wzmocnienie /9,2 dB/ *GC 2 2 mA 1,716 mA 1,24 mA 0,73 mA 0,26 mA 0,0 mA R14 lub Rie 48£ 3l£ 70£ 1050 2400 800/3 Re 1/R14 lub Rie/ równo¬ legle do 2900 410 430 ^60 770 ) 1310 213/2 Re /Re +re/ 710 730 860 1070 1610 2420 Z równania MJ mozna wywnioskowac, ze ma¬ ksymalne wzmocnienie wzmacniacza wynosi ZL /RE ~ 700/ 71 ~ 10 co odpowiada 20 dB.Przy maksymalnej redukcji wzmocnienia, wzmoc¬ nienie wynosi 7001/1242 ~ 2,39 co odpowiada 9,2 dB.Uzyskuje sie przy tym ponad 10-decybelowy, a nawet troche wiekszy zakres redukcji wzmocnie¬ nia. W przypadku duzych poziomów sygnalów do przyrzadów pólprzewodnikowych o sterowanym wzmocnieniu nie doprowadza sie pradu steruja¬ cego IGC, wówczas rezystancja emiterowa dola¬ czona do tranzystora wynosi polowe rezystancji rezystora 60 zalaczonej równolegle do pojemno¬ sci pasozytniczej przyrzadu pólprzewodnikowego o sterowanym wzmocnieniu. Jak pokazano w tabli¬ cy impedancja tej pojemnosci pasozytniczej wy¬ nosi okolo 300 omów przy czestotliwosci posred¬ niej. Poniewaz przyrzady pólprzewodnikowe o re¬ gulowanym wzmocnieniu sa praktycznie odciete w warunkach maksymalnej redukcji wzmocnienia, gdy poziomy sygnalów emiterowych sa wysokie, te przyrzady pólprzewodnikowe o sterowanym wzmocnieniu nie beda wprowadzaly znieksztalcen w dzialaniu wzmacniaczy w obecnosci sygnalów o duzych poziomach.Zdolnosc przenoszenia sygnalu wejsciowego wzmacniacza jest wyznaczona stosunkiem re do Re. Na tranzystorach wzmacniajacych spadek na¬ piecia zmiennopradowego, bedacego czescia sygna¬ lu uzytecznego, moze wynosic okolo 13 mV. W ukladzie zastejpczym odzworowywane jest to jako spadek napiecia zmiennopradowego na dynamicz¬ nej rezystancji emiterowej r©, która dla kazdego z tranzystorów wzmacniajacych wynosi 30 omów dla danego przykladu realizacji wynalazku. Syg¬ naly o - najwyzszych poziomach beda odbierane wówczas, gdy wzmacniacz znajduje sie w warun¬ kach minimalnego wzmocnienia /maksymalnej re¬ dukcji wzmocnienia/, w których rezystancja Re 5 wynosi okolo 2142 oma. Poniewaz w ukladzie za¬ stepczym wzmacniacza dla pradu zmiennego re¬ zystancje re i Re sa zalaczone równolegle wzgle¬ dem doprowadzonego sygnalu, przy spadku napie¬ cia pradu zmiennego na rezystancji re równym w ii3 mV, spadek napiecia na rezystancji Re rów¬ nej okolo 2|42 oma bedzie wynosil okolo 105 mV, co jest zgodne ze wzorem matematycznym: 15 20 25 30 35 re Re 300 24120 13 mV 105 tmV Uklad przedstawiony jako przyklad realizacji wynalazku, moze pracowac jako modulator. W przypadku zastosowania opisanego ukladu jako modulatora, uklad automatycznej regulacji wzmoc¬ nienia 40, który wytwarza prad sterujacy IGC, powinien byc zastapiony wzmacniaczem dostar¬ czajacym modulowany prad IGC, który odwzoro¬ wuje modulujacy sygnal informacyjny. Rezystan¬ cja przyrzadów pólprzewodnikowych o regulowa¬ nej rezystancja 14 i ^6 zmienia sie wówczas w zaleznosci od tego modulowanego pradu, który zmienia wzmocnienie tranzystorów wzmacniajacych 10 i 12 w zaleznosci od informacji przenoszonej przez prad zmodulowany. Sygnal nosnej jest do¬ prowadzony do zacisków 32 i 34, przez co uzy¬ skuje sie nosna zmodulowana informacje prze¬ noszona przez prad modulowany, na zaciskach wyjsciowych 36 i 38.Zastrzezenia patentowe 1. Wzmacniacz o regulowanym wzmocnieniu za¬ wierajacy tranzystor wzmacniajacy, którego baza 40 jest dolaczona do zacisku wejsciowego, do które¬ go doprowadzony jest sygnal wejsciowy, kolektor jest polaczony z zaciskiem wyjsciowym, z które¬ go wyprowadzany jest sygnal wyjsciowy, a emi¬ ter, poprzez obwód emiterowy jest polaczony ze 45 wspólnym -punktem ukladu, rezystory zalaczone w obwodach bazy, kolektora i emitera tego tran¬ zystora wzmacniajacego ustalajace napiecia pola¬ ryzacji na jego elektrodach zapewniajace prace tranzystora wzmacniajacego w ukladzie o wspól- 50 nym emiterze, zródlo pradu regulujacego wzmoc¬ nienie, oraz przyrzad pólprzewodnikowy przezna¬ czony do regulacji wzmocnienia, dolaczony do tranzystora wzmacniajacego i przeznaczony do re¬ gulacji wzmocnienia tego tranzystora w odpowie- 55 dzi na prad regulujacy wzmocnienie, znamienny tym, ze pierwsza elektroda przyrzadu pólprze¬ wodnikowego (14, 16) jest polaczona z emiterem tranzystora wzmacniajacego (10, 12), druga elek¬ troda przyrzadu (14, 16) jest polaczona z wyj- 60 sciem zródla pradu (40) regulujacego wzmocnie¬ nie, a trzecia elektroda jest polaczona z punk¬ tem o potencjale odniesienia ukladu. 2. Wzmacniacz wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze przyrzad pólprzewodnikowy (14, 16) regulujacy 65 wzmocnienie tranzystora wzmacniajacego (10, 12)11 135 040 12 stanowi tranzystor, którego baza jest polaczona z emiterem tranzystora wzmacniajacego (10, 12), emiter — do zródla (40) pradu regulujacego wzmo¬ cnienia, a kolektor — do punktu o potencjale odniesienia ukladu. 3. Wzmacniacz wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze druga elektroda pierwszego przyrzadu pólprze¬ wodnikowego (14) do regulacji wzmocnienia, któ¬ rego pierwsza elektroda jest polaczona z emite¬ rem pierwszego tranzystora wzmacniajacego (10), jest polaczona z druga elektroda drugiego przy¬ rzadu pólprzewodnikowego (16) do regulacji wzmo¬ cnienia, którego pierwsza elektroda jest polaczo¬ na z emiterem drugiego tranzystora wzmacnia¬ jacego (12), przez co tworzy sie wzmacniacz róz¬ nicowy, do którego zacisków wejsciowych dopro¬ wadzane sa sygnaly komplementarne. 4. Wzmacniacz wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze miedzy pierwszymi elektrodami pierwszego (14) i drugiego (16) przyrzadów pólprzewodnikowych do regulacji wzmocnienia zalaczone sa polaczone 10 u szeregowo pierwszy (26) i drugi (28) rezystory, których punkt polaczenia (27) jest polaczony z punktem o potencjale odniesienia ukladu, poprzez trzeci rezystor (30). i5. Wzmacniacz wedlug zastrz. 3, znamienny tym, ze miedzy emiterami pierwszego (10) i drugiego (12) tranzystorów wzmacniajacych wlaczone sa polaczone szeregowo rezystory (62, 64), których punkt polaczenia jest polaczony poprzez trzeci re¬ zystor (66) z punktem o potencjale odniesienia ukladu, a miedzy pierwszymi elektrodami pierw¬ szego (14) i drugiego (16) przyrzadów pólprze¬ wodnikowych do regulacji wzmocnienia wlaczony jest czwarty rezystor (60). 6. Wzmacniacz wedlug zastrz. 5, znamienny tym, ze miedzy bazami pierwszego (10) i drugiego (12) tranzystorów wzmacniajacych, a odpowiednimi za¬ ciskami wejsciowymi (32, 34) wlaczone sa obwody odsprzegajace (50, 52) eliminujace wplyw tran¬ zystorów wzmacniajacych na poprzedzajace stop¬ nie ukladu. 1^8 |~24 50 ) (" 52^_L^-34 66i550A 58-l« Fig.2 DN-3, z. 312/816 Cena 100 zl PL PL PL PL