KR850000733B1 - 가변 에미터 감쇄 이득제어 증폭기 - Google Patents
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Description
제1도는 본 발명의 원리들에 따라 구성된 차동 이득제어 증폭기를 부분적으로 구성도 및 개요도 형태로 도시한 회로도.
제2도는 입력완충을 사용한 본 발명의 제2실시예를 부분적으로 구성도 및 개요도 형태로 도시한 회로도.
본 발명은 트랜지스터 증폭기 회로들에 관한 것이며 특히 에미터감쇄가 증폭기의 D.C.바이어스를 전복시키지 않고 변화하는 이득제어 트랜지스터 증폭기 회로에 관한 것이다.
텔레비젼 수상기의 중간주파수(I.F.) 증폭기와 같은 이득제어 증폭기는 모순이 되는 수행요구들에 대한 넓은 변화를 충족시킬 수 있어야 한다. 예를들어, 증폭기는 제어증폭의 전체범위에 걸쳐서 선형으로 작동할 수 있어야 한다. 증폭기의 입력임피던스와 D.C.바이어스는 증폭범위에 걸쳐서 일정해야 한다. 추가적으로, 입력신호 취급능력은 놀은 레벨의 입력신호들에 의한 과부하를 방지하도록 충분히 커야 하며 증폭기의 신호대 잡음성능이 좋아야 한다.
수행능력에 대한 이러한 요구들은 1980년 4월 23일 출원된 제목 "가변부하 임피던스 이득제어증폭기"의 미합중국 특허원 제143,032호에 설명된 이득제어 증폭기에 의하여 만족할만하게 수행된다. 이 특허출원서에 설명된 증폭기는 콜렉터부하 임피던스를 변화시켜 이득제어신호에 응답하여 부하선을 변화시키기 위하여 제어된 저항장치의 저항값이 증폭트랜지스터의 D.C. 바이어스를 전복시킴이 없이 이득제어신호에 의하여 변화하는 특별한 이점이 있다.
상기 언급된 특허출원서에 설명된 증폭기가 몇개의 종속접속된 단들을 포함하는 텔레비젼 I.F. 증폭부분의 첫째단 또는 중간단으로 사용될 때 이 증폭기는 훌륭하게 작동한다. 이것이 가변콜렉터 부하의 사용에 의한 것이며 강한 신호(최소이득) 상태들 하에서 증폭기의 신호대 잡음성능을 향상시킨다. 증폭기의 신호대 잡음성능이 가장 중요한 이러한 강한 신호 상태들 하에서 증폭기의 출력들에서의 잡음발생 저항값들이 감소된다. 그러나 이런 형태의 작동은 증폭기가 종속접속 된 증폭기의 최종단 즉 출력단으로 사용될 때 바람직하지 않은 것으로 밝혀졌다. 출력단에 있어서, 증폭기가 앞에 있는 증폭기단들로 부터 비교적 높은 레벨의 신호들을 수신하기 때문에 신호대 잡음 성능은 그다지 중요하지 않다. 출력단에 대한 보다 중요한 판단기준은 증폭기의 전력소비를 최소로 하면서 왜곡이 없는 방법으로 높은 레벨의 이러한 신호들을 보다 높은 균일레벨로 증폭시키는 능력이다. 특히, 최종단 출력에서의 높은 신호레벨들에서 콜렉터접속 제어기 항치들의 PIN 접합부들이 충분히 구동되지 않으므로 이들 접합부들이 상호변조가 일어나는 상태에 접근한다는 것이 밝혀졌다. 더우기 강한 신호들 상태하에서, 증폭트랜지스터들의 콜렉터 전극들에서 PIN 접합부들의 저항값을 감소시키므로써 증폭기의 이득이 감소된다. 필요한 높은 레벨의 출력신호들을 제공하기 위하여 낮은 저항값의 콜렉터부하들을 적합하게 구동하도록 높은 신호전류들이 제공되어야 한다.
이것은 증폭기 전력공급원에 큰 신호 전류를 유도하게 되므로 이득안정이 불안하게 된다. 따라서, 강한 신호들 상태하에서 증폭기의 전력소비를 감소시키며 왜곡이 없는 작동을 개선하는 동시에 앞서 언급된 증폭기의 이점들을 갖는 증폭기를 개발하는 것이 바람직하다.
증폭기의 D.C.바이어스에 악영향을 미침이 없이 에미터감쇄가 변화하는 이득제어증폭기가 본 발명의 원리들에 따라 제공된다. 증폭트랜지스터가 고정된 콜렉터부하저항을 갖는 공통에미터증폭기 형태로 저항적으로 결합된다.
증폭트랜지스터의 에미터 임피던스는 증폭트랜지스터의 에미터전극에 접속된 베이스전극, 가변이득 제어전류를 수신하도록 접속된에미터전극 및 기준전위점에 접속된 콜렉터전극을 갖는 제어된 저항장치를 포함한다. 신호주파수들에서, 저항장치의 베이스와 에미터접합부는 저항장치의 콜렉터와 에미터간 통로를 통하는 이득제어 전류의 흐름과 반대로 변화하는 저항으로 작동한다. 저항장치의 배이스와 에미터 접합부의 저항값을 변화시키므로써 증폭트랜지스터의 에미터 임피던스와 에미터 감쇄가 변화되며 이것은 증폭기의 이득을 변화시킨다.
저항장치의 콜렉터와 에미터간 통로가 트랜지스터 바이어스회로와 분리되므로 증폭기의 변조는 증폭트랜지스터의 바이어스에 악영향을 미치지 않을 것이다. 강한 신호(최대이득감소) 상태들 하에서 제어된 저항장치가 완전히 턴오프되므로 상호변조 왜곡이 증되기에 인가되지 않을 것이다. 고정된 콜렉터 부하저항이 일정하고 높은 출력 임피던스를 제공하므로 전력소비 및 증폭기의 전력공급원을 흐르는 신호전류들을 감소시킨다.
이득제어 증폭기의 증폭 트랜지스터는 통상적으로 일정량의 콜렉터와 베이스간 개패시턴스를 나타낼 것이며 이것은 증폭기가 텔레비젼 수상기의 I.F. 직폭기로 사용될 때 증폭기의 수행능력에 역으로 악영향을 미칠 수 있다. 텔레비젼수상기의 I.F.증폭기는 I.F.통과대역을 정하는 주파수 선택회로 앞에 위치한다.
I.F.신호들이 회로로부터 증폭 트랜지스터의 베이스에 인가될 때증 폭트랜지스터의 전압이득 및 콜렉터와 베이스간 개패시턴스의 함수인 유효입력 개패시턴스는 주파수 선택회로의 출력에 증폭기의 입력임피던스의 일부로 나타날 것이다.
증폭기의 이득이 증가될 때 입력 개패시턴스가 확실히 증가하여 증가된 이러한 개패시턴스는 주파수 선택회로를 보다 낮은 주파수로 이조시킬 것이다. 텔레비젼 수상기에 있어서, 이러한 이조는 주파수 선택회로를 영상반송파를 동조시키지 않고 칼라 반송파를 동조시킨다. 이것은 비데오 정보의 신호레벨과 신호대잡음비를 감소시킬 것이다. 그러므로, 증폭기의 입력임피던스가 이득제어의 전체법위에 걸쳐서 일정하게 유지되도록 이득제어증폭기를 설계하는 것이 바람직하다. 본 발명의 또 다름 관점에 따라 증폭트랜지스터의 입력이 에미터 폴로워로 접속된 트랜지스터를 첨가하므로써 완충되며 트랜지스터의 입력은 앞에 있는 회로로부터 콜렉터와 베이스간 캐패시턴스를 차단한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 더욱 상세히 설명하겠다.
증폭트랜지스터들 10과 12를 포함하는 이득제어 차동증폭기가 제1도에 도시되었다. 증폭트랜지스터들의 베이스전극들인 단자들 32와 34에 입력신호가 인가되며 두 트랜지스터들의 콜렉터 전극들인 단자들 36과 38로부터 증폭된 출력신호가 유출된다. 부하저항들 18과 20은 증폭트랜지스터들의 제각기의 콜렉터 전극들과 전압공급원(+B) 사이에 접속된다. 트랜지스터들 10과 12에 대한 베이스 바이어스는 제각기의 베이스전극들과 바이어스 전압원(V 바이어스) 사이에 접속된 저항들 22와 24에 의하여 제공된다. 2개의 증폭트랜지스터들의 에미터들은 2개의 저항들 26과 28에 의하여 서로 접속된다. 저항 30은 저항들 26과 28의 접합부 27과 기준전위점(접지) 사이에 접속된다.
트랜지스터들 10과 12의 에미터전극들은 제어된 저항장치들 14와 16의 베이스전극들에 제각기 접속된다.
제어된 저항장치들은 접지된 콜렉터전극들과 서로 접속된 에미터전극들을 갖는다. AGC 시스템 40은 제어된 저항장치들의 서로 접속된 에미터전극들에 접속되며 저항장치들에 이득제어전류 IGC를 공급한다.
제어된 저항장치들 14와 16은 일반적인 트랜지스터들을 포함할 수 있으며 본 발명의 양호한 실시예에 있어서는 1980년 4월 23일 출월된 제목 "제어가능한 교류저항을 이용한 이득제어증폭기"의 미합중국 특허원 제143,033호에 설명된 제어된 저항장치와 같은 방법으로 작동할 것이다.
간단히 말하면, 저항장치들은 순수(높은 저항성) 반도체 재질로 된 영역을 포함하는 베이스영역을 갖는 수직 PNP 트랜지스터와 유사한 방법으로 구성된다. 이러한 순수영역은 에미터와 콜렉터를 흐르는 이득제어전류 IG에 응답하여 에미터영역으로 부터 순수영역으로 주입되는 소수캐리어들의 확산길이보다 큰 거리로 P+에미터영역과 N+베이스 접촉영역을 분리한다. 그러므로 저항장치의 에미터와 베이스접합부는 고주파수(즉 1메가혜르츠보다 큰) 신호들을 정류하지 않는 PIN 다이오드로 작동한다. 저항장치의 에미터와 베이스접합부의 저항값은 AGC 시스템 40으로 부터의 IGC전류흐름에 의하여 제어되며 IGC 전류흐름의 증가에 따라 감소된다. 실제에 있어서 모든 IGC 전류가 저항장치의 콜렉터와 에미터통로를 흐르며 단지 작은 D.C.전류만이 저항장치의 베이스로 흐른다. 이 베이스 전류는 트랜지스터 10과 12의 에미터전류에 비해 무시할 수 있으므로 증폭트랜지스터 10과 12의 D.C. 바이어스를 전복시키지 않을 것이다.
제1도의 차동증폭기 형태는 장치의 중심인 접합점들 15와 27에 대하여 균형이 맞추어져 있다. 그러므로 이들 접합점들은 단자들 32와 34에 인가된 보상입력신호들에 대하여 신호가 없는 점들일 것이다.
사싱상의 신호접지점들인 이들 점들로 인하여 트랜지스터 10은 A.C. 신호들에 대한 에미터 임피던스를 가지며 에미터임피던스는 저항 26과 병렬이며 트랜지스터의 에미터와 신호기준전위 사이에 접속되어 있는 저항장치 14의 베이스와 에미터간 저항을 포함한다. 이와 유사하게 트랜지스터 12의 A.C. 에미터 임피던스는 병렬접속된 저항 28과 저항장치 16의 베이스와 에미터접합부를 포함한다. 저항 30은 2개의 트랜지스터들에 대한 D.C.에미터 바이어스통로들을 완성한다.
작동에 있어서, AGC 시스템 40은 이득제어전류 IGC의 흐름을 증가시므로써 낮은 레벨의 입력신호들의 수신에 응답할 것이다. 큰 값의 IGC는 저항장치들 14와 16의 베이스와 에미터 접합부들의 저항값을 감소시킬 것이다. 감소된 이들 저항들은 저항들 26 및 28과 제각기 병렬로 될 것이며 병렬 임피던스들은 트랜지스터들의 에미터들과 신호접지 사이에 낮은 신호 임피던스들을 제공할 것이다. 낮은 에미터 임피던스들은 낮은 레벨의 입력신호들을 크게 증폭시키도록 트랜지스터들 10과 12를 높은 이득상태에서 작동시킬 것이다.
입력신호 레벨들이 증가할 때 IGC 전류를 감소스키므로써 AGC 시스템 40은 제어된 저항장치들에 응답할 것이다. 이것은 저항장치들의 베이스와 에미터 접합부의 저항값들을 증가시킬 것이며 트랜지스터들의 A.C.에미터 임피던스들을 증가시켜 증폭트랜지스터들의 이득을 감소시킨다. 최대이득감소(최소이득상태)에서 IGC는 0으로 감소할 것이며 트랜지스터 에미터 임피던스들은 A.C.신호들에 대한 저항들 26 및 28의 값들과 실제로 같을 것이다.
제1도의 장치에 있어서, 증폭트랜지스터들 10과 12의 콜렉터와 베이스간 캐패시턴스는 증폭기가 텔레비젼 수상기의 I.F. 증폭단으로 사용될 때 증폭기의 수행능력을 감소시킬 수 있다. 이러한 캐패시턴스에 기인한 귀환은 증폭기의 이득을 감소시킬 수 있으며 입력전극들에서의 변화하는 임피던스는 단자들 32와 34에 접속된 앞서의 회로들의 선택성을 이조시킬 수 있다. 제2도의 장치에 있어서 콜렉터와 베이스간 캐패시턴스에 대한 이러한 효과들이 감소된다. 제1도의 기능과 같은 기능을 수행하는 제2도의 부품들을 같은 참조숫자들로 도시한다.
제2도의 장치에 있어서, 에미터폴로워접속의 트랜지스터들 50과 52에 의하여 증폭트랜지스터들 10과 12의 베이스 입력들의 충격이 완된화다. 단자 32와 바이어스 저항 22는 트랜지스터 50의 베이스에 접속되며 트랜지스터 50의 에미터는 트랜지스터 10의 베이스와 저항 54에 접속된다. 단자 34와 바이어스저항 24는 트랜지스터 50의 베이스에 접속되며 트랜지스터 50의 에미터는 트랜지스터 12의 베이스와 저항 56에 접속된다. 저항등 54와 56은 서로 접속되며 이들의 접합부는 저항 58에 의하여 접지된다.
트랜지스터들 50과 52의 콜렉터들은 서로 접속되며 바이어스공급원 70으로부터의 공급전압을 수신하다.
바이어스공급원 70은 콜렉터 부하저항들 18과 20에 전압을 공급한다.
제1도의 저항들 26과 28은 제2도의 단일저항 60으로 대치되며 저항 60은 트랜지스터들 10과 12의 에미터전극 사이에 접속된다. 저항들 62와 64는 트랜지스터들 10과 12의 에미터들 사이에 접속되며 저항 66은 트랜지스터들 10과 12의 D.C.에미터 바이어스 통로를 완성하도록 이들 2개의 저항들의 접합부와 접지 사이에 접속된다.
트랜지스터들 10과 12의 콜렉터와 베이스간 캐패시턴스의 효과는 이들 트랜지스터들의 베이스에 나타난다. 그러나 이 효과들은 에미터폴로워 접속의 트랜지스터들 50과 52에 의하여 입력단자들 32와 34로 부터 완충된다. 완충 트랜지스터들의 베타에 의하여 이득변화가 분할되는 동안 트랜지스터들 10과 12의 콜렉터와 베이스간 캐패시턴스의 효과가 변화하기 때문에 트랜지스터들 50과 52의 베이스들에서의 입력임피던스는 실제로 일정하고 높게 유지된다. 트랜지스터들 50과 52의 에미터들과 트랜지스터들 10과 12의 베이스들의 제각기의 접합부들은 바이어트 저항들 54, 56 및 58을 접속하므로써 고정된 D.C.바이어스 레벨로 유지된다.
제1도의 장치에 있어서와 같이, 제2도의 증폭 트랜지스터들 10과 12의 이득이 제어적으로 변화하는 IGC에 의하여 변화하며 이것은 장치들 14와 16의 베이스와 에미터저항 값들을 변화시켜 트랜지스터들의 애미터감쇄를 변화시킨다. 균형잡힌 구성의 중심에 저항 60이 배치되며 이 저항의 중심에서는 인가된 보상 입력신호들에 대한 신호가 없다. 그러므로 이 저항의 절반 저항값이 제각기의 트랜지스터들 10과 12의 에미터와 신호기준 전위점 사이에 접속된다.
제2도의 이득제어 증폭기에 대한 수행능력은 제2도에 실예적으로 도시된 저항소자들의 값들을 사용하므로써 설명될 수 있다. 본 예의 목적상 증폭기는 AGC시스템 40 을 제외하고 전체가 집적회로로 구성되었다고 가정하며 증포기가 텔레비젼 수상기에 일련의 종속접속된 이득제어 I.F. 증폭증폭기의 최종 출력단으로 사용될 것이라고 가정한다. 증폭기가 I.F.출력단이므로 앞에 있는 증폭단들로부터의 비교적 높은 레벨의 입력신호들을 취급할 것이다. 증폭기는 출력단자들 36 또는 38에서 비데오 신호동기 팁(Tip)으로 측정할 때 실제로 일정한 레벨인 60밀리볼트 신호 RMS를 제공하도록 설계된다.
증폭기는 20db의 최대이득과 최대이득으로 부터 10db의 이득감소 범위를 갖도록 설계된다. 전력소비와 증폭기 및 증폭기의 전력공급원의 신호전류들을 감소시키도록 임피던스들이 높게 유지된다.
증폭트랜지스터들 10과 12는 단자들 36과 38에서 60밀리볼트의 출력신호들을 발생시키도록 1킬로오옴의 고정된 부하저항들 18과 20을 구동한다. 앞서 언급된 특허출원 제143,032호에 설명된 이득제어증폭기에 있어서, 제어된 저항장치들 14와 16의 가변 저항들은 고정된 부하 저항들과 병렬이었다. 최대이득 감소에 있어서 증폭기의 낮은 저항값을 나타내는 이 저항장치들은 필요한 60밀리볼트의 출력신호를 유지하기 위하여 높은 신호구동전류를 필요로 할 것이다. 출력부하들 18과 20이 최대이득 감소에서 비교적 높은 임피던스로 고정되기 때문에 제2도의 증폭기에 있어서는 높은 신호 구정전류가 필요하지 않다.
제2도의 증폭기가 집적회로 형태로 구성될 다 부하저항들 18과 20은 이들 저항들과의 병렬에서 기생 캐패시턴스들을 가질 것이며 기생캐패시턴스들은 신호주파수들에서 이들 저항들의 입력임피던스들을 감소시킨다. 통상적으로 이들 캐패시턴스들을 고찰할 때 증폭 트랜지스터들의 부하임피던스는 I.F.신호주파수들에서 700오옴일 것이다. 본 예의 목적상 증폭트랜지스터들의 출력임피던스들은 700오옴으로 가정한다.
트랜지스터들 10과 12의 D,C.바이어스는 필요한 이득과 입력신호 취급능력 뿐만 아니라 필요한 전력레벨들에서 실제로 왜곡이 없는 작동을 제공하도록 선택된다.
60밀리볼트를 700오옴의 부하에 전달하는데는 대략 120μA의 정적인 전류만이 필요하다. 그러나 신호들의 왜곡을 감소시키기 위하여 증폭트랜지스터에 추가적인 전류가 요구된다. 이상적인 선형성과 필요한 출력을 얻기 위하여는 대략 300μA가 필요하다. 그러나 이득 및 신호취급 능력이 고찰되어야 하므로 여기서는 이러한 요구들이 전부가 될 수 없다.
증폭기는 최대이득에서 20db의 이득을 제공해야 한다. 증폭기의 전압이득은 다음과 같이 계산된다.
V 이득=ZL/RE(1)
여기서 ZL은 700오옴의 콜렉터 임피던스이고, RE증 폭트랜지스터의 동적인 에미터저항값 re(접촉저항포함) 및 트랜지스터의 에미터와 신호기준전위 사이에 접속된 A.C.저항값 Re의 합이다. RE가 700오옴 부하에 대하여 700오옴일 때 20db의 이득이 얻어진다.
트랜지스터의 re는 트랜지스터의 D.C.에미터전류의 함수이며 5밀리암페어에서 대략 60오옴이며 3밀리암페어에서 대략 10오옴인 범위를 갖는다.
RE=re+Re=700오옴이므로 큰 re의 값은 Re를 감소시켜 상쇄해야 한다. 예를 들어 증폭트랜지스터가 5밀리암페어의 에미터전류에서 바이어스될 때 저항 60의 절반값(290오옴)과 병렬인 제어저항장치의 베이스와 에미터 접합부의 저항값은 10 오옴이어야 한다. Re의 값을 10 오옴으로 하기 위하여는 대략 10밀리암페어의 IGC가 요구된다. 이것은 IGC에 대하여는 불필요하게 높은 값이므로 본 예에 있어서는 증폭트랜지스터들의 1밀리 암페어의 에미터전류로 바이어스되며 re가 대략 30오옴이 된다. 필요한 이득과 표 1에 도시된바와 같은 이득감소 범위를 얻기 위하여 이득제어 장치들은 4밀리암페어의 최대값을 갖는 IGC에 의하여 제어될 수 있다.
[표 1]
한쪽의 증폭기에 대한 값들
방정식(1)로 부터 증폭기의 최대이득이 ZL/RE=700/71
10=20db인 것을 알 수 있다.
최대이득감소에서 이득이 700/242
2.89=9.2db이므로 10db에 걸친 이득감소 범위를 얻는다. 높은 신호레벨들에서 이득제어장치는 IGC를 수신하지 않으며 트랜지스터에 접속된 에미터 저항은 이득제어장치의 기생 캐패시턴스와 병렬인 저항 60의 절반값이다. 표 1에서 알 수 있는 바와 같이, 본 실시예에 있어서 이러한 기생 캐패시턴스는 I.F.신호주파수에서 대략 800오옴 임피던스이다. 에미터신호레벨들이 높을 때 이득제어 장치가 최대이득감소에서 차단되기 때문에 증폭기는 높은 신호 레벨들에서 이득제어장치에 의하여 왜곡이 없는 출력을 제공한다.
증폭기의 입력신호취급능력은 re와 Re의 비로 결정된다. 증폭 트랜지스터들은 본 실시예에서 제각기 30오옴인 트랜지스터의 동적에미터 저항들 re의 양단에 인가된 13밀리볼트의 신호까지 낮아질 수 있다. 증폭기가 최소이득(최대이득 감소) 상태에 있을 때 가장 높은 입력신호 레벨들이 수신되며 이 시간에서 Re는 대략 242오옴이다.
re와 Re가 인가된 신호들에 대하여 직렬로 되어 있기 때문에 re양단에 13밀리볼트가 걸릴 경우 대략 105밀리볼트가 242오옴 Re양단에 걸린다.
그러므로 증폭기는 제각기의 입력단자에서 커다란 왜곡없이 대략 118밀리볼트까지의 입력신호들을 취급할 수 있다. 그러나 본 실시예에 있어서, 증폭기에 인가된 입력신호 레벨들 20밀리볼트를 초과하지 않는것으로 생각되며 이것은 118밀리볼트한계 내에 있다.
도시된 실시예들이 변조기들로 작동될 수 있다. 변조작동을 위하여 제어전류 IGC를 공급하는 AGC시스템 40은 변조된 전류 IGC를 공급하는 증폭기로 대치되며 IGC는 변조정보신호를 나타낸다. 그후에 제어된 저항장치들 14와 16의 저항값은 변조된 이러한 전류의 함수로서 변화하며 변조된 전류정보의 함수로서 증폭트랜지스터들 10과 12의 이득을 변화시킨다. 입력단자들 32와 34 반송파신호가 인가되어 출력단자들 36과 38사이의 변조된 전류정보에 의하여 진폭이 변조된 반송파를 발생시킨다.
Claims (1)
- 본문에서 설명되고 도면에서 예시된 바와 같이, 이득제어증폭기에 있어서, 입력신호들을 수신하도록 접속된 베이스전극, 출력신호들이 유출되는 콜렉터전극 및 에미터전극을 갖는 증폭트랜지스터와, 상기 트랜지스터를 바이어스하기 위하여 상기 베이스, 에미터 및 콜렉터전극들에 접속된 장치와, 이득제어전류원과 상기 트랜지스터의 이득을 제어하며, 상기 트랜지스터의 상기 에미터 전극에 접속된 제1전극과 상기 이득 제어전류를 수신하기 위하여 상기 이득제어 전류원에 접속된 제2전극 및 기준전위점에 접속된 제3전극을 가지며, 상기 이득제어 전류의 진폭의 함수로서 변화하는 임피던스를 상기 트랜지스터의 상기 에미터전극에 제공하며, 상기 이득제어 전류가 상기 제2전극을 흐르는 이득제어전류와 실제로 같은 전류를 상기 제3전극을 통하여 흐르게 하며 상기 제1전극을 통하여 흐르는 전류가 상기 제2전극을 통하여 흐르는 상기 이득제어 전류보다 실제로 작은 이러한 장치를 포함하는 가변에미터 감쇄 이득제어 증폭기.
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