PL131986B3 - Method of manufacture of high-molecular conductive material - Google Patents
Method of manufacture of high-molecular conductive material Download PDFInfo
- Publication number
- PL131986B3 PL131986B3 PL23117781A PL23117781A PL131986B3 PL 131986 B3 PL131986 B3 PL 131986B3 PL 23117781 A PL23117781 A PL 23117781A PL 23117781 A PL23117781 A PL 23117781A PL 131986 B3 PL131986 B3 PL 131986B3
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- polymer
- complex
- solvent
- crystallization
- conductive material
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims description 5
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 5
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002305 electric material Substances 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002605 large molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000935 solvent evaporation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
Description
Opis patentowy opublikowano: 1985 12 30 131 986 Int CK C08J 5/18 C08J 3/20 H01B 1/20 Twórcy wynalazku 1 Adam Tracz, Dacek Ulanski, Tadeusz Pakula, Marian Kryezoweki Uprawniony z patentu 1 Politechnika Lódzka, Lódz /Polska/ SPOSÓB WYTWARZANIA WIELKOCZASTECZKOWEGO MATERIALU PRZEWODZACEGO PRAD ELEKTRYCZNY Przedmiot©* wynalazku Jeet epoeób wytwarzania wielkoczasteczkowego materialu przewo¬ dzacego pred elektryczny, w postaci folii o wlasnosciach anizotropowych, stosowanogo jako material na sciezki przewodzace lub Material na sciezki oporowe w potencjometrach lub de* tektorech oporowych promieniowania.Patent glówny nr 116 850 dotyczy sposobu wytwarzania wielkoczasteczkowego materialu przewodzacego prad elektryczny w poetaci folii droge odparowania rozpuszczalnika z roztworu polimeru 1 domieszki substancji organicznych. Sposób ten polega na rozpuszczeniu polimeru w rozpuszczalniku organicznym oraz na dodaniu 0,01 - 5,0% masowych w stosunku do polimeru domieszki substancji organicznych o malych ciezarach czasteczkowych zdolnych do tworzenia wyeokoprmewodzecege kompleksu z przeniesieniem ladunku, po czym przewodzacy kompleks z prze¬ niesieniem ladunku poddaje sie krystalizacji w folii w trakcie odparowywania rozpuszczal¬ nika na podlozu o tak dobranej temperaturze, aby po calkowitym odparowaniu rozpuszczalnika powstala folia zlozona z polimeru 1 rozproszonej w niej sieci elementów krystalicznych do¬ mieszki. Przewodnictwo tak otrymanej folii jest izotropowe w plaezczyznie folii, czyli nie¬ zalezna od kierunku przylozonego napiecia 1 polega na przeplywie pradu elektrycznego przez krystaliczna struktury kompleksu z przeniesieniem ladunku, tworzece równomierna ©lec morfo¬ logiczne w calej objetosci folii* Stwierdzono nieoczekiwanie, ze modyfikacja proceeu krystalizacji wyeokeprzewodzecego koaplekeu z przenieeienlem ladunku zezwala na uzyskania jakosciowo nowego nieznanego doted typu materialu wlallcoczesteczkowago przewodzacego pred elektryczny, sharaktaryzujecego ale •line anizotropie przewodnictwa.Znana materialy o aniztropowym przewodnictwie elektrycznym ee monokrysztalami komplek¬ sów z przeniesieniem ladunku jedynie zwlezków organicznych o malym ciezarze czeetoczkowym.W materielach tych przewodnictwo w kierunku róznych oel krystalograficznych jeet rózne, a makeymalne stosunki przewodnictw w róznych kierunkach nie przekraczaje 10 •2 131 986 * Sposób wytwarzania wielkoczeeteczkowego materialu przewodzecego pred alaktryczny wedlug wynalazku polega na tym, ze polimer rozpuszczony w rozpuszczalniku organicznym wraz z do- Mieszka, wysokoprzewodzecego komplskeu z przeniesieniem ladunku poddaje sie gradientowemu, atrefowebu zestalaniu na podlozu przez odparowanie rozpuezczalnlka, w trakcie którego zachodzi krystalizacja komplekeu w postaci cienkich sciezek krystalicznych tworzacych w matrycy po¬ limerowej uklad sciezek przewodzacych, majacych klerunsk w przyblizeniu prostopadly do prze¬ mieszczajacej sie wzdluz folii strsfy zestalania* Dzieki orientacji sciezek przewodzacych w tak wytworzonej folii uzyskujs sie duze róznice przewodnictwa predu elektrycznego wzdluz sciezek i w kierunku do nich prostopadlym.Gradientowe, strsfowe zestalanie folii wedlug wynalazku jest realizowane przez prze¬ mieszczania wzdluz folii granicy odparowywania rozpuszczalnika, na przyklad droge stopnio¬ wego odslsniania powierzchni wylanego na plyte ezklane roztworu lub droge odparowywania roz¬ puszczalnika z roztworu wylanego pomiedzy dwie równolegle plyty szklane oraz przez wytworze¬ nie przemieszczajecego sie gradientu temperatury podloza, na która wylany byl roztwór* Material przewodzecy anizotropowe otrzymany epoeobem wedlug wynalazku poaiada te zale* te w stoaunku do materialu przewodzecego izotropowe ze sciezki przewodzecs z takiego ma¬ terialu moge byc nanoszons na podloze metalowe lub krzyzowac sie bsz dodatkowsj Izolacji.Nadto sposób wedlug wynalazku moze byc wykorzystany do wytwarzania aikroobwodów elektrycz¬ nych zastepujecych obwody drukowane* Nizej podany przyklad ilustruje blizej sposób wedlug wynslazku nie ograniczajec Jago zakresu* Przyklad, 100 czesci masowych poliweglanu rozpuszczono w 2500 czesciach maeo- wybh orto-dwuchlorobenzenu w temperaturze 420 K* po czym dodano 1,27 czesci maeowyeh czte- rotlotatracenu i 0,73 czesci masowych czterocyJanochinodwumetaniK i równiez rozpuszczono w temperaturze 420 K. Tak przygotowany roztwór wylano na plyte ezklane o temperaturze 390 K.Roztwór przykryto elaatyczne folie aluminiowe* "Folie aluminiowe zwijano w uatalonym kie¬ runku odelanisjec stopniowo roztwór, co powodowalo przesuwanie strsfy zestalania sie poli¬ meru 1 krystalizacji kompleksu* Otrzymano folie o grubosci 40*10* m posiadajece lekko zie- •3 —1 —1 lone zabarwienie, wykazujece przewodnictwo w temperaturze pokojowej rzedu 10 om cm w kierunku sciezek oraz 10~ om~ cm* w kierunku prostopadlym /anizotropia rzedu 10 /* PL
Claims (1)
1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania wielkoczeeteczkowego materialu przewodzecego pred elektryczny po¬ legaj ecy na rozpuszczeniu polimeru w takim rozpuszczalniku organicznym, w którym domlaazkl bede ale rozpuszczaly w wyaoklej temperaturze, nie wyzszej Jednak niz temperatura wrzenia rozpuszczalnika ; ud normalnym cisnieniem lub temperatura w jakiej zachodzi destrukcja ter¬ miczna polimeru albo domleezki, a naetepnle na dodaniu 0,01 «* 5,0% masowych w stoaunku do polimeru domieszki substancji organicznych o malych maeach czeeteczkowych zdolnych do two¬ rzenia wysokoprsswodzecego kompleksu z przenleelenlem ladunku oraz na kryatallzacjl w folii wysokoprzewodzecego kompleksu z przeniesieniem ladunku na podlozu o odpowiednio dobranej tempereturze wedlug patentu nr 116 850, znamienny tym, ze polimer poddaje aie gradientowemu, strefowemu zestslsniu przez odparowanie rozpuazczalnika tak, aby krystali¬ zacja wysokoprzswodzecsgo komplekeu zachodzila w poetaci cienkich sciezek kryatalicznych tworzecych w matrycy polimerowej uklad sciezek przewodzecych o kierunku w przyblizeniu pro¬ stopadlym do przsmleszczajecsj sie wzdluz folii strsfy zestalania. Pracownia Poligraficzna UPPRL. Naklad 100 cgz. Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL23117781A PL131986B3 (en) | 1979-04-25 | 1981-05-15 | Method of manufacture of high-molecular conductive material |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21518979A PL116850B1 (en) | 1979-04-25 | 1979-04-25 | Method for manufacturing high-molecular electric current conductive material |
| PL23117781A PL131986B3 (en) | 1979-04-25 | 1981-05-15 | Method of manufacture of high-molecular conductive material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL231177A3 PL231177A3 (pl) | 1982-11-22 |
| PL131986B3 true PL131986B3 (en) | 1985-01-31 |
Family
ID=26652913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL23117781A PL131986B3 (en) | 1979-04-25 | 1981-05-15 | Method of manufacture of high-molecular conductive material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL131986B3 (pl) |
-
1981
- 1981-05-15 PL PL23117781A patent/PL131986B3/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL231177A3 (pl) | 1982-11-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3245420B2 (ja) | 溶剤および溶剤混合物中の中性ポリアニリンの加工法 | |
| Tieke et al. | Conducting polypyrrole-polyimide composite films | |
| KR101143664B1 (ko) | 폴리아닐린 조성물, 그의 제조방법 및 그로부터 이루어지는 성형체 | |
| EP1458785A1 (en) | 3,4-alkylenedioxy-thiophene copolymers | |
| Edman et al. | Single-component light-emitting electrochemical cell fabricated from cationic polyfluorene: Effect of film morphology on device performance | |
| Möller et al. | Poly (2‐vinylpyridine) block copolymers. Phase separation and electric conductivity of iodine complexes | |
| CN102803388B (zh) | π共轭高分子组合物 | |
| JP2002275261A (ja) | 導電性ポリアニリン組成物、そのフィルム及びそれらの製造方法 | |
| PL131986B3 (en) | Method of manufacture of high-molecular conductive material | |
| JP2003286336A (ja) | 透明の導電性層の製造方法、こうして得られる層並びにその使用 | |
| WO2012015072A1 (ja) | 高分子電解質組成物、高分子電解質および含硫黄複素環芳香族化合物 | |
| JPH1186629A (ja) | イオン伝導性材料、その製造方法およびそれを用いた電池 | |
| WO2024221958A1 (zh) | 一种改性聚醚砜/聚醚酰亚胺高分子合金的制备方法 | |
| JP2003321556A (ja) | 芳香族ポリサルホン樹脂フィルム及びその製造方法 | |
| JPH02100210A (ja) | 有機超電導材料及びその製造方法 | |
| TW201538616A (zh) | 高結晶性導電有機材料及製造方法及含該材料之製品 | |
| Britze et al. | Synthesis of PPP-b-PS block copolymers using a combination of Suzuki-polycondensation and nitroxide-mediated radical polymerization | |
| Tsocheva et al. | Calorimetric investigations of high density polyethylene/polyaniline composites | |
| JP4566313B2 (ja) | 導電性インキ組成物およびそれを用いた面状発熱体 | |
| Quartarone et al. | Long-term stability of PEO-Li2O: 3B2O3-LiClO4 composite solid electrolyte | |
| Jannasch et al. | Characteristics of gel electrolytes formed by self-aggregating comb-shaped polyethers with end-functionalised side chains | |
| CS273603B2 (en) | Method of high-molecular electroconductive material production | |
| JPH07192790A (ja) | 異方導電性接続材料 | |
| Quill et al. | Reticulate doping of organic charge-transfer salts in epoxy resins, PVC and ABS to yield conducting composites | |
| JP2918587B2 (ja) | 導電性有機薄膜 |