PL121980B2 - Thick-film power integrated circuitaja sistema/ - Google Patents

Thick-film power integrated circuitaja sistema/ Download PDF

Info

Publication number
PL121980B2
PL121980B2 PL21874879A PL21874879A PL121980B2 PL 121980 B2 PL121980 B2 PL 121980B2 PL 21874879 A PL21874879 A PL 21874879A PL 21874879 A PL21874879 A PL 21874879A PL 121980 B2 PL121980 B2 PL 121980B2
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
alloy
ceramic interlayer
soldered
semiconductor structure
heat sink
Prior art date
Application number
PL21874879A
Other languages
English (en)
Other versions
PL218748A2 (pl
Inventor
Stefan Domagala
Stanislaw Wozniakowski
Cezary Ignatowicz
Jerzy Halik
Roman Baran
Original Assignee
Inst Obrobki Skrawaniem
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Inst Obrobki Skrawaniem filed Critical Inst Obrobki Skrawaniem
Priority to PL21874879A priority Critical patent/PL121980B2/pl
Publication of PL218748A2 publication Critical patent/PL218748A2/xx
Publication of PL121980B2 publication Critical patent/PL121980B2/pl

Links

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest grubowarstwowy scalony uklad mocy z pólprzewodnikowymi strukturami mocy przeznaczony do stosowania przykladowo we wzmacniaczach mocy i kluczach mocy.W znanych grubowarstwowych scalonych ukladach mocy struktura pólprzewodnikowa mocy polaczona jest z metalowym radiatorem za posrednictwem kilku posrednich warstw w róznych kombinacjach. Przykladowo warstwy te tworza kolejno: stop lutowniczy, metalowa podkladka kompensacyjna, stop lutowniczy, metaliczna warstwa przewodzaca naniesiona sitodrukiem, plytka z ceramiki alundowej i klej laczacy ja z radiatorem.Inna odmiane polaczenia stanowia kolejno: stop lutowniczy, metaliczna warstwa przewodzaca naniesiona sitodrukiem, plytka z ceramiki alundowej i klej. Rozwiazania te cechuje dobra izolacja elektryczna struktury pólprzewodnikowej lecz okupione to jest zbyt duza rezystancja termiczna, szczególnie z powodu stosowania warstwy kleju. Kolejna kombinacje stanowi kolejno: stop lutowniczy, metalowa podkladka kompensacyjna, klej i warstwa tlenku glinu naniesiona metoda oksydacji. Mozliwe tez jsst najprostsze polaczenie wylacznie za posred¬ nictwem stopu lutowniczego. Oba te warianty cechuje zla izolacja struktury pólprzewodnikowej i radiatora.Istota rozwiazania wedlug wynalazku polega na tym, ze grubowarstwowy scalony uklad mocy, skladajacy sie ze struktury pólprzewodnikowej i metalowego radiatora, polaczonych warstwami posrednimi, ma miedzy- warstwe ceramiczna w postaci mieszaniny lub ziarn okudowanych, skladajaca sie z tlenku glinu w ilosci 80—99,5 czesci wagowych, tlenku tytanu w ilosci 0,5—20 czesci wagowych i tlenku krzemu w ilosci 0,5-20 czesci wago¬ wych. Miedzywarstwa ceramiczna moze byc naniesiona bezposrednio na metalowym radiatorze i na miedzywar- stwie tej naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna przy czym do przewodzacej warstwy metalicznej za posrednictwem stopu przylutowana jest podkladka kompensacyjna z przylutowana do niej za posrednictwem stopu struktura pólprzewodnikowa badz tez do przewodzacej warstwy metalicznej za posrednictwem stopu przylutowana jest od razu struktura pólprzewodnikowa. Miedzywarstwa ceramiczna moze tez byc naniesiona bezposrednio na podkladke kompensacyjna z przylutowana do niej za posrednictwem stopu struktura pólprze¬ wodnikowa przy czym na miedzywarstwe ceramiczna naniesiona jest przewodzaca struktura metaliczna przyluto¬ wana za posrednictwem stopu do radiatora badz tez polaczona z nim zgrzeina.2 121 980 Zaleta rozwiazania wedlug wynalazku jest mozliwosc uzyskania grubowarstwowych scalonych ukladów mocy o duzej niezawodnosci i o polepszonych parametrach przy uproszczeniu procesu technologicznego wytwa¬ rzania. Wprowadzenie natryskiwania plazmowego i wyeliminowania polaczenia klejowego prowadzi do poprawy przewodnosci cieplnej w ukladzie przy zachowaniu dobrej jakosci polaczenia mechanicznego i dobrej izolacji.Rozwiazanie wedlug wynalazku przedstawione jest w przykladach wykonania na zalaczonym rysunku, na którym fig. 1, fig. 2, fig. 3 i fig. 4 przedstawiaja w przekroju poprzecznym rózne odmiany grubowarstwowego sca¬ lonego ukladu mocy, z róznym usytuowaniem miedzywarstwy ceramicznej..Przyklad I.- Scalony uklad mocy sklada sie ze struktury pólprzewodnikowej 1 i. metalowego radiato¬ ra 2, pomiedzy którymi usytuowane sa warstwy posrednie wraz z miedzywarstwa ceramiczna 3, przy czym kolejnosc poszczególnych elementów i warstw jest nastepujaca: struktura pólprzewodnikowa 1, lutowniczy stop 4, podkladka kompensacyjna 5, lutowniczy stop 4, przewodzaca warstwa metaliczna 6, miedzywarstwa ceramicz¬ na 3, radiator 2. Miedzywarstwa ceramiczna 3 naniesiona jest metoda plazmowa na metalowa podloze radiatora 2. Sklad tej miedzywarstwy jest nastepujacy - tlenek glinu A1203 w ilosci 80 czesci wagowych, tlenek tytanu Ti02 w ilosci 10 czesci wagowych, tlenek krzemu Si02 w ilosci 10 czesci wagowych.Przyklad II. Scalony uklad mocy skladajacy sie z usytuowanych kolejno, struktury pólprzewodniko¬ wej 1, lutowniczego stopu 4, przewodzacej warstwy metalicznej 6, miedzywarstwy ceramicznej 3, radiatora 2.Miedzywarstwa ceramiczna 3 naniesiona jest metoda plazmowa na metalowe podloze radiatora 2 i stanowi ja tlenek glinu A1203 w ilosci 99,5 czesci wagowych i tlenek tytanu Ti02 w ilosci 0,5 czesci wagowych.Przyklad III. Scalony uklad mocy sklada sie z usytuowanych kolejno — struktury pólprzewodniko¬ wej 1, lutowniczego stopu 4, podkladki kompensacyjnej 5, miedzywarstwy ceramicznej 3, przewodzacej warstwy metalicznej 6, lutowniczego stopu 4, radiatora 2. Miedzywarstwa ceramiczna 3 naniesiona jest metoda plazmowa na metalowe podloze podkladki kompensacyjnej 5 i stanowi ja tlenek glinu A1203 w ilosci 80 czesci wagowych i tlenek tytanu Ti02 w ilosci 20 czesci wagowych.Przyklad IV. Scalony uklad mocy sklada sie z usytuowanych kolejno - struktury pólprzewodniko¬ wej 1, lutowniczego stopu 4, podkladki kompensacyjnej 5, miedzywarstwy ceramiczne] 3, przewodzacej warstwy metalicznej 6, zgrzeiny 7, radiatora 2. Miedzywarstwa ceramiczna 3 naniesiona jest metoda plazmowa na metalo¬ we podloze podkladki kompensacyjnej 5 i sklada sie z tlenku glinu A1203 w ilosci 80 czesci wagowych i tlenku krzemu Si02 w ilosci 20 czesci wagowych.Zastrzezenia patentowe 1. Grubowarstwowy scalony uklad mocy skladajacy sie ze struktury pólprzewodnikowej i metalowego radiatora polaczonych warstwami posrednimi zawierajacymi co najmniej stop lutowniczy i przewodzaca warstwe metaliczna, znamienny tym, ze ma miedzywarstwe ceramiczna (3), w postaci mieszaniny lub ziarn okludowanych, skaldajaca sie z tlenku glinu w ilosci 80-99,5 czesci wagowych, tlenku tytanu w ilosci 0,5-20 czesci wagowych i tlenku krzemu w ilosci 0,5-20 czesci wagowych. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa' ceramiczna (3) naniesiona jest bezposrednio na metalowym radiatorze (2) zas na miedzywarstwie ceramicznej (3) naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna (6), do której za posrednictwem stopu (4) przylutowana jest podkladka kompensacyjna (5) z przylutowana do niej za posrednictwem stopu (4) strulctura pólprzewodnikowa (1). 3. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa ceramiczna (3) naniesiona jest bezposrednio na metalowym radiatorze (2) zas na miedzywarstwie ceramicznej (3) naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna (6) do której za posrednictwem stopu (4) przylutowana jest struktura pólprzewodniko¬ wa (1). 4. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa ceramiczna (3) naniesiona jest na podkladke kompensacyjna (5) z przylutowana do niej za posrednictwem stopu (4) struktura pólprzewodnikowa (1) zas na miedzywarstwe ceramiczna (3) naniesiona jest warstwa metaliczna (6) przylutowana za posrednictwem stopu (4) do radiatora (2). 5. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa ceramiczna (3) naniesiona jest na podkladke kompensacyjna (5) z przylutowana do niej za posrednictwem stopu (4) struktura pólprzewodnikowa (1), zas na miedzywarstwe ceramiczna (3) naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna (6) polaczona z radia¬ torem (2) zgrzeina (7).121 980 W r^A6- r U.Fig. 4 w- Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4 PL

Claims (5)

  1. Zastrzezenia patentowe 1. Grubowarstwowy scalony uklad mocy skladajacy sie ze struktury pólprzewodnikowej i metalowego radiatora polaczonych warstwami posrednimi zawierajacymi co najmniej stop lutowniczy i przewodzaca warstwe metaliczna, znamienny tym, ze ma miedzywarstwe ceramiczna (3), w postaci mieszaniny lub ziarn okludowanych, skaldajaca sie z tlenku glinu w ilosci 80-99,5 czesci wagowych, tlenku tytanu w ilosci 0,5-20 czesci wagowych i tlenku krzemu w ilosci 0,5-20 czesci wagowych.
  2. 2. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa' ceramiczna (3) naniesiona jest bezposrednio na metalowym radiatorze (2) zas na miedzywarstwie ceramicznej (3) naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna (6), do której za posrednictwem stopu (4) przylutowana jest podkladka kompensacyjna (5) z przylutowana do niej za posrednictwem stopu (4) strulctura pólprzewodnikowa (1).
  3. 3. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa ceramiczna (3) naniesiona jest bezposrednio na metalowym radiatorze (2) zas na miedzywarstwie ceramicznej (3) naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna (6) do której za posrednictwem stopu (4) przylutowana jest struktura pólprzewodniko¬ wa (1).
  4. 4. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa ceramiczna (3) naniesiona jest na podkladke kompensacyjna (5) z przylutowana do niej za posrednictwem stopu (4) struktura pólprzewodnikowa (1) zas na miedzywarstwe ceramiczna (3) naniesiona jest warstwa metaliczna (6) przylutowana za posrednictwem stopu (4) do radiatora (2).
  5. 5. Uklad wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze miedzywarstwa ceramiczna (3) naniesiona jest na podkladke kompensacyjna (5) z przylutowana do niej za posrednictwem stopu (4) struktura pólprzewodnikowa (1), zas na miedzywarstwe ceramiczna (3) naniesiona jest przewodzaca warstwa metaliczna (6) polaczona z radia¬ torem (2) zgrzeina (7).121 980 W r^A6- r U. Fig. 4 w- Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4 PL
PL21874879A 1979-10-05 1979-10-05 Thick-film power integrated circuitaja sistema/ PL121980B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21874879A PL121980B2 (en) 1979-10-05 1979-10-05 Thick-film power integrated circuitaja sistema/

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL21874879A PL121980B2 (en) 1979-10-05 1979-10-05 Thick-film power integrated circuitaja sistema/

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL218748A2 PL218748A2 (pl) 1980-09-22
PL121980B2 true PL121980B2 (en) 1982-06-30

Family

ID=19998728

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL21874879A PL121980B2 (en) 1979-10-05 1979-10-05 Thick-film power integrated circuitaja sistema/

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL121980B2 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL218748A2 (pl) 1980-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5111277A (en) Surface mount device with high thermal conductivity
JP2007201346A (ja) セラミックス回路基板及びその製造方法
US5188985A (en) Surface mount device with high thermal conductivity
KR900001838B1 (ko) 고열전도성 세라믹스기판
KR100823378B1 (ko) 세라믹 발열체
EP1940210B1 (en) Multilayer ceramics substrate
CN120126884A (zh) 传感器元件和用于制造传感器元件的方法
JP2572823B2 (ja) セラミック接合体
JPH06342853A (ja) 半導体素子用パッケージ
PL121980B2 (en) Thick-film power integrated circuitaja sistema/
JPH0727995B2 (ja) セラミック配線基板
EP1421617B1 (de) Leistungselektronikeinheit
JP4646417B2 (ja) セラミック回路基板
US4842959A (en) Aluminum enamel board
JPH0682921B2 (ja) セラミック配線回路板の製造方法
GB2165704A (en) Heat dissipation for electronic components
JP2965223B2 (ja) 放熱用複合基板
JPS6318356B2 (pl)
JP2002076213A (ja) 半導体素子モジュール
JP2710893B2 (ja) リード付き電子部品
JP2506270B2 (ja) 高熱伝導性回路基板及び高熱伝導性外囲器
JP2948990B2 (ja) 半導体素子収納用パッケージ
JP2975491B2 (ja) チップ抵抗器
JPH04112410A (ja) 厚膜導体組成物
JP3502759B2 (ja) 半導体素子の実装構造、並びに配線基板の実装構造