PL119057B2 - Multilayer resistor,especially for microelectronic circuitsnykh skhem - Google Patents

Description

Przedmiotem wynalazku jest rezystor przeznaczony zwlaszcza dla ukladów mikroelektronicznych.Znane rezystory stosowane w ukladach elektronicznych zarówno w postaci dyskretnej jak i scalonej po¬ siadaja konstrukcje jednowarstwowa najczesciej w postaci paska o ksztalcie prostopadloscianu lub cienkiej warstwy wykonanej z metali, stopów lub innych materialów rezystywnych.Znane sa równiez wielowarstwowe rezystory dla ukladów mikroelektronicznych, zlozone z co najmniej jednej warstwy rezystywnej nalozonej na podlozu izolacyjnym, na która to warstwe rezystywnajest nalozona jedna lub kilka warstw przewodzacych, w celu uzyskania dobrego przewodnictwa elektrycznego koncówek przylaczeniowych rezystora.Rezystory te charakteryzuja sie rezystancja wprost proporcjonalna do dlugosci rezystora.Wlasciwosc ta powoduje niedogodnosc w zastosowaniu zwlaszcza w ukladach mikroelektronicznych. W celu bowiem uzyskania duzych i corazwiekszych rezystencji nalezy zwiekszac dlugosc rezystorów.Ogranicza to mozliwosci miniaturyzacyjne i pogarsza wlasciwosci elektryczne rezystorów.Istote wynalazku stanowi rezystor skladajacy sie z dwóch warstw przewodzacych i co najmniej jednej warstwy rezystywnej umieszczonej pomiedzy tymi warstwami przewodzacymi.Dlugosc rezystora 1 jest odwrotnie proporcjonalna do jego rezystancji i jest wyznaczana wedlug zaleznosci: 1 < kr,1/2 fri+r,)1'2 gdzie n i xi oznaczaja rezystancje jednostkowe warstw zewnetrznych, u oznacza rezystancje jednostkowa warstwy wewnetrznej lub sumy rezystancji jednostkowych warstw wewnetrznych, I oznacza dlugosc rezy¬ stora, a k jest wspólczynnikiem mniejszym od jednosci.Warstwy przewodzace rezystora przedluzone sa poza konce warstwy rezystywnej w przeciwnejej strony, stanowiac koncówki przylaczeniowe.Korzystnie, wantwe rezystywna stanowi warstwa tlenków metali, z których wykonane sa warstwy przewodzace.2 119057 Rezystor wedlug wynalazku, wykazuje nieoczekiwana wlasciwosc odwrotnej proporcjonalnosci wiel¬ kosci rezystancji od dlugosci rezystora, co ma istotne znaczenie w technice ukladów mikroelektronicznych.Przedmiot w \ nalazku przedstaw iony jest w przykladzie wykonania na rysunku, schematycznie ilustruja¬ cym przekrój poprzeczny rezystora. Rezystor sklada sie z dwu warstw przewodzacych, górnej 1 i dolnej 2 oraz z warstwy rezvstvwnej wewnetrznej 3. Przedluzenia warstw przewodzacych 1 i 2 poza krance warstw v rezystywnej 3 w przeciwne jej strony, stanowia koncówki przylaczeniowe S rezystora. Warstwy przewodzace polaczone sa z warstwa rezystywna galwanicznie.Warstwy przewodzace 1 i 2wykonane sazaluminium o grubosci 1500 A. Rezystancjejednostkowe ri = r2 maja wartosc 0,4 i\/u. Srednia wartosc rezystancji n warstwy rezystywnej 3, wytworzonej podczas procesu nakladania na siebie warstw przewodzacych 1 i 2 ma wartosc 0,04 Mft/mm2. Przy dlugosci rezystora 1<4,5 cm wspólczynnik k<0,2, rezystancja rezystora nie zalezy od rezystancji warstw przewodzacych 1 i 2, jest natomiast wprost proporcjonalna do rezystancji jednostkowej warstwy rezystywnej 3 i odwrotnie proporcjo¬ nalna do dlugosci 1 rezystora. Dla dlugosci 1 = 2 cm, rezystancja rezystora wynosi 2 kO, dla dlugosci 1 = 0,2 cm, rezystancja rezystora wynosi 20kfl Zastrzezenia patentowe 1. Wielowarstwowy rezystor, zwlaszcza dla ukladów mikroelektronicznych, zlozony z dwóch warstw przewodzacych dolnej i górnej oraz z co najmniej jednej warstwy rezystywnej o rezystancji znacznie wiekszej od warstw przewodzacych dolnej i górnej, znamienny tym, ze warstwy rezystywne (3) o rezystancji r3 sa umieszczone miedzy górna warstwa przewodzaca (1) o rezystancji jednostkowej warstwy przewodzacej n a dolna warstwa przewodzaca (2) o rezystancji jednostkowej warstwy przewodzacej r2 przy czym dlugosc (1) warstw rezystywnych (3) jest okreslona zaleznoscia: 1< W2 (r1+r2)^ gdzie k jest wspólczynnikiem mniejszym od jednosci, a ponadto warstwy przewodzace (1, 2) wystaja w przeciwne jej strony poza konce warstw rezystywnych (3) i stanowia koncówki przylaczeniowe (S). 2. Rezystor wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwe rezystywna (3) stanowi warstwa tlenków metali, z których sa wykonane warstwy przewodzace (1, 2). s Ac / W//W///W///////////W/M/A ^£ Pracownia Poligraficzna UP PRL. Niklad 120 egz.Ona 100 zl PL

Claims (2)

1. Zastrzezenia patentowe 1. Wielowarstwowy rezystor, zwlaszcza dla ukladów mikroelektronicznych, zlozony z dwóch warstw przewodzacych dolnej i górnej oraz z co najmniej jednej warstwy rezystywnej o rezystancji znacznie wiekszej od warstw przewodzacych dolnej i górnej, znamienny tym, ze warstwy rezystywne (3) o rezystancji r3 sa umieszczone miedzy górna warstwa przewodzaca (1) o rezystancji jednostkowej warstwy przewodzacej n a dolna warstwa przewodzaca (2) o rezystancji jednostkowej warstwy przewodzacej r2 przy czym dlugosc (1) warstw rezystywnych (3) jest okreslona zaleznoscia: 1< W2 (r1+r2)^ gdzie k jest wspólczynnikiem mniejszym od jednosci, a ponadto warstwy przewodzace (1, 2) wystaja w przeciwne jej strony poza konce warstw rezystywnych (3) i stanowia koncówki przylaczeniowe (S).
2. 2. Rezystor wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze warstwe rezystywna (3) stanowi warstwa tlenków metali, z których sa wykonane warstwy przewodzace (1, 2). s Ac / W//W///W///////////W/M/A ^£ Pracownia Poligraficzna UP PRL. Niklad 120 egz. Ona 100 zl PL