PL116397B1 - Method for manufacturing thin-film discrete resistors and multi-resistors structures on the silicon substrate - Google Patents
Method for manufacturing thin-film discrete resistors and multi-resistors structures on the silicon substrate Download PDFInfo
- Publication number
- PL116397B1 PL116397B1 PL21088178A PL21088178A PL116397B1 PL 116397 B1 PL116397 B1 PL 116397B1 PL 21088178 A PL21088178 A PL 21088178A PL 21088178 A PL21088178 A PL 21088178A PL 116397 B1 PL116397 B1 PL 116397B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- resistors
- etching
- oxide
- structures
- silicon
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 21
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 24
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 11
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 11
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Description
Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia cienkowarstwowych rezystorów dyskretnych i struktur wielorezystorowych na podlozu krzemo¬ wym utlenionym.Tego typu struktury sa stosowane w ukladach i systemach elektronicznych jako elementy do¬ laczane do wiekszych ukladów hybrydowych lub moga stanowic odrebna calosc montowana do ply¬ tki drukowanej. W tym ostatnim przypadku maja zastosowanie jedynie struktury obudowane, np. w typowych obudowach tranzystorowych.Szereg firm oferuje struktury wielorezystorowe obudowane i nieobudowane o bardzo malych wy¬ miarach. Struktury nieobudowane sa oferowane w postaci platka (chipu) krzemowego, zawierajacego wykonany na jego powierzchni zespól rezystorów. sciezek przewodzacych, laczacych poszczególne re¬ zystory w zadana siec rezystywna i pól montazo¬ wych wykonanych z warstwy przewodzacej, sluza¬ cych do polaczenia zespolu rezystorów z obudowa lub polami montazowymi wiekszego ukladu, prze¬ waznie hybrydowego.Rezystory i pola przewodzace sa to odpowied¬ nio uksztaltowane cienkie warstwy rezystywne i przewodzace naniesione na powierzchnie tlenku krzemu przewaznie metodami prózniowymi, tzn. naparowania prózniowego i napylania katodowego.Jako material warstw rezystywnych wymieniany jest stop niklu i chromu oraz azotek tantalu. Jako material warstw przewodzacych wymieniane jest 10 15 25 aluminium. Odpowiednie ksztalty warstw sa uzys¬ kiwane poprzez trawienie poszczególnych warstw, przy czym miejsca, w których warstwa powinna pozostac nienaruszona sa osloniete emulsja swia¬ tloczula.Powyzsze informacje nie pozwalaja jednak na dokladne odtworzenie stosowanych procesów tech¬ nologicznych, stanowiacych tajemnice poszczegól¬ nych firm. Znany jest proces technologiczny opra¬ cowany w Instytucie Maszyn Matematycznych, a obejmujacy kolejno: mycie podlozy z utlenionego krzemu, naparowanie warstwy rezystywnej ze stopu nikiel-chrom, wytrawianie ksztaltów rezy¬ storów, mycie podlozy przed naparowaniem war¬ stwy przewodzacej, naparowanie warstwy prze¬ wodzacej z aluminium, wytrawianie ksztaltów póL przewodzacych, zabezpieczenie czynnej strony plyt¬ ki podlozowej (z wykonanymi strukturami) spe¬ cjalna kompozycja ochronna, strawienie warstwy tlenku ze spodniej powierzchni plytki, zmycie warstwy ochronnej z czynnej powierzchni plytki i ciecie plytki na poszczególne struktury.Jako wady powyzszego procesu technologicznego nalezy wymienic w pierwszej kolejnosci niski uzysk dobrych struktur rezystywnych. Jest to spo¬ wodowane szeregiem czynników.Po pierwsze, stosowana w dotychczasowej tech¬ nologii kompozycja ochronna zabezpieczajaca strukture w operacji trawienia tlenlku ze spod¬ niej strony plytki jest trudna do usuniecia, a na- 1163973 116 397 4 wet jej sladowe pozostalosci dyskwalifikowaly struktury.Po drugie, podzial plytki na poszczególne struk¬ tury, zarówno w rozwiazaniu dotychczasowym jak i rozwiazaniu stanowiacym przedmiot niniejszego wynalazku, jest wykonywany metoda powszechnie stosowana w produkcji przyrzadów pólprzewodni¬ kowych, a mianowicie przez zarysowanie ostrzem diamentowym i lamanie.W znanym rozwiazaniu procesu technologiczne¬ go przyczyna powaznej ilosci braków jest obec¬ nosc tlenku na powierzchni zarysowanej plytki krzemowej. Obecnosc tlenku wzdluz linii podzialu struktur powoduje pekanie plytki niezgodne z kie¬ runkiem rysy i odpryski wzdluz linii lamania. Za¬ równo struktury zlamane niedokladnie wzdluz rysy (linii podzialu) jak i struktury z odpryskami sa brakami.Dodatkowo, zarysowane ostrzem diamentowym powierzchni krzemu pokrytej tlenkiem powodo¬ walo nadmierne zuzycie ostrza diamentowego i skrócenie jego zywotnosci.Trzecia wada dotychczas stosowanego procesu technologicznego byla duza pracochlonnosc pro¬ cesu wytwarzania struktur.Celem niniejszego wynalazku jest sposób wy¬ twarzania cienkowaTstwowych rezystorów dys¬ kretnych i struktur wielowarstwowych na podlozu krzemowym oraz obnizenie kosztów ich wytwarza¬ nia, ,glównie przez zmniejszenie pracochlonnosci.Cel niniejszego wynalazku zostal osiagniety przez calkowite wyeliminowanie koniecznosci po¬ krywania powierzchni plytki krzemowej z wyko¬ nanymi strukturami, kompozycja ochronna oraz jednoczesne wytrawianie tlenku ze spodniej stro¬ ny plytki krzemowej i linii podzialu struktur na czynnej powierzchni plytki krzemowej.Pierwszym przykladem rozwiazania jest proces technologiczny obejmujacy nastepujace operacje: mycie plytek krzemowych przed naparowaniem warstw, naparowanie warstwy oporowej, naparo¬ wanie warstwy przewodzacej, wytrawienie meto¬ dami fotolitografii warstwy przewodzacej i war¬ stwy rezystywnej z linii podzialu struktur. Na- 10 stepnie wytrawienie warstwy tlenku z linii po¬ dzialu struktur, spodniej strony plytki krzemowej, wytrawienie metodami fotolitografii zadanych ksztaltów rezystorów i pól przewodzacych oraz ry¬ sowanie ostrzem diamentowym i lamanie plytki na poszczególne struktury.Drugim przykladem rozwiazania jest proces technologiczny obejmujacy nastepujace operacje: mycie plytki krzemowe? przed naparowaniem war¬ stwy rezystywnej, naparowanie warstwy rezystyw¬ nej, wytrawienie metodami fotolitografii warstwy rezystywnej z linii podzialu struktur, wytrawienie warstwy tlenku z linii podzialu struktur z jed¬ noczesnym wytrawieniem tlenku ze spodniej po- 15 wierzchni plytki, wytrawienie metodami fotolito¬ grafii zadanego ksztaltu rezystorów, mycie plytek przed naparowaniem warstwy przewodzacej, na¬ parowanie warstwy przewodzacej, wytrawienie metodami fotolitografii zadanych ksztaltów war- 2Q stwy przewodzacej oraz rysowanie ostrzem dia¬ mentowym i lamanie plytki krzemowej na po¬ szczególne struktury. 30 40 Zastrzezenia patentowe 25 1. Sposdb wytwarzania cienkowarstwowych re¬ zystorów dyskretnych i struktur wielorezystoro- wych na podlozu krzemowym z utlenionego po¬ wierzchniowo krzemu znanymi metodami nanosze¬ nia prózniowego warstw i formowania ksztaltów warstw rezystywnych metoda fotolitografii, zna¬ mienny tym, ze trawienie tlenku z linii podzialu struktur obejmuje trawienie warstwy rezystyw¬ nej i nastepnie trawienie tlenku z linii podzialu 35 struktur. 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie tlenku z linii podzialu struktur jest wy¬ konywane przed wytrawieniem ksztaltu rezysto¬ rów, 3. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, ze jednoczesnie z trawieniem tlenku z linii podzialu plytki krzemowej na poszczególne struk¬ tury nastepuje wytrawienie tlenku ze spodniej strony plytki krzemowej.PZGraf. Koszalin A-311 95 A-4 Cena 100 zl PL
Claims (3)
- Zastrzezenia patentowe 25 1. Sposdb wytwarzania cienkowarstwowych re¬ zystorów dyskretnych i struktur wielorezystoro- wych na podlozu krzemowym z utlenionego po¬ wierzchniowo krzemu znanymi metodami nanosze¬ nia prózniowego warstw i formowania ksztaltów warstw rezystywnych metoda fotolitografii, zna¬ mienny tym, ze trawienie tlenku z linii podzialu struktur obejmuje trawienie warstwy rezystyw¬ nej i nastepnie trawienie tlenku z linii podzialu 35 struktur.
- 2. Sposób wedlug zastrz. 1, znamienny tym, ze trawienie tlenku z linii podzialu struktur jest wy¬ konywane przed wytrawieniem ksztaltu rezysto¬ rów,
- 3. Sposób wedlug zastrz. 1 albo 2, znamienny tym, ze jednoczesnie z trawieniem tlenku z linii podzialu plytki krzemowej na poszczególne struk¬ tury nastepuje wytrawienie tlenku ze spodniej strony plytki krzemowej. PZGraf. Koszalin A-311 95 A-4 Cena 100 zl PL
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21088178A PL116397B1 (en) | 1978-11-10 | 1978-11-10 | Method for manufacturing thin-film discrete resistors and multi-resistors structures on the silicon substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PL21088178A PL116397B1 (en) | 1978-11-10 | 1978-11-10 | Method for manufacturing thin-film discrete resistors and multi-resistors structures on the silicon substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL210881A1 PL210881A1 (pl) | 1980-06-16 |
| PL116397B1 true PL116397B1 (en) | 1981-06-30 |
Family
ID=19992518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL21088178A PL116397B1 (en) | 1978-11-10 | 1978-11-10 | Method for manufacturing thin-film discrete resistors and multi-resistors structures on the silicon substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| PL (1) | PL116397B1 (pl) |
-
1978
- 1978-11-10 PL PL21088178A patent/PL116397B1/pl unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| PL210881A1 (pl) | 1980-06-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3844831A (en) | Forming a compact multilevel interconnection metallurgy system for semi-conductor devices | |
| US4054484A (en) | Method of forming crossover connections | |
| EP0361752B1 (en) | Selective solder formation on printed circuit boards | |
| US3128332A (en) | Electrical interconnection grid and method of making same | |
| US3574012A (en) | Trimetallic masks and method | |
| KR970067702A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN110854066A (zh) | 一种半导体电镀方法 | |
| PL116397B1 (en) | Method for manufacturing thin-film discrete resistors and multi-resistors structures on the silicon substrate | |
| JP2726804B2 (ja) | 銅含有デバイスのエッチング方法 | |
| US20050051905A1 (en) | Semiconductor component having a plastic housing and methods for its production | |
| US20080003819A1 (en) | Laser isolation of metal over alumina underlayer and structures formed thereby | |
| CN117098324B (zh) | 陶瓷电路板的制备方法 | |
| JPS6329940A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| GB1232126A (pl) | ||
| JPS6035543A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| SE516254C2 (sv) | Förfarande för att bilda ett ledande lager på en halvledaranordning | |
| JP2003133699A (ja) | 回路基板の表面保護層の形成法 | |
| JPH10107394A (ja) | セラミック配線基板 | |
| JPS62114241A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS6143449A (ja) | 配線パタ−ンの形成方法 | |
| JPS5816545A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| TW202233034A (zh) | 電路板之製造方法及其結構 | |
| JPH0340364A (ja) | 薄膜素子の製造方法 | |
| JP2000082877A (ja) | 薄膜回路基板の製造方法 | |
| JPH0467635A (ja) | 配線の形成方法 |