PL108308B1 - Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls - Google Patents

Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls Download PDF

Info

Publication number
PL108308B1
PL108308B1 PL19836077A PL19836077A PL108308B1 PL 108308 B1 PL108308 B1 PL 108308B1 PL 19836077 A PL19836077 A PL 19836077A PL 19836077 A PL19836077 A PL 19836077A PL 108308 B1 PL108308 B1 PL 108308B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
weight
parts
epoxy resin
synthetic resins
whirls
Prior art date
Application number
PL19836077A
Other languages
English (en)
Other versions
PL198360A1 (pl
Inventor
Jerzy Wozniak
Slawomir Tlokowski
Original Assignee
Wojskowa Akad Tech
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wojskowa Akad Tech filed Critical Wojskowa Akad Tech
Priority to PL19836077A priority Critical patent/PL108308B1/pl
Publication of PL198360A1 publication Critical patent/PL198360A1/pl
Publication of PL108308B1 publication Critical patent/PL108308B1/pl

Links

Landscapes

  • Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)

Description

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarza¬ nia piankowego tworzywa z zywic sztucznych do uszczelniania urzadzen radiotechnicznych i elek¬ tronicznych, narazonych na gwaltowne udary i zawirowania.Znane jest uszczelnianie elementów elektronicz¬ nych przez zalewanie ich najpierw warstwa pian¬ kowego tworzywa silikonowego, a nastepnie przez naniesienie na tak otrzymane podloze, zewnetrznej warstwy litej, wykonanej z metalu lub tworzyw sztucznych..Znane jest równiez wytwarzanie zalew ochron¬ nych twardych jak i elastycznych dla urzadzen elektronicznych z zywic silikonowych z utwardza¬ czem. Zalewy twarde wykazuja szereg takich za¬ let jak niska lepkosc 100—2000 cP, wysoka trwa¬ losc, mozliwosc wprowadzania do nich duzej ilosci wypelniaczy, a z drugiej strony takie wady jak mala odpornosc na zmiany temperatury, duze na¬ prezenia wewnetrzne, mala udarnosc, sklonnosc do pekania oraz dlugi czas i wysoka temperatu¬ re utwardzania.Zalewy elastyczne, jakkolwiek charakteryzuja sie wysoka odpornoscia termiczna ,/od —65°C do 250°C/ i brakiem naprezen wewnetrznych sa jed¬ nak zbyt sprezyste i przy gwaltownych udarach rzedu 20 000 g odksztalcaja sie w takim stopniu, ze powoduje to uszkodzenie lub nawet calkowite zniszczenie chronionych przez te zalewy detali elektronicznych. Wyzej opisane zalewy wykazuja 15 25 36 poza tym stosunkowo niska przyczepnosc do pod¬ loza, oraz slabe wlasnosci mechaniczne.Oprócz wyzej wymienionych znanych zywie si¬ likonowych znane sa równiez kompozycje epoksy- dowo-silikonowe, które znalazly zastosowanie do wyrobu termoodpornych laminatów, tloczyw i la¬ kierów, glównie do celów elektroizolacyjnych. W kompozycjach tych zywice silikonowe modyfikuje sie chemicznie zwiazkami epoksydowymi, w efek¬ cie czego uzyskuje sie produkt zarówno o dobrej wytrzymalosci mechanicznej jak tez o odpornosci termicznej wiekszej od odpornosci termicznej zy¬ wicy epoksydowej.Wiadomo równiez, ze doskonale wlasnosci elekro- izolacyjne wykazuja zywice epoksydowe a w tym równiez sztywne pianki epoksydowe.Okazalo sie, ze zaden z wyzej wymienionych materialów nie nadaje sie jednak do zastosowa¬ nia jako material do uszczelniania urzadzen ra¬ diotechnicznych i elektronicznych narazonych na gwaltowne udary i zawirowania, takich jak np. urzadzenia lotnicze i aparatura stosowana w kos- monautyce, gdyz przy gwlatownych udarach i za¬ wirowaniach w przypadku stosowania miekkich kompozycji silikonowych nastepuje przesuwanie sie poszczególnych chronionych elementów, co pro¬ wadzi do uszkodzenia mechanicznego aparatury.W przypadku stosowania sztucznych kompozycji silikonowych, nastepuje pekanie ich, a tym sa¬ mym odsloniecie chronionych elementów elekro- 108 308108 308 nicznych, co doprowadza w efekcie do ich znisz¬ czenia.Stwierdzono, ze wad powyzszych nie wykazuje material piankowy otrzymany z oleju silikonowego z dodatkiem krzemionki koloidalnej oraz z zy- 5 wicy epoksydowej i to w takich warunkach, w których nie zachodzi reakcja miedzy wymienio¬ nymi substratami.Sposobem wedlug wynalazku do oleju silikono¬ wego, w którym zdyspergowano koloidalna krze- 10 mionke wprowadza sie niskoczasteczkowa zywice epoksydowa, po czym wsród mieszania do ukladu dodaje sie najpierw znany utwardzacz oleju sili¬ konowego, nastepnie znany, porofor, a dopiero na koncu znany utwardzacz zywicy epoksydowej. 15 Olej silikonowy stosowany w sposobie wedlug wynalazku winien wykazywac w temperaturze 25°C gestosc 1,05 g/cm8 i lepkosc 1200—1400 cP7 zas zywica epoksydowa winna charakteryzowac sie liczba epoksydowa 0,48—0,52, lepkoscia 30.000— 20 —'80.000 cP w temperaturze 20°C i srednim cie¬ zarem czasteczkowym okolo 380.Jako utwardzacz oleju silikonowego stosuje sie przy tym oktenian cyny, a jako utwardzacz zy¬ wicy epoksydowej trójetylenoczteroamine. Najod- 25 powiedniejszym poroforem w sposobie wedlug wy¬ nalazku okazal sie Y-amm°Pr°pylotrójetoksysilan.Przestrzeganie wyzej wskazanej kolejnosci do¬ dawania do ukladu utwardzaczy i proforu decy¬ duje przy tym o koncowych wlasciwosciach uzys- M kiwanego produktu. Tak wiec do mieszaniny krze¬ mionki zdyspergowanej w oleju silikonowym i zy¬ wicy epoksydowej nie mozna wprowadzac naj¬ pierw trójetylenoczteroarniny, gdyz ze wzgledu na egzotermiczny przebieg reakcji i trudnosci w od- 35 prowadzeniu ciepla z ukladu nastepuje nierówno¬ mierne utwardzenie masy. W wyniku nierówno¬ miernego utwardzenia, uzyskany produkt jest nie¬ jednorodny i wykazuje naprezenia wewnetrzne i niskie wlasciwosci mechaniczne. *• Wprowadzenie do ukladu oleju silikonowego /ze zdyspergowana w nim krzemionka koloidalna/ i zywicy epoksydowej najpierw oktenianu cyny jako utwardzacza oleju silikonowego, nie powoduje wy¬ zej opisanych zaklócen, ze wzgledu na slabo egzo¬ termiczny przebieg tego procesu.Utwardzanie kompozycji otrzymywanej sposo¬ bem wedlug wynalazku przebiega juz w tempe¬ raturze 18—'25°C, co stanowi powazna zalete tego M sposobu, poniewaz niska temperatura nie powo¬ duje uszkodzen chronionych elementów.Wprowadzenie do ukladu krzemionki koloidal¬ nej wplywa bardzo istotnie na wlasciwosci prze¬ twórcze otrzymywanego tworzywa, gdyz krzemion- 53 ka ta powoduje jego tiksotropowosc.Oprócz wyzej opisanych warunków technolo¬ gicznych bardzo wazny jest równiez dobór ilos¬ ciowy poszczególnych skladników w ukladzie. Tak wiec do 100 czesci wagowych kompozycji zdys- w pergowanej krzemionki w oleju silikonowym o zawartosci 58—62% wagowych SiOs dodaje sie 25—75 czesci wagowych cieklej zywicy epoksy¬ dowej, 0,5—1 czesci wagowej oktenianu cyny, 3—6 czesci wagowych y-aminopropylotrójetoksysilanu i •» 45 2—5 — 7,5 czesci wagowych trójetylenoczteroami- ny' Piankowe tworzywo otrzymane sposobem wedlug. wynalazku charakteryzuje sie duza sztywnoscia, dobra przyczepnoscia do metalu i wytrzymuje gwaltowne udary rzedu 20.000 g i zawirowania powyzej 330 obrotów na sekunde. Niezaleznie od powyzszego wykazuje ono wlasnosci dielektrycz¬ ne oraz odpornosc termiczna w zakresie tempe¬ ratur od -60° do +180°C. -« } W zwiazku z powyzszymi wlasciwosciami two¬ rzywo to nadaje sie do zastosowania w urzadze¬ niach lotniczych i aparaturze kosmicznej. Poniz¬ sze przyklady wyjasniaja blizej; sposób wedlug wynalazku. r ¦¦¦ Przyklad I. 100 g zdyspergowanej krzemion¬ ki w oleju silikonowym o zawartosci 60% wago¬ wych Si02 miesza sie z 25 g ciklej zywicy epo¬ ksydowej i 0,6 g oktenianu cyny. Po dokladnym zmieszaniu dodaje sie 6 g Y-aminopropylo'rvV;eto- ksysilanu w postaci bezbarwnej cieczy o gestosci 1,038 g/cm8 /25°C/ i lepkosci 1,6 cSt /25°C/ i znów dokladnie miesza. Nastepnie dodaje sie 2,5 g trójetylenoczteroaminy i calosc miesza.Zespól elektroniczny umieszcza sie w zamknie¬ tej obudowie, w której ma byc zabezpieczony i przez otwór u góry obudowy wlewa sie powoli mieszanine o powyzej podanym skladzie. Po pew¬ nym czasie nastepuje spienienie i utwardzenie sie mieszaniny. Zespól elektroniczny po okolo 60 mi¬ nutach'od momentu zalania jest gotowy do eks¬ ploatacji.Otrzymana pianka posiada nastepujace wlas¬ nosci: zawirowanie powyzej 380 obr/s udar 20.000 g rezystywnosc skosna 1 • 1014 Q cm rezystywnosc powierzchniowa 1 • 1014 Q tg 6 przy 1 MHz 0,009 przenikalnosc dielektryczna £ przy 1 MHz 3 Przyklad II. Zespól elektroniczny, który ma byc hermetyzowany umieszcza sie w zamknietej obudowie, która posiada jeden otwór nad dnem w7 scianie bocznej a drugi otwór w górze obu¬ dowy.Nastepnie miesza sie 100 g kompozycji zdysper¬ gowanej krzemionki w oleju silikonowym o za¬ wartosci 60°/o SiOa, 50 g cieklej zywicy epoksy¬ dowej i 0,6 g oktenianu cyny. Po wymieszaniu dodaje sie 4 g Y-aminopropylotrójetoksysilanu a na¬ stepnie 5 g trójetylenoczteroaminy i calosc doklad¬ nie miesza. Tak przygotowana mieszanine wlewa sie do urzadzenia tloczacego, za pomoca którego wtlacza sie ja pod cisnieniem do dolnego otworu w obudowie. Po spienieniu pianka powinna uka¬ zac sie w górnym otworze obudowy.Otrzymana pianka posiada nastepujace wlas¬ nosci: zawirowanie powyzej 380 obr/s udar 20.000 g rezystywnosc skrosna 1 • 1013Qcm rezystywnosc powierzchniowa 1 • 1018.Q tg 5 przy 1 MHz 0,007 przenikalnosc dielektryczna £ przy 1 MHz 4 P r z y k l a cl III. Zespól elektroniczny umieszcza.5 108 308 6 sie w otwartej formie i zalewa roztworem otrzy¬ manym przez mieszanie 100 g kompozycji zdys- pergowanej krzemionki w oleju silikonowym o zawartosci 60°/o SiOa, 75 g cieklej zywicy epoksy¬ dowej, 0,6 g oktenianu cyny, 3 g Y-aminopropylo- trójetoksysilanu i 7,5 g trojetylenoczteroaminy. Po spienieniu i utwardzeniu sie masy, zalany zespól elektroniczny wyjmuje sie z formy, w której moz¬ na wykonac zalanie nastepnego zespolu elektro¬ nicznego.Otrzymana pianka wykazuje nastepujace wlas¬ nosci: zawirowanie powyzej 380 obr/s udar 20.000 g rezystywnoscskosna 1 • 1015 fi cm rezystywnosc powierzchniowa 1 • 1018 fi tg 8 przy 1 MHz 0,005 przenikalnosc dielektryczna e przy 1 MHz 6 Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania piankowego tworzywa z zy¬ wic sztucznych do uszczelniania urzadzen radio¬ technicznych i elektronicznych narazonych na 5 gwaltowne udary i zawirowania, opartego na pian¬ kowym tworzywie silikonowym, znamienny tym, ze 100 czesci wagowych kompozycji zdyspergo- wanej krzemionki koloidalnej w oleju silikono¬ wym, o zawartosci 58—62% wagowych Si02, mie¬ sza sie 25—75 czesciami wagowymi cieklej zy¬ wicy epoksydowej, po czym ciagle mieszajac do ukladu wprowadza sie najpierw 0,5—1 czesci wa¬ gowej oktenianu cyny jako utwardzacza oleju silikonowego, nastepnie 3—6 czesci wagowych po- roforu w postaci y-aminopropylotrójetoksysilanu, a na koncu 2,5—7,5 czesci wagowych utwardza¬ cza zywicy epoksydowej w postaci trojetyleno¬ czteroaminy i miesza do uzyskania homogennej mieszaniny. 10 15 PL

Claims (1)

1. Zastrzezenie patentowe Sposób wytwarzania piankowego tworzywa z zy¬ wic sztucznych do uszczelniania urzadzen radio¬ technicznych i elektronicznych narazonych na 5 gwaltowne udary i zawirowania, opartego na pian¬ kowym tworzywie silikonowym, znamienny tym, ze 100 czesci wagowych kompozycji zdyspergo- wanej krzemionki koloidalnej w oleju silikono¬ wym, o zawartosci 58—62% wagowych Si02, mie¬ sza sie 25—75 czesciami wagowymi cieklej zy¬ wicy epoksydowej, po czym ciagle mieszajac do ukladu wprowadza sie najpierw 0,5—1 czesci wa¬ gowej oktenianu cyny jako utwardzacza oleju silikonowego, nastepnie 3—6 czesci wagowych po- roforu w postaci y-aminopropylotrójetoksysilanu, a na koncu 2,5—7,5 czesci wagowych utwardza¬ cza zywicy epoksydowej w postaci trojetyleno¬ czteroaminy i miesza do uzyskania homogennej mieszaniny. 10 15 PL
PL19836077A 1977-05-23 1977-05-23 Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls PL108308B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19836077A PL108308B1 (en) 1977-05-23 1977-05-23 Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PL19836077A PL108308B1 (en) 1977-05-23 1977-05-23 Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL198360A1 PL198360A1 (pl) 1978-12-04
PL108308B1 true PL108308B1 (en) 1980-04-30

Family

ID=19982685

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL19836077A PL108308B1 (en) 1977-05-23 1977-05-23 Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls

Country Status (1)

Country Link
PL (1) PL108308B1 (pl)

Also Published As

Publication number Publication date
PL198360A1 (pl) 1978-12-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Messersmith et al. Synthesis and characterization of layered silicate-epoxy nanocomposites
JP5895156B2 (ja) 熱硬化性樹脂組成物、封止材およびそれらを用いた電子部品
JPS60115619A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物
CN114316867A (zh) 一种耐候性室温固化环氧电子灌封胶及其制备方法
CN107057623A (zh) 一种互感器大体积灌装专用环氧灌封胶及制备方法和应用
JPH069867A (ja) プレミックスウレタンエラストマー組成物およびその製造方法
JPWO2001055243A1 (ja) 無溶剤型熱硬化性樹脂組成物とその製造方法及び製品
CN104479606A (zh) 一种耐高温高导热硼杂有机硅环氧灌封胶及其制法和应用
PL108308B1 (en) Process for making foamed plastics of synthetic resins,for sealing radio and electronic apparatus subjected heavy surges and whirls
JPH0531883B2 (pl)
JPH11124487A (ja) シアン酸エステル−マレイミド液状樹脂組成物及び半導体封止装置
JPS6250324A (ja) 電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料
JP4009853B2 (ja) 液状エポキシ樹脂組成物及びフリップチップ型半導体装置
JPH0952941A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
CN106634811A (zh) 一种抗冲击性能好的pcb电路板用有机硅电子灌封胶
JPS58225121A (ja) エポキシ樹脂組成物及びそれを用いる電子部品の封止方法
CN109825231A (zh) 一种阻燃抗紫外环氧包封胶及其制备方法
JP2001200139A (ja) 半導体封止用液状エポキシ樹脂組成物
JPS6217604B2 (pl)
JPH11189705A (ja) 樹脂組成物、その製造方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JPH0855941A (ja) 電子部品の樹脂封止物及びそれに用いるエポキシ樹脂組成物
JP3023023B2 (ja) 半導体封止用樹脂組成物
Davis et al. Silicone encapsulating and potting materials
JPH02224360A (ja) 半導体装置
JP2004063326A (ja) 高周波部品