NO322311B1 - Magnetisk stoff med maksimal kompleks-permeabilitet i kvasimikrobolgebandet og fremgangsmate for fremstilling - Google Patents

Magnetisk stoff med maksimal kompleks-permeabilitet i kvasimikrobolgebandet og fremgangsmate for fremstilling Download PDF

Info

Publication number
NO322311B1
NO322311B1 NO20014634A NO20014634A NO322311B1 NO 322311 B1 NO322311 B1 NO 322311B1 NO 20014634 A NO20014634 A NO 20014634A NO 20014634 A NO20014634 A NO 20014634A NO 322311 B1 NO322311 B1 NO 322311B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
magnetic
composition
magnetic material
frequency
metallic
Prior art date
Application number
NO20014634A
Other languages
English (en)
Other versions
NO20014634D0 (no
NO20014634L (no
Inventor
Shigeyoshi Yoshida
Hiroshi Ono
Yutaka Shimada
Shinsuke Andoh
Wei-Dong Li
Original Assignee
Nec Tokin Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nec Tokin Corp filed Critical Nec Tokin Corp
Publication of NO20014634D0 publication Critical patent/NO20014634D0/no
Publication of NO20014634L publication Critical patent/NO20014634L/no
Publication of NO322311B1 publication Critical patent/NO322311B1/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0084Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising a single continuous metallic layer on an electrically insulating supporting structure, e.g. metal foil, film, plating coating, electro-deposition, vapour-deposition
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y25/00Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/0036Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties showing low dimensional magnetism, i.e. spin rearrangements due to a restriction of dimensions, e.g. showing giant magnetoresistivity
    • H01F1/0045Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use
    • H01F1/0063Zero dimensional, e.g. nanoparticles, soft nanoparticles for medical/biological use in a non-magnetic matrix, e.g. granular solids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/33Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials mixtures of metallic and non-metallic particles; metallic particles having oxide skin
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F10/00Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
    • H01F10/007Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure ultrathin or granular films
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/30Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE]
    • H01F41/301Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates for applying nanostructures, e.g. by molecular beam epitaxy [MBE] for applying ultrathin or granular layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K9/00Screening of apparatus or components against electric or magnetic fields
    • H05K9/0073Shielding materials
    • H05K9/0081Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding
    • H05K9/0083Electromagnetic shielding materials, e.g. EMI, RFI shielding comprising electro-conductive non-fibrous particles embedded in an electrically insulating supporting structure, e.g. powder, flakes, whiskers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Description

Oppfinnelsens tekniske felt
Denne oppfinnelsen vedrører et magnetisk stoff for anvendelse for å dempe eller å absorbere høyfrekvent støy i elektriske og elektroniske apparater og, nærmere bestemt, et slikt stoff som er tilpasset anvendelse for demping av elektromagnetisk interferens (EMI) i et aktivt elektronisk element, en høyfrekvent kretskomponent, og et høyfrekvent elektronisk apparat.
Teknisk bakgrunn
Det er kjent å feste en sylindrisk ferrittkjerne på en elektrisk kraftledning til et elektronisk apparat, f.eks. en datamaskin for å stanse en høyfrekvent støy fra å strømme inn i eller ut fra datamaskinen gjennom den elektriske kraftledningen. Ferrittkjernen absorberer den høyfrekvente støy som strømmer gjennom kraftkoden. Den ferrittkjerne som anvendes har stort volum sammenlignet med elektroniske apparater, hvor størrelsen har vært hurtig redusert med elektroniske kretskomponenter anordnet med høy tetthet.
Det er også kjent i teknikken at en konsentrert konstant krets slik som en dekoblingskondensator monteres i en kraftkretslinje i det elektroniske apparatet for å dempe uønsket stråling fra kraftlinjen.
Et annet problem er at en høyfrekvent støy ofte forårsakes eller induseres av en halvleder eller en integrert kretsanordning med høyhastighetsoperasjon slik som et hurtiglager (RAM), et leselager (ROM), en mikroprosessor (MPU), en sentral prosesseringsenhet (CPU), eller en bildeprosessor aritmetisk logisk enhet (IPALU) fordi et elektrisk signal strømmer i en høyhastighetskrets deri med hurtige endringer i strøm og spennings verdi.
I tillegg er elektroniske elementer og kabler anordnet med høy tetthet i elektroniske apparater med liten størrelse. Således ligger slike elementer og linjer veldig nært hverandre og derved påvirker hverandre for å forårsake EMI.
For å dempe den høyfrekvente støy fra slike halvlederanordninger og EMI innenfor det elektroniske apparatet med liten størrelse, kan man ikke anvende den konvensjonelle ferrittkjernen fordi den har et relativt stort volum.
På den annen side kan anvendelse av den konsentrerte konstantkrets ikke dempe den høyfrekvente støy som forårsakes i kretsen med anvendelse av elektroniske elementer av høyhastighetsoperasjonstype på tilstrekkelig måte fordi støyen har en økt frekvens slik at kretslinjen i virkeligheten virker som en fordelt konstant krets.
JP-A 10-97913 angir et komplekst magnetisk stoff som har et relativt stort kjernetap eller kompleks permeabilitet. Det komplekse magnetiske stoffet er anordnet nærliggende en halvlederanordning og/eller en elektronisk kretsanordning og kan dempe en høyfrekvent støy som stråles derfra.
Man skal forstå ut fra den nyere forskning at anvendelse av det magnetiske stoffet med kompleks permeabilitet u" er betraktet som addering av en effektiv motstand til kretsen som genererer støyen slik at støyen kan dempes. Den effektive motstanden er avhengig av den komplekse permeabiliteten u" for det magnetiske stoff som anvendes. I detalj, gitt at det magnetiske stoffet har et konstant areal, er det klart at den effektive motstanden er avhengig av den komplekse permeabiliteten u" og av tykkelsen til det magnetiske stoffet. Dette betyr at et magnetisk stoff som har en større kompleks permeabilitet vil kunne tilveiebringe en høyfrekvent støydemper med redusert volum, dvs. redusert størrelse når det gjelder areal og tykkelse, som vil kunne monteres innenfor et apparat med liten størrelse.
Kort beskrivelse av oppfinnelsen
Således har denne oppfinnelsen som hensikt å tilveiebringe anvendelse av et magnetisk stoff som har større kompleks permeabilitet ved høy frekvens, hvor fortrinnsvis den maksimale verdien for den komplekse permeabiliteten ligger i et kvasi-mikrobølgeområde på 0,1-10 GHz.
Oppfinnelsen omfatter således anvendelse av et magnetisk stoff som beskrevet i de vedlagte krav 1-16. Oppfinnelsen vedrører også en fremgangsmåte som beskrevet i de vedlagte krav 16 og 17 og en støydemper som angitt i krav 18.
Som magnetisk stoff som har lave kjernetap og høy saturasjonsmagnetisering, er en magnetisk sammensetning M-X-Y (M: et magnetisk metallisk element, Y: O, N eller F, X: element eller elementer forskjellig fra M og Y) kjent, som er hovedsakelig produsert ved katodeforstøvningsmetoden eller pådampningsmetoden og som har en kornstruktur hvor metalliske magnetiske partikler av M er dispergert i en ikke-magnetisk matrise (X og Y), slik som en keramikk.
Under undersøkelse av fine strukturer som har utmerket permeabilitet for den magnetiske sammensetningen M-X-Y, fant oppfinnerne ut at den høye saturasjonsmagnetisering kan implementeres i et høykonsentrasjonsområde for M hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 80 % eller større enn den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M.
Den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en lav spesifikk motstand. Således, når den formes i en del som har en relativ tykkelse som er anvendt i et høyfrekvent område, tillater delen at en hvirvelstrøm strømmer deri. Som resultat av dette reduseres delens permeabilitet. Således kan den konvensjonelle M-X-Y magnetiske sammensetning med høy saturasjonsmagnetisering ikke anvendes for en del som har en økt tykkelse.
De foreliggende oppfinnerne fant ytterligere ut at den magnetiske sammensetningen M-X-Y med en redusert konsentrasjon av M har en større kompleks permeabilitet u" i et høyfrekvent område. I et område med redusert konsentrasjon av M hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 60-80 % av den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M, har den magnetiske sammensetningen M-X-Y en relativt høy spesifikk motstand på omtrent 100 uQ.cm eller mer. Således, hvis en del med en relativ tykkelse slik som flere mikrometer (um) er formet ut fra sammensetningen med den reduserte konsentrasjon av M, vil den ha et redusert tap på grunn av hvirvelstrøm. Kjernetap eller den komplekse permeabiliteten er et tap på grunn av den naturlige resonansen. Således er fordelingen av den komplekse permeabiliteten på en frekvensakse smal. Dette betyr at den magnetiske sammensetningen M-X-Y med den reduserte konsentrasjon av M er anvendelig for å dempe støy innenfor et smalt frekvensområde.
I en ytterligere redusert konsentrasjon av M hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 35-60 % av den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M, har den magnetiske sammensetningen M-X-Y en høyere spesifikk motstand på omtrent 500 ufl.cm eller mer. Således er tapet på grunn av virvelstrøm ytterligere redusert i en del fremstilt av sammensetningen og med en relativ tykkelse slik som flere mikrometer (um). Den magnetiske gjensidig effekt mellom M partiklene blir liten slik at spinnvarmefluktuasjonen blir stor og forårsaker fluktuasjon i den frekvensen hvor den naturlige resonansen for den komplekse permeabiliteten genereres. Således har den komplekse permeabiliteten u" en relativt stor verdi over et bredt frekvensområde. Dette betyr at den magnetiske sammensetningen M-X-Y med den ytterligere reduserte konsentrasjon av M er anvendelig for å dempe støy innenfor et bredt frekvensområde.
I en mer redusert konsentrasjon av M, partikler av M vil ikke påvirke hverandre magnetisk slik at sammensetningen M-X-Y har superparamagnetisme.
Når man designer en del fremstilt av et magnetisk stoff som skal anordnes i umiddelbar nærhet av en elektronisk krets for å dempe en høyfrekvent støy, betraktes verdien for produktet (u".S) for den komplekse permeabiliteten u" og en tykkelse 6 for det magnetiske stoffet. Generelt er (u".5) £ 1000 um det som er påkrevd for effektivt å dempe høyfrekvent støy med hundreder av megahertz (MHz). Når den magnetiske sammensetningen som anvendes har den komplekse permeabiliteten på omtrent 1000 (u"=1000), må støydemperen ha en tykkelse på 1 mikrometer (um) eller mer. Således er sammensetningen med en lav spesifikk motstand ikke ønskelig fordi virvelstrømmen er lett generert men det er ønskelig å ha en økt spesifikk motstand slik som 100 u.Q cm eller mer.
Sett det ovennevnte, skal sammensetningen M-X-Y anvendt for støydemperen ha en redusert konsentrasjon av M hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 35-80 % av den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M.
Kort beskrivelse av tegningene
Fig. 1 er et skjematisk riss som viser en kornstruktur for den magnetiske sammensetningen M-X-Y; Fig. 2A er et skjematisk snittriss som viser en struktur av et katodeforstøvningsapparat som var anvendt i eksemplene; Fig. 2B er et skjematisk snittriss som viser en struktur for et pådampningsapparat som var anvendt i eksemplene; Fig. 3 er et grafisk riss som viser en frekvensrespons for en kompleks permeabilitet for sjiktprøven 1 i eksempel 1; Fig. 4 er et grafisk riss som viser en frekvensresponspermeabilitet for sjiktprøven 2 i eksempel 2; Fig. 5 er et grafisk riss som viser en frekvensrespons for den komplekse permeabiliteten til sammenligningsprøven 1 i sammenligningseksempel 1; Fig. 6 er et skjematisk og perspektivriss av et testapparat for å teste en støydempningseffekt for magnetiske prøver; Fig. 7A er et grafisk riss som viser en overføringskarakteristikk for sjiktprøven 1; Fig. 7B er et grafisk riss som viser en overføringskarakteristikk for sammenligningsprøven av et komposittmagnetisk materialark; Fig. 8A er en fordelingskonstantkrets med en lengde 1 som viser et magnetisk materiale som støydemper; Fig. 8B er en ekvivalent krets med en enhetslengde Al for fordelingskonstantkretsen i fig. 8A; Fig. 8C er en ekvivalent krets med en lengde 1 for fordelingskonstantkretsen i fig. 8A; Fig. 9A er et grafisk riss som viser en frekvensrespons for en ekvivalent motstand R for sjiktprøven 1 i eksempel 1; og Fig. 9B er et grafisk riss som viser en frekvensrespons for en ekvivalent motstand R i sammenligningsprøven av et kompositt magnetisk materialark.
Utførelser av oppfinnelsen
Først skal man beskrive en kornstruktur og fremstil lingsmetoder for den magnetiske sammensetningen M-X-Y.
Med henvisning til fig. 1 som viser skjematisk kornstrukturen for den magnetiske sammensetningen M-X-Y, er partikler 11 av et metallisk magnetisk materiale M jevnt eller ujevnt fordelt i en matrise 12 bestående av X <q>g Y.
Med henvisning til fig. 2A, var et katodeforstøvningsapparat vist der anvendt for å tilveiebringe prøver i de følgende eksemplene og sammenligningseksemplene. Katodeforstøvningsapparatet har en konvensjonell struktur og omfatter en vakuumbeholder 20, en lukker 21, en atmosfærisk gasskilde 22, et substrat eller en glassplate 23, brikker 24 (X eller X-Y), et mål 25 (M), en RF-kraftkilde, og en vakuumpumpe 27. Atmosfæregasskilden 22 og vakuumpumpen 27 er koblet til vakuumbeholderen 20. Substratet 23 vender mot målet 25 hvor brikkene 24 er anordnet. Lukkeren 21 er anordnet på forsiden av substratet 21. RF-kraftkilden 26 er koblet til målet 25.
Med henvisning til fig. 2B, er et katodeforstøvningsapparat vist der også anvendt som annet apparat for å tilveiebringe prøver i de følgende eksemplene og sammenligningseksemplene. Katodeforstøvningsapparatet har en konvensjonell struktur og har en vakuumbeholder 20, en atmosfærisk gasskilde 22, og en vakuumpumpe 27 tilsvarende katodeforstøvningsapparatet men den har en digel 28 som omfatter materialene (X-Y) istedenfor brikker 24, mål 25 og RF-kraftkilde 26.
Eksempel 1
Et tynt sjikt av magnetisk sammensetning M-X-Y var fremstilt på en glassplate ved anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved katodeforstøvningsforhold vist i tabell 1.
Sjiktprøven 1 tilveiebragt var analysert med en fluorescent X-strålespektroskop og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning Fe72AlnOi7. Sjiktprøven 1 hadde 2,0 mikrometer (um) i tykkelse, 530 mikro ohm cm (uCi.cm) i DC spesifikk motstand, 1432 A/m (18 Oe) i anisotropt felt (Hk) og 1,68 T (16800 Gauss) i saturasjonsmagnetisering (Ms).
Et prosentforhold mellom saturasjonsmagnetiseringen for sjiktprøven 1 og den for det metalliske materialet M i seg selv {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 var 72,2 %.
For å måle en permeabilitetsfrekvensrespons, var sjiktprøven 1 formet til en strimmelform og innført i en spole. Under påføring av et bias magnetisk felt, en impedansevariasjon i spolen var målt som respons overfor frekvensendring av AC-strøm som var tilført spolen. Målingen var utført flere ganger for forskjellige verdier av det bias magnetiske feltet. Ut fra den målte impedanseendring som respons for frekvensendring,var den komplekse permeabilitetsfrekvensrespons u"-f-respons beregnet og den vises i fig. 3. Man kan merke ut fra fig. 3 at den komplekse permeabiliteten hår en høy spiss eller maksimal verdi (u"m«ks) og faller hurtig på hver side av spissen. Den naturlige resonansfrekvensen (f(u"maks)) som viser den maksimale verdien (u"m»ks) ligger omtrent på 700 MHz. Ut fra u"-f responsen, var en relativ båndbredde bwr fastsatt som et prosentforhold for båndbredde mellom to frekvenspunkter som viser den komplekse permeabiliteten som halvparten u"so til den maksimale u"maks til senterfrekvensen for nevnte båndbredde. Den relative båndbredden bwr var 148 %.
Eksempel 2
I en tilstand tilsvarende den i eksempel 1 men med anvendelse av 150 AI2O3 brikker, var en sjiktprøve 2 formet på en glassplate.
Sjiktprøven 2 tilveiebragt var analysert med en fluorescent X-strålespektroskop og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning Te^ AhiOu' Sjiktprøven 2 hadde 1,2 mikrometer (um) i tykkelse, 2400 mikro ohm centimeter (ufl cm) i DC spesifikk motstand, 9549 A/m (120 Oe) i anisotropt felt (Hk) og 0,96 T (9600 Gauss) i saturasjonsmagnetisering (Ms). Man skal merke at sjiktprøven 2 er høyere enn sjiktprøven 1 når det gjelder den spesifikke motstanden.
Et prosentforhold for saturasjonsmagnetisering av sjiktprøven 2 og den for det metalliske materialet M i seg selv {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 var 44,5 %.
li"-f responsen for sjiktprøven 2 var også oppnådd på tilsvarende måte som i eksempel 1 og den vises i fig. 4. Man kan merke at spissen også har en høy verdi tilsvarende den i sjiktprøven 1. Imidlertid er frekvenspunktet ved spissen eller den naturlige resonansfrekvens anvendt 1 GHz og den komplekse permeabiliteten faller gradvis på hver side av spissen, slik at u**-f responsen har en bredbåndskarakteristikk.
En relativ båndbredde bwr for sjiktprøven 2 var også bekreftet å være 181 % på tilsvarende måte som i eksempel 1.
Sammenligningseksempel 1
I en tilsvarende tilstand til eksempel 1 men med anvendelse av 90 AI2O3 brikker, var en sammenligningsprøve 1 formet på en glassplate.
Sammenligningsprøven 1 tilveiebragt var analysert med fluorescent X-stråle spektroskopi og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning FegeAUOg. Sammenligningsprøven 1 hadde 1,2 mikrometer (um) i tykkelse, 74 mikro ohm centimeter (uQ cm) i DC spesifikk motstand, 1751 A/m (22 Oe) i anisotropisk felt (Hk), 1,88 T (18800 Gauss) i saturasjonsmagnetisering (Ms), og 85,7 % i et prosentforhold for saturasjonsmagnetisering til sammenligningsprøven 1 og den for det metalliske materialet M i seg selv {Ms(M-X-Y)/Ms(M)}xl00 var 44,5 %.
u.**-f responsen for sammenligningsprøven 1 var også oppnådd på tilsvarende måte som i eksempel 1 og den vises i fig. 5. Man skal merke seg fra fig. 5 at den komplekse permeabiliteten u" for sammenligningsprøven 1 har en høy spiss ved en frekvens på omtrent 10 MHz men den reduseres hurtig ved høyere frekvensområder enn 10 MHz. Man skal anta at denne reduksjon er forårsaket av generering av hvirvelstrøm på grunn av den lave spesifikke motstand.
Sammenligningseksempel 2
I en tilstand tilsvarende den i eksempel 1 men med anvendelse av 200 AI2O3 brikker, var en sammenligningsprøve 2 formet på en glassplate.
Sammenligningsprøven 2 produsert var analysert med et fluorescent X-stråle spektroskop og bekreftet å være et sjikt med en sammensetning Fe^A^O*?. Sammenligningsprøven 2 hadde 1,3 mikrometer (um) i tykkelse, 10500 mikro ohm centimeter (u.Q cm) i DC spesifikk motstand.
Den magnetiske karakteristikken for sammenligningseksempel 1 viste superparamagnetisme.
Eksempel 4
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y er tilveiebragt på en glassplate ved den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 2. Det partielle trykkforhold for N2 var 20 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer under vakuum under et magnetisk felt og man oppnådde en sjiktprøve 4.
Eksempel 5
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 4. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 5 var oppnådd.
Eksempel 6
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate ved den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig.2A ved en katodeforstøvningstilstand som vist i tabell 6. Det partielle trykkforholdet for N2 var 10 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 6 ble oppnådd.
Eksempel 7
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 8. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 7 var oppnådd.
Eksempel 8
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate ved den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 10. Det partielle trykkforhold for N2 var 10 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under magnetisk felt og en sjiktprøve 8 var oppnådd.
Eksempel 9
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 12. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 9 var oppnådd.
Eksempel 10
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate ved den reaktive katodeforstøvningsmetode med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 14. Det partielle trykkforhold for O2 var 15 %. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300<*>0 i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 10 var oppnådd.
Eksempel 11
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 16. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 11 var oppnådd.
Eksempel 12
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstand vist i tabell 18. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 12 var oppnådd.
Eksempel 13
Et tynt sjikt av en magnetisk sammensetning M-X-Y var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av katodeforstøvningsapparatet vist i fig. 2A ved en katodeforstøvningstilstnad vist i tabell 20. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum ved et magnetisk felt og en sjiktprøve 13 var oppnådd.
Eksempel 14
Et tynt sjikt av M-X-Y magnetisk sammensetning var tilveiebragt på en glassplate med anvendelse av pådampningsapparatet vist i fig. 2B ved en tilstand vist i tabell 22. Det tynne sjiktet var varmebehandlet ved en temperatur på 300°C i to timer i vakuum under et magnetisk felt og en sjiktprøve 14 var oppnådd.
Nå skal man beskrive prøver som vedrører støydempningseffekt for prøvesj iktene og sammenligningsprøvene, med anvendelse av et testapparat vist i fig. 6.
Et prøvestykke var sjiktprøve 1 med størrelse 20 mm x 20 mm x 2,0 um. For sammenligning anvendte man et ark av et kjent kompositt magnetisk materiale med størrelse 20 mm x 20 mm x 1,0 mm. Det kompositte magnetiske materialet omfattende en polymer og flatmagnetisk metallpulver dispersert i polymeren. Det magnetiske metalliske pulver omfatter Fe, Al og Si. Det kompositte magnetiske materialet har en permeabilitetsfordeling i kvasimikrobølgeområdet og det har den maksimale verdien for den komplekse permeabiliteten ved en frekvens på omtrent 700 MHz. Tabell 24 viser magnetiske egenskaper for både prøvestykket og sammenli gningsprøvestykket.
Som man kan se fra av tabell 24, er sjiktprøven 1 omtrent 600 ganger større enn sammenligningstestprøven i den maksimale verdien for kompleks permeabilitet. Siden støydempningseffekten er generelt evaluert ut fra verdien for et produkt u"makS x 5 for den maksimale verdien u"mikSog tykkelsen til stykket 8, var tykkelsen til sammenligningstestprøvestykket for det kompositte magnetiske materialarket valgt 1 mm slik at begge testprøvestykkene hadde tilsvarende verdier for Usmaks x 5.
Med henvisning til fig. 6 omfatter testapparatet en mikrostriplinje 61 med to porter, koaksiale kabler 62 koblet til to porter, og en nettverksanalysator (ikke vist) koblet over de to portene. Mikrostriplinjen 61 har en linjelengde på 75 mm og en karakteristisk impedans på 50 ohm. Prøvestykket 63 var anordnet ved et område 64 av mikrostriplinjen 61 og overføringskarakteristikken S21 var målt. Frekvensresponsen på S21 vises i fig. 7A og 7B for sjiktprøven 1 og sammenligningsprøven, respektivt.
Med henvisning til anvendelse av sjiktprøven 1, skal man merke ut fra fig. 7A at S21 reduseres over 100 MHz, når et minimum på -10 dB ved en frekvens på 2 GHz og deretter øker over 2 GHz. På den andre siden, med henvisning til anvendelse av sammenligningsprøven, skal man merke ut fra fig. 7B at S21 reduseres gradvis og når et minimum på -10 dB ved en frekvens på 3 GHz.
Resultatene demonstrerer at S21 er avhengig av frekvensfordelingen til permeabiliteten og at støydempingseffekten er avhengig av produktet på u"m»kS x 5.
Nå gitt at den magnetiske prøven danner en distribusjonskonstantkrets med lengde
1 som vist i fig. 8A, var en ekvivalent krets beregnet for en enhetslengde Al ut fra overføringskarakteristikkene Sil og S21 som vist i fig. 8B. Deretter var ekvivalentkretsen for lengden 1 oppnådd ut fra ekvivalentkretsen for enhetslengden Al som vist i fig. 8C. Den ekvivalente kretsen for den magnetiske prøven omfatter serieinduktansen L og motstand R og parallell kapasitansen C og konduktansen G som vist i fig. 8C. Ut fra dette vil man forstå at endringen i
overføringskarakteristikken til mikrostriplinjen forårsaket av anordningen av det magnetiske stoffet på mikrostriplinjen er hovedsakelig fastsatt av den ekvivalente motstanden R som er addert i serie.
Sett det ovennevnte, var en frekvensrespons for den ekvivalente motstand R målt. De målte data var vist i fig. 9A og 9B for sjiktprøven 1 og sammenligningsprøven respektivt. Man skal merke ut fra disse figurene at den ekvivalente motstanden R reduseres gradvis i kvasimikrobølgeområdet og er omtrent 60 ohm ved omtrent 3 GHz. Man kan se ut fra frekvensavhengigheten av den ekvivalente motstanden R at den er forskjellig fra den for den komplekse permeabiliteten som har den maksimale verdien på omtrent 1 GHz. Man skal anta at denne forskjellen vil baseres på den gradvise økning av et forhold mellom produktet og prøvelengde til bølgelengden.
Fremstillingsmetoden for det magnetiske stoffet ifølge oppfinnelsen har vært beskrevet å være katodeforstøvningsmetoden og pådampningsmetoden men dette begrenser ikke fremstillingsmetoden. En hvilken som helst andre sjiktfremstillingsmetode slik som ionestråleavsetningsmetoden og gass-avsetningsmetode kan anvendes for fremstilling av det magnetiske stoffet ifølge den foreliggende oppfinnelsen hvis de kan tilveiebringe det magnetiske stoffet ifølge oppfinnelsen jevnt.
Ytterligere vil varmebehandlingen etter sjiktfremstillingen ikke være nødvendig hvis sjiktet som produsert har en tilstrekkelig egenskap.
Industriell anvendbarhet
Ifølge den foreliggende oppfinnelsen, har det magnetiske stoffet høyere kompleks permeabilitet i en høy frekvens slik som kvasimikrobølgeområdet. Således er det magnetiske stoffet ifølge den foreliggende oppfinnelse i stand til å tilveiebringe støydempning som er anvendelig i elektroniske kretselementer med liten størrelse og også ved elektroniske apparater.

Claims (19)

1. Anvendelse av et magnetisk stoff av en magnetisk sammensetning omfattende M, X og Y, hvor M er et metallisk magnetisk materiale bestående av i det minste et av Fe, Co og Ni, X er et element eller elementer forskjellig fra M og Y, og Y er i det minste et av F, N og 0, hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en konsentrasjon av M i sammensetningen slik at den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 35-80 % av den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M, og den magnetiske sammensetningen har den maksimale u"maks for komplekspermeabiliteten n" i et frekvensområde på 0,1-10 gigahertz (GHz), for å dempe eller å absorbere høyfrekvent støy i elektriske og elektroniske apparater.
2. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 1, hvor det magnetiske stoffet har en kompleks permeabilitetsfrekvensrespons med en relativ båndbredde bwr på 200 % eller mindre, hvor den relative båndbredden bwr fastsettes som et prosentforhold for båndbredde mellom to frekvenspunkter som viser den komplekse permeabiliteten som halvparten u"So av den maksimale u"maks til senterfrekvensen for nevnte båndbredde.
3. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 2, hvor det metalliske magnetiske materialet M har en saturasjonsmagnetisering hvor nevnte magnetiske sammensetning har en saturasjonsmagnetisering som er 60-80 % av saturasjonsmagnetiseringen for det metalliske magnetiske materialet M.
4. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 2 eller 3, hvor nevnte magnetiske sammensetning har en DC spesifikk motstand på 100-700 uQ.cm.
5. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 1, hvor det magnetiske stoffet har en kompleks permeabilitetsfrekvensrespons med en relativ båndbredde bwr på 150 % eller mer, hvor den relative båndbredden bwr fastsettes som et prosentforhold for båndbredde mellom to frekvenspunkter som viser den komplekse permeabiliteten som halvparten u"5o av den maksimale (x"maks> til senterfrekvensen i nevnte båndbredde.
6. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 5, hvor nevnte magnetiske metalliske materiale X har en saturasjonsmagnetisering, hvor nevnte magnetiske sammensetning har en saturasjonsmagnetisering som er 35-60 % av saturasjonsmagnetiseringen til det metalliske magnetiske materialet X.
7. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 5 eller 6, hvor nevnte magnetiske sammensetning har en DC spesifikk motstand på 500 uQ.cm eller mer.
8. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-7, hvor X er C, Bi, Si, Al, Mg, Ti, Zn, Hf, Sr, Nb, Ta og/eller sjeldne jordmetaller.
9. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-8, hvor nevnte metalliske magnetiske materiale M er fordelt som korn i en matrisesammensetning bestående av X og Y.
10. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge krav 9, hvor nevnte korn har en gjennomsnittelig kornstørrelse på 1-40 nm.
11. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-10, hvor nevnte magnetiske sammensetning har et anisotropt felt på 47746 A/m (600 Oe) eller mindre.
12. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-11, hvor nevnte magnetiske sammensetning er en sammensetning representert med en formel på Feo-Alp-Oy.
13. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-11, hvor nevnte magnetiske sammensetning representert ved formelen Fea-Alp-Or.
14. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-13, hvor nevnte magnetiske sammensetning er et tynt sjikt formet ved en katodeforstøvningsprosess.
15. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-13, hvor nevnte magnetiske sammensetning er et tynt sjikt formet ved en pådampningsprosess.
16. Anvendelse av et magnetisk stoff ifølge et av kravene 1-15, hvor det magnetiske stoffet er formet som et tynt sjikt med en tykkelse på 0,3-20 ucm.
17. Fremgangsmåte for å dempe en høyfrekvent støy fra å strømme i en kretslinje i en elektronisk anordning, karakterisert ved å anordne, i nærheten av eller direkte på nevnte elektroniske anordning, et tynt sjikt av et magnetisk stoff av en magnetisk sammensetning omfattende M, X og Y, hvor M er et metallisk magnetisk materiale bestående av i det minste et av Fe, Co og Ni, X er et element eller elementer forskjellig fra M og Y, og Y er i det minste et av F, N og O, hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en konsentrasjon av M i sammensetningen slik at den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 35-80 % av den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M, og den magnetiske sammensetningen har den maksimale u"maks for komplekspermeabiliteten u." i et frekvensområde på 0,1-10 gigahertz (GHz).
18. Fremgangsmåte ifølge krav 17, karakterisert ved at den elektroniske anordningen omfatter elektroniske elementer og kabler.
19. Høyfrekvent støydemper for å dempe eller å absorbere høyfrekvent støy i elektriske og elektroniske apparater, hvor den høyfrekvent støydemperen anvender et magnetisk stoff av en magnetisk sammensetning omfattende M, X og Y, hvor M er et metallisk magnetisk materiale bestående av i det minste et av Fe, Co og Ni, X er et element eller elementer forskjellig fra M og Y, og Y er i det minste et av F, N og O, hvor den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en konsentrasjon av M i sammensetningen slik at den magnetiske sammensetningen M-X-Y har en saturasjonsmagnetisering på 35-80 % av den for den metalliske masse av magnetisk materiale som bare omfatter M, og den magnetiske sammensetningen har den maksimale u<s>maks for komplekspermeabiliteten u" i et frekvensområde på 0,1-10 gigahertz (GHz).
NO20014634A 2000-01-24 2001-09-24 Magnetisk stoff med maksimal kompleks-permeabilitet i kvasimikrobolgebandet og fremgangsmate for fremstilling NO322311B1 (no)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000052507A JP2001210518A (ja) 2000-01-24 2000-01-24 磁気損失材料とその製造方法およびそれを用いた高周波電流抑制体
PCT/JP2001/000437 WO2001054145A1 (en) 2000-01-24 2001-01-24 Magnetic substance with maximum complex permeability in quasi-microwave band and method for production of the same

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO20014634D0 NO20014634D0 (no) 2001-09-24
NO20014634L NO20014634L (no) 2001-09-24
NO322311B1 true NO322311B1 (no) 2006-09-11

Family

ID=18574011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20014634A NO322311B1 (no) 2000-01-24 2001-09-24 Magnetisk stoff med maksimal kompleks-permeabilitet i kvasimikrobolgebandet og fremgangsmate for fremstilling

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20030024605A1 (no)
EP (2) EP1166288B1 (no)
JP (1) JP2001210518A (no)
KR (1) KR100749679B1 (no)
CN (1) CN1190804C (no)
DE (2) DE60110865T2 (no)
MY (1) MY128745A (no)
NO (1) NO322311B1 (no)
TW (1) TW521283B (no)
WO (1) WO2001054145A1 (no)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
MY131112A (en) 2000-04-04 2007-07-31 Nec Tokin Corp Electromagnetic noise suppressor, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the same
US7371471B2 (en) 2004-03-08 2008-05-13 Nec Tokin Corporation Electromagnetic noise suppressing thin film
WO2005086556A1 (ja) * 2004-03-08 2005-09-15 Nec Tokin Corporation 電磁雑音吸収薄膜
JP4719109B2 (ja) * 2006-04-21 2011-07-06 株式会社東芝 磁性材料およびアンテナデバイス

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09181476A (ja) * 1995-12-26 1997-07-11 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 超微結晶磁性膜からなる電波吸収体
JP3608063B2 (ja) * 1996-08-23 2005-01-05 Necトーキン株式会社 Emi対策部品及びそれを備えた能動素子
JPH10270246A (ja) * 1997-03-22 1998-10-09 Res Inst Electric Magnetic Alloys 磁性薄膜
EP0991087A3 (en) * 1998-09-28 2000-10-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Soft magnetic thin film, soft magnetic multi-layered film, producing method thereof and magnetic device using them
US6379810B1 (en) * 1999-01-18 2002-04-30 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. High resistance magnetic film

Also Published As

Publication number Publication date
TW521283B (en) 2003-02-21
KR20020033602A (ko) 2002-05-07
DE60110865T2 (de) 2006-04-27
DE60129854T2 (de) 2007-12-13
EP1377150B1 (en) 2007-08-08
KR100749679B1 (ko) 2007-08-16
NO20014634D0 (no) 2001-09-24
DE60129854D1 (de) 2007-09-20
EP1166288A1 (en) 2002-01-02
DE60110865D1 (de) 2005-06-23
EP1166288B1 (en) 2005-05-18
WO2001054145A1 (en) 2001-07-26
EP1377150A1 (en) 2004-01-02
NO20014634L (no) 2001-09-24
MY128745A (en) 2007-02-28
CN1190804C (zh) 2005-02-23
US20030024605A1 (en) 2003-02-06
CN1365502A (zh) 2002-08-21
JP2001210518A (ja) 2001-08-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4434422B2 (ja) 高周波電流抑制型コネクタ
Zhang et al. Electromagnetic and microwave absorption properties of Alnico powder composites
Dosoudil et al. Electromagnetic wave absorption performances of metal alloy/spinel ferrite/polymer composites
KR20010095273A (ko) 전자회로 소자를 포함하는 수지 몰딩 장치
Qiu et al. High frequency microwave characteristics of amorphous FeCoNiB–SiO2 thin films
Liu et al. Microwave characteristics of low density hollow glass microspheres plated with Ni thin-film
García et al. Effect of tensile stresses on GMI of Co-rich amorphous microwires
NO322311B1 (no) Magnetisk stoff med maksimal kompleks-permeabilitet i kvasimikrobolgebandet og fremgangsmate for fremstilling
EP1146637B1 (en) Electronic component of a high frequency current suppression type and bonding wire for the same
JP2002158486A (ja) 電磁波吸収膜
EP1143777B1 (en) Cooling device capable of considerably suppressing a high-frequency current flowing in an electric component
Man-Gui et al. Annealing effects on the microwave permittivity and permeability properties of Fe79Si16B5 microwires and their microwave absorption performances
Haidar et al. Measuring spin wave resonance in Ni100 x Fe x films: compositional and temperature dependence
Liao et al. Microwave permeability spectra of sputtered Fe-Co-B soft magnetic thin films
Iramnaaz et al. High quality factor RF inductors using low loss conductor featured with skin effect suppression for standard CMOS/BiCMOS
JP4398057B2 (ja) 高周波電流抑制型電子部品
Zhou et al. Magnetic Properties, Microwave Characteristics, and Thermal Stability of the FeCoAlN Films
Hao et al. Compositional dependence of magnetic and high frequency properties of nanogranular CoFe-Yttrium-doped Zirconia films
Zhuang et al. Investigation of microstrips with NiFe magnetic thin film (I): Experiment
JP4243000B2 (ja) 電子部品用高周波電流抑制型ボンディングワイヤ及びそれを含む電子部品
Wang et al. Numerical simulation on the noise suppression effect of nanogranular magnetic film CoFeHfO on PCB transmission lines
JP2022007092A (ja) コモンモードノイズ抑制部材
Ohnuma et al. Noise suppression effect of soft magnetic Co-Pd-BO films with large è¬ Å and BS
Sedova et al. MSMJ'07Symposium Proceedings, Kharkov, Ukraine, June 25-30, 2007
Sohn et al. Nano-granular Co-Fe-Al-Q Soft Ferromagnetic Thin Films for RF Electromagnetic-noise Filters

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Lapsed by not paying the annual fees